「second-layer」を含む例文一覧(21457)
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絶縁層２０の上面は、開口部ＯＰの内壁面の少なくとも一部を含む第１上面と、第１上面と比較して半導体基板からより離れている第２上面と、を含む。 - 特許庁 - The organic EL device includes an insulating substrate 101, first and second interlayer dielectrics 113, 114, a plurality of pixel electrodes PE, an organic layer ORG and a counter electrode CE.
実施形態の有機ＥＬ装置は、絶縁基板１０１と、第１及び第２層間絶縁膜１１３，１１４と、複数の画素電極ＰＥと、有機物層ＯＲＧと、対向電極ＣＥとを含んでいる。 - 特許庁 - The gas barrier laminate film is formed by laminating a gas barrier coating layer of a water-soluble polymer solution, sandwiched between first and second barrier layers made of an inorganic oxide deposition film, on the polyamide-based film.
ガスバリア性積層フィルムは、ポリアミド系フィルムに、無機酸化物蒸着層からなる第一及び第二ガスバリア層の間に水溶性高分子溶液のガスバリア性被覆層を挟んだものを積層した。 - 特許庁 - The tape for wafer processing 10 includes a long mold releasing film 11, the adhesive layer 12, a first adhesive film 13 of a radiation curing type, and a second adhesive film 14 of a non-radiation curing type.
ウエハ加工用テープ１０は、長尺の離型フィルム１１と、接着剤層１２と、放射線硬化型の第１粘着フィルム１３と、非放射線硬化型の第２粘着フィルム１４とを備えている。 - 特許庁 - A surface of a projecting underfill resin 6 at a periphery of the semiconductor chip 1 is coated with a second resin 16b to form an uneven layer 16, and molding using a mold resin is carried out thereupon to form a container.
半導体チップ１の周囲のはみ出したアンダーフィル樹脂６の表面に第２の樹脂１６ｂを塗布して凹凸層１６を形成し、その上にモールド樹脂によりモールドを行い、容器を形成する。 - 特許庁 - A glass fiber net 4 is tentatively pressed, and further the short-fiber-mixed mortar is applied as the second mortar layer 5 in a thickness of, e.g. 3 mm over the net 4 with a metal trowel to embed the net 4.
ガラス繊維ネット４を仮押さえし、さらに金ゴテでネット４の上から第２層目モルタル５として短繊維入りモルタルを例えば３ｍｍ厚に塗り付けて、ネット４を埋め込むようにする。 - 特許庁 - The second recording layer (3) consists of Ge and contains 0.5 to 10 atomic percent at.% of at least one element selected from Al, Ag, In, Mn, Ni, Zn and Zr.
第二記録層（３）はＧｅから成り、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｚｒの中から選ばれた少なくとも一つの元素を０．５原子％以上１０原子％以下の範囲内で含有する。 - 特許庁 - In the light emitting device, the side of the p-type Al_xGa_1-xN layer 5 is mounted downward and light is emitted from a second main surface 1a on the opposite side of the first main surface of the GaN substrate 1.
発光装置は、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、ＧａＮ基板１の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出するものである。 - 特許庁 - When the main lateral HVFET and the sense FET are in an on-state, a voltage potential is produced at a second source metal layer that is proportional to a first current flowing through the lateral HVFET.
主横型ＨＶＦＥＴおよびセンスＦＥＴがオン状態である場合、横型ＨＶＦＥＴを通って流れる第１の電流に比例する電圧電位が第２のソース金属層において生成される。 - 特許庁 - When an inner fin 123 is sandwiched between a first plate 122a with a paste material layer 122c formed on its surface and a second plate 122b, a spacing part 125 is formed by a projection part 122b (refer to a).
表面にペースト材層１２２ｃが形成された第１プレート１２２ａと第２プレート１２２ｂとによりインナーフィン１２３を挟み込むときには、突起部１２２ｂにより隙間部１２５を形成する（（ａ）参照）。 - 特許庁 - Between the first magnetic thin film 1 and the second magnetic thin film 2, an insulating layer 3 is formed to control (suppress) a current flowing the entire magnetic storage element 10.
また、第１の磁性体薄膜１と第２の磁性体薄膜２との間には、磁気記憶素子１０全体を通じて流れる電流値を制御（抑制）するための絶縁層３が形成されている。 - 特許庁 - A second joining region (1c) in the semiconductor layer is disposed at least partially in a crossing region (99cr) where the data line and the scanning line cross each other in plan view on the substrate.
半導体層における第２の接合領域（１ｃ）は、基板上で平面的に見て、データ線及び走査線の交差する交差領域（９９ｃｒ）内に少なくとも部分的に配置されている。 - 特許庁 - At each transistor part, a first opening is formed in an insulating film 8 and a second opening, which is smaller than the first opening, is formed in a poly-crystal silicon layer 11 coaxially with the first opening.
各トランジスタ部において絶縁膜８に第１の開口が形成され、多結晶シリコン層１１に第１の開口より小さい第２の開口が該第１の開口と同軸に形成される。 - 特許庁 - The IC chip 60 has an outer edge at a position beyond outer edges of the first wiring pattern and the second wiring pattern in the wiring layer 110 to inhibit the leakage of the electromagnetic field from both the wiring pattern.
ＩＣチップ６０は、配線層１１０における第１配線パターンおよび第２配線パターンの外縁を越えた位置に外縁をもち、両配線パターンからの電磁界の漏洩を抑制する。 - 特許庁 - After the second process, n^+ impurity regions 3 and 5 are formed at regions overlapped with the n-type impurity region by implanting ions into the n-type impurity region in the n^- epitaxial layer 2 (the third process).
第２工程後、ｎ^-エピタキシャル層２におけるｎ型不純物領域にイオン注入し、ｎ型不純物領域と重なる領域にｎ^+不純物領域３および５を形成する（第３工程）。 - 特許庁 - Shape filled with a tube or sponge molded by providing elasticity is used as a second damper member, and housed and held in the hollow part 11 of the first damper member 10 to be made a multi-layer structure.
弾力性を備えて成型したチューブやスポンジを充填した形態を第２ダンパー部材として、第１ダンパー部材１０の中空部１１に収納保持して多層構造とすることもできる。 - 特許庁 - A field via 60 being formed on lid plating layers 36a and 36d is subjected to a larger stress during a heat cycle as compared with a field via 160 being formed in a second interlayer resin insulation layer 150.
蓋めっき層３６ａ、３６ｄの上に形成されるフィルドビア６０は、第２の層間樹脂絶縁層１５０に形成されるフィルドビア１６０よりヒートサイクル時に加わる応力が大きい。 - 特許庁 - A power conductor, having relatively large width, is routed on a third metal layer, to reduce the size of the power conductor on a first and second metal layers and remove it in some cases.
相対的に幅の広いパワーコンダクタは第３金属層上でラウティングされて、第１及び第２金属層上でパワーコンダクタの大きさを減少させたり、場合によっては除去させたりする。 - 特許庁 - The side reinforcing rubber layer 10 is composed of a first rubber section 11 having a maximum thick section 11a on the tread section side and a second rubber section 12 having a maximum thick section 12a on the bead section side.
サイド補強ゴム層１０は、そのトレッド部側に最大厚さ部分１１ａを有する第１のゴム部１１と、ビード部側に最大厚さ部分１２ａを有する第２のゴム部１２とからなる。 - 特許庁 - The electromagnetic shield material is constituted so that, when the polyester film 11 is stacked with the glass substrate 15, the second conductor layer 16 may protrude in the outside direction in projection to the direction perpendicular to the glass substrate 15.
ポリエステルフィルム１１にガラス基板１５を重ねた状態で、該ガラス基板１５に対して垂直方向への投影において、第２の導電体層１６が外方向に食み出すように構成する。 - 特許庁 - A hard mask layer HM is formed by reforming an exposed front surface region RS exposed in the second metal film 521 into a material having a different etching selection ratio for the first metal film 511.
第２金属膜５２１において露出された露出表面領域ＲＳを、第１金属膜５１１に対してエッチング選択比が異なる材料に変質させてハードマスク層ＨＭを形成する。 - 特許庁 - The optical recording medium has a first film (2) and a second film (3) which are successively formed on an information substrate (1) and an organic protective film of a UV curing resin layer (4), a covering substrate (6) or the like.
情報基板（１）上に第一膜（２）と第二膜（３）とを順次形成しており、さらに紫外線硬化樹脂層（４）またはカバー基板（６）等の有機保護膜を有する光記録媒体とする。 - 特許庁 - A sufficient space can be secured between a first electrode and a second electrode, and the other substrate by setting the thickness (d) of an electrooptical material layer so that d>A×S (3<A<100).
電気光学物質層の厚さｄをｄ＞Ａ×Ｓ（３＜Ａ＜１００）となるように設定することにより、第１電極及び第２電極と他方の基板との間隔を確実に確保することができる。 - 特許庁 - Each of a plurality of constituent units comprises: a light-emitting element including a functional layer held between a first electrode and a second electrode; and a driving circuit for supplying power to the light-emitting element.
複数の単位構成の各々は、第１電極と第２電極との間に挟まれた機能層を含む発光素子と、発光素子に電源を供給するための駆動回路と、を備えている。 - 特許庁 - Then, the upper-layer part of the interlayer insulation film 2 is subjected to anisotropic etching via the first groove TC1, thus forming a second groove TC2 with a wider opening diameter than the first groove TC1.
更に、前記第１の溝ＴＣ１を介して前記層間絶縁膜２の上層部を等方性エッチングして当該第１の溝ＴＣ１よりも開口径の広い第２の溝ＴＣ２を形成する。 - 特許庁 - A second layer having a fixed thickness and containing inorganic or organic material is provided on a silver thin film to minimize an influence on the sensitivity of a sensor, thereby restraining influence due to a temperature change of the sensor.
銀薄膜の上に、一定の厚さを持つ無機物または有機物を含む第二層を設けることで、センサ感度への影響を最小限にした上で、センサの温度変化による影響を抑える。 - 特許庁 - Consequently, the spin-polarized hot electrons 27 can not conduct in the conduction band of the second ferromagnetic barrier layer 6, thereby losing their energies in the interface between the base 22 and a collector 23 by spin-dependent scatterings or reflections.
このため、スピン偏極ホットエレクトロン２７は、第２の強磁性障壁層６の伝導帯を伝導できず、ベース２２とコレクタ２３との界面においてスピン依存散乱又は反射を受けてエネルギーを失う。 - 特許庁 - In order to prevent deterioration of an organic EL layer 114 due to moisture, a first inorganic film 120, an organic planarizing film 130, and a second inorganic film 140 are formed on an upper electrode 115.
有機ＥＬ層１１４が水分によって劣化することを防止するために、上部電極１１５の上に第１の無機膜１２０、有機平坦化膜１３０、第２の無機膜１４０が形成されている。 - 特許庁 - The magnetic head device 1A includes a first magnetic head 10A for recording direct current erasing signals, a second magnetic head 20A for recording servo signals, and a junction layer 30.
本発明の一形態に係る磁気ヘッド装置１Ａは、直流消去信号記録用の第１の磁気ヘッド１０Ａと、サーボ信号記録用の第２の磁気ヘッド２０Ａと、接合層３０とを具備する。 - 特許庁 - In a fuel battery cell unit, a fuel battery cell 42 comprises a membrane electrode gas diffusion layer assembly 42mega, a first separator plate 42sp1, a second separator plate 42sp2, and a frame material 42FL.
燃料電池セルユニットにおいて、燃料電池セル４２は、膜電極ガス拡散層接合体４２ｍｅｇａと、第１のセパレータプレート４２ｓｐ１と、第２のセパレータプレート４２ｓｐ２と、フレーム材４２ＦＬと、を備える。 - 特許庁 - The second insulating film 16b may be omitted, and the first insulating film 16a may be constituted as a multi-layer structure made of Al containing nitride based group III nitride compound semiconductor layers with different Al composition ratios.
また、第２の絶縁膜を備える代わりに、第１の絶縁膜をＡｌの組成比が異なるＡｌ含有窒化物系ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体の多層膜により構成するようにしてもよい。 - 特許庁 - Direct nitriding of a silicon oxide film which uses RLSA type plasma treating equipment is applied to side walls of the connection hole 21 and the second trench 23, and a barrier layer 25 composed of an SiN film is formed.
さらに、接続孔２１および第２の溝２３の側壁に、ＲＬＳＡ型のプラズマ処理装置を用いたシリコン酸化膜の直接窒化を施し、ＳｉＮ膜からなるバリヤ層２５を形成する。 - 特許庁 - Further, the thin plate member 5 is inclined or displaced in the vertical direction on an optical axis with an electrostatic force by controlling a voltage applied to the first and the second layer electrodes.
そして、第１層と第２層の電極間に与える電位を制御すると、静電気力によって、薄板状部材５が、光路上で傾斜したり、鉛直方向に変位したりするようになっている。 - 特許庁 - In order to provide the organic EL panel having a long lifetime, the organic EL element which has at least the first electrode, the light-emitting layer 16c, and the second electrode is formed on the substrate to prepare the organic EL panel.
寿命が長い有機ＥＬパネルを提供するため、有機ＥＬパネルは、基板に、少なくとも第一電極と、発光層１６ｃ、第二電極と、を有する有機ＥＬ素子を形成したものである。 - 特許庁 - When a read-out current is made to flow to a lamination direction through a lower part electrode 11 and an upper part electrode 14, reduction of resistance variation quantity caused by a second magnetization fixing layer 233 can be suppressed.
下部電極１１および上部電極１４を介して積層方向に読出電流を流した場合、第２の磁化固着層２３３に起因する抵抗変化量の減少を抑制することができる。 - 特許庁 - A surface on which the second electrode of the ohmic contact formation layer of the diode is a crystal surface inclined in a direction for exposing a (111)A surface from a (100) surface.
このダイオードの前記オーミックコンタクト形成層の第２の電極を形成する面が、（１００）面から（１１１）Ａ面を表出させる方向へ傾斜した結晶面であることが特徴である。 - 特許庁 - To provide: an organic light emitting element having an improved aperture ratio and capable of suppressing disconnection of an organic layer and a second electrode; and a display device including the organic light emitting element.
開口率を向上させると共に有機層および第２電極の断線を抑制することができる有機発光素子およびこの有機発光素子を備えた表示装置を提供することにある。 - 特許庁 - A first source/drain region and a second source/drain region are formed close to the upper surface in the semiconductor layer, and are arranged to be separated to each other.
第１のソース／ドレイン領域および第２のソース／ドレイン領域が、半導体層内で、その上面近傍に形成され、第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域は互いに離隔されている。 - 特許庁 - An organic light emitting element has a light emitting layer interposed between a first electrode and a second electrode.
第１電極と第２電極との間に発光層を有する有機発光素子において、発光層は、ナフチルアントラセン系化合物及びビアントラセン系化合物からなる混合ホストとドーパントとを含む有機発光素子である。 - 特許庁 - Each pixel has the first substrate (24) provided on the upper part of the substrate (20) and a second electrode (28) provided to be opposed to the substrate (20) with a liquid crystal layer (22) including the liquid crystal molecules in-between.
夫々の画素は、基板（２０）の上に設けられた第１の電極（２４）と、液晶分子を含む液晶層（２２）を挟んで基板（２０）に対向して設けられた第２の電極（２８）とを有する。 - 特許庁 - The flat cap 12 made of doped polysilicon is supported on a silicon substrate 2 in a facing state to the silicon substrate 2 via a second insulating layer 9 by a wall section 6 and separating section 7.
シリコン基板２上には、壁部６および分離部７により、第２絶縁層９を介して、ドープトポリシリコンからなる平板状のキャップ１２がシリコン基板２に対向した状態で支持されている。 - 特許庁 - The intensity of the second laser beams L2 is adjusted at laser beam intensity to be a temperature lower than a temperature which is given to the light absorbing resin layer 6B of the work 6 by the first laser beams L1.
第２レーザビームＬ２のレーザ光強度は、第１レーザビームＬ１によってワーク６の光吸収性樹脂層６Ｂが与えられる温度よりも低温となるレーザ光強度に調整されている。 - 特許庁 - The organic EL element 100 has a structure in which a luminous layer 10 is interposed by a first electrode 1 and a second electrode 2 arranged mutually facing each other.
上記課題を解決する有機ＥＬ素子１００は、互いに対向して配置されている第１の電極１及び第２の電極２により、発光層１０が挟持された構造を有している。 - 特許庁 - Most electromagnetic waves in the LSM_01 mode propagate in the third dielectric layer 13 whose dielectric constant is relatively higher in a region sandwiched between the lines of the first and second through-holes 21, 22.
第１および第２のスルーホール２１，２２の列によって挟まれた領域内において、ＬＳＭ_01モードの電磁波のほとんどが、相対的に誘電率の高い第３の誘電体層１３内を伝搬する。 - 特許庁 - The electric insulation layer 42 is provided with a control section 48 electrically connected with the second conductive body 30b and controlling a heating means by detecting whether or not the user performs the input operation.
電気絶縁層４２には、第２の導電体３０ｂと電気的に接続されて前記ユーザーの入力操作の有無を検知して加熱手段を制御する制御部４８が設けられている。 - 特許庁 - With such contact that is not overlapped, flexibility in manufacturing is improved when forming the contact to a silicide layer on a source/a drain region in one of the first and the second transistor.
こうした重ならない当接により、第１のトランジスタ及び第２のトランジスタの一方の中のソース／ドレイン領域の上に、シリサイド層へのコンタクトを形成するとき、製造の柔軟性が向上する。 - 特許庁 - The phase-change memory has bit lines extending in a first direction, word lines extending in a second direction perpendicular to the first direction, and a phase-change layer provided between the bit lines and the word lines.
相変化メモリは、第１の方向に延在するビット線、第１の方向と垂直な第２の方向に延在するワード線及びビット線とワード線の間に設けられた相変化層を有する。 - 特許庁 - Pieces 51 to 59 of the upper layer piece group 5 are made of a transparent material and the pieces 51 to 59 are provided with second opaque parts 51a to 59a for covering at least the dummy patterns.
上層ピース群５の各ピース５１ないし５９を透明材によって形成し、各ピース５１ないし５９に、少なくともダミーの絵柄を目隠しする第２の不透明部５１ａないし５９ａを設ける。 - 特許庁 - In a second inductor 22, coil wires 4-6 arranged on a layer basis on a plurality of layers different from those of the first inductor 21 are connected among the layers, and partially or entirely overlap those of the first inductor 21 in a plan view.
第２インダクタ２２は、第１インダクタ２１と異なる複数層に層ごとに配置されたコイル配線４〜６を層間で接続し、第１インダクタ２１と平面視で一部または全部が重なっている。 - 特許庁 - Each of the second-main-surface-side connection terminals 45 has a recessed portion 45b at the center of the terminal outer surface 45a, and the deepest portion of the recessed portion 45b is located on the interior layer side in relation to the outer peripheral portion of the terminal outer surface 45a.
第２主面側接続端子４５は端子外面４５ａの中央部に凹部４５ｂを有し、その凹部４５ｂの最深部は端子外面４５ａの外周部よりも内層側に位置する。 - 特許庁
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