「second-layer」を含む例文一覧(21457)
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各ダミーゲート電極を、側壁絶縁膜で埋め込み、各ダミーゲートの上部のポリシリコン膜を除去し、絶縁層に凹部を形成した後、凹部内に第二の金属膜を積層し、ＣＭＯＳのゲート電極とする。 - 特許庁 - In the organic EL element 11, the protection film 15 to cover a surface of the first electrode 13, the organic EL layer 14, and the second electrode 15 except a face opposing to the substrate 12 of the first electrode 13 is installed.
有機ＥＬ素子１１は、第１電極１３の基板１２と対向する面を除き第１電極１３、有機ＥＬ層１４及び第２電極１５の表面を覆う保護膜１６が設けられている。 - 特許庁 - The first blade spring B_1 on the lowermost layer arranged on the innermost side and the second blade spring B_2 built up thereon are engaged with each other only at their one-end T_1 sides via an uneven engaging portion 20.
最も内側に配置される最下層の第１のブレードスプリングＢ_１とその上に積層される第２のブレードスプリングＢ_２とを、それぞれの一端Ｔ_１側においてのみ凹凸状の係合部２０を介して係合する。 - 特許庁 - Since the first electrode 2d and the second electrode 3a are arranged side by side on virtually the same flat surface, the battery B or the electric double layer capacitor easy in flat surface packaging and superior in productivity of a circuit board is provided.
第一の電極２ｄと第二の電極３ａとが略同一平面に並んで配置されるので、平面実装が容易で回路基板の生産性に優れる電池Ｂまたは電気二重層キャパシタを提供できる。 - 特許庁 - The n-type layer 12 has a groove 13 formed to extend from a second surface 12B as a surface on the opposite side from a first surface 12A as a surface on the side of the substrate 11 toward the first surface 12A.
ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。 - 特許庁 - Second diffusion preventive layers 123, 224 are formed on at least one copper-containing wiring layers 134, 238 other than the lowermost copper-containing wiring layer 132 while avoiding the upper side of the photoelectric converting section 103.
第２の拡散防止層１２３、２２４が、最下層の銅含有配線層１３２以外の少なくとも１つの銅含有配線層１３４、２３８上に、光電変換部１０３上方を避けて形成される。 - 特許庁 - A second bypass capacitor for connecting the power pattern and the ground layer is disposed in the vicinity of the power reception part of the semiconductor component suppressing the influence of noise and a board end part of the multilayer printed-circuit board (C).
（Ｃ）ノイズの影響を抑制すべき半導体部品の電源受給部の近傍及び多層プリント基板の板端近傍に、電源パターン及びグラウンド層を接続する第２バイパスコンデンサが配置されている。 - 特許庁 - The composite liner 1 for winding the rubber member has a three-layer composite structure in which second liners 3 and 3 of a plain weave fabric or knitting using a synthetic resin as a raw material are stuck on both sides of a plate-like film liner 2.
プレート状のフィルムライナー２の両面に、合成樹脂を素材とする平織物または編み物の第２のライナー３，３を貼り付けて３層複合構造としたゴム部材巻取り用の複合ライナー１。 - 特許庁 - The step (C) can include a step of adhering a protective film 13 through the second adhesive 14 to the surface opposite to the surface to adhere the transparent resin film 17 having an adhesive layer in the polarizer film 16.
工程（Ｃ）は、偏光フィルム１６における粘着剤層付き透明樹脂フィルム１７が貼合される面と反対側の面に、第二の接着剤１４を介して保護フィルム１３を貼合する工程を含むことができる。 - 特許庁 - The display electrode 7 and the exterior second display electrode 8a and the interior display electrode 8b are electrically connected to the wiring electrode 4 or the gap electrode 5 through each of the contact areas formed in the insulation layer 6.
表示電極７及び外側第二表示電極８ａ、内側表示電極８ｂは、絶縁膜６に設けたそれぞれのコンタクトエリアを介して配線電極４または隙間電極５と電気的に接続する。 - 特許庁 - After other processes, the second insulating film 16 is etched on the fuse layer 12 in a first etching process selectively for the etching stopper film 14 to expose a surface of the etching stopper film 14.
他の工程を経た後、第１のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、第２の絶縁膜１６をエッチングストッパー膜１４に対して選択的にエッチングすることにより、エッチングストッパー膜１４の表面を露出させる。 - 特許庁 - The flexible integrated circuit board includes a first flexible integrated circuit board 20 bonded to the support substrate 22 by using an adhesion layer 24 and a second flexible integrated circuit board 19 disposed on the support substrate 22.
フレキシブル集積回路基板は、接着層２４を用いて支持基板２２と接着された第１のフレキシブル集積回路基板２０と、支持基板２２上に配置された第２のフレキシブル集積回路基板１９と、を含む。 - 特許庁 - A second assembly is manufactured by overlapping and compressing a first electrolyte membrane and the first assembly so as the first catalyst layer to be in contact with a part of the first electrolyte membrane.
第１の電解質膜の一部である第１の電解質膜部分に第１の触媒層が接するように第１の電解質膜と第１の接合体とを重ねて圧縮することによって、第２の接合体を作製する。 - 特許庁 - A first insulation film 105, a second insulation film 106 containing aluminum, a third insulation film 107 with a thickness larger than the first insulation film 105 are formed on a carrier supply layer 104.
キャリア供給層１０４の上には第１の絶縁膜１０５と、アルミニウムを含む第２の絶縁膜１０６と、第１の絶縁膜１０５より膜厚が厚い第３の絶縁膜１０７とが形成されている。 - 特許庁 - The electrical connection process includes a step of connecting the first internal electrode group to the second electrode group by allowing the first internal electrode group to pass through the insulating resin layer.
前記電気的に接続する工程は、前記第１内部電極群が前記絶縁樹脂層を貫通することにより、前記第１内部電極群と前記第２電極群とを接続させる工程を含んでいる。 - 特許庁 - After the irregular unevenness 10 is formed, an accumulation layer 11 having higher impurity density than that of the n^- type semiconductor substrate 1 is formed on the second principal surface 1b side of the n^- type semiconductor substrate 1.
不規則な凹凸１０を形成した後に、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ａ側に、ｎ^−型半導体基板１よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層１１を形成する。 - 特許庁 - The second barrier metal film 41-2 has a minute layer 41-2a which is formed by irradiation of cluster ions on a surface on the side of the third barrier metal film 41-3 and has a higher density than the other portions.
第２のバリアメタル膜４１−２は、第３のバリアメタル膜４１−３側の表面部分において、クラスタイオン照射によって形成された、その他の部分より高い密度の緻密層４１−２ａを有する。 - 特許庁 - The electromechanical transducer comprises a first electromagnetic element 12 and a second electromagnetic element 15 which are electrodes and such disposed facing to each other on both sides of a sealed cavity 13 which is formed by encapsulating after removing a sacrifice layer.
電気機械変換装置は、犠牲層を除去後に封止を行って形成された密閉空隙１３を挟んで対向して設けられた電極などの第１の電磁要素１２と第２の電磁要素１５を有する。 - 特許庁 - This chemical sensor element includes a resonator wherein a first reflector in which metal fine structures 101 are arranged two-dimensionally and periodically is counterposed with interposition of a dielectric layer 102 to a second reflector 103.
化学センサ素子は、金属微細構造体１０１が二次元的かつ周期的に配置された第１の反射体が誘電体層１０２を介して第２の反射体１０３と対向して配置された共振器を有する。 - 特許庁 - The brazing sheet exhibits satisfactory brazability by the second aluminum alloy brazing filler metal so as to be the surface layer of the internal face of the tube, and further exhibits satisfactory corrosion resistance since suitable eutectic phases are almost uniformly present in the facial direction.
管内面の表層となる第２のアルミニウム合金ろう材によって、良好なろう付け性を示すとともに、面方向において適度な共晶相が略均等に存在して良好な耐食性を示す。 - 特許庁 - The angle θ (acute angle) is preferably in the range of 45°-80° between each side face of the first terminal 2a and the second terminal 2b with which the connection pin 21 comes into contact and the surface of a base insulation layer 1.
接続用ピン２１が接触する第１の端子部２ａおよび第２の端子部２ｂの上記各側面と、ベース絶縁層１の表面とのなす角度θ（鋭角）は、例えば４５°〜８０°であることが好ましい。 - 特許庁 - In the method, a hot hole eliminated is conducted, where hot holes are injected into the nonconductive trap material, thereby first electrons trapped in the nonconductive trap material are eliminated, and several holes are remained in the second silicon dioxide layer.
本方法は、ホットホール消去が実行され、ホットホールを非導電性トラップ材に注入して、非導電性トラップ材にトラップした第１電子を消去し、幾つかのホールを第２二酸化シリコン層に残留させる。 - 特許庁 - The n-type layer 12 has a channel 13 which is formed so as to extend from a second surface 12B as a surface opposite to a first surface 12A as the surface of the substrate 11 toward the first surface 12A.
ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。 - 特許庁 - An etching stop layer 124 and an interlayer insulating film 126 are sequentially formed on the entire surface of a resultant substrate, and then subjected to etching operation to form a first contact hole 128a and a second contact hole 128b for a borderless contact.
結果物の全面にエッチング阻止層１２４および層間絶縁膜１２６を順次に形成した後、これをエッチングして第１コンタクトホール１２８ａおよびボーダレスコンタクト用第２コンタクトホール１２８ｂを形成する。 - 特許庁 - A method for removing bubbles is carried out by removing bubbles (22) in the liquefied layer (21) disposed between an uneven pattern (CC) formed on the first substrate (TP1) and a second substrate (SW) disposed opposite to the uneven pattern.
脱泡方法は、第１基板（ＴＰ１）に形成された凹凸パターン（ＣＣ）と該凹凸パターンに対向して配置された第２基板（ＳＷ）との間に設けられた液状層（２１）中の泡（２２）を除去する方法である。 - 特許庁 - Further, a low-k interlayer insulating film 11 having a dielectric constant not higher than 4 is formed on the Al wiring 10, and an Al wiring 13 for a second layer is formed on the low-k interlayer insulating film 11.
さらに、Ａｌ配線１０の上に誘電率４未満からなるｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１１を形成し、このｌｏｗ−ｋ層間絶縁膜１１に第２層のＡｌ配線１３を形成する。 - 特許庁 - The liquid crystal layer 101 has at least first and second domains 101a, 102b varying in the alignment of liquid crystal molecules from each other with each of display picture element regions and, therefore, the change in the display quality by the visual angle direction may be suppressed.
液晶層は、表示絵素領域ごとに、液晶分子の配向が互いに異なる第１及び第２ドメインを少なくとも有するので、視角方向による表示品質の変化を抑制することができる。 - 特許庁 - An opening is formed on the circuit board, and a concave reflecting mirror for reflecting light emitted from the second light-emitting element and guiding the reflected light from the opening to the first light-emitting element side is arranged on the lowest layer of an LED package.
また、回路基板には開口部を設け、ＬＥＤパッケージの最下層には、第二の発光素子から発した光を反射し、開口部から第一の発光素子側に導く凹面状反射鏡を配置する。 - 特許庁 - A circuit pattern formed by connecting a first conductor 6 and a second conductor 7 in parallel with each other is disposed in the upper part of a deformed part 3 deformed and pressure-broken by rise of the internal pressure of the electric double layer capacitor.
電気二重層コンデンサの内圧の上昇によって変形及び圧力破壊する被変形部３の上部には、第１の導体６と第２の導体７が並列接続された回路パターンが配置されている。 - 特許庁 - In the laminate 1 in which the first base material 2 and the second base material 3 are laminated through an adhesive layer 4, a protective member 10 is formed integrally with the circumferential side end face 1a of the laminate 1.
第１の基材２と第２の基材３とを接着層４を介して貼り合わせてなる積層体１において、積層体１の外周側端面１ａに保護部材１０を—体化して形成している。 - 特許庁 - An insulation layer 15 covering the organic luminescence elements 10R, 10G and 10B is formed with a first opening 15A and a second opening 15B in each of the organic luminescence elements 10R, 10G and 10B.
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを覆う絶縁層１５には、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに、第１の開口部１５Ａおよび第２の開口部１５Ｂが設けられている。 - 特許庁 - There is provided a semiconductor circuit comprising: a gate region shared between a first transistor and a second transistor; a gate insulating film arranged so as to contact the gate region; and a semiconductor layer arranged so as to contact the gate insulating film.
半導体回路は、第１および第２のトランジスタで共有されるゲート領域と、ゲート領域に接するように配置されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に接するように配置される半導体層と、を備える。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of leakage current due to a crystal defect, in a semiconductor device having a plurality of second-conductivity-type regions that are selectively formed in a surface portion of a first-conductivity-type semiconductor layer.
第１導電型の半導体層の表面部分に選択的に形成された複数の第２導電型領域を備える半導体装置において、結晶欠陥に起因するリーク電流の発生を抑える。 - 特許庁 - In the other embodiment, a via is omitted, the second electrode is in such a state that the electrode is electrically connected to the substrate or is formed on the dielectric layer, thereby forming a pair of capacitors in series.
他の実施例ではビアは省略され、第二の電極は基板と電気的に接続されているか、誘電層上に形成されるかのどちらかであり、一対の連続して接続されたキャパシタを作り出す。 - 特許庁 - A part of the wiring metal layer outside the plurality of groove portions is removed to form first and second inter-interconnect regions IW1 and IW2 and first to third interconnects WR1 to WR3.
配線金属層のうち複数の溝部の外側の部分を除去することによって、第１および第２の配線間領域ＩＷ１，ＩＷ２と第１〜第３の配線ＷＲ１〜ＷＲ３とが形成される。 - 特許庁 - A base material 106 (a second layer) is formed of a resin soluble to an alkaline etching liquid, for example, a polyimide resin and thin film layers 108, 110 insoluble to the alkaline etching liquid are formed on both faces of the base material 106.
基材１０６（第２層）を、アルカリエッチング液に対して可溶する樹脂、例えば、ポリイミド樹脂で形成し、基材１０６の両面に、アルカリエッチング液に対して不溶性の薄膜層１０８、１１０を形成する。 - 特許庁 - In the preprocessing, the device exposes the photoconducting layer 20, by using writing light with the first intensity lower than the second intensity required for an initializing process in which the writing process is performed without the preprocessing.
また、前処理では、初期化処理において前処理を行わずに書込処理を行う場合には必要であった第２の強度より小さい第１の強度の書込光を光導電層２０に露光する。 - 特許庁 - The organic EL display comprises a first electrode, a second electrode, and a light emitting layer laid between those electrodes having a guest material and at least ont less than two kinds of host materials for red color emission material.
第１電極と、第２電極と、それらの第１電極と第２電極との間に赤色発光物質のゲスト物質と少なくとも二つ以上のホスト物質とからなる発光層を備えていることを特徴とする。 - 特許庁 - A semiconductor chip 15 is mounted on the first insulation layer 12, and after a chip electrode 16 and the second wiring pattern 14 are connected, the semiconductor chip 15 and a bonding wire 17 are sealed by a sealing resin 18.
半導体チップ１５を第１の絶縁層１２上に搭載し、チップ電極１６と第２の配線パターン１４とを接続した後に、封止樹脂１８によって半導体チップ１５及びボンディングワイア１７を封止する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises an impurity atom pair of a first impurity atom 106 and a second impurity atom 107 introduced to a semiconductor layer 101 in a region between a p-type region 102 and an n-type region 103.
ｐ型領域１０２とｎ型領域１０３とに挾まれた領域の半導体層１０１に導入された第１不純物原子１０６および第２不純物原子１０７からなる不純物原子対を備える。 - 特許庁 - The protection layer 103 preventing water/oxygen intrusion from the outside is arranged over the organic element 101 formed on a substrate 100 and including a first electrode 103, an organic compound 104, and a second electrode 105.
基板１００上に形成された、第１電極１０３、有機化合物１０４、第２電極１０５を含む有機素子１０１上に、外部の水分や酸素の侵入を防ぐための保護層１０２を設ける。 - 特許庁 - The display device comprises a cholesteric liquid crystal layer which is laminated on a display surface displaying the first information by the display medium and displays the second information in the region of invisible light (for example, ultraviolet light, infrared light).
また、表示媒体にて第一の情報を表示する表示面上に積層され、不可視光（例えば、紫外光や赤外光）の領域で第二の情報を表示するコレステリック液晶層を備える。 - 特許庁 - The first semiconductor layer has the first region 2 of a first conduction type, and the second region 3 of a first conduction type formed on the first region 2 and having impurity concentration lower than that of the first region 2.
第１半導体層は、第１導電型の第１領域２と、該第１領域２の上に形成され、第１領域２よりも不純物濃度が低い第１導電型の第２領域３とを有している。 - 特許庁 - When advancing instruction is input by button operation of an operation unit, a three-layer coil springs 54a and 54b for transmission to which driving force has been given by a first motor 22a and a second motor 22b rotate to a predetermined direction.
操作ユニットのボタン操作により前進指示を入力すると、第一モーター２２ａと第二モーター２２ｂにより駆動力が与えられた伝達用三層コイルバネ５４ａ，５４ｂが所定方向に回転する。 - 特許庁 - A first signal transmission path 11 is formed on the surface side of a first hierarchy L1 of the multilayer wiring board 1, and a first ground layer 15 pairing the first signal transmission path 11 is formed on a second hierarchy L2.
多層配線基板１の第１階層Ｌ１の表面側に第１信号伝送路１１が形成され、第２階層Ｌ２には第１信号伝送路１１と対をなす第１グランド層１５が形成されている。 - 特許庁 - The manufacturing method for the semiconductor element with film deposition by depositing by a cold spray device 30 the film on a semiconductor element 10, having an aluminum film 12 overlaid on a silicon layer 11, includes a first step and a second step.
シリコン層１１に重ねてアルミ膜１２を有する半導体素子１０に対しコールドスプレー装置３０によって成膜する成膜付半導体素子の製造方法は、第１工程と、第２工程とを有する。 - 特許庁 - The film 92 is equipped with water separating films 95, 96 through which the ketone, the alcohol, or the ketal does not pass and through which water passes and a catalyst layer 97 which is laminated on a second chamber 94 side of the water separating films 95, 96.
その膜９２は、ケトンとアルコールとケタールとを透過しないで水を透過する水分離膜９５、９６と、水分離膜９５、９６の第２室９４の側に積層される触媒層９７とを備えている。 - 特許庁 - The second prism layer 23 is formed on the surface 212 of the base film 21, includes a plurality of prisms 230 juxtaposed in the same direction as the juxtaposed direction of the prisms 220 and has a refractive index lower than that of the base film 21.
第２プリズム層２３は、ベースフィルム２１の表面２１２上に形成され、プリズム２２０の並設方向と同じ方向に並設された複数のプリズム２３０を含み、ベースフィルム２１よりも低い屈折率を有する。 - 特許庁 - In the assembly 13, two pairs of first and second central electrodes 21, 22 are provided on the top surface of the circular microwave ferrite 20 so that the electrode 21 orthogonally crosses the electrode 22 at right angles with an insulating layer intervening.
中心電極組立体１３は、円板状のマイクロ波フェライト２０の上面に２組の第１および第２中心電極２１，２２を、絶縁層を介在させて直交して交差するように配置している。 - 特許庁 - The insulating film 41 is formed to be able to secure the withstand voltage to the voltage applied to the resistor element 34 even when there occurs a defect in the second STI separating layer 33 in a manufacturing process.
絶縁膜４１は、製造過程において第２ＳＴＩ分離層３３に欠陥が生じた場合であっても、抵抗素子３４に印加された電圧に対して耐圧を確保することが可能に形成されている。 - 特許庁
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