「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 354 355 356 357 358 359 360 361 362 .... 429 430 次へ＞- The first hard resin layer has a Rockwell R hardness of ≥90 and a thickness of ≤100 nm, and a plurality of hard convex portions CB are formed on the first hard surface or the second hard surface.
第１硬質樹脂層は、ロックウェルＲ硬度が９０以上であり、厚さが１００μｍ以下であり、第１硬質表面又は第２硬質表面には、複数の硬質凸部ＣＢが形成される。 - 特許庁 - An upper surface of a second step ST2 viewed from below is covered with the two protection layers 33a, 33b and an upper surface of a first step ST1 viewed from below is covered with one protection layer 33a.
下から２段目のステップＳＴ２は、その上面を２層の保護層３３ａ、３３ｂにて覆われ、下から１段目のステップＳＴ１は、その上面を１層の保護層３３ａにて覆われている。 - 特許庁 - The second unit sensor includes a main part 67 provided on the same plane as the first unit sensor, and a bridge part 68 connected to the main part 67 across the first unit sensor through the dielectric layer 70.
第２単位センサは、第１単位センサと同一平面上に設けられた主部６７と、誘電体層７０を介して第１単位センサを跨ぎ、主部６７に接続されたブリッジ部６８と、を有する。 - 特許庁 - The first recess and the second recess 76 are formed on a vertical line L extending from an intersection P of dielectric multi-layer films of the cross dichroic prism 443, and vertical to the luminous flux incident side end surface 444.
第１くぼみ部と第２くぼみ部７６は、クロスダイクロイックプリズム４４３の誘電体多層膜の交点Ｐから延びる光束入射側端面４４４に対する垂線Ｌ上に形成される。 - 特許庁 - To allow integrity and continuity of an inner layer of packaging material that is destined to come into contact with a product to be packaged at a splicing part where a first web and a second web of laminated packaging material are spliced together.
積層包装材料の第１ウェブと第２ウェブを相互に重ね継ぎする重ね継ぎ部において、包装される製品と接触すべき包装材料の内層の保全性と連続性を可能にする。 - 特許庁 - The first projection parts 21 are juxtaposed at a pitch P2 substantially equal to the pitch P1, and a highly light-reflective light reflecting layer 14 which reflects light toward a light source 20 is provided at the tip of each second projection part 19.
第１の凸部２１は、ピッチP１とほぼ等しいピッチP２で並列され、各第２の凸部１９の先部には光源２０側に反射する光反射性の高い光反射層１４が設けられている。 - 特許庁 - The fluorescent lamp has the arc tube internally forming the phosphor layer 3 and forming a first mount and a second mount 5 on both ends so as to block the arc tube, and a discharge medium.
蛍光ランプは、内面に蛍光体層３が形成され両端部に該発光管を閉塞するように第１のマウント部および第２のマウント部５が形成された発光管と、放電媒体とを備える。 - 特許庁 - The charge absorbing layer of the second conduction type is disposed at a lower side of the charge accumulation part while interposing the semiconductor of the first conduction type for a pixel in which a color filter of at least one color is provided.
第２導電型の電荷吸収層は、少なくとも１つの色のカラーフィルタが設けられる画素について、電荷蓄積部の下側に前記第１導電型半導体を介在させて配置される。 - 特許庁 - The gap holding member 47 includes a first gap holding member 53 on a small-diameter part 52 of the electric resistance adjusting layer 49 and a second gap holding member 54 on the first gap holding member 53.
空隙保持部材４７は電気抵抗調整層４９の小径部５２上の第１空隙保持部材５３とこの第１空隙保持部材５３上の第２空隙保持部材５４を備えている。 - 特許庁 - In the first protective part 51, the covering area per unit area of the dot layer Dt may be large so that the matte degree of a first region R1 is higher than that of a second region R2.
第１の保護部５１は、第１の領域Ｒ１の艶消し度合いが第２の領域Ｒ２よりも高くなるように、ドット層Ｄｔの単位面積当たりの被覆面積を大きく形成してよい。 - 特許庁 - An optical cover for diffusing light-emission from an LED chip is set at a double structure of a first internal optical cover 15 and a second external optical cover 16, or a multi-structure of a double layer or more.
ＬＥＤチップからの発光を拡散させる光学カバーを内側の第１の光学カバー１５と外側の第２の光学カバー１６の２重構造、或いは２重以上の多重構造とする。 - 特許庁 - The lens group 110 includes: a first lens element 111, a buffer layer 112; a transparent body 113; and a second lens element 114, arranged in order from the object side OBJS to the side of the image face 130.
レンズ群１１０は、物体側ＯＢＪＳから像面１３０側に向かって順番に配置された、第１レンズエレメント１１１と、バッファ層１１２、透明体１１３と、第２レンズエレメント１１４と、を含む。 - 特許庁 - Then, position adjustment of a recording optical system is performed based on the acquired recording condition, the first lightwave and the second lightwave are radiated to the hologram recording layer, and the plurality of holograms are sequentially recorded.
そして、取得された記録条件に基づいて、記録光学系の位置調整を行い、第１の光波及び第２の光波をホログラム記録層に照射して、複数のホログラムの各々を順次記録する。 - 特許庁 - In a second region 12 including the sidewall nearer on the semiconductor substrate 101 side rather than the first region 11, the metal-containing substrate film 13 has a metal layer 105 at the interface with the Cu film 107.
第一の領域１１よりも半導体基板１０１側の側壁を含む第二の領域１２において、金属含有下地膜１３は、Ｃｕ膜１０７との界面に金属層１０５を有する。 - 特許庁 - Such an abutment absent overlap provides for enhanced manufacturing flexibility when forming a contact to a silicide layer upon a source/drain region within one of the first transistor and the second transistor.
こうした重ならない当接により、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの一方の中のソース／ドレイン領域の上に、シリサイド層へのコンタクトを形成するとき、製造の柔軟性が向上する。 - 特許庁 - The first electrode and the second electrode contain strip-shaped collectors each having end edge parts along a length direction and a width direction and an active material layer formed on both faces of the collector.
第１電極および第２電極は、いずれも長手方向および幅方向に沿う端縁部を有する帯状の集電体と、集電体の両面に形成される活物質層とを含む。 - 特許庁 - The light-emitting device includes an organic layer 13 between a first electrode 11 and a second electrode 12, and organic EL elements D1 to D3 emitting light of single colors of different visible light regions.
発光装置は、第１の電極１１と第２の電極１２との間に有機層１３を有し、可視光領域の異なる単色の光を発光する有機ＥＬ素子Ｄ１〜Ｄ３を有する。 - 特許庁 - An insulating tape 62 is adhered to the first or second adhesive layer 58 or 60 between the liquid crystal display panel 10 and the backlight module 30, and extends to between the flexible wiring board 42 and the metal frame 44.
絶縁テープ６２は、液晶表示パネル１０とバックライトモジュール３０の間で第１又は第２の粘着層５８，６０に粘着し、フレキシブル配線基板４２とメタルフレーム４４の間に至るまで延びる。 - 特許庁 - Further, a second inductive impurity is ion-implanted to a deep region 4B, deeper than the region 4A and to the depth where C, is ion-implanted in the surface layer of the n-type drift region 2.
そして、ｎ型ドリフト領域２の表層部のうち、Ｃが注入された領域４Ａ及び該Ｃが注入された深さよりも深い領域４Ｂまで第２導電型不純物をイオン注入する。 - 特許庁 - The second resist layers 7. constituting a double resist structure together with the first resist layer, prevent electronic components from short-circuiting with the wiring pattern and reinforce the surfaces corresponding to the gaps D between the keys 1, 1.
また、第２レジスト層により、第１レジスト層と共にダブルレジストの構成とし、電子部品と配線パターンとの短絡を防止し、さらに、鍵１，１の隙間Ｄに対応する面の表面を丈夫にする。 - 特許庁 - The reflecting layer is made of an aluminum-titanium (Al/Ti) alloy and is disposed on the second substrate so as to reflect part of the light incident to the first substrate to return to the first substrate side.
反射層はアルミニウム−チタン（Ａｌ／Ｔｉ）合金で形成され、第１の基板から入射する光の一部を反射して第１の基板側に戻すため、第２の基板上に設けられている。 - 特許庁 - An optical disk has at least first and second recording layers placed one over the other in such a manner that information recorded in each layer is optically readable from one side of the disk.
光ディスクは、それぞれの層に記録された情報をディスク片側から光学的に読み出せるように、一方が他方の上方に配置された少なくとも１層目と２層目の記録層を有する。 - 特許庁 - The charge accumulation film has a two-layer structure consisting of an Si-rich first silicon nitride film 44 formed on the tunnel oxide film and an N-rich second silicon nitride film 45 formed on the first silicon nitride film.
電荷蓄積膜は、トンネル酸化膜上に形成されたＳｉリッチな第１シリコン窒化膜４４と、第１シリコン窒化膜上に形成されたＮリッチな第２シリコン窒化膜４５の２層構造で形成される。 - 特許庁 - The fuel injected in a second half of a compression stroke is not diffused to prevent the fuel or air-fuel mixture entering into a quench layer near the cylinder wall and thereby to reduce an unburnt HC amount.
圧縮行程後半に噴射された燃料は拡散することがなく、シリンダ壁近傍のクエンチ層に燃料または混合気が入り込むことを防止でき、未燃ＨＣ量を少なくできる。 - 特許庁 - A ZrB target is sputtered with an Ar gas, and a common first metal cap layer 16 principally containing ZrBx (x=0.5-4.0) is laminated on a second interlayer dielectric 11 and a first wiring 13.
ＺｒＢターゲットをＡｒガスでスパッタし、第２層間絶縁膜１１と、第１配線１３と、にＺｒＢｘ（ｘ＝０．５〜４．０）を主成分にした共通する第１メタルキャップ層１６を積層した。 - 特許庁 - In the case of a vapor phase epitaxy of the second clad layer, the growth pit is formed in the front surface using the growth temperature as 1,000°C or less, and the vapor phase epitaxy is performed until the thickness is set to 100 nm or more.
第２クラッド層の気相成長に際しては、成長温度を１０００℃以下としてその表面に成長ピットを形成し、且つ、厚さが１００ｎｍ以上となるまで気相成長させる。 - 特許庁 - The external terminals 3 each have a first through hole 11A, and the protective layer 2 has second through holes 11B in which at least parts thereof are overlapped with the first through holes 11A.
外部端子３には第１の貫通穴１１Ａが形成されていると共に、保護層２には、第１の貫通穴１１Ａと少なくとも一部が重なる第２の貫通穴１１Ｂが形成されている。 - 特許庁 - A backlight unit 2, two prism films 4a, 4b, a first polarizing plate 5, a liquid crystal cell 1 configured by providing a liquid crystal layer between a pair of substrates, and a second polarizing plate 6 are disposed in this order.
バックライト装置２と、２枚のプリズムフィルム４ａ，４ｂと、第１偏光板５と、一対の基板の間に液晶層が設けられてなる液晶セル１と、第２偏光板６とをこの順で配置する。 - 特許庁 - In the formula, G represents the shear elastic modulus reference value of a second member, Es represents an elastic modulus of a first member, ts represents a thickness of the surface layer portion, tc represents a thickness of the core portion, and λ_0 represents a wavelength of cylindrical buckling, respectively.
Ｇ＝１００＊Ｅｓ＊ｔｓ＊ｔｃ／λ_０^２ ・・・（１） ただし、 Ｇ：第二の部材のせん断弾性率基準値 Ｅｓ：第一の部材の弾性率 ｔｓ：表層部の厚さ ｔｃ：コア部の厚さ λ_０：円筒座屈の波長 - 特許庁 - Next, each connective hole 107 reaching each lower-layer wiring 102 is formed in the second interlayer insulating film 105 and the insulating barrier film 103, and each wiring groove 108 reaching each connective hole 107 is formed.
次に、第２の層間絶縁膜１０５及び絶縁性バリア膜１０３に下層配線１０２に達する接続孔１０７を形成し、接続孔１０７に達する配線溝１０８を形成する。 - 特許庁 - In the Schottky diode 11 of the semiconductor element, a silicon-carbide supporting substrate 13 having a first surface 13a and a second surface 13b opposed to the layer 13a exhibits a carrier concentration exceeding 1×10^18 cm^-3.
ショットキダイオード１１で炭化ケイ素支持基体１３は、第１の面１３ａと第１の面の反対側の第２の面１３ｂとを有しており、１×１０^１８ｃｍ^−３を超えるキャリア濃度を示す。 - 特許庁 - For data 50 of a second layer, a product size 56 which can be attached to the fixture, a form and a position of standard faces 58a, 58b, 58c and 58d and a form and a position of clamps 60a, 60bh, 60c, 60d are stored depending on a name 52 of the fixture.
第２階層のデータ５０は、治具名称５２別に、その治具に取付けられる製品寸法５６と、基準面５８ａ，５８ｂ，５８ｃ，５８ｄの形状と位置、クランプ６０ａ，６０ｂｈ，６０ｃ，６０ｄの形状と位置が格納される。 - 特許庁 - In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another, is provided on a low- resistance silicon substrate 11.
低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁 - By this, it turns stably adhered and the cooling effect by evaporation of water in the water-containing gel layer 13 through the first sheet body 14 and the second sheet body 16 acts on the lesion.
これによって貼付け状態が安定すると共に、第１シート体１４及び第２シート体１６を通しての含水ゲル層１３の水分の気化による冷却効果が患部に働くことになる。 - 特許庁 - A color filter layer 21 is partially removed on a first repair cutting portion 26 and a second repair cutting portion 31, where a main TFT 8 and a pixel electrode 17 can be electrically insulated from each other by irradiation with a laser beam.
レーザビームの照射にてメインＴＦＴ８と画素電極17とが電気的に絶縁可能な第１のリペア切断部26上および第２のリペア切断部31上のカラーフィルタ層21を部分的に除去する。 - 特許庁 - The magnetic recording medium comprises a substrate, first, second and third underlayers formed on the substrate, and a magnetic data recording layer formed on the underlayers.
本発明に従って構成される磁気記録媒体は、基板と、前記基板の上に形成される第１、第２、及び第３の基層と、前記基層の上に形成される磁気データ記録層と、を含んでいる。 - 特許庁 - An opening 33 is provided in the barrier layer 32, and an observer views a first image by a pixel 4L or a second image by a pixel 4R through the opening 33 in response to a visual angle.
バリア層３２には開口部３３が設けられており、観察者は、視角に応じて、開口部３３を通じて画素４Ｌによる第１の画像、又は画素４Ｒによる第２の画像を視認する。 - 特許庁 - To obtain a method of manufacturing a thin-film solar cell module with high efficiency by reducing an unnecessary current pass at the exposed surface of a semiconductor, which is removed at the same time of scribing a second electrode layer.
第２電極層のスクライブと同時に除去される半導体の露出面での不要な電流パスを低減して、効率の高い薄膜太陽電池モジュールを製造できる方法を提供する。 - 特許庁 - The seed layer 111 and the plating film 112 are integrated to form a wiring copper film 113, thereby forming vias 114 and second wirings 115 from the copper film 113.
銅シード層１１１と銅メッキ膜１１２とを一体化して配線用銅膜１１３を形成することにより、配線用銅膜１１３からなるビア１１４及び第２の配線１１５を形成する。 - 特許庁 - A photoelectric conversion device includes an organic photoelectric conversion layer 12 containing a mixture of an organic photoelectric conversion dye, a fullerene or a fullerene derivative, and a fullerene polymer between a first electrode 11 and a second electrode 15.
第１電極１１と第２電極１５との間に、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とを混合して含む有機光電変換層１２を備える。 - 特許庁 - Each of the first capacitor electrode and the semiconductor layer includes the impurity-doped polycrystalline silicon film, and the second capacitor electrode is relatively thinner than the gate electrode.
そして、前記第１キャパシタ電極及び前記半導体層は、各々不純物がドーピングされた多結晶シリコン膜を含み、前記第２キャパシタ電極は前記ゲート電極より相対的に厚さが薄い。 - 特許庁 - Then, by the element substrate 11 and the sealing substrate 17, an organic EL element, laminating a first electrode 12, an organic EL layer 14, and a second electrode 15 on the element substrate 11, is sealed.
そして、この素子基板１１と封止基板１７とにより、素子基板１１上に第１の電極１２、有機ＥＬ層１４および第２の電極１５の積層した有機ＥＬ素子が封止されている。 - 特許庁 - In the case of using an optical disk D2 having a thick protective layer, a laser beam with a long wavelength emitted from a second laser module 22 is made incident on the objective lens 10 as a divergent light beam and converged on the recording surface.
保護層が厚い光ディスクＤ2の使用時、第２のレーザーモジュール２２から発した長波長のレーザー光は、発散光として対物レンズ１０に入射し、記録面に集光される。 - 特許庁 - The first and the second unit cell 12a, 12b include an electrolytic layer/electrode construction 24, which is sandwiched between an anode side separator 32 and a cathode side separator 34.
第１および第２単位セル１２ａ、１２ｂは、電解質膜・電極構造体２４を有し、前記電解質膜・電極構造体２４をアノード側セパレータ３２とカソード側セパレータ３４とで挟持して構成される。 - 特許庁 - A layer changed in properties is thereafter removed by using an alkaline solution (second surface treatment 5b) and the magnetic disk substrate is manufactured through a chemical strengthening treatment process step 6 and finishing cleaning process step 7.
そしてその後、アルカリ性溶液を使用して変質層を除去し（第２の表面処理５ｂ）、化学強化処理工程６及び仕上げ洗浄工程７を経て磁気ディスク基板を製造する。 - 特許庁 - Moreover, since the three-layer coil spring 52 for connecting bends with the bend 20 by the flexibility, the first propulsion section 11a and the second propulsion section 11b follow the bending of the bend 20.
また、連結用三層コイルバネ５２がその可撓性によって湾曲部２０とともに湾曲するので、第一推進部１１ａと第二推進部１１ｂとが湾曲部２０の湾曲に追従する。 - 特許庁 - The silicon device layer 111 is provided with a capacitance element 201 of the pressure sensor consisting of a cavity 116 and a first metal wire 114 and a second metal wire 115 arranged above and below the cavity 116.
シリコンデバイス層１１１には、空隙１１６とその上下に配置された第１メタル配線１１４および第２メタル配線１１５とによって、圧力センサの容量素子２０１が形成されている。 - 特許庁 - At a part (resin part 43) where the resin material part 42a and the second piezoelectric layer 5 are stacked, the sensitivity becomes high for ultrasonic waves having a double frequency compared to the piezoelectric part 44.
樹脂材料部４２ａ、・・・と第２の圧電体層５とが積層している部分（樹脂部４３）においては、圧電体部４４に比べて２倍の周波数を有する超音波に対して感度が高くなる。 - 特許庁 - The heat treatment heats up and melts a solder paste (or solder) composing the first and second solder layers 42 and 46, thus enabling a solder layer to be formed that covers the resin section 44.
前記熱処理は、第１の半田層４２および第２の半田層４６を構成する半田ペースト（または半田）を加熱し、溶融させて、樹脂部４４を覆う半田層を形成することができる。 - 特許庁 - A second anisotropic etching groove which connects with the first anisotropic etching groove and has the same axis as the first anisotropic etching groove and is a guide for a making position of the core layer of the optical waveguide is formed on the other side of the substrate.
基板の他方には、前記第１の異方性エッチング溝と連通し、同軸で、かつ、光導波路のコア層の作製位置をガイドするように第２の異方性エッチング溝が形成される。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
