「second-layer」を含む例文一覧(21457)
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第１の層１５ａ及び第２の層１５ｂには、それぞれ一方の層のみをエッチング可能なエッチング液によるエッチングで圧力室１８及び連通孔３４，３５が各々個別に形成されるので、深さ方向精度が高い圧力室１８及び連通孔３４，３５を形成することができる。 - 特許庁 - Among these adhesive layers, second adhesive layers 22 and 42 on the side in contact with the biodegradable resin layer are provided as an alloy layer including a thermoplastic resin, a biodegradable resin and a dispersant, and for the other first adhesive layers 21 and 41 the thermoplastic resin and a material having excellent adhesiveness are selected.
これらの接着層のうち、生分解性樹脂層に接する側の第二の接着層２２および４２は、熱可塑性樹脂と生分解性樹脂と分散剤とからなるアロイ層とされ、他方の第一の接着層２１および４１には、熱可塑性樹脂と接着性の良い材料が選択される。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises an integrated circuit layer 102 equipped with an integrated circuit formed on a principal face of a first substrate 101 composed of a compound semiconductor, an insulation film 103 formed on the first substrate 101 while covering the integrated circuit layer 102 and a second substrate 104 bonded on the insulation film 103.
化合物半導体からなる第１基板１０１の主表面に形成された集積回路を備える集積回路層１０２と、集積回路層１０２を覆って第１基板１０１の上に形成された絶縁膜１０３と、絶縁膜１０３の上に貼り付けられた第２基板１０４とを備える。 - 特許庁 - In the optical recording medium 6, a first information layer 9 having a semitransparent reflection film 3 and a second information layer 10 having a reflection film 4 are laminated into two or more layers and at least either recording or reproduction of information is performed by irradiation of light in a common direction.
本発明に係る光学記録媒体６は、半透明反射膜３を有する第１の情報層９と反射膜４を有する第２の情報層１０が合わせて２層以上積層され、共通の方向からの光照射によって、情報の記録若しくは再生の少なくとも一方がなされるものである。 - 特許庁 - The metal inclusion layer 108 includes a first region 108a brought into contact with the wiring metal film 106, and a second region 108b that differs in the composition of the first region 108a while being brought into contact with the lower layer insulation film 102 without containing nitrogen substantially in the first region 108a at least.
金属含有層１０８は、配線金属膜１０６と接する第１の領域１０８ａと、下層絶縁膜１０２と接するとともに第１の領域１０８ａと組成の異なる第２の領域１０８ｂとを含み、少なくとも第１の領域１０８ａにおいて窒素を実質的に含まない。 - 特許庁 - The multilayer piezoelectric element comprises a plurality of piezoelectric ceramics layers and a plurality of internal electrode layers including a first phase of conductive material and a second phase of ceramics laid in layers alternately wherein the thickness of the piezoelectric ceramics layer is 1-200 μm and the thickness of the internal electrode layer is 2 μm or less.
複数の圧電セラミックス層と、導電材料からなる第１の相及びセラミックスからなる第２の相を含む複数の内部電極層とが交互に積層され、圧電セラミックス層の厚さが１〜２００μｍ、内部電極層の厚さが２μｍ以下であることを特徴とする積層型圧電素子。 - 特許庁 - The solid electrolyte 20 is a multilayer structure solid electrolyte including at least a first solid electrolyte layer 22 comprising a perovskite oxide represented by the general formula: (Ln_1-xAe_x)(M_1-yFe_y)O_3-δ (1) and a second solid electrolyte layer 24 comprising cerium oxide or stabilized zirconia.
ここで、上記固体電解質２０は、一般式：（Ｌｎ_１−ｘＡｅ_ｘ）（Ｍ_１−ｙＦｅ_ｙ）Ｏ_３−δ（１）で示されるペロブスカイト型酸化物からなる第１固体電解質層２２と、セリウム酸化物若しくは安定化ジルコニアからなる第２固体電解質層２４とを少なくとも含む多層構造固体電解質である。 - 特許庁 - An N-type well diffusion layer 8 is formed by ion-implanting N-type dopants using a first resist mask to cover only an NMOS forming region Rnm, and then a P type well diffusion layer 11 is formed by ion-implanting P-type dopants using a second resist mask 9 to cover only a PMOS forming region Rpm.
ＮＭＯＳ形成領域Ｒnmのみを覆う第１のレジストマスクを用いてＮ型不純物のイオン注入を行なって、Ｎ型ウェル拡散層８を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ｒpmのみを覆う第２のレジストマスク９を用いて、Ｐ型不純物のイオン注入を行なって、Ｐ型ウェル拡散層１１を形成する。 - 特許庁 - The user is allowed to make a choice to display the classification items of the second layer belonging to an arbitrary menu and operation items of a third layer by selecting the arbitrary menu out of the plurality of menus or to display operation items belonging to arbitrary history item by selecting the arbitrary history item out of the plurality of history items.
複数のメニューから任意のメニューを選択することで、そのメニューに属する第２階層の分類項目や第３階層の操作項目を表示させるか、複数の履歴項目から任意の履歴項目を選択することで、その履歴項目に属する操作項目を表示させるかをユーザに選択可能とする。 - 特許庁 - The organic electroluminescent element comprises a first electrode, an organic film layer containing at least an organic luminous layer, and a second electrode formed on a substrate, and has a reflecting film in which one or more apertures are formed in the lower part region of the first electrode or which is formed by one or more island shape patterns.
基板上に形成された第１電極、少なくとも有機発光層を含む有機膜層及び第２電極を含み、第１電極の下方領域に一つ以上の開口部が開設されるか、もしくは一つ以上の島状パターンで形成されている反射膜を含んで構成された有機電界発光素子とした。 - 特許庁 - The electrophoretic display device 1 includes a display layer 5 having housing section 33 in which a dispersion liquid 4 containing particles A exhibiting an electroviscous effect is put, and an upper electrode (first electrode) 61 disposed on the visual recognition side of the display layer 5 and a lower electrode (second electrode) 62 disposed on the opposite side thereof.
電気泳動表示装置１は、電気粘性効果を示す粒子Ａを含む分散液４が入れられた収容部３３を有する表示層５と、表示層５の視認側に設けられた上部電極（第１の電極）６１およびその反対側に設けられた下部電極（第２の電極）６２とを有している。 - 特許庁 - The first electrode has a shape so as to reveal alignment regulating force for forming at least one liquid crystal domain having radially inclined alignment in a liquid crystal layer in a voltage applied state and the second substrate has a projecting part projecting on a liquid crystal layer side in a region corresponding to the liquid crystal domain.
第１電極は、放射状傾斜配向をとる少なくとも１つの液晶ドメインを電圧印加状態において液晶層に形成する配向規制力を発現するように規定された形状を有し、第２基板は、液晶ドメインに対応する領域に、液晶層側に突き出た凸部を有している。 - 特許庁 - The first insulating layer 13 is constituted by a primary material with a low dielectric loss, and the second insulating layer 14 is constituted by a secondary material with a higher dielectric loss than that of the primary material.
そこで、多層プリント配線板を組み立てる材料として、絶縁材料に導体を貼り付けた基板材料と接着層に用いるプリプレグがあることに着目し、特性の異なる材料を組み合わせる場合は、先の基板材料とプリプレグの間で特性を変えることにより、課題である積層加熱圧着の温度を単一化する。 - 特許庁 - To solve the problem that the conditions are hard to be realized in the distance between a first layer which is patterned and has a step to a periphery and a second layer formed thereafter, in the case of a semiconductor device which is important to the distance between the two layers and yield of high dispersion thereof and needs to reduce the distance.
２つの層間の距離とそのばらつきが高い歩留まりに対し重要となり、更にその距離を近づける必要がある半導体装置の場合、パターン化され、周辺と段差のある第１の層とそれ以降に形成する第２の層との距離においてこの条件を実現するのは困難である。 - 特許庁 - The semiconductor laser assembly 30 has a semiconductor laser element 32; a sub-mount 36 made of SiC which is jointed to the substrate side of the semiconductor laser element 32 via a first indium solder-layer 34; and a heat sink 40, made of Cu which is jointed to the rear-surface side of the sub-mount 36 via a second indium solder-layer 38.
本半導体レーザアセンブリ３０は、半導体レーザ素子３２と、第１のインジウム半田層３４を介して半導体レーザ素子３２の基板側に接合されているＳｉＣ製サブマウント３６と、第２のインジウム半田層３８を介してサブマウント３６の裏面側に接合されているＣｕ製ヒートシンク４０とを備えている。 - 特許庁 - The ultrasonic probe includes a flexible substrate 10 having a second copper foil layer 21 composed of a plurality of conductor patterns 25 connected electrically to the piezoelectric vibrator, wherein division slits 15 are provided between piezoelectric vibrators so as to cut into a wide part 26b' in a conductor pattern 25' and a part 27' of the first layer.
超音波プローブは、圧電振動子と電気的に接続される複数の導体パターン２５からなる第二銅箔層２１を有するフレキシブル基板１０を備え、圧電振動子の間に設けられる分割スリット１５は、導体パターン２５′における幅広部２６ｂ′及び第一層目の部分２７′に切れ込むように設けられている。 - 特許庁 - The cover 22 is provided with a first equalizing plate 31 for spreading the processing liquid supplied from the supplying pipe 29, in the widthwise direction of the inner layer substrate 2 disposed in the processing space 27, and a second equalizing plate 31 for spreading the processing liquid in the thickness direction of the inner layer substrate 2, disposed in the processing space 27.
そして、蓋体２２には、供給管２９より供給される処理液を、処理空間２７に配設された内層基板２の幅方向に広げるための第１の整流板３１と処理空間２７に配設された内層基板２の厚さ方向に広げるための第２の整流板３２とが設けられている。 - 特許庁 - A semiconductor device 10 comprises a first transistor 11 placed on a substrate 16, a second transistor 12 which is placed on a heat dissipation layer 17 provided on the first transistor 11, a third transistor 13 placed on the substrate, and a fourth transistor 14 which is placed on a heat dissipation layer 17 provided on the third transistor 13.
半導体装置１０は、基板１６上に設置された第１トランジスタ１１と、第１トランジスタ１１上に放熱層１７を介して設置された第２トランジスタ１２と、基板上に設置された第３トランジスタ１３と、第３トランジスタ１１上に放熱層１７を介して設置された第４トランジスタ１４を備える。 - 特許庁 - The display device is equipped with a reflection member 13 disposed to face an observer D, a display panel (organic EL panel) 11 of a spontaneous light emission type to emit first display light L1 to the reflection member 13, a reflective layer formed on the display panel, and a display unit 12 to project a second layer light to the display panel 11.
観察者Ｄと対向して配設される反射部材１３と、反射部材１３に第一の表示光Ｌ１を投射する自発光型の表示パネル（有機ＥＬパネル）１１と、表示パネルに形１１成される反射層と、表示パネル１１に第二の表示光Ｌ２を投射する表示器１２と、を備える。 - 特許庁 - The distal end of the catheter body 2 has: an exposure preventing part 223 (a first layer 231) whose outer diameter is reduced; a first coil 22 covering the outer surface of the exposure preventing part 223; and a second layer 232 covering the outer surface of the first coil 22 and covering near the proximal end aperture 36 of the guide wire insertion part 3.
カテーテル本体２の先端部は、その外径が縮径した露出阻止部２２３（第１の層２３１）と、露出阻止部２２３の外表面を覆う第１のコイル２２と、第１のコイル２２の外表面を覆うとともに、ガイドワイヤ挿通部３の基端開口部３６周辺を覆う第２の層２３２とを有する。 - 特許庁 - In the refrigerant and the oil, a combination is selected indicating a two-layer separation temperature Ts within a first range TR1 of 45-55°C when the oil content ratio OCR is 3%, and indicating a two-layer separation temperature Ts within a second range TR2 of 35-45°C when the oil content ratio OCR is 6%.
冷媒とオイルとは、オイル含有率ＯＣＲ３％において、４５°Ｃ以上５５°Ｃ以下の第１範囲ＴＲ１内の二層分離温度Ｔｓを示し、オイル含有率ＯＣＲ６％において、３５°Ｃ以上４５°Ｃ以下の第２範囲ＴＲ２内の二層分離温度Ｔｓを示す組み合わせが選定されている。 - 特許庁 - In a method of manufacturing the semiconductor device having a plurality of wiring layers, a first wiring layer is formed in a pattern by splitting a desired pattern into a plurality of split patterns and exposing the split patterns by connecting the patterns to each other and a second wiring layer is formed in a pattern by collectively exposing the pattern.
複数の配線層を有する半導体装置の製造方法において、第一の配線層は所望パターンを複数に分割し、前記分割されたパターンをつなぎ合わせて露光することでパターン形成され、第二の配線層は一括露光によりパターン形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - The laminated sheet has a first layer comprising (i) a resin material based on high density polyethylene with a density of 0.94 g/cm3 or more and a second layer comprising (ii) a resin material based on linear low density polyethylene with a density of below 0.94 g/cm3 and is manufactured by a multilayer inflation method.
密度が０．９４ｇ／ｃｍ^3 以上の高密度ポリエチレンを主成分とする樹脂材料（ｉ）からなる第Ｉ層と、密度０．９４ｇ／ｃｍ^3 未満の線状低密度ポリエチレンを主成分とする樹脂材料（ii）からなる第II層とを有する積層シート、および多層インフレーション法による積層シートの製造方法。 - 特許庁 - The liquid crystal display apparatus of an IPS mode of normally black mode comprises a first polarizing layer, a first optical film, having a refractive index in the thickness direction smaller than the refractive index in any direction in the plane, a liquid crystal cell, a negative uniaxially optical film having the optical axis in the plane, and a second polarizing layer, layered in this order.
第１の偏光層、厚さ方向の屈折率が面内におけるいずれの方向の屈折率よりも小さい第１の光学フィルム、液晶セル、面内に光学軸を有する負の略１軸性光学フィルム、第２の偏光層の順でこれらが積層されてなるノーマリブラックモードのインプレーンスイッチングモードの液晶表示装置。 - 特許庁 - This production device for the non-contact IC card has at least two pairs of heating rollers 27 pinching an IC card laminate body, melting a first hot-melt layer and a second hot-melt layer to bond an inlet sheet, and a front face side base material and a rear face side base material, and disposed at a prescribed interval.
非接触ＩＣカードの製造装置は、ＩＣカード積層体を挟持して、第１ホットメルト層および第２ホットメルト層を溶融させてインレットシートと表面側基材および裏面側基材を接着させるとともに、所定間隔をおいて配置された少なくとも二対の加熱ローラ２７を備えている。 - 特許庁 - Further, the semiconductor substrate 1 contains a conductive source region 14 which is located on an opposite side of the contacts 11, 12 with respect to the word line 4 and extends in the first direction, and an embedded diffusion layer 15 which extends in a second direction perpendicular to the first direction from the source region 14 to be connected with the source diffusion layer 13.
半導体基板１は，更に，ワード線４に対して上記コンタクト１１，１２の反対側に位置し，且つ，第１方向に延伸する導電性のソース領域１４と，ソース領域１４から第１方向と垂直な第２方向に延伸してソース拡散層１３に接続する埋め込み拡散層１５とを含む。 - 特許庁 - In the optical components, a dielectric multi-layer film filter 22 is joined to between collimator lenses 21, 21, the first optical fiber holding members 23 and the second optical fiber holding member are joined to the collimator lenses 21, 21, and an adhesive layer does not exist in the vicinity of a light transmission path in junction surfaces between the collimator lenses 21 and the optical fiber holding members.
コリメータレンズ２１、２１の間に、誘電体多層膜フィルタ２２が接合され、コリメータレンズ２１、２１に第１の光ファイバ保持部材２３および第２の光ファイバ保持部材が接合され、コリメータレンズ２１と光ファイバ保持部材の接合面において、光の伝送路近傍には、接着剤層が存在しない光部品。 - 特許庁 - A lower magnetic pole layer comprises a first portion 8a located in an area, including an area which opposes thin-film coils 12, 18, a second portion 8b which forms a magnetic pole portion and is connected to the first portion 8a, and a third portion for connecting the first portion 8a with a upper magnetic pole layer.
下部磁極層は、薄膜コイル１２，１８に対向する領域を含む領域に配置された第１の部分８ａと、磁極部分を形成し、且つ第１の部分８ａに接続された第２の部分８ｂと、第１の部分８ａと上部磁極層とを接続するための第３の部分とを有している。 - 特許庁 - This method for manufacturing the model is achieved by carrying out a first step to create a backup structure 1, a second step to blow a foamable resin 21 to the surface of the backup structure 1 and a third step to finish the surface of a surface layer by cutting the surface of a foamable resin layer 2 after the setting of the foamable resin 21.
バックアップ構造体１を作成する第１工程と、バックアップ構造体１の表面に、発泡性樹脂２１を吹き付ける第２工程と、発泡性樹脂２１が硬化した後、その発泡性樹脂層２の表面を切削して表層表面を仕上げる第３工程と、を実行する方法とした。 - 特許庁 - The second recess face 53b is set in a wide arc with a curvature larger than that of the curved surface of a game ball from upstream to downstream between a position slightly lowered by about height of double stacked game balls and a position lowered by about height of one game ball to form the game balls from the double stacked layer to one layer.
第２の凹曲面５３ｂは、上下に重ねられた遊技球の高さよりもやや低い位置から、遊技球の１個分程度に低くした高さの位置の間で、上流から下流に沿って遊技球の曲面よりも大きな曲率の緩やかな円弧状に設けられ、遊技球を２段重ねから１段へと整列させる。 - 特許庁 - The waveform converting layer 18 on the top surfaces of the semiconductor light emitting elements 16b, 16d configuring the second semiconductor element group has a thickness thinner by a thickness equivalent to a step difference h of the substrate 12 than that of the waveform converting layer 18 on the top surfaces of the semiconductor light emitting elements 16a, 16c configuring the first semiconductor element group.
第２の半導体素子群を構成する半導体発光素子１６ｂ，１６ｄの上面の波長変換層１８は、基板１２の段差ｈに相当する厚さだけ、第１の半導体素子群を構成する半導体発光素子１６ａ，１６ｃの上面の波長変換層１８より薄い厚さを有している。 - 特許庁 - This is the substrate with the transparent conductive film which is equipped with the transparent conductive film at least on one face of the substrate, and in which the transparent conductive film is equipped with a first thin film layer composed of zinc oxide and a second thin film layer composed of indium oxide containing tin sequentially from the substrate side.
基板の少なくとも一方の面に透明導電膜を備える透明導電膜付き基板であって、該透明導電膜が前記基板側から順に酸化亜鉛からなる第１の薄膜層とスズを含むインジウム酸化物からなる第２の薄膜層とを備えることを特徴とする透明導電膜付き基板とした。 - 特許庁 - Since the quenched steel can be machined in the large turning thickness at one time, at the actual turning time, the steel blank 1 having the decarburized layer 4 on the surface and the quenched martensitic layer 5 can roughly be turned with the cutting tool 3 just near to the target size 2 at once as shown in the figure, and the finish turning is executed at the second time.
本発明による焼入れ鋼材は１回の旋削代が大きく取れるため、実際の旋削時は、図１に示すように、表面の脱炭層４およびその下の焼入マルテンサイト層５を有する鋼素材１を、目標寸法２の直前まで一気にバイト３で荒旋削が可能であり、２回目で仕上げ旋削を行える。 - 特許庁 - Electric resistance of a magnetoresistance effect element of about 51 Ω can be achieved when an MR height is made same dimension with a track width by making an electrode into a two-step structure and using an Rh film of a thickness of about 20 nm for a first electrode layer 5, and an Au film of about 100 nm of film thicknesses for a second electrode layer 6.
電極を二段構造にし、第１電極層５に厚さ約２０ｎｍのＲｈを用い、第２電極層６に膜厚約１００ｎｍのＡｕを用いることによって、トラック幅と同じ寸法のＭＲ高さとしたときの磁気抵抗効果素子の電気抵抗は約５１Ωを実現することができる。 - 特許庁 - A semiconductor element is constituted of a base layer composed of a first group III nitride semiconductor and a functional layer which is composed of a second group III nitride semiconductor having a composition of Al_XGa_YIn_ZN (0≤X≤1, 0≤Y≤1, 0<Z≤1, X+Y+Z=1), and exhibits a periodic superlattice structure.
第１のIII族窒化物半導体からなる下地層と、Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０＜Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）なる組成を有する第２のIII族窒化物半導体からなり、周期的超格子構造を呈する機能層とを具えるようにして、半導体素子を構成する。 - 特許庁 - A laminate film wherein a plurality of polyester resin layers including at least a first layer 19a having molecular alignment and a second layer 19b not having molecular alignment are laminated is used as the print protection film 19, whereby the ease of unsealing is considerably improved because strength and hand-tearability are given to the package 18 in good balance.
印刷保護フイルム１９に、少なくとも分子配向を有する第１層１９ａと分子配向が無い第２層１９ｂとを含む複数のポリエステル系樹脂層が積層された積層フイルムを用いることで、包装体１８に強度と手切れ性とがバランスよく付与されるので、易開封性が大幅に向上する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the chemically tempered glass having a compressive stress layer in a glass surface layer, formed by ion exchange by a dipping method, a second dipping treatment for dipping the glass in a dipping liquid of a temperature higher by 20-50°C than the temperature of the dipping liquid used in the first step for 10-60 min is applied after a first dipping treatment.
浸漬法でイオン交換することによりガラス表層に圧縮応力層を形成させた化学強化ガラスにおいて、第１段の浸漬処理後に、第１段の浸漬液温度よりも２０℃以上５０℃以下の高い温度かつ１０分間以上６０分間以下で、第２の浸漬処理する化学強化ガラスの製造方法。 - 特許庁 - An oxidation resistant and wear resistant coating tool has a coating structure of a TiAlN coating as a first layer with the rate of Al being 20-70 mol.% and a TiN coating as a second layer formed on the surface of a base material, followed by TiAlN coatings with the rate of Al being 20-70 mol.% and TiN coatings alternately layered.
母材表面に、第１層としてＡｌの割合が２０〜７０モル％のＴｉＡｌＮ膜が、第２層としてＴｉＮ膜が形成され、以後、Ａｌの割合が２０〜７０モル％のＴｉＡｌＮ膜と、ＴｉＮ膜とが交互に積層された膜構造を有する耐酸化・耐摩耗被膜付き工具。 - 特許庁 - Provided are the manufacturing method of organic thin film characterized by polymerizing an ionic liquid monomer in vacuum to form the film; and the laminated body 1 characterized by lamination of the organic thin film 13 obtained by such a method and inorganic thin film layers (a first inorganic thin film layer 12 and a second inorganic film layer 14).
真空中でイオン液体モノマーを重合させて成膜することを特徴とする有機薄膜の製造方法；かかる製造方法で得られた有機薄膜層１３と、無機薄膜層（第一の無機薄膜層１２及び第二の無機薄膜層１４）とが積層されたことを特徴とする積層体１。 - 特許庁 - In this repairing method of the gas turbine blade of removing cracks or degraded phases generated in the base material of the gas turbine blade having a coating layer on the base material, a first step of removing the coating layer without using any fusion chemical and a second step of cutting cracks or a portion of the degraded phase generated in the base material are continuously performed.
基材にコーティング層を施したガスタービン翼の基材に発生したクラックまたは劣化相を除去するガスタービン翼の補修方法において、コーティング層を溶融薬品を用いずに除去する第一の工程と、基材に発生したクラックまたは劣化相の部位を切削する第二の工程と、を連続的に行う。 - 特許庁 - The protection layer 15 is composed of a first protection film 15a and a second protection film 15b, the former 15a formed nearly on a whole surface of the dielectric layer 4, and the latter 15b partially forming MgO with a higher secondary electron emission coefficient than the former 15a is provided on the former 15a.
保護膜１５は第１保護膜１５ａと第２保護膜１５ｂとからなり、誘電体層４上のほぼ全面に第１保護膜１５ａが形成され、第１保護膜１５ａ上に第１保護膜１５ａよりも２次電子放出係数が高いＭｇＯを部分的に形成した第２保護膜１５ｂが設けられている。 - 特許庁 - The optical controller 100 has a substrate 300, a first reflective layer 32, an optical modulation film 34 which varies in refractive index with an applied electric field, a transparent electrode 36, and a second reflective layer 102 having such reflection characteristics that a reflection band and a transmission band are abruptly switched at a specified wavelength.
光制御装置１００は、基板３０と、第１反射層３２と、印加された電界に応じて屈折率が変化する光変調膜３４と、透明電極３６と、所定の波長において反射帯と透過帯とが急峻に切り替わる反射特性を有する第２反射層１０２と、を備える。 - 特許庁 - In the reflection display, a first display 105 is obtained on the surface of a first lens sheet 21 (a reflection layer 30) by external light via an entering route and a second display image 110 is simultaneously obtained on a display image by outside light reflected on the reflection layer 30 and via an outgoing route.
反射表示時においては、入射経路を経た外光により、第１のレンズシート２１（反射層３０）の表面において第１の表示像１０５が得られるとともに、反射層３０で反射され出射経路を経た外光により、表示画面において第２の表示像１１０が得られる。 - 特許庁 - Here, in the element substrate manufacturing process (S301), from among the plurality of the organic compound layers, the plurality of the organic compound layers are formed so that a first organic compound layer having the lowest glass transition temperature will be pinched between the second and third organic compound layers of glass transition temperatures higher than that of the first organic compound layer.
ここで、素子基板製造工程（Ｓ３０１）では、複数の有機化合物層のうち、ガラス転移温度が最も低い第1の有機化合物層が、第1の有機化合物層よりガラス転移温度が高い第２および第３の有機化合物層の間で挟持されるように、複数の有機化合物層を形成する。 - 特許庁 - The support of this polishing medium is coated with a polishing layer 3 containing the polishing material and the binder, wherein the polishing layer 3 contains the first particles consisting of silica having a mean particle size of 5-50 nm and the second particles consisting of silica having a mean particle size of 50-250 times as large as the first particles.
支持体２上に研磨材と結着剤を含む研磨層３を塗布してなり、研磨層３は、研磨材として平均粒径が５〜５０ｎｍのシリカ粒子による第１粒子を含有すると共に、該第１粒子の平均粒径に対して５０〜２５００倍の平均粒径を有するシリカ粒子による第２粒子を含有してなる。 - 特許庁 - A base layer 18 composed of m-plane GaN is formed on the sapphire substrate 10 by growing a GaN crystal from side surfaces 101aa of the second grooves 101a by the MOCVD method using this sapphire substrate 10, and then an LED element structure is formed on the base layer 18 to manufacture a light-emitting element.
このサファイア基板１０を用いて、第２の溝１０１ａの側面１０１ａａから、ＭＯＣＶＤ法によってＧａＮ結晶を成長させて、サファイア基板１０上にｍ面ＧａＮからなる基底層１８を形成し、基底層１８上にＬＥＤ素子構造を形成して発光素子を製造する。 - 特許庁 - The counter electrode CE includes a first conductive film CE1 which is located on the organic layer and formed from Ag or MgAg alloy whose principal component is Ag; a second conductive film CE2 which is located opposite to the organic layer with respect to the first conductive film and is formed from MgAg alloy whose principal component is Mg.
対向電極ＣＥは、有機層上に位置し、Ａｇ若しくはＡｇを主成分とするＭｇＡｇ合金で形成された第１導電膜ＣＥ１と、第１導電膜に対して有機層の反対側に位置し、Ｍｇを主成分とするＭｇＡｇ合金で形成された第２導電膜ＣＥ２と、を有している。 - 特許庁 - To provide an induction heating coil capable of increasing the depth of a hardened layer at a corner part in first and second stepped parts of a stepped shaft-like member, and uniforming the depth of the hardened layer formed continuously along a small diameter shaft part, a corner part and a bearing surface part.
段付き軸状部材の第１及び第２の段部における隅部の焼入硬化層の深さをより深くすることができ、その結果、小径軸部，隅部及び座面部に連続して形成される焼入硬化層の深さの均一化を図ることができるような構成の高周波誘導加熱コイルを提供する。 - 特許庁 - In the optical waveguide element 101 wherein the optical waveguide is formed on a substrate 20 consisting of Si or quartz and the semiconductor laser element is directly coupled to the end surface of the optical waveguide, an upper clad layers 24, 26, a first lower clad layer 21 and a second lower clad layer 22 are respectively formed on and under a core 23 of the optical waveguide.
Ｓｉまたは石英からなる基板20上に光導波路が形成されてなり、この光導波路の端面に半導体レーザ素子が直接結合される光導波路素子101において、光導波路のコア23の上下にそれぞれ上部クラッド層24、26、下部第１クラッド層21および下部第２クラッド層22を形成する。 - 特許庁 - The wiring layer 33 provided on one surface 43 of the second insulating film 41 is along one surface 36 of a semiconductor substrate 31, and the wiring layer 33 provided in the first through hole 38 is extended in the thickness direction T of the semiconductor substrate 33, thus extending the wiring layers 33 in a direction orthogonally crossing each other.
第２絶縁膜４１の一表面４３上に配設される配線層３３は、半導体基板３１の一表面３６に沿い、第１貫通孔３８内に配設される配線層３３は半導体基板３３の厚み方向Ｔに延びるので、これらの配線層３３は互いに直行する方向に延びている。 - 特許庁
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