「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 352 353 354 355 356 357 358 359 360 .... 429 430 次へ＞- In addition, a vacuum insulating layer 12 is formed between the first and the second cylindrical bodies 3 and 4 so as to prevent outward heat transfer from the first cylindrical body 3 when the working temperature of the heat-treating furnace exceeds a prescribed value.
そして、熱処理炉の使用温度が所定温度を超える場合、第１及び第２筒体３，４の間に、第１筒体３から外側に熱が伝わるのを防ぐ真空断熱層１２を形成する。 - 特許庁 - An insulating film 8 of AlGaO is formed completely on the surface of a region 4A between first and second high concentration n-type impurity regions 6A and 6B in a barrier layer 4.
バリア層４の内で第１及び第２高濃度ｎ型不純物領域６Ａ，６Ｂ間の領域４Ａ全体の表面上に、ＡｌＧａＯから成る絶縁膜８が全面的に形成されている。 - 特許庁 - The adhesive resin film forming the first and second adhesive resin film layers 11 and 13 is a hot melt type and they have lower melting points than the resin forming the surface resin layer 5 has.
第１及び第２の接着樹脂フィルム層１１，１３を構成する接着樹脂フィルムはホットメルトタイプで、それらの融点が、前記表面樹脂層５を構成する樹脂の融点よりも低い。 - 特許庁 - After depositing a first electrode film 1, a power generation layer 2 and a second electrode film 3 on a substrate 0 so as to be superimposed, separation grooves 11, 21 which divide the laminated films 1, 2, 3 into cell units are formed.
基板０上に第一の電極膜１、発電層２及び第二の電極膜３を重ねて製膜した後、これら積層膜１、２、３をセル単位に分割する分離溝１１、２１を形成する。 - 特許庁 - A double side cooled coating layer module for power is collectively formed of the element (22) for semiconductor power, the POL (24), and first and second channel type heat sink assemblies (30) and (28).
半導体電力用素子（２２）、ＰＯＬ（２４）、第一の流路型ヒート・シンク・アセンブリ（３０）及び第二の流路型ヒート・シンク・アセンブリ（２８）は、まとめて両面冷却式電力用被覆層モジュールを形成している。 - 特許庁 - In addition, when the communication device authenticates a user according to user authentication information from the radio communication terminal 50, the communication device terminates the radio communication terminal 50 and the own device at a data link layer, and establishes a second transmission path.
また、通信装置は、無線通信端末５０のユーザ認証情報によりユーザを認証するとデータリンク層で無線通信端末５０と自装置とを終端し第２通信パスを確立する。 - 特許庁 - The second recording layer 6 is formed by using a mixed dyestuff formed so that the mass Wa of a cyanine dyestuff having a refractive index na is larger than the mass Wb of an immonium dyestuff having a refractive index nb.
第２記録層６は、屈折率ｎａのシアニン色素の質量Ｗａが、屈折率ｎｂのイモニウム色素の質量Ｗｂより多くなるように混合した混合色素で形成されている。 - 特許庁 - The memory cell 100 comprises a word gate 14 formed on a semiconductor substrate 10 through a first gate insulation layer 12, impurity layers 16 and 18, and first and second sidewall-like control gates 20 and 30.
メモリセル１００は、半導体基板１０上に第１ゲート絶縁層１２を介して形成されたワードゲート１４と、不純物層１６，１８と、サイドウォール状の第１，第２コントロールゲート２０，３０とを有する。 - 特許庁 - Then, when exhaust gas and moisture come in from the adhesive surface between the detection element 11 and the heater element 12, the second filling layer 312 prevents them from reaching the electrode section 122 in the heater element 12.
よって、検出素子１１とヒータ素子１２との接着面より、排ガスおよび水分が侵入してきた場合、第二充填層３１２によって、ヒータ素子１２の電極部１２２まで到達することがない。 - 特許庁 - The p-side electrode 114 has one or a plurality of high refractive index layers and low refractive index layers formed in order from the side in contact with the surface of the second conductivity type semiconductor layer group.
上記ｐ側電極１１４は、第２導電型の半導体層群の表面と接する側から順に形成された１つまたは複数の高屈折率層と低屈折率層を有する。 - 特許庁 - A volume between the contiguous interconnect lines 55, 55 is reclaimed so as to touch a surface of the insulating film spacer 56, and a plurality of self alignment contact pads 62 consist of a second conductive layer are formed.
前記絶縁膜スペーサ５６の表面に接するように、隣接する配線５５，５５同士の間の空間を埋立てて、第２導電層からなる複数個の自己整列コンタクトパッド６２を形成する。 - 特許庁 - The tire 2 is provided with a high hardness rubber layer 14 having A hardness Hs of 80 or higher near a position corresponding to a shoulder between the first carcass ply 30 and the second carcass ply 32.
このタイヤ２は、第一カーカスプライ３０と第二カーカスプライ３２との間であって、ショルダー３４に相当する箇所の近傍に、Ａ硬度Ｈｓが８０以上である高硬度ゴム層１４を備えている。 - 特許庁 - In this case, a first blade spring B_1 of the lowest layer arranged at the innermost side and a second blade spring B_2 stacked on it are adhered at one-end T_1 sides only.
この場合において、最も内側に配置される最下層の第１のブレードスプリングＢ_１とその上に積層される第２のブレードスプリングＢ_２とを、それぞれの一端Ｔ_１側においてのみ互いに固着する。 - 特許庁 - A first insulating film 129 is arranged between the first gate electrode 236 and the first planer silicon layer 234, and a second insulating film 162 is arranged on a top surface of the first gate electrode 236.
そして、第１の絶縁膜１２９が、第１のゲート電極２３６と第１の平面状シリコン層２３４との間に、第２の絶縁膜１６２が第１のゲート電極２３６の上面に配置されている。 - 特許庁 - The organic EL panel 12 has a laminated body 33 having a first electrode 37, an organic layer 39, and a second electrode 40 formed on a substrate 32, and the laminated body 33 is covered by a sealing member 34.
有機ＥＬパネル１２は、第一電極３７と、有機層３９と、第二電極４０とを有する積層体３３を基板３２に形成し、積層体３３を封止部材３４で覆ったものである。 - 特許庁 - A glass fiber net 4 is temporarily held down, and as second layer mortar 5, the mortar containing short fiber is coated in a thickness of 3 mm, for instance, on the net 4 using a metal trowel to embed the net 4.
ガラス繊維ネット４を仮押さえし、さらに金ゴテでネット４の上から第２層目モルタル５として短繊維入りモルタルを例えば３ｍｍ厚に塗り付けて、ネット４を埋め込むようにする。 - 特許庁 - Furthermore, the method includes the process of performing a second wet etching until the face to be etched penetrates through the silicon substrate and reaches a sacrifice layer to the silicon substrate to form an ink feeding opening 20 equipped with the beam 19.
さらに、シリコン基板に対して、被エッチング面がシリコン基板を貫通して犠牲層に達するまで第２のウエットエッチングを行い、梁１９を備えたインク供給口２０を形成する工程を有する。 - 特許庁 - After carrying out a series of workings, a protective layer 20, a second insulation film 11 and the semiconductor substrate 1 are removed in this order by a dicing blade and dry etching to form an opening 22 (dissolving agent supply channel).
一連の加工をした後、ダイシングブレードやドライエッチングによって保護層２０，第２の絶縁膜１１，半導体基板１を順に除去して開口部２２（溶解剤供給経路）を形成する。 - 特許庁 - In one embodiment, a second S/D region is separated from the channel by an offset region, and the photo absorption threshold bias region is the offset region in the Ge layer, after light P-doping.
一実施形態において、第２のＳ／Ｄ領域は、オフセット領域によりチャネルから引き離され、光吸収しきい値バイアス領域は、濃度の薄いＰ型ドーピング後のＧｅ層中のオフセット領域である。 - 特許庁 - A plurality of second unit panels G' and B' each consisting of a single layer and each including a plurality of areas C to be the cells are separated from at least one kind of panel G and B of the first panels R, G and B.
第１パネルＲ、Ｇ、Ｂのうち少なくとも１種類のパネルＧ、Ｂからそれぞれが複数のセル相当領域Ｃを含む複数の単層の第２単位パネルＧ’、Ｂ’を分割する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the substrate includes the steps of forming a coupling substrate 30 by coupling a first substrate 10c to a second substrate 20 after the substrate 10c is formed, and thereafter dividing the substrate 30 by a part of an isolation layer 15.
第１基板１０ｃを作成した後に該第１基板１０ｃを第２基板２０に結合させて結合基板３０を作成し、その後、結合基板３０を分離層１５の部分で分割する。 - 特許庁 - This sanitary napkin 1 is provided with a first protrusion part 31 and a second protrusion part 15 vertically exhibiting the elastic contraction forces on the skin side surfaces of the napkin body 2 having liquid absorbent layer.
生理用ナプキン１は、液吸収層を有するナプキン本体２の肌側表面に、縦方向に弾性収縮力を発揮する第１の隆起部３１と第２の隆起部１５とが設けられている。 - 特許庁 - The resin layer 20 includes a first resin 22 which supports the terminal of the bonding surface 35 of the land 32 to the external terminal 40 while avoiding its central part, and a second resin 24 adjacent to the first resin 22.
樹脂層２０は、ランド３２の外部端子４０に対する接合面３５の中央部を避けて端部を支持する第１の樹脂部２２と、第１の樹脂部２２に隣接する第２の樹脂部２４とを含む。 - 特許庁 - Corona discharge, applied from the first and second electrodes 21 and 23, is concentrated to a conductive layer 102 exposed at a hole 104, thus removing smear 105 remaining in the hole 104.
第１電極２１及び第２電極２３から照射されたコロナ放電は、孔１０４において露出した導電層１０２へと集中し、孔１０４内部に残るスミア１０５を除去する。 - 特許庁 - The incident light is refracted by controlling the refractive index of the liquid crystal layer LC of the refraction control part 30 to move the first observation area A and second observation area B.
上記屈折制御部３０の液晶層ＬＣの屈折率が制御され、入射光が屈折されることにより、第１の観察領域Ａ及び第２の観察領域Ｂを移動することができる。 - 特許庁 - In addition, grooves 17 the bottoms of which do not reach the intermediate-layer section 2 are formed above a weight body 19 and the lead-out electrodes 16 by first grinding and cutting for forming chips is performed by second grinding.
そして、１回目の研削で、重錘体１９と、引き出し電極１６の上方に底が中層部２に達しない溝１７を形成し、２回目の研削で、チップ化のためのカットを行う。 - 特許庁 - In this instance, no dedicated solder ball is required on the connection pad part of the second upper layer wiring 29c for test, therefore, the planar size of the overall device can be downsized.
この場合、テスト用の第２の上層配線２９ｃの接続パッド部上にそれ専用の半田ボールを設ける必要がなく、それに応じて、装置全体としての平面サイズを小さくすることができる。 - 特許庁 - The apparatus mixes the second droplet 1b with the first droplet 1a placed on the electrical insulating layer 14 of the analyzing support 7 under the environment of viscous liquid, and mixes the resultant droplets.
装置は第２滴１ｂを粘性液体環境内にて、分析支持体７の電気絶縁層１４に置かれた第１滴１ａと混合し、その結果生じる滴を混合することを可能にする。 - 特許庁 - A reflecting part 32 is positioned at the second edge part of the waveguide with an angle to a line in parallel with a substrate 14 for reflecting lights received at the first edge part of the waveguide activating layer 26 to the light detector 20.
反射部３２は、導波路の第２端部に位置して基板１４と平行な線に対して角度が付けられ、導波路活性層の第１端部で受けた光を、光検出器に反射する。 - 特許庁 - Then, a conductor layer, the barrier film, and the cap insulating film are polished by second CMP using slurry having higher wettability for the conductive material than for the low-dielectric-constant film.
次に、導電性材料に対する濡れ性が低誘電率膜に対する濡れ性よりも高いスラリーを用いた第２のＣＭＰにより、導電体層、バリアメタル膜およびキャップ絶縁膜を研磨する。 - 特許庁 - The solar battery module 10 has structure (comprising first and second structures 45, 55) constituted by bonding conductors (comprising a bus-bar electrode 40 and a wiring material 5) to a resin layer 50.
太陽電池モジュール１０は、導電体（バスバー電極４０、配線材５）が樹脂層５０に接着されることにより構成される構造体（第１構造体４５、第２構造体５５）を有する。 - 特許庁 - The second or lower level may represent the users with whom the folder is shared with words, icons or other symbols that are dimmed, blurred, or otherwise de-emphasized relative to the top layer.
第２または下位のレベルは、最上位レイヤに比べて、淡色化、ぼかし、あるいは他の非強調がなされた、語、アイコン、または他のシンボルを用いて、フォルダを共有するユーザを表すことができる。 - 特許庁 - An adsorbent functioning as an adsorbent layer is filled into the inside of each of a first casing 2 having a charge port 7 and a purge port 8 and a second casing 3 having an atmosphere port 10.
チャージポート７とパージポート８を有する第１ケーシング２、および大気ポート１０を有する第２ケーシング３の内部に吸着材層として機能する吸着材をそれぞれ充填してある。 - 特許庁 - A sealed air layer (160) is formed between the first diffusion plate and the second diffusion plate, and the thickness is set to be larger than 5 mm so that the first diffusion plate can sufficiently bring out diffusion effect.
第１拡散板と第２拡散板の間は密閉された空気層（１６０）とされ、その厚さは第１拡散板が拡散作用を充分に発揮できるように５ｍｍ以上にされている。 - 特許庁 - After that, the sheet-like solder material is split so that the insulating layer is interposed therebetween, and the first and second electrodes are joined to their corresponding post electrodes, respectively, through the sheet-like solder material.
そして、半田材を絶縁層を隔てて分離し、第１の電極とポスト電極とを、半田材を介して接合すると共に、第２の電極とポスト電極とを、半田材を介して接合する。 - 特許庁 - Even if the first repair cutting portion 26, the second repair cutting portion 31 and the repair welding portion 38 are irradiated with a laser beam for repairing at pixel display failure, the color filter layer 21 will not be irradiated with the laser beam.
画素表示不良となった場合に第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38にレーザビームを照射してリペアしても、レーザビームがカラーフィルタ層21へ照射されない。 - 特許庁 - A lamination separation region 11 for separating the contact region 8 and the lamination 7 (a junction intermediate layer 6) is formed by removing the second electrode 9 and the lamination 7 in a discontinuous line shape.
第２電極９および積層体７を不連続なライン状に除去してコンタクト領域８と積層体７（接合中間層６）とを分離する積層体分離領域１１を形成する。 - 特許庁 - Further, the circuit except for these resistor portions is covered with a second wiring layer mask so that a current analyzer can not detect the current of an unwanted circuit and the source of noise occurrence can be analyzed in real time.
さらに、この抵抗部分以外を第２の配線層マスクで覆い、電流解析装置が不必要な回路の電流を検出しないようにし、リアルタイムにノイズの発生源を解析できるようにする。 - 特許庁 - A source 5, a first gate 6, a second gate 7 and a drain 7 each of which has a metal electrode are arranged in this order on the surface of a semiconductor layer 3 and are spaced apart.
半導体層３上でこの半導体層３の表面に沿って互いに離間した位置に、それぞれ金属電極を有するソース５、第１ゲート６、第２ゲート７、ドレイン８をこの順に備える。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the semiconductor substrate 41, a first supporter hole 21 and a second supporter hole 22 are first formed on a boundary between a first element isolation layer 12 and an SOI element forming region 13.
半導体基板４１の製造方法は、まず、第１素子分離層１２とＳＯＩ素子形成領域１３との境界上に第１支持体穴２１及び第２支持体穴２２を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a multi-layered metal plated base material capable of consistently performing the film deposition of a second electroless metal plating layer, and suppressing an increase of the manufacturing cost, compared with a conventional case.
従来に比較して、第２の無電解金属めっき層を安定して成膜することができ、製造コストの増加を抑制可能な多層金属めっき基材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - An inside first DBR film 3a, an outside first DBR film 13, a quantum well active layer 5, a second DBR film 7 and an SiO_2 film 10 are formed on an n-type GaAs substrate 1.
ｎ型のＧａＡｓ基板１上には、内側第１ＤＢＲ膜３ａ、外側第１ＤＢＲ膜１３、量子井戸活性層５、第２ＤＢＲ膜７及びＳｉＯ_2膜１０を形成している。 - 特許庁 - The fifth insulating film 16 containing silicon and oxygen is formed either between the charge accumulation layer 6 and the second insulating film 13 or between the fourth insulating film 15 and the control gate 17.
電荷蓄積層６と第２の絶縁膜１３および第４の絶縁膜１５と制御ゲート１７との少なくとも一方の間にシリコンおよび酸素を含む第５の絶縁膜１６が設けられている。 - 特許庁 - A first (second layer) poly-Si film 32 is formed on the semiconductor substrate 10, an Si oxide film 25 is formed on the light receiving part and an oxide film is formed on the first poly-Si film.
半導体基板１０上に第１（２層目）のポリＳｉ膜３２を形成し、受光部上にＳｉ酸化膜２５を形成すると共に、第１の多結晶Ｓｉ膜上に酸化膜を形成する。 - 特許庁 - In each of the plurality of light-emitting units 1, the conductive type layer of the semiconductor laminate is electrically separated by at least double separation grooves (first separation groove 17a, second separation groove 17b).
この複数個の発光ユニット１のそれぞれは、少なくとも２重の分離溝（第１の分離溝１７ａ、第２の分離溝１７ｂ）により半導体積層部の導電形層が電気的に分離されている。 - 特許庁 - A part of the vapor permeable waterproof sheet 52 rises to the surface from the surface 401 of the perforated metal plate 4, and the second vent layer 72 is formed between the perforated metal plate 4 and the vapor permeable waterproof sheet 52.
透湿防水シート５２の一部は、有孔金属板４の表面４０１から浮き上がっており、有孔金属板４と透湿防水シート５２との間には、第２通気層７２が形成されている。 - 特許庁 - The first conductive layer 36 is in contact with at least a part of the emitter region 22 provided in the second region 4 and at least a part of the body region 24, and connected to the emitter electrode 12.
第１導電層３６は、第２領域４に設けられたエミッタ領域２２の少なくとも一部及びボディ領域２４の少なくとも一部と接し、エミッタ電極１２に接続している。 - 特許庁 - Furthermore, a first altered layer 25 is formed by altering a part of the second interlayer insulating film 19, which is exposed from a sidewall of the fist through hole 23 through plasma processing using plasma including oxygen gas.
次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。 - 特許庁 - The sanitary napkin 1 includes a first swelling portion 31 and a second swelling portion 15 demonstrating elastic shrinkage force in the longitudinal direction on a skin side surface of the napkin body 2 with a liquid absorption layer.
生理用ナプキン１は、液吸収層を有するナプキン本体２の肌側表面に、縦方向に弾性収縮力を発揮する第１の隆起部３１と第２の隆起部１５とが設けられている。 - 特許庁 - In a second etching process, the etching stopper film 14 is etched on the fuse layer 12 selectively for the first insulating film 13 to expose a surface of the firsts insulating film 13.
次に、第２のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、エッチングストッパー膜１４を第１の絶縁膜１３に対して選択的にエッチングすることにより、第１の絶縁膜１３の表面を露出させる。 - 特許庁
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