「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 351 352 353 354 355 356 357 358 359 .... 429 430 次へ＞- The organic electroluminescence element comprises a substrate on which a first electrode is provided, a hydrophilic surface provided on the substrate on which hydrophilic graft chains exist, an organic luminous layer or a plurality of organic compound layers including the organic luminous layer locally provided on the hydrophilic surface, and a second electrode provided on the organic luminous layer or the plurality of organic compound layers including the organic luminous layer, in sequence.
第一の電極が設けられた基板と、該基板上に設けられた親水性グラフト鎖が存在する親水性表面と、該親水性表面上に局所的に設けられた有機発光層又は有機発光層を含む複数の有機化合物層と、該有機発光層又は有機発光層を含む複数の有機化合物層上に設けられた第二の電極と、を順次備えてなることを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁 - Further, the method of forming the optical waveguide 10 includes: forming the first waveguide core 20 on the surface of the first cladding layer 15; forming the long period grating 30 that is perpendicular to a surface of the first cladding layer 15 on the first waveguide core 20; and forming the second cladding layer 35 on the first cladding layer 15 so as to cover the first waveguide core 20.
また、第一のクラッド層１５の表面上に第一の導波路コア２０を形成する工程と、前記第一のクラッド層１５の表面に対して垂直な長周期グレーティング３０を前記第一の導波路コア２０に形成する工程と、前記第一の導波路コア２０を覆うように前記第一のクラッド層１５上に第二のクラッド層３５を形成する工程と、を有する光導波路１０を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - In this case, the prepreg lamination body has a second prepreg 5 that has a fluororesin impregnation layer 4 on a blend impregnation layer 2 of a first prepreg 3 consisting of a base 1 and the blend impregnation layer 2 where mainly fluororesin and inorganic filler are impregnated in the base 1 for maintaining, and at least one side of the fluororesin impregnation layer 4 is arranged directly below the metal foil 6.
プリプレグ積層体の少なくとも片面側に金属箔を配してなるプリント配線板であって、該プリプレグ積層体が、基材と該基材に主としてフッ素樹脂と無機フィラーとを含浸保持させた配合含浸層とからなる第１プリプレグの該配合含浸層上にフッ素樹脂含浸層を有している第２プリプレグを有し、該フッ素樹脂含浸層の少なくとも片面側が金属箔の直下に配置されている、プリント配線板。 - 特許庁 - In another embodiment, a method for process integration in manufacture of a photomask includes depositing a hard mask on a substrate in a first processing chamber, depositing a resist layer on the substrate, patterning the resist layer, etching the hard mask through apertures formed in the patterned resist layer in a second chamber, and etching a chromium layer through apertures formed in the hard mask in a third chamber.
別の実施形態では、フォトマスク製造におけるプロセス集積方法は、第１の処理チャンバにおいて基板上にハードマスクを堆積するステップと、レジスト層を該基板上に堆積するステップと、該レジスト層をパターニングするステップと、第２のチャンバにおいて該パターニング済みレジスト層上に形成されたアパーチャを介して該ハードマスクをエッチングするステップと、第３のチャンバにおいて該ハードマスクに形成されたアパーチャを介してクロム層をエッチングするステップと、を含んでいる。 - 特許庁 - The capacitor used in a semiconductor device having a damascene interconnect structure formed on a substrate of a semiconductor wafer has a first capacitor electrode 164 comprising a part of the damascene interconnect structure, and a second capacitor electrode 168 comprising an insulating layer 166 formed on the damascene interconnect structure and functioning as a passivation layer and a conducting layer formed on at least a part of the insulating layer.
半導体ウェハの基板上に形成された食刻相互接続構造（damascene）を有する半導体デバイスで使用される本発明のキャパシタは、食刻相互接続構造の一部を含む第１キャパシタ電極１６４と、食刻相互接続構造の上に形成され、パッシベーション層として機能する絶縁層１６６と、絶縁層の少なくとも一部の上に形成された導電層を含む第２キャパシタ電極１６８とを有する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the nitride semiconductor element having the sapphire substrate on whose surface unevenness is formed and the nitride semiconductor layer containing the light emitting layer laminated on the substrate includes a first step that removes at least a part of a region for dividing the nitride semiconductor layer into each element with laser and a second step that performs wet etching on the side surface of the nitride semiconductor layer.
製造方法の発明は、サファイア基板と、該基板上に積層された発光層を含む窒化物半導体層とを有する窒化物半導体発光素子の製造方法において、サファイア基板の表面は凹凸が形成された面であり、窒化物半導体層の各素子に分割する部位の少なくとも一部をレーザーで除去する第１の工程と、該窒化物半導体層の側面を湿式エッチングする第２の工程からなる。 - 特許庁 - In this photovoltaic force element provided with a photovoltaic cell 102 having a semiconductor junction layer generating photovoltaic force, a bypass diode is formed on the region other than the above-mentioned photovoltaic cell as a bypass diode part 105 having the second semiconductor junction layer, which is different from the first semiconductor junction layer that is the semiconductor junction layer of the photovoltaic cell.
光起電力を発生する半導体接合層を有する光起電力部１０２を備え、バイパスダイオードが並列に接続される光起電力素子において、前記バイパスダイオードを、前記光起電力部と同一の導電面上の前記光起電力部以外の領域に、前記光起電力部の半導体接合層である第１の半導体接合層とは別の第２の半導体接合層を有するバイパスダイオード部１０５として形成する。 - 特許庁 - This image sensor comprises: a semiconductor substrate in which a CMOS circuit is formed; an interlayer insulating film containing a trench formed on the semiconductor substrate; metal wiring and a first conductive-type conductive layer which are formed in the trench of the interlayer insulating film; an intrinsic layer formed on the substrate containing the first conductive-type conductive layer and the interlayer insulating film; and a second conductive-type conductive layer.
実施例のイメージセンサーは、シーモス回路が形成された半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトレンチを含む層間絶縁膜と、該層間絶縁膜のトレンチ内部に形成された金属配線及び第１導電型伝導層と、該第１導電型伝導層及び層間絶縁膜を含む半導体基板上に形成された真性層と、及び前記真性層上に形成された第２導電型伝導層を含む。 - 特許庁 - To improve the product reliability by forming an auxiliary electrode line to be in contact with a second electrode power supply line for removing organic layer on the auxiliary electrode line, and to minimize the organic layer within a pixel region, thereby preventing pixel shrinkage, resulting from degradation of an organic emission layer caused by outgassing phenomenon from the organic layer during the formation of the auxiliary electrode line of an organic electroluminescent element.
有機電界発光素子の補助電極ライン形成時第２電極電源供給ラインと補助電極ラインがコンタクトするよう形成することによって前記補助電極ライン上部の有機膜を除去して、画素領域内に存在する有機膜を最小化することによって前記有機膜からのアウトガス現象による有機発光層の劣化による画素収縮現象を防止して製品の信頼性を向上させる。 - 特許庁 - A base material is obtained by laminating a second film layer having a lower stress relaxation than that of the first film layer made of a thermoplastic resin except one or more types of olefin thermoplastic elastomer on any of a polymer alloy of an amorphous polyolefin, an olefin resin and a thermoplastic elastomer, a copolymer and an acrylic urethane copolymer so that the first film layer made of the olefin thermoplastic elastomer becomes the skin laminating side outermost layer.
非晶質ポリオレフィン、オレフィン系樹脂と熱可塑性エラストマーとのポリマーアロイや共重合物、アクリル／ウレタン共重合体の何れかに一種以上のオレフィン系熱可塑性エラストマーからなる第１のフィルム層が皮膚貼付側最外層となるように、前記オレフィン系熱可塑性エラストマー以外の熱可塑性樹脂からなり前記第１のフィルム層よりも応力緩和性の低い第２のフィルム層を積層して、基材フィルムを得る。 - 特許庁 - Furthermore, there are provided in the insulating layer a spiral electrode 21 for electrically connecting the first input/output electrode and the second input/output electrode, a first control take-out electrode 45 for electrically connecting the first control electrode and the first control input/output electrode, and a second control take-out electrode for electrically connecting the second control electrode and the second control input/output electrode.
さらに、絶縁層内に第１入出力電極と第２入出力電極とを電気的に接続する渦巻き螺旋状のスパイラル電極21、第１制御電極と第１制御用入出力電極との間をそれぞれ電気的に接続する第１制御用取り出し電極45、及び、第２制御電極と第２制御用入出力電極との間をそれぞれ電気的に接続する第２制御用取り出し電極が設けられている。 - 特許庁 - The sensor includes two first contact electrodes and two second contact electrodes, wherein the first contact electrodes are placed on the resistive layer to define a first detection area in the sensitive area between the first contact electrodes, and the second contact electrodes are placed partially in the sensitive area on the bottom surface of the body, and the surfaces of the second electrodes in the sensitive area define a second detection area that overlaps with the first detection area.
センサは、２つの第一コンタクト電極及び２つの第二コンタクト電極を含み、第一コンタクト電極は、抵抗層上に配置されて、感応性領域内で第一コンタクト電極間に第一検出領域を画定し、第二コンタクト電極は一部が本体の底面の感応性領域内に配置され、感応性領域内の第二電極の表面が、第一検出領域にオーバーラップする第二検出領域を画定する。 - 特許庁 - The antiglare layer 2 is formed by dropping a first resin material and a second resin material not mixing with the first resin material, onto the base material using an inkjet device to form first dots 3 made of the first resin material and second dots 4 made of the second resin material alternately in rows and columns on the base material and then curing the first dots 3 and the second dots 4.
防眩層２の形成は、インクジェット装置を用いて第１の樹脂材料およびこの第１の樹脂材料とは混ざり合わない第２の樹脂材料を基材１上に滴下して、当該基材１上に第１の樹脂材料からなる第１のドット３と第２の樹脂材料からなる第２のドット４とを縦横に交互に並ぶように形成し、その後に第１のドット３および第２のドット４を硬化させることにより行う。 - 特許庁 - The method is for manufacturing a plasma display member comprising a first dielectric layer to cover an electrode pattern, a second dielectric layer to cover the first dielectric layer, and a third dielectric layer to cover the second dielectric layer.
電極パターンを覆う第一の誘電体層、該第一の誘電体層を覆う第二の誘電体層、および該第二の誘電体層を覆う第三の誘電体層を有するプラズマディスプレイ用部材の製造方法であって、軟化点がＴｓ１（℃）である第一の誘電体前駆体層、該第一の誘電体前駆体層を覆い、軟化点がＴｓ２（℃）であるガラス粉末を全無機成分中８５体積％以上含む第二の誘電体前駆体層、および該第二の誘電体前駆体層を覆い、有機成分と無機成分からなり、軟化点がＴｓ３（℃）であるガラス粉末を全無機成分中８５体積％以上含む第三の誘電体前駆体層を形成した後、該三層の誘電体前駆体層を同時焼成する。 - 特許庁 - A second barrier metal layer 20 and a plug material 21 mainly composed of Cu are embedded in a hole formed in the insulating films 17 and 18, and a via plug 22a and a slit-like dummy plug 22b are formed.
絶縁膜１７，１８に形成されたホール内に第２のバリアメタル層２０とＣｕを主とするプラグ材２１が埋め込まれてヴィアプラグ２２ａ，及びスリット状ダミープラグ２２ｂが形成されている。 - 特許庁 - A light shielding layer 111 includes a first and a second openings having a different structure from each other, respectively, and the different structure transmits at least one of polarization components under a different state.
遮光層１１１は、互いに異なる構造を有する第１の開口及び第２の開口を有し、異なる構造は偏光成分のうち少なくとも１つの偏光成分を異なる状態で透過する。 - 特許庁 - The communication device 300 comprises first and second signal layers 20, 30, a communication element electromagnetically connected to the layers, and a dielectric layer arranged between the layers.
本発明による通信デバイス３００は、第１信号層２０および第２信号層３０と、これらの層に電磁的に接続する通信素子と、これらの層の間に配置される誘電層を備える。 - 特許庁 - The polarizing plate (30) includes a first polarizing plate (31) and a second polarizing plate (32), and transmits only the light in external light that can transmit through the liquid crystal layer and reflects or absorbs the rest of light.
偏光板（３０）は第１偏光板（３１）と第２偏光板（３２）を含み、両者は外部の光のうち、液晶層を通過できる光のみを通過せしめ、他は反射および吸収する。 - 特許庁 - Each of the bands is provided with the single layer of a peripheral metallic reinforcement element and further, an axial outer edge (c) is provided to be axially internally deviated from the edge (b) of the second strip.
バンドの各々は、周方向金属補強要素の単一層を備えており、また、第二のストリップの端縁ｂに対して軸方向内方にずらしたその軸方向外端縁ｃを有している。 - 特許庁 - A first interlayer insulating film 12, which is a layer 20 with the silicon-rich uppermost surface, is deposited on a conductor film 11, and a second interlayer insulating film 13 is deposited on this film 12.
導電体１１上に最表面がシリコンリッチな層２０である第１の層間絶縁膜１２が堆積され、この第１の層間絶縁膜１２上に第２の層間絶縁膜１３が堆積される。 - 特許庁 - In the phosphor 1, the second activator is homogeneously dispersed in a phosphor matrix particle 2 and the first activator 3 is unevenly distributed in the surface layer 2a of the phosphor matrix particle 2.
このような蛍光体１において、第２の付活剤は蛍光体母体粒子２中に均一に分散しており、かつ第１の付活剤３は蛍光体母体粒子２の表層部２ａに偏在している。 - 特許庁 - The conductive part 11 is extended from the ground-contact surface 2a to a clearance between the first cap part 10A and the second cap part 10B and is connected to the tread reinforcement cord layer 7 at the clearance part 13 of the base part 9.
導通部１１は、接地面２ａから第１のキャップ部１０Ａと第２のキャップ部１０Ｂとの間をのびかつベース部９の隙間部１３でトレッド補強コード層７に接続される。 - 特許庁 - A transmission device 300 comprises a first signal plane 20 and a second signal plane 30, a communication element for connecting electromagnetically to these layers, and a dielectric layer arranged between these layers.
本発明による通信デバイス３００は、第１信号層２０および第２信号層３０と、これらの層に電磁的に接続する通信素子と、これらの層の間に配置される誘電層を備える。 - 特許庁 - The second crystal layers 6 and 2 are subjected to heterojunction to each other on one side of the actively layer 4 opposite to the layers 5 and 3, with the band gap energy of the layers 6 and 2 being lower than that of the layers 5 and 3.
また、第二結晶層６，２は、該第一結晶層５，３に対して活性層４と反対側にヘテロ接合され、該第一結晶層５，３よりバンドギャプエネルギーが低いものとして形成される。 - 特許庁 - The magnetic storage device is constituted of the magnetic storage elements 10, first wiring 11 which impresses a galvanomagnetic field upon the storage layer 1, and second wiring 12 which heats the shielding body 5.
また、この磁気記憶素子１０に対して、磁場遮蔽体５を加熱して磁場遮蔽体５の少なくとも一部の磁化を減少又は消失させた状態で、記憶層１に磁場を印加して記録を行う。 - 特許庁 - The extrusion of conductive resin from a part between a chip and the mount face at the time of a mount process is suppressed by a tray shape (recess) where the frame-like pattern is set to be a side and the second electrode layer to be a base.
枠状パターンを側面とし第２の電極層を底面とするトレー形状（くぼみ）により、マウント工程時の、チップとマウント面と間からの導電性樹脂のはみ出しが抑制される。 - 特許庁 - The pole layer 16 has a first portion 16C having an end face located in the medium facing surface 30, and a second portion 16D having a thickness greater than that of the first portion 16C.
磁極層１６は、媒体対向面３０に配置された端面を有する第１の部分１６Ｃと、第１の部分１６Ｃよりも大きな厚みを有する第２の部分１６Ｄを有している。 - 特許庁 - An intermediate space 6 exiting above the horizontal parts between the strips is filled with an X-ray absorbing layer or a material 7, and the strips in the second direction can be separated thereby.
ストリップの間にあり、横部品の上方にある中間空間（６）は、Ｘ線吸収層又は材料（７）により充填され、それにより、第２の方向におけるストリップの分離を可能にする。 - 特許庁 - Average linear expansion coefficient (B) of the second insulation layer 23 between 25°C and the glass transition point in the in-plane direction of the substrate is larger than (A), and the difference between (A) and (B) is 5-35 ppm/°C.
また、第二絶縁層２３の２５℃〜ガラス転移点における基板面内方向の平均線膨張係数（Ｂ）が（Ａ）よりも大きく、（Ａ）と、（Ｂ）との差が５ｐｐｍ／℃以上、３５ｐｐｍ／℃以下である。 - 特許庁 - On an Si substrate 11 having a formed SiO2 film 12 on its top surface, a first ferromagnetic thin film 13, a tunnel barrier layer 14, and a second ferromagnetic thin film 15 are laminated in this order.
ＳｉＯ_2膜１２が上面に形成されたＳｉ基板１１上には、第１強磁性薄膜１３、トンネル障壁層１４及び第２強磁性薄膜１５が、この順に積層されている。 - 特許庁 - At least on the first seal plate 11 among the first and the second seal plates 11 and 12, a metal layer 20 with lower Young's modulus than the inner member 1 is formed on the surface of a magentic body, a steel plate.
第１，第２のシール板１１，１２のうち、少なくとも第１のシール板１１を、磁性体からなる鋼板の表面に、内方部材１よりもヤング率の低い金属層２０を形成したものとする。 - 特許庁 - A recording layer 18 of a write-once/read-many optical recording medium 10 adapted to a high speed to a low speed is constituted by laminating first and second subsidiary recording layers 18A and 18B each of which essentially consists of one metal.
低速〜高速追記型光記録対媒体１０の記録層１８はそれぞれひとつの金属を主成分とする第１及び第２副記録層１８Ａ、１８Ｂを積層してなる。 - 特許庁 - The two symmetric axes O_1, O_2 include a first symmetric axis O_1, which is extended along in an extension direction of an extension part of the piezoelectric layer 47, and a second symmetric axis O_2 that is orthogonal to the first symmetric axis O_1.
２つの対称軸Ｏ１，Ｏ２は、圧電層４７の延出部の延出方向に沿って延びる第１対称軸Ｏ１と、第１対称軸Ｏ１に直交する第２対称軸Ｏ２とを含む。 - 特許庁 - In addition, a rigid step is relaxed by interposing a second rubber 33' 100% extension modulus smaller than the first covered rubber layer 31 between the steel cords, and anti-deterioration breakage characteristic can be improved.
また、スチールコード間に、第１の被覆ゴム層３１よりも１００％伸張モジュラスの小さい第２のゴム３３’を介在させることで剛性段差を緩和し、耐劣化破壊特性を向上できる。 - 特許庁 - A window body is formed from a pair of first and second elements A, A' consisting of flat plate parts a, a', rising parts b, b', attaching parts c, c' and bonding parts d, d' so as to have an air layer K therein.
平板部（ａ、ａ’）と、立上部（ｂ、ｂ’）と、取付部分（ｃ、ｃ’）と、接合部（ｄ、ｄ’）とからなる一対の第１、２の要素（Ａ、Ａ’）からその内側に空気層（Ｋ）を有するように形成する。 - 特許庁 - An Indium Tin Oxide (ITO) film 12, a light emitting layer 13, and an electrode 14 are formed on a first substrate 11 and moreover, an organic electroluminescence (EL) display 10 is formed by sticking the substrate and a second substrate 16 as an opposing substrate together.
第１基板１１上に、ＩＴＯ膜１２、発光層１３、電極１４を形成し、さらに、対向基板としての第２基板１６と貼り合わせて有機ＥＬディスプレイ１０を形成する。 - 特許庁 - The protective insulating film 10 covering the surface of the compound semiconductor region 2 is so formed as to have a two-layer structure of a first insulating film 11 and a second insulating film 12 whose properties are different from each other.
化合物半導体領域２の表面を覆う保護絶縁膜１０を性質の異なる第１の絶縁膜１１と第２の絶縁膜１２との２層構造を有するように形成する。 - 特許庁 - (2) The DRAW type magnetic recording medium, as stated in (1), in which the absorbance of the first and second light absorption layers to recording and reproducing light of a blue laser wavelength region ≤500 nm is ≤0.5 and the first light absorption layer has the absorption maximum within a range from a wavelength λ=330 to 400 nm, is provided.
（２）第一の光吸収層が、波長λ＝３３０ｎｍから４００ｎｍの範囲に吸収極大を有する事を特徴とする（１）記載の追記型光記録媒体。 - 特許庁 - The design film 12 of the second layer is formed by applying printing or aluminum vapor deposition to a co- extrusion film made of a polyolefinic resin, for example, polypropylene, polyethylene or the like, and further applying design processing to the printed or vapor- deposited film.
第二層の意匠性フィルム１２は、例えば、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン系樹脂製の共押し出しフィルムに印刷もしくはアルミ蒸着を施し、意匠加工を施したものである。 - 特許庁 - In an abrasive grain layer 3 of a metal bond wheel, an abrasive grain 6 and a solid lubricant particle 7 are bound by a metal bond 8b constituted by a first metal alloy 9 and second metal particles 10.
メタルボンドホイールの砥粒層３おいて、砥粒６及び固体潤滑剤粒子７とは、第１金属合金９と第２金属粒子１０とから構成されるメタルボンド８ｂによって結合されている。 - 特許庁 - A first oil line 9 is formed in the conductor pull-out bar 4, and a second oil line 14 connected to one end of the first oil line 9 is formed between the reinforcing insulation layer 10 and the stress control cone 11.
導体引出棒４には第一油通路９が形成され、補強絶縁層10とストレスコントロールコーン11との間には第一油通路９の一端に連通する第二油通路14が形成される。 - 特許庁 - A second wiring board 22 and an adhesive material layer 23 formed on a metal support sheet 40 are partially laminated on a prescribed region of a first wiring board 21 by the use of the support sheet 40.
金属製の支持シート４０上に形成した第２配線基板２２および接着材料層２３を、支持シート４０を用いて第１配線基板２１の所定領域上に部分的に積層する。 - 特許庁 - Microcapsules 5 formed by enclosing a core layer with a first shell film and a second shell film are arrayed in a predetermined pattern only within a predetermined range of a base material 1 formed of an edible film or a soluble film.
可食性フィルムまたは可溶性フィルムからなる基材１の所定範囲のみに、第１のシェル膜と第２のシェル膜とでコア層を包囲してなるマイクロカプセル５を所定のパターンで配列している。 - 特許庁 - The electric double layer capacitor 9 is accommodated in a card base material in a sealed state in the card base material, and has an exterior body 21, a first electrode 25, a second electrode 29 and a separator 27.
この電気二重層キャパシタ９は、カード基材に封止された状態で当該カード基材に収容されており、外装体２１、第１電極２５、第２電極２９、セパレータ２７を有している。 - 特許庁 - This is because the second protective film is formed on the densely-formed first protective film, and thereby made more dense than a protective film formed into a single layer by the same vacuum deposition method.
これは、第２の保護膜は、緻密に形成された第１の保護膜の上に形成されているため、同じ真空蒸着法で単層に形成された保護膜より緻密になっているからである。 - 特許庁 - In addition, a device which is constructed by laminating and growing at least an n-type nitride semiconductor as a device structure formed on the obtained second nitride semiconductor 3 as a substrate, an active layer and a p-type nitride semiconductor is provided.
また、得られた第２の窒化物半導体３を基板としこの上に素子構造として少なくともｎ型窒化物半導体、活性層、ｐ型窒化物半導体を積層成長させてなる素子。 - 特許庁 - The storage layer is programmed to have a first region with a magnetic orientation antiparallel to the fixed magnetic orientation, and a second region with a magnetic orientation parallel to the fixed magnetic orientation.
記憶層は、前記固定磁気配向と反平行な磁気配向を有する第１の領域と、前記固定磁気配向と平行な磁気配向を有する第２の領域とを有するよう、プログラムされている。 - 特許庁 - A communication packet within the LAN signal and a link control signal are detected by the physical layer LSI 4a to turn the mechanical relay of a second power supply control part 5 on and off to control the power supply to the LAN access device.
ＬＡＮ信号の内の通信パケットとリンク制御信号を物理層ＬＳＩ４ａで検知して、第２電源制御部５のメカニカル・リレーをＯＮ／ＯＦＦして、ＬＡＮ接続機器の電源供給を制御する。 - 特許庁 - Therefore the warpage of the circuit board 20 generated when the semiconductor device 10 is mounted on the mother board, is suppressed by thermal expansion coefficient of the second seal layer 41 in an in-plane direction.
これにより、半導体装置１０をマザーボード上に実装をする場合に生じる回路基板２０の反りが第２の封止層４１の面内方向の熱膨張率によって抑制される。 - 特許庁 - By the above, as the second layer 3b does not contact with metallic lithium of the negative electrode plate 1, generation of chemical reaction between them are prevented and the cycle property of the battery is improved.
これにより、第二層３ｂは、負極板１の金属リチウムと接触することがなくなるので、これらの間における化学反応の発生を抑制し、電池のサイクル特性を向上することができる。 - 特許庁
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