「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 372 373 374 375 376 377 378 379 380 .... 429 430 次へ＞- The composition contains a mixed solvent including a first organic solvent A having ≥37 mN/m surface tension and a second organic solvent B having <32 mN/m surface tension and a material for forming the liquid crystal alignment layer.
表面張力が３７ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第２有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、液晶配向膜形成用材料とを含有してなる。 - 特許庁 - The first and second metal oxide layers 31, 32 of the transparent function film comprise ZnO type metal oxide and the metal layer 33 comprises either one of Ag, Au, Pt and Pd.
透明機能膜３における第１金属酸化物層３１及び第２金属酸化物層３２はＺｎＯ系金属酸化物からなり，一方金属層３３はＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄのいずれか１種以上の金属からなる。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a semiconductor substrate 1; an insulating film 3 formed on the semiconductor substrate; and an inductor 4 formed in the insulating layer and connected between a first terminal 101 and a second terminal 102.
半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板上に形成された絶縁膜３と、絶縁膜中に形成され、第１の端子１０１と第２の端子１０２との間に接続されたインダクタ４と、を備える。 - 特許庁 - An auxiliary layer 30 is mainly formed by ceramic dielectric material having a second ceramic particle 32, and a plane in which an inner electrode 12 is formed, furthermore buries a portion in which the inner electrode does not exist.
補助層３０は、第２のセラミック粒子３２を有するセラミック誘電体材料を主成分とし、内部電極１２が形成された平面であって、内部電極１２が存在しない部分を埋めている。 - 特許庁 - A cooled PTFE powder 1 is dropped from a hopper 6 to a belt conveyor 10 and transferred to the second belt conveyor 14 which is continuously operated while continuously forming a layer having a defined thickness 12.
冷却したポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の粉末１は、ホッパ６からベルトコンベア１０上に落とされ連続的に所定厚さの層１２を形成しながら、連続運転されている第２のベルトコンベア１４上に移動する。 - 特許庁 - An effluent treatment by high-pressure air is executed by opening the first valve VL1 and the second valve VL2 and operating an air compressor 32 in waiting for the cathode electrode layer 11 when predetermined power generation is obtained.
所定の発電量が得られたときに第１のバルブＶＬ１及び第２のバルブＶＬ２を開き、カソード電極層１１に待機中であったエアコンプレッサ３２を稼働させて高圧空気による排水処理を行う。 - 特許庁 - Each of electrodes of the electrode layer is formed so that a multitude of sensor electrodes extending from each bridge wire to horizontal direction and having a specific area precipitate aluminum following the second mask pattern.
電極層の各々の電極は、各々のブリッジ線から各々水平方向に延び且つ所定の面積を有する多数のセンサ電極が、第２のマスクパターンに従ってアルミを析出させることにより形成される。 - 特許庁 - This processing method comprises a first process of implanting nitrogen (n) ions into a semiconductor substrate 101 of silicon and a second process of forming a cluster-containing layer 103 in the semiconductor substrate 101 by annealing nitrogen (n) ions.
シリコンからなる半導体基板１０１に窒素（ｎ）イオンを注入する工程と、窒素（ｎ）イオンをアニールすることにより、半導体基板１０１中に窒素を含むクラスター含有層１０３を形成する工程と、を含む。 - 特許庁 - To enhance the weatherability of a multilayered sheet made of a thermoplastic resin wherein PMMA (methyl methacrylate resin) and ABS (acrylonitrile/butadiene/styrene copolymer) are combined by adding a light stabilizer to ABS used in a second layer.
ＰＭＭＡ（メチルメタクリレート樹脂）とＡＢＳ（アクリロニトリル・ブタジエン・スチレンのコポリマ）を組合せた熱可塑性樹脂製多層シートにおいて、第二層に用いられるＡＢＳを改質して多層シートの耐候性を改善する。 - 特許庁 - The layer 12 is formed by a method, where calcined material powder, consisting of a second aggregate and the like different from the calcined material powder consisting of the first aggregate and the like are mixed with the calcined material powder consisting of the matrix material to bake the powders.
第２誘電体磁器材料層は第１骨材の仮焼体粉末等とは異なる第２骨材の仮焼体粉末等と、上記マトリックス材の仮焼体粉末とを混合して焼成してなる。 - 特許庁 - Unless the light is rotated, the light is transmitted through the reflection polarizing element layer toward a reflective dial surface disposed on the lower side and is reflected by the dial surface, by which the timepiece surface is provided with a second color.
光が回転されなければ、光は下方に配設された反射的文字盤表面に向かって反射偏光素子層を透過し、文字盤表面により反射されて時計面に第２色を提供する。 - 特許庁 - A second flux layer 8 boiling at a temperature lower than the melting point of the solder ball 2 is then formed on the surface of the solder ball 2 and the contact pad is bonded thermally to a conductive perform thus forming a bump 3.
次に、はんだボール２表面に、はんだボール２の溶融温度よりも低温で沸騰する第２のフラックス層８を形成した後、接続パッドと導電性プリフォームとを加熱して接合させ、バンプ３を形成する。 - 特許庁 - The surface treatment layer 12 is formed on the surface of the lens substrate 11, and a first film 121, a second film 122, a third film 123, a fourth film 124, and a fifth film 125 are stacked in this order.
表面処理層１２は、レンズ基材１１の表面に形成され、レンズ基材側から第一膜１２１、第二膜１２２、第三膜１２３、第四膜１２４、および第五膜１２５の順に積層されている。 - 特許庁 - Then the second gas layer is formed of plural heat insulated chambers 24 adjacent through partitions 25 and a groove 26 is formed at least one of the outer peripheral surface and the inner peripheral surface of each partition 25.
そして、前記第２のガス層は仕切壁２５を介して隣接させられた複数の断熱室２４から成り、前記仕切壁２５の外周面及び内周面のうちの少なくとも一方に溝２６が形成される。 - 特許庁 - When a diffraction limit δ2, determined by the numerical aperture NA2 and the second wavelength λ2, is defined as δ2=0.61×λ2/NA2, a track pitch Tp1 of a track formed on the first information recording layer is Tp1<δ2.
開口数ＮＡ２と第２の波長λ２とで決まる回折限界δ２を、δ２＝０．６１×λ２／ＮＡ２とすると、第１の情報記録層に形成されたトラックのトラックピッチＴｐ１は、Ｔｐ１＜δ２となる。 - 特許庁 - The second substrate is disposed in opposition to the first substrate so as to have both ends in the first direction matched with both ends of the first substrate and has a light blocking layer formed so as to correspond to the peripheral region.
第２基板は、第１方向への両端が第１基板の両端と互いに一致するように第１基板と対向して配置され、周辺領域と対応するように形成された遮光膜を有する。 - 特許庁 - A first electrode 2 is deposited on a base body 1, a piezoelectric laminate 5 is formed of 3 layers where an intermediate layer 4 is inserted between piezoelectric bodies 3 made of e.g. zinc oxide and the like, and a second electrode 2 is deposited on it.
基体１に第１の電極２を成膜し、例えば酸化亜鉛等の圧電体３の間に中間層４を挟んだ３層の圧電積層体５を形成し、その上に第２の電極２を成膜する。 - 特許庁 - The seed layer 111 and the plating film 112 are integrated to form a wiring copper film 113, thereby forming vias 114 and second wirings 115 from the copper film 113.
銅合金シード層１１１と銅メッキ膜１１２とを一体化して配線用銅合金膜１１３を形成することにより、配線用銅合金膜１１３からなるビア１１４及び第２の配線１１５を形成する。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes: a first electrode 120 and a second electrode 124, both provided on an element substrate 100; and a third electrode 218 provided on a counter substrate 200 that faces the element substrate 100 through a liquid crystal layer 300.
第１電極１２０と第２電極１２４とは素子基板１００に設けられ、素子基板１００と液晶層３００を介して対向する対向基板２００に第３電極２１８が設けられている。 - 特許庁 - In this case, the aluminum electrode 45b of the second layer is positioned at the upper portion of a CrSi film 41 via a third TEOS film 44, thus applying the side of high potential V to the CrSi film 41.
このとき、ＣｒＳｉ膜４１の上部には、第３ＴＥＯＳ膜４４を介して第２層のアルミ電極４５ｂが位置しているので、ＣｒＳｉ膜４１に対して高電位Ｖ側が印加されることになる。 - 特許庁 - The optical pickup device is tested by evaluating a reproduction signal using at least two or more types of test disks of a first test disk with one recording layer and a second test disk with two recording layers.
記録層が１層である第１のテストディスクと、記録層が２層である第２のテストディスクとの少なくとも２種類以上のテストディスクを用いた再生信号評価により光ピックアップ装置を検査するようにする。 - 特許庁 - In forming the organic functional layer of the organic electroluminescent element 110, the liquid composition is filled into a recess part 150, formed by the first barrier rib 105a and the second barrier rib 105b, and is solidified.
有機エレクトロルミネッセンス素子１１０の有機機能層を形成する際には、第１の隔壁１０５ａおよび第２の隔壁１０５ｂにより形成された凹部１５０内に液状組成物を充填し、固化させる。 - 特許庁 - Each of the first and second LCD panels 11 and 12 includes a pair of transparent substrates, a liquid crystal layer sandwiched therebetween, and a pair of polarizing films sandwiching therebetween the pair of transparent substrates.
第１及び第２の液晶表示素子１１、１２は、それぞれ、一対の透明基板と、透明基板間に挟み込まれた液晶層と、一対の透明基板を外側から挟み込む一対の偏光板とを有する。 - 特許庁 - A passing-through direction switching means 5 switches the passing-through direction (hereafter a first direction) of the volatile organic gas passing through the adsorption layer 3 from a supply line 2 and discharged from a discharge line 4, to a reverse direction (hereafter a second direction).
通過方向切換え手段５は供給路２から吸着層３を通過して排出路４から排出する揮発性有機ガスの通過方向（以下、第１方向）を逆方向（以下、第２方向）に切換える。 - 特許庁 - In the anisotropic conductive paste layer before removal by the removal device, a first region is removed by a removal device 14 or a second region with the more amount of application is removed by the removal device.
除去装置により除去する前の異方性導電ペースト層３Ａにおいて、第１の領域を除去装置１４により除去するか、又は塗布量が多い第２の領域を除去装置により除去する。 - 特許庁 - A fine resist aperture pattern is formed of single layer EB resist on a semiconductor substrate, a first metal thin film is formed on the entire surface, and second resist is applied to form an aperture pattern at the umbrella part of a T-type gate.
半導体基板に単層EBレジストにより微細なレジスト開口パターンを形成し、全面に第１の金属薄膜を形成し、更に第２のレジストを塗布し、Ｔ型ゲートの傘の部分の開口パターンを形成。 - 特許庁 - The process for forming the light shielding layer 68 includes a process for forming an aperture 72 at a position remote by a prescribed distance H from an edge of a second edge 52 side of a region where a third color filter 60 is formed.
遮光層を形成する工程は、第３カラーフィルタ６０が形成される領域の第２端辺５２側の端辺から所定の距離Ｈだけ離間した位置に開口部７２を設ける工程を含む。 - 特許庁 - After a first blasting is performed on the surface of the mold to remove a hardened layer produced on the surface and/or to adjust surface roughness, a second blasting is performed to form fine irregularities on the surface.
金型の表面に第１のブラスト処理を行って前記表面に生じた硬化層の除去及び／又は面粗度の調整を行った後，第２のブラスト処理を行って前記表面に微小な凹凸を形成する。 - 特許庁 - The result to be stored is data related to the interlayer interface nodes, and the quantity of data to be stored and the time required for the second processing are never influenced by the hierarchical depth or order of the layer.
保存すべき結果データは階層間インタフェースノードに関するデータであり、保存データ量と第２処理に要する時間は階層の深さ若しくは上位階層であるか下位階層であるかによって影響されない。 - 特許庁 - An P-type third semiconductor layer 14 is formed on an inner surface of the third recess part 52a so as to generate a fourth recess part 53a being smaller than the third recess part 52a; and has a third impurity concentration higher than the second impurity concentration.
Ｐ型第３半導体層１４は第３凹部５２ａの内面にそれより小さい第４凹部５３ａを生じるように形成され、第２不純物濃度より高い第３不純物濃度を有する。 - 特許庁 - In the semiconductor device, a layer that is not sealed with a seal ring of one of the doubly arranged first seal ring 18 and the second seal ring 17 for the passage of the wiring line 60 is sealed with the other seal ring.
半導体装置は、２重に配置された第１シールリング１８及び第２シールリング１７のうちの一方のシールリングが配線６０を通すためにシールしていない層を、他方のシールリングでシールする構造となっている。 - 特許庁 - With the photosensitive film 47 as a mask, patterning is performed so as to allow the second metallic layer 45 to have the smaller width W2 of 1 μm to 4 μm than the width W1 of the photosensitive film through the use of an isotropic wet etching method ((b) in Fig.5).
感光膜４７をマスクとして第２金属層４５を等方性のウェットエッチング方法で感光膜の幅（Ｗ１）よりも１μｍ乃至４μｍ程度小さな幅（Ｗ２）にパターニングする（図５（ｂ））。 - 特許庁 - After the upper conductive film, the lower conductive film and the semiconductor layer are subjected to photographic etching, a protective film is vapor deposited and subjected to photographic etching to expose a first part and a second part of the upper conductive film.
次に、上部導電膜、下部導電膜、及び半導体層を写真エッチングした後、保護膜を蒸着し、保護膜を写真エッチングして上部導電膜の第１部分及び第２部分を露出する。 - 特許庁 - In a first layer 3 deposited on the principal surface of a substrate 2, a plurality of first grooves 6 are formed to be arranged in a first direction x and to extend in a second direction y intersecting the first direction x.
基板２の主面に堆積された第１層３に、第１方向ｘに沿って並びかつ第１方向ｘと交差する第２方向ｙに沿って各々が延在する複数の第１溝６が形成される。 - 特許庁 - An overhung part 5 overhanging it side wall outward is constructed at least on a part of an upper layer floor from a second floor 2b of a surface 2 of this building 1 on the building 1 of at least more than two floors.
少なくとも２階立て以上の建物１において、この建物１の妻面２の２階２ｂから上層階の少なくとも一部に、その側壁を外方に張り出させたオーバーハング部５が構築されている。 - 特許庁 - The outer layer 9 has a region, made of a second element body that has ZnO as a main constituent, without containing Co, and containing only all additives except Co in the plurality of additives, as the auxiliary elements.
外層部９は、ＺｎＯを主成分とすると共に、Ｃｏを含まず且つ前記複数の添加物のうちＣｏを除くすべての添加物のみを副成分として含有する第２の素体からなる領域を有する。 - 特許庁 - To provide a heat treatment method of steel member which can suppress the generation of an abnormal carburized layer and, at the same time, can suppress quench distortion in regard to the heat treatment method having a first hardening method and a second hardening method.
第１焼入れ工程と第２焼入れ工程とを有する熱処理方法において、浸炭異常層の生成を抑制するとともに、焼入れ歪みを抑制できる鋼部材の熱処理方法を提供する。 - 特許庁 - A boundary region 10C between both of them is set to a two-stage structure of a first level difference section 31 in a p-type cladding layer 13 and a second level difference section 33 straddling over a pn junction section 14 with a flat section 32 in between.
両者の間の境界領域１０Ｃを、平坦部３２を間にして、ｐ型クラッド層１３内の第１段差部３１と、ｐｎ接合部１４をまたぐ第２段差部３３との２段構造とする。 - 特許庁 - By setting recording start power of a second layer or after and write-once start power recording power at write-once using the calculated adjustment coefficient, data are recorded in all the recording areas of the optical disk by optimal recording power.
算出した調整係数を用いて第二層以降の記録開始パワー、ならびに追記時の追記開始パワー記録パワーを設定することにより、光ディスクの全記録領域において最適な記録パワーで記録できる。 - 特許庁 - Along a magnetic layer formed over the circumference of the side edge of a conveying belt, there are arranged in order from an upstream as viewed in the traveling direction of the conveying belt: a first write head 18; a read head 19; and a second write head 20.
搬送ベルトの側縁部に周に渡り形成された磁性層に沿って、搬送ベルトの移動方向上流側から順に、第１書込みヘッド１８、読込みヘッド１９、第２書込みヘッド２０が配置されている。 - 特許庁 - A magnetic pole layer 12 of a magnetic head comprises a first part 12A, a second part 12B and a third part 12C arranged sequentially from a medium facing surface side along the direction vertical to a medium facing surface ABS.
磁気ヘッドの磁極層１２は、媒体対向面ＡＢＳに垂直な方向に沿って媒体対向面側から順に配置された第１の部分１２Ａ、第２の部分１２Ｂおよび第３の部分１２Ｃを有している。 - 特許庁 - A wipe 100 comprises the first surface 102, the second surface 103 and an absorptive dry layer 101 on the first surface 102, and is used for cleaning the genital and anal area.
第１表面１０２及び第２表面（１０３）を有し、第１表面１０２上に配置された好ましくは吸収乾燥層１０１を有する、特に性器及び肛門領域を清潔にするためのワイプ１００に関する。 - 特許庁 - On a second inter-layer film 20 on a SOI substrate 2 with which a pair of X-detection elements D_X are provided on a surface 21, inter-element wiring 43 is laid which connects these X-detection elements D_X.
表面２１に一対のＸ−検出素子Ｄ_Ｘが設けられたＳＯＩ基板２上の第２層間膜２０上に、これらＸ−検出素子Ｄ_Ｘ間を接続する素子間配線４３を敷設する。 - 特許庁 - Motor/generator MG1, MG2 are coaxially arranged in a center of a case 1 as a composite current two layer motor, first and second planetary gear groups G1, G2 are coaxially arranged on the right side of the motor/generator, and a third planetary gear group G3 is also coaxially arranged on the left side thereof respectively.
モータ/ジェネレータMG1,MG2を複合電流二層モータとしてケース1の中央に同軸配置し、その右側に第1および第2遊星歯車組G1,G2を、左側に第3遊星歯車組G3をそれぞれ同軸配置する。 - 特許庁 - Then, a punch 4 is caused to approach the dice 2, and at the conduction part 84 of the square rod 8, the insulating coat layer 82 of a pair of second side surfaces 802 which are parallel to each other, being orthogonal to the first side surface 801, are removed.
そして、ダイス２にパンチ４を接近させて、角線８の導通部８４において第１側面８０１に直交する互いに平行な一対の第２側面８０２の絶縁被膜層８２を除去する。 - 特許庁 - A wiring board 100 comprising, at its center, a metal plate 101, and first and second insulating layers 103 and 105 are formed on its upper and lower surfaces 101a and 101b while an in-hole insulating layer 107 is provided in a through hole 101h.
配線基板１００は、中心に金属板１０１を有し、その上下面１０１ａ，ｂには、第１，第２絶縁層１０３，１０５が形成され、貫通孔１０１ｈ内には、孔内絶縁層１０７を備える。 - 特許庁 - A layer pattern 10, on which a region 7a to be partitioned of a panel 7 is exposed, is formed at least on a principal surface of the panel 7 constructed by bonding a TFT substrate 1 (a first substrate) and a counter substrate 2 (a second substrate) to each other.
ＴＦＴ基板（第１基板）１と対向基板（第２基板）２とを貼り合わせてなるパネル７の少なくとも一主面上に、パネル７の分割領域７ａを露出させた層パターン１０を形成する。 - 特許庁 - The saturation magnetization of a developer is from 20 Am^2/kg to 40 Am^2/kg, and the surface roughness of each resin layer of the first developer carrier 3a and the second developer carrier 3b is set in a predetermined range.
また、現像剤の飽和磁化が２０Ａｍ^2／ｋｇ以上、４０Ａｍ^2／ｋｇ以下であって、第１現像剤担持体３ａ及び第２現像剤担持体３ｂの樹脂層の表面粗さを所定の範囲に設定する。 - 特許庁 - The auxiliary capacitance is provided by a first transparent conductive pattern 39 on a gate insulating film 15 in a lower side of the thick type resin film 5, and a second transparent pattern 19 in a lower layer than the gate insulating film 15.
補助容量が、厚型樹脂膜５より下層側で、ゲート絶縁膜１５上の第１透明導電パターン３９と、ゲート絶縁膜１５より下層の第２透明導電パターン１９とにより設けられる。 - 特許庁 - The heat resistant packing member 10 is wound on the outside of the through-part 26 on a through-body 22 laid through the through-part 26 of the fireproof division by opposing the second layer 14 to an outer surface 22a of the through-body 22.
防火区画の貫通部２６を通して敷設される貫通体２２に、貫通部２６の外側で、耐熱性パッキング部材１０を、第２層１４を貫通体２２の外面２２ａに対向させて巻き付ける。 - 特許庁
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