「second-layer」を含む例文一覧(21457)
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追加埋込酸素を含まない封入層３１と酸素リッチな第２の封入層とを二重に積層してＭＴＪ積層構造を封じ込めることにより、外部からＭＴＪ接合を確実に絶縁分離できると共に、後工程で熱処理プロセスに曝されてもトンネル抵抗値の安定性が確保される。 - 特許庁 - Further, the device has a storage capacitor 70a formed in the upper layer side of the semiconductor layer 1a and having a first portion 301 which covers the data line side LDD region 1b and a second portion 302 which covers the pixel electrode side LDD region 1c and has a larger width in the X direction than the first portion 301.
更に、半導体層１ａよりも上層側に形成されており、データ線側ＬＤＤ領域１ｂを覆う第１部分３０１と、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを覆うと共に第１部分３０１よりＸ方向の幅が広い第２部分３０２とを有する蓄積容量７０ａとを備える。 - 特許庁 - Slip coating, drying, exposing and developing steps are repeated to form a laminated molding 33, and sheet-like ceramic layer moldings 26c, 26e obtained by coating and drying a slip on a second support and peeling it off from the support are laminated on an exposed and developed ceramic layer molding 26.
スリップの塗布、乾燥から露光、現像工程を順次繰り返して積層成形体３３を形成するとともに、露光、現像されたセラミック層成形体２６に、第２支持体にスリップを塗布、乾燥し、これを第２支持体から剥離して得られたシート状のセラミック層成形体２６ｃ、２６ｅを積層する。 - 特許庁 - The solar cell module which is used while being mounted on the outer side surface of a building has a structure in which a first base material, a layer including a solar cell, a second base material for protecting the layer including a solar cell, and an anti-reflection film are laminated in this order, and a portion to be mounted on the outer side surface of a building.
建築物の外側面に取り付けて使用される太陽電池モジュールであって、第１基材と、太陽電池セルを含む層と、前記太陽電池セルを含む層を保護する第２基材と、反射防止膜とを、この順番に積層した構造と、建築物の外側面への取付部とを有する。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises: an element isolation (102) formed in a semiconductor layer (101); a first-conductivity-type impurity layer (104); a first-conductivity-type source region (106); a first-conductivity-type drain region (107); a second-conductivity-type gate region (105); and a control electrode (109) formed via an insulating film (108).
半導体装置は、半導体層（１０１）に形成された素子分離（１０２）、第１導電型の不純物層（１０４）、第１導電型のソース領域（１０６）、第１導電型のドレイン領域（１０７）、第２導電型のゲート領域（１０５）、絶縁膜（１０８）を介して形成された制御電極（１０９）を備える。 - 特許庁 - To provide a mass flow sensor comprising a frame formed of silicon at least partially, a film held by the frame, a heating element formed in a metal layer by the first structure and at least one temperature measuring element formed in the metal layer by the second structure, and to improve film stability thereby compared with a conventional mass flow sensor.
少なくとも部分的にシリコンにより形成されているフレーム、フレームにより保持されている膜、第一の構造により金属層中に形成されている加熱素子、第二の構造により金属層中に形成されている少なくとも１つの温度測定素子からなる質量流量センサーを提供する。 - 特許庁 - A substrate having a liquid crystal layer formed thereon is provided, and tilt angles of reflecting irregularities formed on the liquid crystal layer side of the substrate are distributed so that their existence probability has one peak along a first direction and has two peaks along a second direction different from the first direction.
液晶層が形成された基板を有し，前記基板の液晶層側に形成される反射用凹凸の傾斜角が，第１の方向に沿ってその存在確率が１つのピークを有し，前記第１の方向と異なる第２の方向に沿ってその存在確率が２つのピークを有するように分布すること。 - 特許庁 - In a printed wiring board 200 having electrode pads 5 for surface-mounting a semiconductor device with solder balls on an insulation board 1, the electrode pads 5 are composed of a first plane conductor layer 2 and a second rugged conductor layer 4 to increase the bond area of the electrode pad 5 to the solder.
絶縁基板１上に半導体装置をはんだボールで面実装するための電極パッド５を有するプリント配線板２００において、電極パッド５を平面形状の第１導電層２とその上に突起状に形成した第２導電層４から構成し、電極パッド５とはんだとの接合面積を増加させた。 - 特許庁 - A heterojunction field effect semiconductor device includes an electron traveling layer 31; first and second electron supply layers 32, 33; a cap layer 34; a source electrode 8; a drain electrode 9; a gate electrode 10; an insulation film 11 made of a silicon oxide; and a p-type metal oxide semiconductor film 12.
本発明に従うヘテロ接合型電界効果半導体装置は、電子走行層３１と、第１及び第２の電子供給層３２，３３と、キャップ層３４と、ソース電極８と、ドレイン電極９と、ゲート電極１０と、シリコン酸化物から成る絶縁膜１１と、ｐ型金属酸化物半導体膜１２とを有している。 - 特許庁 - The manufacturing method of a semiconductor element includes: a step for forming a diffusion prevention film in a laminated structure including at least a first metal film 22A and a metal silicide film 22C containing nitrogen on a first conductive layer 21; and a step for forming a second conductive layer 23 on the diffusion prevention film.
本発明に係る半導体素子の製造方法は、第１導電層（２１）上に、少なくとも第１金属膜（２２Ａ）および窒素含有の金属シリサイド膜（２２Ｃ）を含む積層構造で拡散防止膜を形成するステップと、該拡散防止膜上に第２導電層（２３）を形成するステップとを含む。 - 特許庁 - A first conductivity silicon region 1, a porous silicon layer 2 formed as an embedded layer inside the silicon region 1, and second conductivity source region 3a and drain region 4a which are different from the first conductivity and formed selectively in the upper surface of the silicon region 1, are provided.
半導体装置は、第１導電型のシリコン領域１と、シリコン領域１の内部に埋め込み層として形成されたポーラスシリコン層２と、シリコン領域１の上面内に選択的に形成された、上記第１導電型とは異なる第２導電型のソース領域３ａ及びドレイン領域４ａとを備えている。 - 特許庁 - The cable is made by multicomponent spinning of a core composed of a polymethyl methacrylate resin, a first sheath layer composed of a resin composition consisting of a vinylidene fluoride resin and a polymethyl methacrylate resin and a second sheath layer composed of a copolymer consisting of vinylidene fluoride, hexafluoropropene and tetrafluoroethylene and by coating the outside with nylon-12.
ポリメチルメタクリレート系樹脂からなる芯と、ビニリデンフロライド系樹脂とポリメチルメタクリレート系樹脂からなる樹脂組成物からなる第１鞘層と、ビニリデンフロライドとヘキサフロロプロペンとテトラフロロエチレンからなる共重合体からなる第２鞘層とを複合紡糸し、その外側にナイロン１２を被覆してケーブルとする。 - 特許庁 - The second catalyst layer 27 having a carrier having porosity greater than that of the partition and pores having an average diameter smaller than that of the pores of the partition and the catalyst supported on the carrier is formed on the first catalyst layer formed in the wall surface of the partition for forming the exhaust gas discharge passage.
隔壁の気孔率よりも気孔率が大きく且つ該隔壁の細孔の平均細孔径よりも平均細孔径が小さい細孔を有する担体と、該担体に担持された触媒とを有する第２の触媒層２７が、排気流出通路を画成する隔壁の壁面上に形成された第１の触媒層上に形成されている。 - 特許庁 - A design condition of at least one of the upper layer insulation film 7 and the overlaying metal film 8 is adjusted based on the measured thickness of the lower layer insulation film 4 such that a total value of electrostatic capacitance of the first MIM capacitor and electrostatic capacitance of the second MIM capacitor approximates intended electrostatic capacitance.
第１のＭＩＭキャパシタの静電容量と第２のＭＩＭキャパシタの静電容量の合計値が所望の静電容量に近づくように、測定した下層絶縁膜４の厚みに基づいて、上層絶縁膜７及び上地金属膜８の少なくとも一方の設計条件を調整する。 - 特許庁 - This method comprises a step of processing a first wafer with two faces and providing at least one semiconductor layer patterned and made plane, on at least one face of these two faces, and a step of connecting a second wafer of monocrystal silicon to the semiconductor layer on the first wafer.
本方法は、２つの面を有する第１のウェーハを処理し、これらの２つの面の少なくとも一方の上に少なくとも１つのパターン化されて且つ平面化された半導体層を設けるステップと、単結晶シリコンの第２のウェーハを、第１のウェーハ上の半導体層に結合させるステップとを含む。 - 特許庁 - To provide an embedding method by which a secondary material can be evenly embedded without any air gap into the periphery of a primary material layer which has a mesa shape, a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor device in which a second semiconductor is evenly embedded without any air gap into the periphery of a primary semiconductor layer which has a mesa shape.
メサ形状である第１の材料層の周囲に第２の材料を空隙なく平坦に埋め込むことができる埋込方法、半導体素子製造方法、および、メサ形状である第１の半導体層の周囲に第２の半導体が空隙なく平坦に埋め込まれた半導体素子を提供すること。 - 特許庁 - A semiconductor layer 103 is covered with a gate electrode 104 and a second shading part 106, so as to be completely shaded from light 117 diffracted at the end of a third shading layer 108, with a TFT being capable of avoiding variations in the characteristics, and realizing a superior display image.
第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 - 特許庁 - A first piezoelectric resonance stack 14A including a piezoelectric layer 2A, a lower electrode 10A and an upper electrode 12A is formed on the upper surface of the substrate 8 and a second piezoelectric resonance stack 14B including a piezoelectric layer 2B, a lower electrode 10B and an upper electrode 12B is formed on the lower surface of the substrate 8.
基板８の上面に圧電層２Ａと下部電極１０Ａと上部電極１２Ａとを含んでなる第１の圧電共振スタック１４Ａが形成されており、基板８の下面に圧電層２Ｂと下部電極１０Ｂと上部電極１２Ｂとを含んでなる第２の圧電共振スタック１４Ｂが形成されている。 - 特許庁 - The core body is molded from a thermoplastic elastomer resin or a foamed material thereof and the intermediate adhesive layer from a first extrusion molding machine 20 and the protective coating layer comprising an olefinic or styrenic resin from a second extrusion machine 21 are successivly fused and laminated to the core body in a mold die.
該芯体の材料を熱可塑性エラストマー樹脂又はその発泡材料によって形成されたものを、金型ダイスの内部で第１押出し成形機２０の中間接着層と第２押出し成形機２１のオレフィン系又はスチレン系樹脂の保護被膜層を順次融着積層した成形方法である。 - 特許庁 - The manufacturing method is provided with a step for forming a compound adapter 50 where an insulator spacer 3 is sandwiched between a first adhesive layer 2 and a second adhesive layer 4, and a step for arranging the compound adhesive between a plurality of printed wiring boards where conductor patterns are formed in insulating substrates so as to bond them.
絶縁体スペーサ３が第１接着剤層２と第２接着剤層４とで挟まれた複合接着体５０を作製する工程と、それぞれ絶縁基板に導体パターンが形成されてなる複数のプリント配線板同士の間に前記複合接着体を介在させて接着を行う工程と、を備える。 - 特許庁 - The decorative sheet S is obtained by successively laminating a first transparent resin base material sheet having a matte surface comprising a fluoroplastic resin to which a matting agent is added, a second transparent resin base material sheet 2 comprising an acrylic resin to which no matting agent is added, an appropriate decorative layer 4 and an adhesive layer 5 from a surface side.
表面から順に、艶消し剤を添加したフッ素樹脂からなる表面艶消しで透明な第１樹脂基材シート１と、艶消し剤無添加のアクリル樹脂からなる透明な第２樹脂基材シート２、更に適宜装飾層４及び接着剤層５を積層した加飾シートＳを用いる。 - 特許庁 - The free magnetic structure can comprise a second bias layer which is coupled to the SAF for further preventing decoupling of two or more ferromagnetic layers in anti-ferro magnetic coupling, and a non magnetic layer which is coupled between the first bias and the SAF for controlling coupling intensity between the first bias and the SAF.
自由磁気構造は、２つ以上の反強磁性結合されている強磁性層のデカップリングをさらに妨げるための、ＳＡＦに結合されている第２のバイアス層と、第１のバイアス層とＳＡＦとの間の結合強度を制御する、第１のバイアス層とＳＡＦとの間に結合されている非磁性層を含むことができる。 - 特許庁 - The second filler metal manufacturing method comprises a welding step of forming a recessed groove 30a on the surface of a base member 30, and forming a weld layer 32 in a recessed groove 30a by using the plasma powder welding method, and a separating step of separating the bar-shaped weld layer 32 from the base member 30.
また、本発明に係る溶加材の製造方法の２番目は、基材３０の表面に凹溝３０ａを形成し、凹溝３０ａにプラズマ粉末溶接法を用いて溶着層３２を形成する溶接工程と、基材３０から棒状の溶着層３２を分離する分離工程とを備えている。 - 特許庁 - The floating gate of a memory cell of a nonvolatile memory and a gate electrode of a high voltage transistor regarding the nonvolatile memory are formed of a first polysilicon layer, and the control gate of a memory cell of the nonvolatile memory and the gate electrode of a low voltage transistor regarding a high performance logic circuit network are formed of a second polysilicon layer.
不揮発性メモリのメモリセルのフローティングゲートと、前記不揮発性メモリに関する高電圧トランジスタのゲート電極とを第１ポリシリコン層によって形成し、前記不揮発性メモリのメモリセルの制御ゲートと、高性能論理回路網に関する低電圧トランジスタのゲート電極とを第２ポリシリコン層によって形成する。 - 特許庁 - The detector 10 is used, which is formed by laminating a first stripe electrode 12, a photoconductive layer 13 for recording that shows conductivity by receiving the illumination of recording light 12, a photoconductive layer 14 for preexposure that shows conductivity by receiving the illumination of preexposure light L3, and a second stripe electrode 16.
第１ストライプ電極１２、記録光L2の照射を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層１３、前露光光L3の照射を受けることにより導電性を呈する前露光用光導電層１４、第２ストライプ電極１６を積層してなる検出器１０を使用する。 - 特許庁 - The optical element 100 is that emitting light from an exit surface 108; and includes a first optical path adjusting layer 120 having a recessed curved surface 10 above the exit surface 108, and a second optical path adjusting layer 40 having a protruded curved surface 12 above the recessed curved surface 10.
本発明にかかる光学素子１００は，出射面１０８から光を放出する光学素子１００であって、出射面１０８の上方に凹状曲面１０を有する第１光路調整層１２０を備え、凹状曲面１０の上方に凸状曲面１２を有する第２光路調整層４０を備えている。 - 特許庁 - That is to say, a semiconductor light emitting element 150 can be manufactured without generating cracks even if a semiconductor having a high AlN molar fraction, in which the internal stress is easily accumulated caused by lattice mismatch, as in the case of the first clad layer 121 and the second clad layer 124, is deposited on a nitride semiconductor substrate 110.
すなわち、第一のクラッド層１２１および第二のクラッド層１２４のように格子不整合に起因して内部応力が蓄積しやすい高ＡｌＮモル分率半導体を窒化物半導体基板１１０上に成長させても、クラックを発生させることなく半導体発光素子１５０を作製することができる。 - 特許庁 - The seal 70 has an IC chip 73 capable of wireless communication with external devices through a foil-like antenna 72 and one side is bonded on the surface of a protruded part 53 a of the case body 50 through a first adhesive layer 76 and the other side on the main control board 60 through a second adhesive layer 77.
この封印シール７０は、箔状アンテナ７２を介して外部機器と無線通信を行うＩＣチップ７３を有し、一方の面がケース蓋体５０の凸部５３ａの表面に第１接着層７６を介して接着され、他方の面がメイン制御基板６０に第２接着層７７を介して接着されている。 - 特許庁 - An image recording medium 10 includes: a body to be adhered 16 having a first substrate 12 and protrusions 14 provided on the first substrate 12; an adhesive layer 20 containing particulate adhesive component 18; and a second substrate 22 adhered to the body to be adhered 16 on the side on which protrusions 14 are provided by the adhesive layer 20.
第１の基体１２と第１の基体１２上に設けられた凸部１４とを有する被貼付体１６と、粒子状の粘着成分１８を含む粘着層２０と、粘着層２０により被貼付体１６の凸部１４の設けられた側に貼付された第２の基体２２と、を有する画像記録媒体１０。 - 特許庁 - A first adhesive layer is formed on the surface on the side opposite to the surface of a core film having non-piercing pores and, after the conductive fine particles are put in the pores, a second adhesive layer is formed on the other surface of the core film to manufacture the anisotropic conductive adhesive sheet.
貫通していない孔を有するコアフィルムの面と反対側の面に第１の接着剤層を形成し、次いで、前記孔内に導電性微粒子を入れた後に、このコアフィルムの他方の面に第２の接着剤層を形成して製造されることを特徴とする導電性接着シートの製造方法。 - 特許庁 - The measurement pattern is used for formation of contact and via holes over a diffusing layer and an underlay wiring layer from a photoresist, and the pattern includes a first pattern 16 as an object of length measurement by a length measurement SEM and a second pattern 17 laid apart from the first pattern 16 and used for aligning and focusing the length measurement SEM.
拡散層および下層配線上にそれぞれコンタクトおよびビアをフォトレジストで形成する際の測長パターンであって、測長ＳＥＭの測長対象となる第１パターン１６と、該第１パターン１６と離間して設けられ、測長ＳＥＭの位置および焦点合わせに用いられる第２パターン１７と、を含む。 - 特許庁 - The colored laminated body 15 has the following constitution: the colored layer 14 is formed by laminating the rear surface of a first transparent synthetic resin-made substrate 12 with a UV-curable resin containing colorants; and further a second transparent synthetic resin-made substrate 16 is laminated on the rear surface of the colored layer 14 to form the colored laminated body.
本発明の着色積層体１５は、着色層１４が第１の透明合成樹脂製基板１２の裏面に着色剤を含有する紫外線硬化性樹脂が積層されることにより構成され、さらに着色層１４の裏面に第２の透明合成樹脂製基板１６が積層されることにより構成される。 - 特許庁 - The imaging lens 1 includes, successively from a subject side, a first optical lens 2 composed of a convex lens, the liquid crystal lens 3 in which an intra-surface refractive index distribution of a liquid crystal layer is changed according to the voltage applied to the liquid crystal layer sealed between opposed transparent substrates, a second optical lens 4, and a third optical lens 5.
撮像レンズ１は、被写体側から順に、凸レンズよりなる第１の光学レンズ２と、対向する透明基板間に封入された液晶層に印加する電圧に応じて液晶層の面内屈折率分布が変化する液晶レンズ３と、第２の光学レンズ４と、第３の光学レンズ５を備えている。 - 特許庁 - In the electromagnetic-field generating element, the magnetization of the spin-wave excitation layer is biased in a direction substantially perpendicular to its layer surface by a portion of the magnetic field generated from the first magnetic pole, and an electric current for exciting the spin-wave flows in the electromagnetic-field generating element in a direction from the second pole to the first pole.
さらにこの電磁界生成素子においては、スピン波励起層の磁化が第１の磁極から発生する磁界の一部によって層面に実質的に垂直な方向にバイアスされ、スピン波を励起するための電流が電磁界生成素子内を第２の磁極から第１の磁極へ向かう方向に流れる。 - 特許庁 - The stacked common mode choke coil comprises a coil formation layer 20 where a first coil 21 and a second coil 22 are formed by bifilar winding on the circumferential surface of a magnetic body in the lateral winding direction orthogonal to the thickness t of the magnetic body, and insulator layers 12 formed on the upper and lower surfaces of the coil formation layer 20.
磁性体の周面に形成された第１コイル２１及び第２コイル２２が磁性体の厚さｔと直交する横巻方向のバイファイラー巻きに形成されているコイル形成層２０と、該コイル形成層２０の上下両面にそれぞれ形成された絶縁体層１２とを備えている。 - 特許庁 - An image forming apparatus includes: voltage detection means 50 for detecting voltage of an electric double-layer capacitor 42 in a power storage device 41; and calculation means 45 for detecting an arrival time until the voltage of the electric double-layer capacitor 42 reaches a second specified value from a first specified value to determine capacitor electrostatic capacitance during charging.
蓄電装置４１における電気二重層キャパシタ４２の電圧を検知する電圧検知手段５０と、充電時において電気二重層キャパシタ４２の電圧が第１所定値から第２所定値に達するまでの到達時間を検知してキャパシタ静電容量を求める算出手段４５と、を備える。 - 特許庁 - This organic electroluminescent element is provided with: a luminescent part 9 composed by sandwiching an organic layer 7 between a first electrode 6 and a second electrode 8; and a fine particle layer part 5 including fine particles 2 stacked and formed on the luminescent part and periodically arranged thereon, and a medium for at least partially embedding the fine particles.
第１の電極（６）および第２の電極（８）で有機層（７）を挟持してなる発光部（９）と、前記発光部に積層形成され、周期的に配置された微粒子（２）と前記微粒子の少なくとも一部を包埋する媒質とを備える微粒子層部（５）とを具備する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁 - To provide a measuring method and a measuring instrument for the thermal resistance and Biot number of a laminated material, capable of accurately determining the thermal resistance of an interlayer part when an interlayer indefinable in thickness exists between layers of a laminated material having a first layer and a second layer, and capable of determining the Biot number of the laminated material.
第１層と第２層とを有する積層材料の層間に厚さが明確に定義できない層間が存在する場合の層間部の有する熱抵抗を精度よく決定できると共に積層材料のビオー数を決定できる積層材料の熱抵抗とビオー数の測定方法及び測定装置を提供する。 - 特許庁 - In this case, since a second resistor layer 3b is formed in a wide range from the upper part of a first resistor layer 3a toward the base end side of the contact part 2, the resistor 3 gradually reduced in thickness from the tip side of the contact part 2 toward the base end side thereof can be easily formed.
この場合、第１の抵抗体層３ａの上から接触部２の基端側に向かって広い範囲に第２の抵抗体層３ｂを形成するようにしたので、接触部２の先端側から基端側に向かって徐々に厚さの小さくなる抵抗体３を容易に形成することができる。 - 特許庁 - A semiconductor optical detector 30 is integrated with the mesa part M1 at the opposite side to the optical outgoing window 28A of the mesa part M1, and has a lamination structure including a first conductive type semiconductor layer 31, an optical detection layer 32, and second conductive type semiconductor layers 33 and 34 in sequence from the side of the substrate 10.
半導体光検出素子３０は、メサ部Ｍ１の光射出窓２８Ａとは反対側にメサ部Ｍ１と一体に形成されると共に、第１導電型半導体層３１、光検出層３２、第２導電型半導体層３３、３４を基板１０側から順に含む積層構造を有する。 - 特許庁 - This superconductive accelerator has a first heat shield 10, a second heat shield 12 and the heat shield film layer 15 provided between both of them as a heat shield means between a liquid helium container 6 and the vacuum container 16, and the temperature of the heat shield film layer 15 is distributed between 20 K and 80 K for instance.
この超伝導加速装置は、液体ヘリウム容器６と真空容器１６との間の熱遮蔽手段として、第１熱遮蔽体１０、第２熱遮蔽体１２および両者間に設けられた熱遮蔽膜層１５を有しており、この熱遮蔽膜層１５の温度は例えば２０Ｋと８０Ｋの間に分布している。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an organic EL panel having at least a first electrode, one layer or more of organic functional layers, a second electrode, and a sealing layer on a belt-shaped flexible base material, in which a roll-to-roll process realizes high production efficiency and stable performance quality, and provide an organic EL display.
帯状の可撓性基材上に少なくとも第１電極と、１層以上の有機機能層と、第２電極と、封止層とを有する有機ＥＬパネルを、ロールツーロール方式により生産効率が高く、性能品質が安定している有機ＥＬパネルの製造方法及び有機ＥＬ表示装置の提供。 - 特許庁 - Organic SOG films 6 and 13 of specific permittivity 3.0 or below are used for insulating the adjacent wirings from each other in a second wiring layer M2 and a third wiring layer M3 which are set minimum in line width and laid out short in length resting on a layout rule, by which the adjacent wiring layers can be lessened in interlayer capacitance between them.
レイアウトルールの最小線幅で加工され、短距離引き回し配線である第２層配線Ｍ_2 および第３層配線Ｍ_3 では、隣接配線間の絶縁に比誘電率が約３. ０以下の有機ＳＯＧ膜６，１３を用いることによって、隣接配線間の層間容量を小さくする。 - 特許庁 - The polarization conversion element 1 includes a block body 20 which is a flat plate member wherein a first base material 11 and a second base material 12 are alternately disposed via a polarization split layer 13 or a reflection layer 14, and a retardation plate 15 is selectively arranged on a light emission face side of the block body 20.
偏光変換素子１は、第１基材１１と第２基材１２とが偏光分離層１３または反射層１４を間に挟んで交互に配置された平板状部材であるブロック体２０を備え、このブロック体２０の光射出面側には選択的に位相差板１５が設けられている。 - 特許庁 - On a transparent base board 21, a plurality of first electrodes 22 in striped form made of a transparent electroconductive material, an organic layer 25 having a layer consisting of an organic light emitting material, and a plurality of second electrode strips 26 made of metal or its alloy are provided one over another in the sequence as named so that an optical element 20 is formed.
透明基板２１上に、透明導電材料からなるストライプ状の第１の電極２２複数と、有機発光材料からなる層を有した有機層２５と、金属あるいは合金からなるストライプ状の第２の電極２６複数とがこの順に形成された光学素子２０である。 - 特許庁 - In the catheter 10 with a reinforcing layer 50 formed on the outer periphery of a lumen 21, at least a part of the reinforcing layer 50 is formed by winding in multiple streaks at least a first wire 51 and a second wire 52 which are different from each other in at least either reflectance or transmittance of the detection wave used to see through a human body.
ルーメン２１の外周に補強層５０が形成されているカテーテル１０であって、人体を透視する検出波の反射率と透過率との少なくとも一方が相違する少なくとも第一のワイヤ５１と第二のワイヤ５２とが多条に巻回されて補強層５０の少なくとも一部が形成されている。 - 特許庁 - The ground conductor layer 11, in the antenna transmission line, is so formed as to cover only a partial region of the second main surface MP' of the dielectric substrate 42, and the region on the first main surface MP side of the ground conductor layer 11 corresponding to a non-formation region 12' is assured as an antenna mounting space 12.
アンテナ用伝送線路は、接地用導体層１１が誘電体基板４２の第二主表面ＭＰ’の一部領域のみを覆う形態にて形成され、該接地用導体層１１の非形成領域１２’に対応する第一主表面ＭＰ側の領域がアンテナの実装スペース１２として確保される。 - 特許庁 - For the stripping layer 110, a material is used whose light volume per unit area for hardening by ultraviolet light irradiation is a first light volume, and, for the adhesive layer 130, a material is used whose light volume per unit area for hardening by ultraviolet light irradiation is a second light volume smaller than the first light volume.
剥離層１１０には、紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第１光量である材料を用い、剥離層１３０には、紫外光照射により硬化するのに必要な単位面積当たりの光量が第１光量よりも小さな第２光量である材料を用いる。 - 特許庁 - At least two first steel plates 1, and at least one second steel plate 2 laminated between them through viscoelastic material are provided, and side plates 21 comprising steel plates are welded with both side edges of the first steel plates 1 at the outermost layer, so an outer shell is composed of the two side plates 21 and the two first steel plates 1 at the outermost layer.
少なくとも２枚の第１鋼板１と、その間に粘弾性体３を介して積層した少なくとも１枚の第２鋼板２を有し、最外層の２枚の第１鋼板の両側縁に鋼板からなる側板２１を溶接して、２枚の側板と最外層の２枚の第１鋼板とにより外殻を構成する。 - 特許庁 - This storage element mounting method comprises an arrangement process to arrange storage elements on a sheet constituted of a plurality of layers including a first layer as a base and a thermoplastic second layer and a surface working process to melt at least the surface section of the sheet on which the storage elements are arranged, and to work the surface of the sheet into a predetermined surface shape.
土台となる第１層と、熱可塑性を有する第２層とを含む複数層からなる用紙に記憶素子を配置する配置過程と、記憶素子が配置された用紙の少なくとも表面部分を溶融し、その用紙の表面が所定の表面形状となるように加工する表面加工過程とを有する。 - 特許庁
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