「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 373 374 375 376 377 378 379 380 381 .... 429 430 次へ＞- In a substrate forming method, a layer of a radiation sensitive material is arranged on a substrate surface, and is exposed by a patterning device (a lithography device) having a calibration pattern including a first set of pattern features and a second set of pattern features.
基板形成方法は放射感応性材料の層を基板表面に設け、第一セットのパターンフィーチャ及び第二セットのパターンフィーチャを含むキャリブレーションパターンをもつパターンニングデバイス（リソグラフィ装置）により露光する。 - 特許庁 - Herein, during a period from the first positive/negative reversion of a value for the shift function σ to the second positive/negative reversion after starting the sliding mode control, overshoot is restricted by reducing the width of a boundary layer introduced into a change-over plane.
ここで、スライディングモード制御開始後、切換関数σの値が初めて正負反転してから２回目の正負反転までの間、切換面に導入される境界層の幅を狭めることで、オーバーシュートを抑制する。 - 特許庁 - In a view in a perpendicular direction with respect to the mesh-like conductor layer, at least a part of a confronted portion between an outer edge of the first conductor plate 202A and an outer edge of the second conductor plate 202B is tapered.
メッシュ状導電体層に対して鉛直方向から見たとき、第１導電体板２０２Ａの外縁と第２導電体板２０２Ｂの外縁の向かい合う部分の少なくとも一部がテーパー形をなしている。 - 特許庁 - One surface 20a of the electronic tag 20 is colored such that the appearance color when a position where the electronic tag 20 is arranged is difficult to discriminate from a color of the shielding layer 21 when it is seen beyond the second plate-like glass 14.
電子タグ２０が配置されている個所を第２の板状ガラス１４越しに見たときの外観色が遮蔽層２１の色と識別困難となるように、電子タグ２０の一方の面２０ａが着色されている。 - 特許庁 - Furthermore, since the first bank pattern and the second bank pattern are electrically insulated, effect of enlarging applications of the concave portion such as drawing out of an inner layer wiring pattern to the concave portion side is achieved.
さらに、第１堰堤パターン及び第２堰堤パターンが、電気絶縁性に構成されているので、例えば、凹部側への内層配線パターンの引き出しが可能になるなど、凹部の用途を拡大できるという効果がある。 - 特許庁 - This coating system 10 for a protective layer-forming material comprises a first coating station ST1 and a second coating station ST2 in succession from the upstream side in the feed direction of the vehicle 14 and coating devices 11a and 11b are respectively arranged to the coating stations ST1 and ST2.
塗布システム１０は、車両１４の搬送方向の上流側から順に、第１塗布ステーションＳＴ１及び第２塗布ステーションＳＴ２からなり、それぞれ塗布装置１１ａ及び１１ｂが配設される。 - 特許庁 - After a heat insulating material 8 is stuck to the outer surface of a skeleton 1, mortar 11 containing short fibers is applied by a trowel to the surface of the heat insulating material 8, a net 20 is put thereon, and subsequently a second layer of mortar 12 is applied thereto by a trowel.
躯体１の外面に断熱材８を張り付けた後、断熱材８の表面に短繊維入りのモルタル１１をコテ塗りし、その上にネット２０を重ね、次いで、第２層目のモルタル１２をコテ塗りする。 - 特許庁 - A bonding determination monitor part 55 capable of detecting a bonding state of the sealing part 8 is constituted by extracting the second metal layer to an exposed surface of the cap member 4 projecting to the outside of the sensor unit 20.
前記第２の金属層がセンサユニット２０の外側にはみ出すキャップ部材４の露出表面に引き出されて前記封止部８の接合状態を検知可能な接合判定モニタ部５５を構成している。 - 特許庁 - Since the torque of the worm gear 44 of the second propulsion section 11b is transmitted by the three-layer coil spring 52 for connecting, the torque can be efficiently transmitted to the worm gear 44 of the first propulsion section 11a.
第二推進部１１ｂのウォームギア４４の回転力を連結用三層コイルバネ５２によって伝達しているため、第一推進部１１ａのウォームギア４４に対して効率良く回転力を伝達できる。 - 特許庁 - For the second substance and the third substance in the light-emitting layer, a substance having an energy gap (or triplet energy) which is larger than the energy gap (or triplet energy) of the first substance is selected.
この発光素子においては、これら第２の物質及び第３の物質は共に第１の物質のエネルギーギャップ（又は三重項エネルギー）より大きいエネルギーギャップ（又は三重項エネルギー）を有する物質を選択する。 - 特許庁 - Within the first and second Si layers 2 and 3, an n-type base region 4 is formed and within the base region 4, a p-type emitter region 5 is formed having an impurity concentration higher than that of the first Si layer 2.
第１Ｓｉ層２及び第２Ｓｉ層３内には、ｎ型のベース領域４が形成され、ベース領域４内には、第１Ｓｉ層２より不純物濃度が高いｐ型のエミッタ領域５が形成されている。 - 特許庁 - In the power semiconductor module 1, a copper-containing first soldering base material 20b, a connection layer 14, and a copper-containing second soldering base material 119 are arranged successively and fixedly connected with one another.
パワー半導体モジュール１において、銅含有第１のはんだ付け母材２０ｂ、接続層１４、および、銅含有第２のはんだ付け母材１１９は、連続的に配置されて、固定して互いに接続されている。 - 特許庁 - A write-in of the information is carried out, by supplying the current to the magnetoresistive element 12 in a single direction and by setting the magnetization direction of the magnetization free layer 12C to a second direction according to a spin-transfer magnetization reversal.
情報の書き込みは、磁気抵抗素子１２に単方向に電流を供給し、スピン注入磁化反転により磁化自由層１２Ｃの磁化の方向を第２の方向に設定することで行われる。 - 特許庁 - The cathode active substance layer applied end 21 on the side of starting a winding is positioned in a range between an edge of a first arc 26a of the cathode lead 2 and an edge of a second arc 26d of the anode lead 7.
捲回開始側の正極活物質層塗布端部２１が正極リード２の第１の円弧部２６ａ側のエッジと負極リード７の第２の円弧部２６ｄ側のエッジとで挟まれた範囲内に位置する。 - 特許庁 - The sand pump, the slime removing machine, the first feed pipe, the auxiliary sand pump, the second feed pipe connected as above are inserted from the upper part of a surface layer casing 3 toward the lower part of an excavated hole 2 in the direction of an arrow.
前記のように連結されたサンドポンプ、スライム処理機、第１の送出管、補助サンドポンプ及び第２の送出管を、表層ケーシング３の上部から掘削孔２の下部に向って矢印方向に挿入する。 - 特許庁 - The electrode part fp is located at a position distant from the surface of the phosphor coated on the side wall of the rib 7 with a distance nearly same with or larger than the thickness of a coating composed of the dielectric layer and the cathode membrane 11 in the second direction D2.
電極部ｆｐは、リブ７の側壁面に塗布された蛍光体表面から、誘電体層とカソード膜１１とによる被覆厚の略等倍以上の距離を第２方向Ｄ２に隔てて位置している。 - 特許庁 - The second dielectric layer 32 consists of ZnS or a mixture composed of ZnS and SiO_2 as a principal component, in which the ratio of ZnSD is set at 60 to 100mol% of the sum of ZnS and SiO_2.
第２の誘電体層３２はＺｎＳ又はＺｎＳとＳｉＯ_２の混合物を主成分とし、ＺｎＳとＳｉＯ_２の和に対してＺｎＳの割合が６０モル％以上、１００モル％以下に設定されている。 - 特許庁 - Then, an organic insulating film 103 composed of a fluorinated amorphous carbon film is deposited on the first adhesive layer 102 by a plasma CVD method which uses a second source gas composed of a mixed gas of C_4F_8/CH_4.
次にＣ_４Ｆ_８／ＣＨ_４ の混合ガスからなる第２の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、第１の密着層１０２の上にフッ素化アモルファスカーボン膜からなる有機絶縁膜１０３を堆積する。 - 特許庁 - The magnetoresistive device 21_1 includes: a ferromagnetic layer configured to exhibit magnetic anisotropy and to allow magnetization thereof to be switched at least between first and second directions; and a gate 23 capacitively coupled to the ferromagnetic region.
磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。 - 特許庁 - After the wafer 10 for the temperature measurement is charged in a plasma CVD device, an FSG film 30 sedimented on the protection film 12 and the protection film 12 are removed by buffer hydrofluoric acid to expose the second semiconductor layer 11b.
温度測定用ウェハ１０をプラズマＣＶＤ装置に投入した後、保護膜１２上に堆積したＦＳＧ膜３０と保護膜１２とをバッファードフッ酸により除去して、第２の半導体層１１ｂを露出する。 - 特許庁 - Change rate of a value obtained by dividing residual magnetization in the circumferential direction of the magnetic layer 4 by residual magnetization in the radial direction to the reciprocals of film thicknesses of the first and the second seed layers 21 and 22 are 6 nm or below.
磁性層４の円周方向の残留磁化を半径方向の残留磁化で除した値の、第１シード層２１および第２シード層２２の膜厚の逆数に対する変化率は６ｎｍ以下である。 - 特許庁 - In the semiconductor device, a first bipolar transistor and a second bipolar transistor are provided on a supporting substrate within an aperture by exposing the supporting substrate through provision of the aperture by removing a surface silicon layer and an embedded oxide film.
本発明の半導体装置は、表面シリコン層と埋込酸化膜を除去し開口部を設けることで、支持基板を露出させ、開口部内の支持基板に第１のバイポーラトランジスタと第２のバイポーラトランジスタとを設けた。 - 特許庁 - A solar cell is formed by bonding together first and second metal layers in such a way as to sandwich a semiconductor layer.
半導体を挟むようにして第１の金属と第２の金属とを接合して成る太陽電池であって、該半導体の厚さＷ（単位：ｃｍ）が以下の式（Ｉ）により与えられる太陽電池によって、上記課題を解決する。 - 特許庁 - A vertical incidence/reflection factor to read light L2 that enters through the substrate 20 of a second electrode layer being provided on a surface in contact with the upper surface of the substrate 20 of a device 30 is set to 50% or less.
デバイス部３０の基板２０の上面２０ａと接する面に設けられた第２電極層の基板２０を通して入射する読取光L2に対する垂直入射反射率を５０％以下にする。 - 特許庁 - After removing the first resist pattern 41, a second resist pattern 43 is formed on the opposite sides of the copper clad substrate 20 to cover the plated coating 42 and the copper layer 21 at a part which is to become a wiring pattern 14.
第１のレジストパターン４１を除去した後、銅張り基板２０の両面に、めっき被膜４２を覆うと共に配線パターン１４となる部位の銅層２１を覆う第２のレジストパターン４３を形成する。 - 特許庁 - The first internal electrode layer 20 has a first internal electrode 22 extended so that it is drawn out to a first side face 4 and a second electrode 24 extended so that it is drawn out to a third side face 8.
第１の内部電極層２０は、第１の側面４に引き出されるように伸びる第１の内部電極２２と、第３の側面８に引き出されるように伸びる第２の内部電極２４とを有する。 - 特許庁 - First and second memory cells 1 and 2, which are arranged adjacent to each other in the direction of a paired bit line interconnection layer 15, have an asymmetrical layout in the same direction, and form a single memory cell group.
ビット線対配線層１５に沿う方向に隣接して配置される第１，第２のメモリセル１，２がその方向に非対称のレイアウトを有しており、この第１，第２のメモリセル１，２で一つのメモリセル群を形成する。 - 特許庁 - A shield layer 20 has a portion located between the front end face 16D and the medium facing surface 30 in a region closer to the substrate 1 than the surface 16Da of the second portion 16d farther from from the substrate 1.
シールド層２０は、第２の部分１６Ｄにおける基板１から遠い面１６Ｄａよりも基板１に近い位置において前端面１６Ｄｂと媒体対向面３０との間に配置された部分を有している。 - 特許庁 - The second p-type semiconductor layers 10 are also formed continuously along a chip cut-out part 11, from which the board 1 is cut into a plurality of chips, to extend from the surface of the layer 3 to reach the surface of the P well 5.
また、基板１を複数個のチップに切り分けるチップ切断部１１に沿って層３の表面からＰウェル５の表層部に達して第２のＰ型半導体層１０が連続して設けられている。 - 特許庁 - As a result of this, the adhesiveness of the entire second adhesive layer 3 is weak and on temporary adhesion, it is possible to peel an adherend part to repeat its positioning and on adhesion, the adhesive sheet can adhere with high adhesiveness.
このため、第２接着剤層３全体の接着力は弱く、仮接着時に被接着部品を剥がして位置合わせのやり直しが可能であり、本接着時には高い接着力で接着できる。 - 特許庁 - The recording magnetic pole film 11 is formed by alternately stacking a film constituted of first and second magnetic layers 1 and 3 respectively made of Co50Fe50 and Co90Fe10 and stacked together, and a nonmagnetic layer 2 made of Ru.
記録磁極膜１１は、Ｃｏ５０Ｆｅ５０からなる第１の磁性層１とＣｏ９０Ｆｅ１０からなる第２の磁性層３を積層した膜と、Ｒｕからなる非磁性層２とを交互に積層したものである。 - 特許庁 - A mold packaging resin 8 is formed at the periphery of the second conductive layer 4b, and the negative electrode terminal 6 and the positive electrode terminal 7 such that edges of the negative electrode terminal 6 and the positive electrode terminal 7 are withdrawn to the outside.
陰極端子６および陽極端子７の端部が外部に引き出されるように、第２導電層４ｂ、陰極端子６および陽極端子７の周囲には、モールド外装樹脂８が形成されている。 - 特許庁 - This pneumatic tire 1 is provided with a crossing belt 5 arranged so that each of a first belt 5A and a second belt 5B may cross, and an outermost layer belt 6 arranged on an outermost side of a radial direction of the pneumatic tire 1.
空気入りタイヤ１は、第１ベルト５Ａ、第２ベルト５Ｂそれぞれのコードが交差するように配置される交差ベルト５と、空気入りタイヤ１の径方向の最も外側に配置される最外層ベルト６とを備える。 - 特許庁 - For that reason, when the sealing gas is exhausted, the second dielectric layer 32B can be fixed in a state to be contacted with the top part of the barrier rib 23 by softening it to an extent so that a nearly trapezoid shape of its cross-sectional shape can be maintained.
このため、封着排気時において、第２誘電体層３２Ｂを断面略台形形状が維持される程度に軟化させて、隔壁２３の頂部に接触する状態で固着させることができる。 - 特許庁 - In this case, the second substrate and the conductive substrate are formed by an InGaN-family material, the clad layer is in a composition where the amount of distortion for the conductive substrate is within ±0.01 and is formed by an InGaAlN-family material.
引き続き、SiドープIn_ｘ１Ga_１−ｘ１N層６を５μm程度形成し、750℃で２４０層のSiドープIn_ｘ２(Al_ｚ２Ga_１−ｚ２)_１−ｘ２N(2.5nm)/In_ｘ３(Al__ｚ３Ga_１−ｚ３)_１−ｘ３N(2.5nm)超格子クラッド層７を形成する。 - 特許庁 - This film material 1 for the trim is excellent in weatherability and chipping resistance and has a colored layer 15 visually confirmed through the first and second transparent layers 11 and 13 to provide coating-like design effect having depth.
この外装用フィルム材１は、耐候性、耐チッピング性に優れるとともに、着色層１５が第一及び第二の透明層１１，１３を通して視認されることで塗装様の深みのある意匠を提供することができる。 - 特許庁 - Between the first inner tube 21 and the second inner tube 22, a hollow heat insulating layer 27 is held where the double inner tube is sealed at its upstream end to preclude the entry of exhaust gas from the upstream side.
第１内管２１と第２内管２２との間には、当該二重内管の上流側端部を封止することで上流側からの排気ガスの進入を不能とした中空断熱層２７が確保されている。 - 特許庁 - On the other hand, on the second inter-layer film 20, there are provided main wiring 36 of X-bridge wiring 31 and main wiring 36 of Z-detection upper electrode wiring 33 in a direction crossing the inter-element wiring 43.
一方、第２層間膜２０上において、素子間配線４３を横切る方向にＸ−ブリッジ配線３１の主配線３６およびＺ−検出上部電極配線３３の主配線３６が敷設されている。 - 特許庁 - The first wiring 51 of the second wiring layer 50 includes a head side wiring part 51a extending from a head side terminal part 4, and a plurality of division wiring parts 51b, 51c divided from the head side wiring part 51a.
第２配線層５０の第１配線５１は、ヘッド側端子部４から延びるヘッド側配線部５１ａと、ヘッド側配線部５１ａから分割された複数の分割配線部５１ｂ、５１ｃと、を含んでいる。 - 特許庁 - Moreover, the second source/drain regions are doped with the same kind of impurity as the impurity that is contained at predetermined concentration in the LDD regions in the first semiconductor layer, at a concentration at least equal to the predetermined concentration.
更に、第２ソース・ドレイン領域には、第１半導体層におけるＬＤＤ領域に所定濃度で含まれる不純物と同一種類の不純物が、少なくとも所定濃度に等しい濃度で含まれる。 - 特許庁 - The first flange part 4b and the second flange part 4d is connected to each other to communicate with a ventilating space provided under the heat insulting layer 2, and lead to the outdoor space through a clearance between the outer pipe 4c and inner pipe 4a of the drain pipe 4.
そして、この第１のフランジ部と第２のフランジ部との間を、断熱層の下に設けられた通気空間に連通させるとともに、排水管の外管と内管との間から屋外空間に通じるものとする。 - 特許庁 - The light-emitting layer contains a parent material of a compound composed of a second group element and a 16th group element or a 12th group element and a 16th group element, and an impurity element of an emission center.
発光層は、第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と発光中心である不純物元素とを含んでいる。 - 特許庁 - Here, a center line of the first convex lens 5 and a center position of the opening 3 substantially conform each other, and the center line of the second convex lens 6 and a center position of the light-reflecting layer 4 substantially conform each other.
ここで、第１の凸レンズ５の中心線と開口部３の中心位置とが実質的に一致し、第２の凸レンズ６の中心線と光反射層４の中心位置とが実質的に一致している。 - 特許庁 - A gate insulation layer, whose film is formed through plasma CVD method, has a laminated structure comprised of a first silicon nitride film 3 and a second silicon nitride film 4 that is formed at a film formation speed which is than that of a first silicon nitride film.
プラズマＣＶＤ法により成膜されるゲート絶縁層を、第１の窒化シリコン膜３及び該第１の窒化シリコン膜よりも低速の成膜速度で成膜した第２の窒化シリコン膜４の積層構造とした。 - 特許庁 - This capacitor 101 to be built in a wiring board is provided with a dielectric layer 105 and electrode layers 141, 142, and has a hole portion 161 opened on a first main surface 102 and a second main surface 103.
本発明の配線基板内蔵用キャパシタ１０１は、誘電体層１０５と電極層１４１，１４２とを備えるとともに、第１主面１０２及び第２主面１０３にて開口する穴部１６１を有する。 - 特許庁 - Consequently, when an opened end 24 of the atmospheric passage 21 is opened for the atmosphere, fuel vapor flowing out from the second storage chamber 42 of a canister 30 by diffusion is absorbed by the adsorbent layer 51.
これにより、大気通路２１の開放端２４が大気に開放されているとき、キャニスタ３０の第二収容室４２から拡散により流出した燃料蒸気は吸着剤層５１により吸着される。 - 特許庁 - Thus, the optical switch 1 having the InP substrate 11, the InGaAs layer 12, the first electrode 13, and the second electrode 14 generates terahertz waves by using light having a wavelength of 1.55 μm used for communication.
そのため、ＩｎＰ基板１１と、ＩｎＧａＡｓ層１２と、第１の電極１３と、第２の電極１４とを備える光スイッチ１は、通信で用いられている波長１．５５μｍの光を用いてテラヘルツ波を発生する。 - 特許庁 - The p-conductivity type layer contains, at least, a first dopant element and a second dopant element which are set different from each other in concentration and vary in concentration in the direction of thickness of the substrate.
ｐ導電型の層は、少なくとも第一のドーパント元素、および第二のドーパント元素を含み、第一および第二ドーパント元素の濃度分布が互いに異なり、かつ基板に垂直な方向に対して変化している。 - 特許庁 - The inner electrode layer obtained from the conductive particles is composed of a first metal part with the nickel as a main component and a second metal part having at least one kind of element selected from the above elements as a main component.
この導電性粒子により得られる内部電極層は、ニッケルを主成分とする第１金属部と、上記元素から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として有する第２金属部とを有する。 - 特許庁 - In the atmosphere an inert gas, sputtering is executed using a second target comprising tungsten to deposit it on a tungsten film 105, which is to be come the upper layer part of the gate electrode on the tungsten nitride film 104.
不活性ガスの雰囲気中において、タングステンからなる第２のターゲットを用いてスパッタリングを行なうことにより、タングステン窒化膜１０４の上に、ゲート電極の上層部となるタングステン膜１０５を堆積する。 - 特許庁
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