「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • A first to third insulation films 41-43, laminated on a semiconductor layer 24a serving as a base, have openings 26 for emitters, the first and third films 41, 43 are different from the second film 42, with respect to etching characteristics, and the third film 43 is thicker than the first and second films 41, 42.
    ベースである半導体層２４ａ上に積層されている第一〜第三の絶縁膜４１〜４３にエミッタ用の開口２６が設けられており、第一及び第三の絶縁膜４１、４３と第二の絶縁膜４２とでエッチング特性が異なっており、第三の絶縁膜４３が第一及び第二の絶縁膜４１、４２よりも厚い。 - 特許庁
  • In a first wiring layer, a first electrode 16, which has a plurality of teeth part 15 protruding in an interdigital shape from an electrode base 14 of a first electrode wiring 11, and a second electrode 26, which has a plurality of teeth parts 25 protruding in a comb shape from the electrode base 24 of a second electrode wiring 21, are provided.
    第１の配線層において、第１の電極配線１１の電極基部１４から櫛形状に突出した複数の歯部１５を有する第１の電極１６と、第２の電極配線２１の電極基部２４から櫛形状に突出した複数の歯部２５を有する第２の電極２６とが、設けられている。 - 特許庁
  • In the CSP type semiconductor device having the stress relaxation layer 5, a recessed groove 12 that is formed by removing one portion of a first insulating film 14 and is arranged so that the second bonding pad arrangement region can be surrounded is formed between the formation region of the first bonding pad 2 and the arrangement region of a second bonding pad 8.
    応力緩和層５を有するＣＳＰタイプの半導体装置において、第１ボンディングパッド２形成領域と第２ボンディングパッド８配列領域との間に、第１絶縁膜４の一部を除去することにより形成され、かつ第２ボンディングパッド配列領域を取り囲むように配列された凹溝１２を形成する。 - 特許庁
  • After that, the polyaryl ether film 18 is selectively etched, the viahole 24a extending the surface of a first wiring layer 16 is opened, second thermal treatment is performed at 350°C for 5 minutes, and water content absorbed in the second interlayer insulating film 22 is discharged by exposure to the outside air when a semiconductor base substance is transferred to sputtering equipment.
    その後、ポリアリールエーテル膜１８を選択的にエッチングし第１配線層１６表面にまで達するビアホール２４ａを開口した後、温度３５０℃、５分間の第２の熱処理を施し、半導体基体をスパッタ装置に搬送する際の外気暴露によって第２層間絶縁膜２２に吸収された水分を放出する。 - 特許庁
  • The first and second electrodes are composed of first and second high-aspect vias 110, 120, respectively, extended over a layer where a via 130 formed in the other region 300 and wiring 132 formed on the via while being connected to the via in a lamination direction of the substrate.
    第１の電極および第２の電極は、それぞれ、基板の積層方向において、他の領域３００に形成されたビア１３０および当該ビア上に当該ビアに接続して設けられた配線１３２が形成された層にわたって延在する第１の高アスペクトビア１１０および第２の高アスペクトビア１２０により構成される。 - 特許庁
  • In a package formed by laminating conductor lines for signals and a dielectric where a conductor layer is arranged, when the package and the LD are not connected to ground, a first and a second conductor lines works as signal input terminals, and when the package and the LD are connected to ground, the second conductor line works as a signal input terminal and the conductor is connected to a case for grounding.
    信号用の導体線路と、導体層が設けられた誘電体を積層して成るパッケージにおいて、パッケージとＬＤとの非接地時に、第１、第２の導体線路が信号入力端子を成し、パッケージとＬＤとの接地時に、第２の導体線路が信号入力端子を成すとともに、導体をケースに接地する。 - 特許庁
  • A data recording medium has a first recording carrier 2 of only reproduction type having light transmissivity and a second recording carrier 3 of recording type provided with a recording layer by which data can be recorded by light beam irradiation and the second recording carrier 3 is joined with the surface opposite to the surface of the first recording carrier 2 in which the light beam is made incident.
    光透過性を有する再生専用型の第１の記録担体２と、光ビームの照射によってデータの記録を可能とした記録層が設けられた記録型の第２の記録担体３とを有し、第２の記録担体３は、第１の記録担体の２光ビームが入射される面とは反対側の面に接合される。 - 特許庁
  • The EL light-emitting part 7 which is constituted by laminating a first electrode 4, an EL luminous layer 5, and a second electrode 6 to order is sealed wholly including the peripheral part between a first film-like substrate 2 and a second film-like substrate 10, and a light transparent pattern 11 is laminated on the bottom face of the film-like substrate 2.
    第１の電極４、ＥＬ発光層５、および第２の電極６とが順に積層されて構成されたＥＬ発光部７を、第１のフィルム状基材２と第２のフィルム状基材１０間に、周縁部を含む全体で封止し、かつ、フィルム状基材２の下面に光透過性パターン１１が積層された構造とした。 - 特許庁
  • In the card, a first board 5, a second board 6 provided on the rear surface of the first board 5 and a heat sensitive printing layer 3 provided on the front surface of the first board 5 and heated with a thermal head are provided under the condition that the thermal expansion coefficient of the first board 5 is set to be larger than that of the second board 6.
    第１基板５と、前記第１基板５の裏面に設けられた第２基板６と前記第１基板５の表面に設けられ、サーマルヘッドにより加熱される感熱印刷層３とを設け、前記第１基板５の熱膨張係数は、前記第２基板６の熱膨張係数より大きい様に、設けられた。 - 特許庁
  • A second transfer table 13 is movably provided movable from a peeling start station A to a peeling completion station B between a temporary bonding station 5 and a laminated layer station 6 to the direction along the diagonal line from a peeling start end side corner part 2a of the sheet 2 with film on the second transfer table 13 to a peeling terminal end side corner part 2b.
    仮接合ステーション５と積層ステーション６間の剥離開始ステーションＡから剥離完了ステーションＢへ、第２搬送テーブル１３を第２搬送テーブル１３上のフイルム付シート２の剥離始端側隅角部２ａから剥離終端側隅角部２ｂの対角線に沿う方向へ移動可能に設ける。 - 特許庁
  • In the electric double-layer capacitor for which a laminate cell 9 is housed between a metal case 1 and a blind cylindrical insulating case 4 incorporating a first lead terminal 2 and a second lead terminal 3, notched parts 4a and 4b are provided on the pull-out parts of the first lead terminal 2 and second lead terminal 3 of the blind cylindrical insulating case 4.
    積層セル９を金属ケース１と第一のリード端子２および第二のリード端子３を組み込んだ有底円筒絶縁ケース４との間に収容した電気二重層コンデンサにおいて、有底円筒絶縁ケース４の第一のリード端子２および第二のリード端子３の引出し部に切欠き部４ａ、４ｂを設けた。 - 特許庁
  • In a perpendicular magnetic recording medium, at least a first non-magnetic interlayer, a second non-magnetic interlayer, and a magnetic recording layer are stacked sequentially on a non-magnetic substrate, the first non-magnetic interlayer being formed from a Co-Cr-Ru-W alloy and the second non-magnetic interlayer being formed from an Ru-based alloy.
    垂直磁気記録媒体において、非磁性基板上に少なくとも、第１非磁性中間層、第２非磁性中間層、および磁気記録層が順次積層され、前記第１非磁性中間層をＣｏＣｒＲｕＷ合金から形成し、かつ前記第２非磁性中間層をＲｕ基合金から形成する。 - 特許庁
  • On the resin layer 109, a second insulating film 110 composed of an inorganic material is formed and on the second insulating film 110 and the mesa structure 120, an upper contact electrode 111 having an electrode opening 111a for exposing part of the top surface of the mesa structure 120 is formed.
    樹脂層１０９の上には無機材料からなる第２の絶縁膜１１０が形成され、該第２の絶縁膜１１０及びメサ構造体１２０の上には、該メサ構造体１２０の上面の一部を露出する電極開口部１１１ａを有する上部コンタクト電極１１１が形成されている。 - 特許庁
  • On the silicon substrate 1, while an accumulation layer 11 of the first conductivity type containing impurity concentration higher than the silicon substrate 1 is formed on the side of second principal plane 1b, irregular unevenness 10 is formed on a domain facing at least to a semiconductor domain 3 on the second principal plane 1b.
    シリコン基板１には、第２主面１ｂ側にシリコン基板１よりも高い不純物濃度を有する第１導電型のアキュムレーション層１１が形成されていると共に、第２主面１ｂにおける少なくとも半導体領域３に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁
  • The vertexes of the integral compressible spacer dots extend through the second conductive layer, whereby, when a force is applied to the flexible transparent cover sheet at the location of one of the compressible spacer dots, the compressible spacer dot is compressed to allow electrical contact between the first and second conductive layers.
    一体型圧縮性スペーサードットの頭頂は、その第２伝導層を貫いて延び、それにより、力が圧縮性スペーサードットの１つの位置でフレキシブル透明カバーシートに加えられると、圧縮性スペーサードットは圧縮され、その結果、第１の伝導層と第２の伝導層との間の電気的接触が可能となる。 - 特許庁
  • The optical recording medium has a recording layer with at least a first recording sublayer (R1) and a second recording sublayer (R2) for recording information marks by alloying the material of at least the first and second recording layers (R1 and R2).
    本発明によれば、この目的は、少なくとも第１の記録副層（Ｒ１）および第２の記録副層（Ｒ２）を有する記録層を備え、これらの少なくとも第１の記録層および第２の記録層（Ｒ１、Ｒ２）の材料を合金化することによって情報マークを記録する光記録媒体によって実現される。 - 特許庁
  • A disk housing file 20 is composed of a first film 21 and a second film 22 which is joined to the first film 21 so as to form a pocket between the first film and the second film, and a temporary adhesive means comprising of a weak adhesive layer 25 or the like is formed at a part where the pocket does not exist.
    ディスクを収納するためのディスク収納ファイル20は、第１のフィルム21と、第１のフィルム21の一部との間にポケットを形成するように第１のフィルム21に接合された第２のフィルム22とから成り、第１のフィルムの、ポケットが存在しない部分の一部に、弱粘着層25などの仮接着手段が形成されている。 - 特許庁
  • This cooling method is accomplished by a first cooling process of cooling the steam turbine until the steam turbine temperature reaches a designated temperature after the stop of the steam turbine and a second cooling process of removing a second thermal insulation layer 14 and further cooling the steam turbine when the steam turbine temperature becomes a designated value or lower.
    蒸気タービン停止後、蒸気タービン温度が所定温度になるまで該蒸気タービンの冷却を行う第１の冷却工程と、前記蒸気タービン温度が所定値以下になった時に、第２の保温層１４を取り外して更に前記蒸気タービンの冷却を行う第２の冷却工程とによって達成される。 - 特許庁
  • The variable wavelength semiconductor laser has at least two regions of a first region and a second region in the direction of the resonator, and the width of the optical waveguide at the active-layer depth position in the first region is made shorter than the width of the waveguide in the second region.
    共振器方向に第１の領域と第２の領域の少なくとも２つの領域を有する波長可変半導体レーザにおいて、前記第１の領域の領域における前記活性層の深さ位置での前記光導波路の幅を前記第２の領域における光導波路の幅より狭く形成する。 - 特許庁
  • The probe card includes the probe substrate 12 having a first surface in which contact probes 11 are formed and a second surface in which a resin layer 40b is formed, an ST substrate 20 opposed to the second surface of the probe substrate 12 with an interval, and three stud bumps 23 or more dotted and sandwiched between the probe substrate 12 and the ST substrate 20.
    第１面にコンタクトプローブ１１が形成され、第２面に樹脂層４０ｂが形成されたプローブ基板１２と、プローブ基板１２の第２面と間隔を空けて対向するＳＴ基板２０と、プローブ基板１２及びＳＴ基板２０に挟持された点在する３以上のスタッドバンプ２３により構成される。 - 特許庁
  • A near-field light generating element 23 accommodated in the groove 24g of an encasing layer 24 has an outer surface that includes a first end face 23a having a near-field light generating part 23f, a second end face opposite the first end face 23a, and a coupling portion that couples the first end face and the second end face.
    収容層２４の溝部２４ｇ内に収容された近接場光発生素子２３は、近接場光発生部２３ｆを含む第１の端面２３ａと、第１の端面２３ａの反対側に位置する第２の端面と、第１の端面と第２の端面を連結する連結部とを含む外面を有している。 - 特許庁
  • In the liquid crystal device 100 and the method for manufacturing the same, a second insulating film 162 is formed after a first insulting film 161 is formed on the upper layer side of pixel electrodes 9a, and then, the second insulating film 162 is polished until regions planarly overlapping the pixel electrodes 9a, of the first insulating film 161 is exposed.
    液晶装置１００およびその製造方法において、画素電極９ａの上層側に第１絶縁膜１６１を形成した後、第２絶縁膜１６２を形成し、その後、第１絶縁膜１６１において画素電極９ａと平面的に重なる領域が露出するまで第２絶縁膜１６２を研磨する。 - 特許庁
  • The organic EL panel includes a light emitting portion holding at least an organic light emitting layer between a first electrode 2 and a second electrode 7 and a plurality of barrier ribs 4 formed to separate the second electrode 7 into a plurality, both of which are formed on a support substrate 1, and is formed with a protective film covering the light emitting portion.
    第一電極２と第二電極７の間に少なくとも有機発光層を挟持してなる発光部と第二電極７を複数に分離するように複数形成される隔壁４とを支持基板１上に形成し、前記発光部を覆う保護膜を形成してなる有機ＥＬパネルである。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes: an element-isolation insulating film 30 formed on a major surface 10a of a semiconductor layer 10, and having a first opening 38N and a second opening 38P; an n-type MOSFET 101N provided in the first opening; and a p-type MOSFET 101P provided in the second opening.
    半導体層１０の主面１０ａに形成され、第１開口部３８Ｎと第２開口部３８Ｐとを有する素子分離絶縁膜３０と、第１開口部の内側に設けられたｎ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｎと、第２開口部の内側に設けられたｐ型ＭＯＳＦＥＴ１０１Ｐと、を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁
  • In an electrooptic device 100 in which an electrooptic material 31 is placed between a first substrate 5 and a second substrate 4 that are arranged facing each other, a reinforcing layer 4A is formed at least on surfaces 4a, 4b on the other side of a surface 4C, facing the first substrate 5, of the second substrate 4.
    互いが対向して配置される第１基板５と第２基板４との間に電気光学物質３１が挟持されてなる電気光学装置１００において、少なくとも第２基板４における第１基板５との対向面４Ｃとは反対側の面４ａ，４ｂに強化層４Ａが形成されている。 - 特許庁
  • The above problem of the liquid crystal display device of a horizontal alignment system having a first substrate and a second substrate and a liquid crystal layer injected between these substrates is solved by forming alignment layers 5 alternately lined up with hydrophilic regions A and hydrophobic regions A on the first substrate and the second substrate.
    第１の基板と第２の基板と当該基板間に注入された液晶層とを有する水平配向方式の液晶表示装置において、第１の基板および第２の基板に、親水性領域Ａと疎水性領域Ｂとが交互に並んでいる配向膜５を形成したことにより、上記課題を解決した。 - 特許庁
  • The liquid crystal display device has a first substrate 1, having a common electrode 2 and a pixel electrode 5, a second substrate 14 disposed facing the first substrate and having recesses 19 on the counterposed face to the first substrate, and a liquid crystal layer 9, having positive dielectric anisotropy held between the first substrate and the second substrate.
    共通電極２と画素電極５とを備えた第１基板１と該第１基板に対向配置された第２基板１４と、該第２基板の第１基板と対向面に凹部１９を有し、該第１基板と該第２基板とで挟持された正の誘電異方性の液晶９層を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 特許庁
  • To appropriately limit the impregnation of molding material into a fuel cell-sealing structure comprising a generator, second gas diffusion layers on both sides thereof, and a gasket molded integrally with the generator and the second gas diffusion layers via the impregnated portion of the molding material, the generator comprising a membrane-electrode complex and a first gas diffusion layer.
    膜−電極複合体及び第一ガス拡散層からなる発電体と、その両側の第二ガス拡散層と、これら発電体及び第二ガス拡散層に成形材料の含浸部を介して一体に成形されたガスケットからなる燃料電池用シール構造体において、成形材料の含浸を適切に制限する。 - 特許庁
  • In this manufacturing method, a first resist pattern 7 having an aperture 7a for exposing source/drain regions 5, 6 to expose the upper surface of a gate electrode 2 is formed and a second resist pattern 8 having the second apertures 8d, 8e, 8c for defining source/drain electrodes 10, 11 and upper layer wiring 9 is laminated on a first resist pattern.
    ソース・ドレイン領域５，６を表出する開口７ａを有しゲート電極２上面を表出する第一のレジストパターン７を形成し，その上にソース・ドレイン電極１０，１１及び上層配線９を画定する第二の開口８ｄ，ｅ，ｃを有する第二のレジストパターン８を積層する。 - 特許庁
  • The method is characterized by including: a first shape forming step for forming a first shape 104, which is acquired by reducing a second shape 107 and substantially similar thereto, in a resist layer 103 on a substrate 101; and a shape extension step for extending the size of the first shape 104 to the extent to become the second shape 107.
    第２の形状１０７を縮小して略相似する第１の形状１０４を基板１０１上のレジスト層１０３に形成する第１形状形成工程と、第１の形状１０４の大きさを第２の形状１０７になるまで拡大する形状拡大工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
  • An optical fiber ribbon 1 is composed of a plurality of first coated optical fibers 3, arranged in parallel and an adhesion tape 5 collectively coupling only a one-side face side of the plurality of the first coated optical fibers 3 of second directions orthogonal to a first parallel direction connecting the plurality of the second coated optical fibers 3 with an adhesive layer 7.
    光ファイバテープ心線１は、並列に配置した複数の光ファイバ素線３と、この複数の光ファイバ素線３を結ぶ並列の第１方向に直交する第２方向の前記複数の光ファイバ素線３の一側面側のみを接着剤層７で一括連結する接着テープ５と、から構成されている。 - 特許庁
  • A TFT 110 which is a switching element disposed by each of pixels and a reflecting layer 44 which is insulated from the TFT 110 and reflects the light made incident by transmitting a second electrode 250 consisting of ITO, etc., from a second substrate 200 side onto insulating films covering the TFT 110 are formed on a first substrate 100.
    第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁
  • The first theory was rejected because there are foundations of later periods, and the second one is also currently denied because the fact of destruction by fire was proven by the layer of burned soil on the second-period foundation, however, it became clear that the third-period foundation was rebuilt in a bigger size.
    前者の考えについては各遺構面が存在することによって否定された。後者については、第2期遺構面上に堆積する焼土層によって焼失の事実は証明されたものの、第3期の遺構がさらに規模を拡大して再建されていることが明らかとなり、現在では否定されている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • After a semiconductor layer is formed on a substrate (step S1), a first insulating film and a first gate electrode are formed in regions for forming low voltage P type and N type TFTs (step S2) and then a second insulating film and a second gate electrode are formed in regions for forming high voltage P type and N type TFTs (step S3).
    基板上に半導体層を形成した後（ステップＳ１）、低電圧用Ｐ型，Ｎ型ＴＦＴを形成する領域に第１の絶縁膜および第１のゲート電極を形成し（ステップＳ２）、高電圧用Ｐ型，Ｎ型ＴＦＴを形成する領域に第２の絶縁膜および第２のゲート電極を形成する（ステップＳ３）。 - 特許庁
  • The optical waveguide 1 is configured such that the first optical path crosses a second optical path that connects the node 121 and the mirrors, and further comprises a low refractive index layer 145 having lower refractive index than the core unit 14, and extended along the second optical path in vicinity of the crossing core unit 14.
    この光導波路１は、接続点１２１とミラーとをつなぐ第２の光路と第１の光路とが交差するよう構成されており、コア部１４の交差の位置近傍に第２の光路に沿って延在するよう設けられたコア部１４より屈折率の低い低屈折率層１４５を有している。 - 特許庁
  • The electrochemical cell 1 includes a built-in gas passage to flow a first gas and includes a first electrode in contact with the first gas, a solid electrolyte layer, a second electrode which is exposed to the outside surface of the electrochemical cell and is in contact with a second gas, and a conduction part 5 which is in electrical conduction with the first electrode.
    電気化学セル１が、第一のガスを流すガス流路を内蔵しており、第一のガスと接触する第一の電極、固体電解質層、電気化学セルの外表面に露出して第二のガスと接触する第二の電極、および第一の電極と電気的に導通する導電部５を備えている。 - 特許庁
  • This vibration control sheet 13 for floor material is formed of a three-layer structure by providing a second sheet member 13b formed of a metal plate between a first sheet member 13a and a second sheet member 13b formed by mixing metal powder of 10 to 95 wt.% with binder of 90 to 5 wt.% and forming the mixture in sheet shape.
    床材用制振シート１３は、１０〜９５重量％の金属粉末と９０〜５重量％のバインダーとを混合してシート状に形成してなる第１シート部材１３ａ及び第３シート部材１３ｃの間に、金属板にて形成された第２シート部材１３ｂを介在させた三層構造からなる。 - 特許庁
  • This semiconductor device includes first and second wiring layers L4, L5 each having a hollow structure and stacked vertically so as to be adjacent to each other on a semiconductor substrate S, a dummy pattern P formed in the first wiring structure L4 and not working as a signal line, and a conductive pattern P formed in the second wiring layer L5.
    本発明の例に係る半導体装置は、半導体基板Ｓ上に互いに上下に隣接してスタックされる中空構造の第１及び第２配線層Ｌ４，Ｌ５と、第１配線層Ｌ４内に形成され、信号線として機能しないダミーパターンＰと、第２配線層Ｌ５内に形成される導電パターンＰとを備える。 - 特許庁
  • Next, an etching mask 42 which includes a first and second portions 42a and 42b disposed at a predetermined spacing along an optical waveguide and whose length in a direction of the optical waveguide of the second portion 42b is shorter than the length in a direction of an optical waveguide of the first portion 42a is formed on the first active layer 30a.
    次に、光導波路方向に沿って所定の間隔で配置された第１部分４２ａと第２部分４２ｂを有し、第２部分４２ｂの光導波路方向における長さが第１部分４２ａの光導波路方向における長さより短いエッチングマスク４２を第１活性層３０ａ上に形成する。 - 特許庁
  • Further, the element has a plurality of second conductivity-type semiconductor layers (53A, 53B) formed in the first conductivity-type semiconductor substrate (52) or the semiconductor layer and separated at the isolation region (55), and an antireflection film (57) formed on a light-receiving region (61), including the isolation region and a plurality of second conductivity-type semiconductor layers.
    また、第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成され、分離領域（５５）で分離された複数の第２導電型の半導体層（５３Ａ，５３Ｂ）と、分離領域及び複数の第２導電型の半導体層を含む受光領域）６１）上に形成された反射防止膜（５７）を有する。 - 特許庁
  • In the junction material 4, a first metal joined material 1 and a second metal joined material 2 are joined, wherein the material 2 consists of a material or materials selected from a group composed of nickel, palladium, platinum and aluminum, and a solid solution phase including the constituent element of the second metal joined material and tin exists in the cross-sectional fine structure of a joined layer 3.
    接合体４は、第１金属被接合材１と、ニッケル、パラジウム、白金及びアルミニウムからなる群より選択される材料よりなる第２金属被接合材２とが接合され、接合層３の断面微細構造に、第２金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相が存在する。 - 特許庁
  • The first section 216 of the printed layer 200 includes a printed mark on the outer surface, the second section 218 includes a die-cut label 224, and the third section 220 includes a die-cut release seal 226 along the border between the mark printed on the outer surface and the second section 218 adjacent to the printed mark.
    印刷層２００の第１区画２１６は外面に印刷された目印を含み、第２区画２１８はダイカットラベル２２４を含み、第３区画２２０は外面に印刷された目印および印刷された目印と隣接する第２区画２１８との間の境界に沿ったダイカット剥離シール２２６を含む。 - 特許庁
  • The semiconductor integrated circuit is provided with a microcell having a plurality of circuit elements, a first microcell power supply wire for supplying first potential to the microcell and a second microcell power supply wire arranged on the same wiring layer as the first microcell power supply wire to supply second potential to the microcell.
    半導体集積回路であって、回路素子を複数有するマクロセルと、前記マクロセルに第１の電位を供給する第１のマクロセル用電源配線と、前記第１のマクロセル用電源配線と同一の配線層に配置され、前記マクロセルに第２の電位を供給する第２のマクロセル用電源配線とを備える。 - 特許庁
  • Two-layer lens structure is obtained by arranging the respective microlenses 13 of a second microlens group arranged as one pattern which constitutes a checker in plane view on the respective microlenses 11 of a first microlens group arranged as the other pattern which constitutes a checker in plane view through a second transparent protection film 12.
    平面視で市松模様状を構成する一方模様として配置された第１マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１１上に、第２透明保護膜１２を介して、平面視で市松模様状を構成する他方模様として配置された第２マイクロレンズ群の各マイクロレンズ１３が配置されて２層レンズ構造となっている。 - 特許庁
  • The film deposition method for depositing a film on a substrate to be treated includes a first process wherein a first film is deposited by ALD method on an insulation layer formed on the substrate to be treated, and a second process wherein a second film is deposited by CVD method uninterruptedly after the first process.
    被処理基板上に成膜を行う成膜方法であって、前記被処理基板上に形成された絶縁層上にＡＬＤ法で第１の成膜を行う第１の工程と、当該第１の工程と連続して、ＣＶＤ法で第２の成膜を行う第２の工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 - 特許庁
  • A first substrate 100 has a TFT 110 as a switch element provided for each pixel, and a reflective layer 44, which is insulated from the TFT 110 and reflects light made incident from the side of a second substrate 200 through a second electrode 250 made of ITO etc., formed on an insulating film covering the TFT 110.
    第１基板１００には、画素毎に設けられたスイッチ素子であるＴＦＴ１１０、ＴＦＴ１１０を覆う絶縁膜の上にＴＦＴ１１０と絶縁され、第２基板２００側からＩＴＯ等からなる第２電極２５０を透過して入射される光を反射する反射層４４を形成する。 - 特許庁
  • The abrasive layer includes abrasive grains and a binder, the binder being formed from a binder formulation having first and second binder components mixed together uniformly with the abrasive grains, wherein the first binder component is radiation curable and the second binder component comprises a powder and is thermally curable.
    研磨層には砥粒と結合剤が含まれ、結合剤は、砥粒と共に均等に混合された第１及び第２の結合剤構成要素を有する結合剤処方から形成され、第１の結合剤構成要素は放射線硬化性であり、第２の結合剤構成要素は粉末を含みかつ熱硬化性である。 - 特許庁
  • An overcurrent does not flow between source/drain region of the transistor as protective circuit, but comes into contact with the part of the well region of first conductive type intruding the well region of second conductive region with a depletion layer being extending from the drain region, and flows between the drain region and the part intruding the well region of second conductive type.
    過電流は保護回路のトランジスタのソース／ドレイン領域間を流れずに、ドレイン領域から空乏層が延びて第１導電型ウエル領域の第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分に接触して、ドレイン領域と第２導電型ウエル領域に入り込んだ部分との間を流れるようになる。 - 特許庁
  • An n-type FLR region 6 including P as an impurity is formed in an annular shape at a position near the boundary between the first and second Si layers 2 and 3 surrounding the base region 4 and the emitter region 5, and the FLR region 6 is formed in the embedded structure not exposed to the surface of the second Si layer 3.
    ベース領域４及びエミッタ領域５を取り囲むように、不純物としてＰを含むｎ型のＦＬＲ領域６が、第１Ｓｉ層２と第２Ｓｉ層３との境界近傍の位置に環状に形成されており、ＦＬＲ領域６は第２Ｓｉ層３の表面に露出しない埋め込み構造となっている。 - 特許庁
  • The electric wire parts 30 include: an electric wire 31 having a lead wire 31c; and a zygote 32 for lead wire connected to the lead wire 31c, and the zygote 32 for lead wire is connected to the second conductor layer pattern 22p through a conduction opening conductor 41 which is formed in a conduction opening 40c for lead wire penetrating the second wiring board 20.
    電線部品３０は、導線３１ｃを有する電線３１と、導線３１ｃに接続された導線用接合子３２とを備え、導線用接合子３２は、第２配線基板２０を貫通する導線用導通孔４０ｃに形成された導通孔導体４１を介して第２導体層パターン２２ｐに接続される。 - 特許庁
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