「second-layer」を含む例文一覧(21457)
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第２層はつぎの組成（原子％）：コバルト０〜約２５％、クロム約７〜２５％、アルミニウム約１８〜５５％、イットリウム０〜約１％、ケイ素０〜約２％および残部のニッケルからなる合金から形成する。 - 特許庁 - After the irregular recesses and protrusions 10 are formed, an accumulation layer 11 having a higher impurity density than that of the n^- type semiconductor substrate 1 is formed on the second main face 1b of the n^- type semiconductor substrate 1.
不規則な凹凸１０を形成した後に、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ａ側に、ｎ^−型半導体基板１よりも高い不純物濃度を有するアキュムレーション層１１を形成する。 - 特許庁 - Among an MR thin film 7, a bias layer 8 and a lead electrode 15 constituting a lead structure, the lead electrode 15 is formed by laminating first and second lead electrode layers 9 and 10.
リード構造体１６を構成するＭＲ薄膜７、バイアス層８、及びリード電極１５のうち、リード電極１５を、第１のリード電極層９及び第２のリード電極層１０によって積層して形成する。 - 特許庁 - The method includes an example method including growing a first layer 20 of oxide on first and second facets 16a, 12a, with the first facet 16a having a faster oxide growth rate.
第１のファセット１６ａ及び第２のファセット１２ａ上に酸化物の第１の層２０を成長させる段階を含み、第１のファセット１６ａがより速い酸化物成長速度を有する例示的方法を含む。 - 特許庁 - The airflow generating device 10 turns a part of gas contacting with the surface of the first dielectric layer 21 into plasma to generate an airflow by applying a voltage between the first electrode 23 and the second electrode 24.
気流発生装置１０は、第１の電極２３と第２の電極２４との間に電圧が印加されることで、第１の誘電層２１の表面に接する気体の一部をプラズマ化し気流を発生させる。 - 特許庁 - In this semiconductor integrated circuit, a first insulating film 26 comprises an organic polymer film 1a and a silicon nitride film 2a, and a second insulating layer 27 comprises a silicon polymer film 3 and a silicon nitride film 2b.
本発明に基づく半導体集積回路は、第一絶縁層２６が有機高分子膜１ａと窒化シリコン膜２ａとからなり、第二絶縁層２７は、シリコーン高分子膜３と窒化シリコン膜２ｂとからなる。 - 特許庁 - To provide a packet transfer device that realizes a link-pass through function between second layer devices, which is realized in a network such as SONET/SDH, in a packet transport network where network hierarchization is omitted.
ＳＯＮＥＴ／ＳＤＨのようなネットワーク網において実現されているレイヤ２装置間のリンクパススルー機能を、ネットワークの階層化が省略されたパケットトランスポート網において実現するパケット転送装置が求められる。 - 特許庁 - The memory layer includes a first memory cell array including memory cells connected to the first wiring; and a second memory cell array that is apposed with the first memory cell array along the first direction and contains memory cells connected to the first wiring.
メモリ層は、第１配線と接続されたメモリセルを含む第１メモリセルアレイ部と、第１メモリセルアレイ部と第１方向に沿って並置され第１配線と接続されたメモリセルを含む第２メモリセルアレイ部と、を含む。 - 特許庁 - An active layer 300 comprising polycrystalline silicon that is formed on an insulating substrate is formed of a first MILC crystallization region and a second MILC crystallization region by carrying out an MILC method with different temperatures.
絶縁基板上に形成される多結晶シリコンからなる活性層３００を、異なる温度のＭＩＬＣ法を実行することで第１ＭＩＬＣ結晶化領域及び第２ＭＩＬＣ結晶化領域により形成する。 - 特許庁 - An N-type second well region 560 higher in concentration than the drain offset region 540 is formed in the semiconductor layer 200 beneath the drain offset region 540 overlapping the drain region 520 in a plan view.
ドレインオフセット領域５４０よりも高濃度のＮ型の第２ウェル領域５６０は、半導体層２００のうち、ドレインオフセット領域５４０の下に位置して、平面視でドレイン領域５２０と重なる領域に設けられている。 - 特許庁 - Then, by using a second blade 26 where the cutting depth reaches the dicing tape base material 23 and the width is narrower than that of the first blade 25, the adhesive layer 22 is cut along with one portion of the dicing tape base material 23.
次いで、切り込み深さがダイシングテープ基材２３に達すると共に、第１のブレード２５より幅が狭い第２のブレード２６を用いて、接着剤層２２をダイシングテープ基材２３の一部と共に切断する。 - 特許庁 - To improve insulation and reliability of an insulating cap for distributing first and second internal electrodes in a dielectric layer provided between a pair of conductor layers of a capacitor to the pair of conductor layers.
コンデンサの一対の導電体層間に設けられた誘電体層中の第１及び第２の内部電極を、前記一対の導電体層に振り分けるための絶縁キャップの絶縁性及び信頼性の向上を図る。 - 特許庁 - The step includes forming an additional mask on the etching mask stack; and at least partially forming the side wall layer on the additional mask; etching a second set of characteristics in the etching mask stack.
該ステップは、追加のマスクをエッチングマスクスタックの上に形成することと、側壁層を追加のマスクの上に形成することと、第２組の特徴を少なくとも部分的にエッチングマスクスタック内へとエッチングすることと、を含む。 - 特許庁 - These photo diodes and the groove structure or a deep diffusing lattice structure are arranged on the first surface of the photo detector array, and a second surface on the side opposite to the first surface is bonded to the base material layer.
これら複数のフォトダイオード、及び溝構造又は深い拡散格子構造は、光検出器アレイの第一の表面に配設され、第一の表面の反対側の第二の表面が基材層に接着される。 - 特許庁 - The superlattice layer 14 is formed by alternately laminating a first thin film and a second thin film made of a semiconductor having a polarization characteristic different from the first thin film and larger in band gap than the first thin film.
超格子層１４は、第１の薄膜及び該第１の薄膜と分極特性が異なり且つ第１の薄膜と比べてバンドギャップが大きい半導体からなる第２の薄膜とが交互に積層されている。 - 特許庁 - The silicon oxide layer 102 includes a first top surface 102a whose distance from the main surface 100a is relatively large and a second top surface 102c whose distance from the main surface 100a is relatively small.
シリコン酸化物層１０２は、主表面１００ａからの距離が相対的に大きい第１の頂面１０２ａと、主表面１００ａからの距離が相対的に小さい第２の頂面１０２ｃとを含む。 - 特許庁 - The water removal means is equipped with a first electrode which can contact water contained in the nonaqueous electrolyte solution, and the other second electrode contacting oxygen, with an electrolytic layer intercalated between the electrodes.
この水除去手段における第１電極は、非水電解質液に含まれる水分が接触可能であり、他方の第２電極は酸素に接しており、これらの電極間には電解質層が介在されている。 - 特許庁 - The gate electrode comprises a first metal while the metal oxide layer comprises a second metal where gibbs standard free energy is reduced more than the first metal at the formation of oxide.
前記ゲート電極は第１の金属から構成され、前記金属酸化物層は、前記第１の金属よりも酸化物形成時のギブス標準自由エネルギーの低下量の大きい第２の金属を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - A first zone 106 of an oxide layer formed in the trench adjoins at least part of the N epi-region of the semiconductor device, and a second zone 110 adjoins at least part of the body region.
トレンチに形成された酸化物層の第１の区域１０６は、半導体デバイスのＮエピ領域の少なくとも一部分に隣接し、第２の区域１１０はボディ領域の少なくとも一部分に隣接する。 - 特許庁 - Protective layers 5 and 13 formed with one or more of calcium oxide, strontium oxide, and barium oxide are provided on the surfaces of a first plate and a second plate having at least a fluorescent material layer 10 provided thereon.
第一プレートおよび少なくとも蛍光体層１０が設けられた第二プレート表面に酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウムのうち１種類あるいは２種類以上からなる保護層５、１３を設ける。 - 特許庁 - The intensity ratio of Raman intensity of wave number of 144 cm^-1 to Raman peak intensity of wave number of 735 cm^-1 obtained by performing Raman-spectrometry of the second GaN layer 18 is 0.22 or less.
また、第２のＧａＮ層１８に対してラマンスペクトル測定を行うことによって得られる波数７３５ｃｍ^−１でのラマンピーク強度に対する波数１４４ｃｍ^−１でのラマン強度の強度比は、０．２２以下である。 - 特許庁 - A collector layer 102 is formed by ion-implanting (150) second conductivity first impurities to a semiconductor single crystal substrate 100 along a normal line direction on a principal surface of the semiconductor single crystal substrate 100.
半導体単結晶基板１００の主面の法線方向に沿って半導体単結晶基板１００に第２導電型の第１不純物をイオン注入（１５０）することによりコレクタ層１０２を形成する。 - 特許庁 - A method for manufacturing the electrode catalyst layer comprises a step of ejecting a first ink containing an active substance and a conductive agent by the ink jet system, and a step of ejecting a second ink containing a binder by the ink jet system.
活物質および導電剤を含む第一インクを、インクジェット方式で噴出する段階と、バインダーを含む第二インクを、インクジェット方式で噴出する段階とを有する電極触媒層の製造方法である。 - 特許庁 - A ferromagnetic reference layer 716 has a bias point magnetization oriented nominally in the flat surface of the film in a second direction of an angle θ_rb with respect to the longitudinal direction unperpendicular to the first direction.
強磁性の基準層７１６は、前記第１の方向に直交しない前記長手方向に対して角度θ_ｒｂの第２の方向で、その膜の平面内で名目上配向されたバイアスポイント磁化を有する。 - 特許庁 - A thermoplastic holographic recording composition is arranged between the first substrate and the second substrate, and the recording layer is formed by heating and pressing the holographic recording composition arranged between the substrates through the substrates.
第一基板と第二基板との間に、熱可塑性を有するホログラフィック記録用組成物を配置し、基板間に配置されたホログラフィック記録用組成物を、基板を介して熱圧することにより記録層を形成する。 - 特許庁 - An increase in the number of processes required for manufacturing a second gate electrode is reduced by forming a gate electrode to be provided at the upper part of an oxide semiconductor layer simultaneously when patterning the oxide semiconductor takes place.
酸化物半導体層の上方に設けるゲート電極を形成するとき、酸化物半導体層のパターニングと同時に形成することで、第２のゲート電極の作製に要するプロセス数の増加を削減する。 - 特許庁 - Ceramic particles are dispersed and fixed on the surface becoming the side opposite to the opposed surfaces of a first prepreg 21a and a second prepreg 21b to form a ceramic particle surface layer 31a.
第１プリプレグ２１ａと第２プリプレグ２１ｂとが対面する面に対して反対側になる表面に、セラミック粒子を分散させ固着させることにより形成されているセラミック粒子表面層３１ａを有する。 - 特許庁 - A wavelength selection layer 15 reflects and outputs most of laser beams with a wavelength λ2 from a second light source 12 toward a collimation lens 18, transmits and makes incident several percents of the laser beam on an optical monitor 17.
波長選択膜１５は、第２光源１２からの波長λ２のレーザー光の殆どをコリメートレンズ１８側に反射して出力させ、また該レーザー光の数％を透過して光モニター１７に入射させる。 - 特許庁 - A liquid crystal layer LC containing liquid crystal molecules 31 and dichroic dye molecules 32 is sealed between a first transparent substrate 10 and a second transparent substrate 20 segmented into transmissive regions and reflective regions.
液晶分子３１及び二色性色素分子３２を含む液晶層ＬＣが、透過領域及び反射領域に区分された第１の透明基板１０及び第２の透明基板２０により封止されている。 - 特許庁 - Also, this organic electroluminescent display device includes: a protection film positioned on the whole surface of the substrate; and a first electrode, organic film layer and second electrode positioned on the protection film and electrically connected to the source/drain electrodes.
また、基板全面にかけて位置する保護膜；及び保護膜上に位置し、ソース／ドレイン電極と電気的に連結される第１電極、有機膜層及び第２電極を含む有機電界発光表示装置に関する。 - 特許庁 - The second layer 3a is formed by dispersing at least one among metal particles, alloy particles and metal oxide particles in a solution in which a binder is dissolved in a solvent, and by coating and drying the coating solution.
第二の層３ａを、金属粒子、合金粒子、金属酸化物粒子の内、少なくとも一以上を、バインダーを溶媒に溶かした溶液中に分散し、その塗液を塗布、乾燥することによって形成する。 - 特許庁 - A stacked semiconductor device 1 includes a first semiconductor element 5 mounted to a circuit substrate 2, and a second semiconductor element 11 stacked on the first semiconductor element 5 via a spacer layer 12.
積層型半導体装置１は、回路基材２上に搭載された第１の半導体素子５と、第１の半導体素子５上にスペーサ層１２を介して積層された第２の半導体素子１１とを具備する。 - 特許庁 - The high frequency module 1 includes a multilayer substrate 10, a power amplifier IC11 mounted on an upper surface of the multilayer substrate 10, and first and second filters 12, 13 formed in an inner layer of the multilayer substrate 10.
高周波モジュール１は、多層基板１０と、多層基板１０の上面に実装されたパワーアンプＩＣ１１と、多層基板１０の内層に形成された第１及び第２のフィルタ１２，１３とを備えている。 - 特許庁 - The storage layer stores information depending on magnetization which is generated by receiving light of a first wavelength and is erased by receiving light of a second wavelength different from the first wavelength.
この記億層は、第１の波長の光の照射を受けると磁化が生じ、その第１の波長とは異なる第２の波長の光の照射を受けると磁化が消える、磁化の有無によって情報を記憶するものである。 - 特許庁 - The sensor 400 consists of a first spin valve sensor (an SV sensor) 410, a second SV sensor 412 and a metal gap layer 414 disposed between the sensors 410 and 420.
差動ＣＰＰ型ＧＭＲセンサ４００は第１のスピン・バルブ・センサ（ＳＶセンサ）４１０、第２のＳＶセンサ４１２並びに第１及び第２のＳＶセンサの間に配置された金属ギャップ層４１４から構成される。 - 特許庁 - The equivalent circuit of the multi-layer radio frequency chip balun comprises an unbalanced port 332, a first balanced port 334a, a second balanced port 334b, and a plurality of sections of broadside coupled lines 301 to 30n.
多層ＲＦチップバランの等価回路は、不平衡ポート３３２，第１平衡ポート３３４ａ，第２平衡ポート３３４ｂ，ブロードサイド結合線３０１〜３０ｎ及び３１１〜３１ｍの複数セクションをもっている。 - 特許庁 - A field oxidized layer isolates first and second high concentration diffusion regions from third and fourth high concentration diffusion regions.
その導電型の第一高濃度拡散区、第一導電型と相反する第二導電型の第二高濃度拡散区、第二導電型の第三高濃度拡散区、及び第一導電型の第四高濃度拡散区は、井戸内に位置する。 - 特許庁 - The channel part is formed deeper than the first diffusion layer 12B and an interval of the second diffusion layers 12C in a couple of transistors provided adjacently in the row direction is wider than the interval of the first diffusion layers 12B.
溝部は、第１の拡散層１２Ｂよりも深さが深く、行方向に隣接する２つのトランジスタにおける第２の拡散層１２Ｃ同士の間隔は、第１の拡散層１２Ｂ同士の間隔よりも広い。 - 特許庁 - The first portion of the barrier metal layer 20 is formed of a TiN_x film whose Ti content is more than 50 atom%, and the second portion thereof is formed of a TiN_x film whose Ti content is larger than that of the first portion or of a Ti film.
バリアメタル層２０の第１の部分はＴｉ含有量が５０原子％を超えるＴｉＮ_x膜からなり、第２の部分は第１の部分よりＴｉ含有量が多いＴｉＮ_x膜またはＴｉ膜からなる。 - 特許庁 - A part of the first flow channel forming part 11A where the cooling medium flow channel WP does not exist becomes an anode flow channel AP, and a concave part (a second flow channel forming part 11B) of a cathode layer 14c side becomes a cathode flow channel CP.
第１流路形成部位１１Ａの冷媒流路ＷＰの存在しない部位がアノード流路ＡＰとなり、カソード電極層１４ｃ側の凹部（第２流路形成部位１１Ｂ）が、カソード流路ＣＰとなる。 - 特許庁 - To improve the color reproducibility in the dark area of an image by preventing the image quality from being degraded, which is caused by a phenomenon that the ink landed on an ink layer is hardly spread, when forming a second color image on an intermediate transfer member.
中間転写体に２次色画像を形成する際に、インク層上に打たれるインクが拡がりにくくなる現象に起因する画質の低下を抑制し、画像の暗部領域における色再現性を改善する。 - 特許庁 - In the light emitting device, the side of the p-type Al_xGa_1-xN layer 5 is down-packaged to permit light to be emitted from a second principal surface 1a, a principal surface on the opposite to the first principal surface of the GaN substrate 1.
当該発光装置では、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、ＧａＮ基板１の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。 - 特許庁 - To provide a transfer device in which variations in resistance values of a conductive layer in a transfer member are suppressed in comparison with the case where a first charge amount is not adjusted to be greater than a second charge amount.
本発明における第１の電荷量が第２の電荷量より大きくなるように調整しない場合に比べて、転写部材における導電層の抵抗値の変動が抑制された転写装置を提供する。 - 特許庁 - Mg is doped into the first and second p-type cladding layers 7 and 9 and the p-type band-discontinuity relaxation layer 10, and Zn is doped into the m+1 p-type GaAs layers and the m p-type GaInP layers.
第１，第２のｐ型クラッド層７，９及びｐ型バンド不連続緩和層１０にはそれぞれＭｇが、ｍ＋１層のｐ型ＧａＡｓ層及びｍ層のｐ型ＧａＩｎＰ層にはそれぞれＺｎがドープされている。 - 特許庁 - When electric current is made to flow between a Cu seed layer (not shown in Figure) and the anode electrode 104, and the growing by plating is performed, electric current is made to flow also from the second cathode electrode in contact with the vicinity of the center of the semiconductor substrate.
Ｃｕシード層（図示せず）とアノード電極１０４間に電流を流してめっき成長を行う際に、半導体基板の中心付近に接する第２のカソード電極からも電流を流す。 - 特許庁 - A semiconductor layer 52 different with refractive index from that of p-type second cladding layers 37, 46 is formed on the ridges 50, 51 of two sets of semiconductor lasers 39, 48 by a thin film having the thickness of not more than 2μm (in the degree of 0.5μm).
ｐ型第２クラッド層３７，４６とは屈折率が異なる半導体層５２を、二つの半導体レーザ３９，４８のリッジ部５０，５１の上から、２μｍ以下（０．５μｍ程度）の薄い膜厚で形成する。 - 特許庁 - In the step (c), by forming the intermediate layer opening 15 in such a shape that the second dimension becomes smaller at a lower portion lower than at an upper portion, the third dimension is made smaller than the first dimension in the step (d).
工程（ｃ）において、第２の寸法が上部よりも下部において小さくなる形状に中間層開口１５を形成することにより、工程（ｄ）において、第３の寸法を第１の寸法よりも小さくする。 - 特許庁 - The first oxide layer coats at least an interior surface of each of the flow paths and the first and second outer surfaces of the flow-path body and has a thickness that varies by less than 5% along {100} planes.
第１の酸化物層は、少なくとも流路のそれぞれの内表面並びに流路本体の第１の外表面及び第２の外表面を被覆し、｛１００｝面に沿った厚さの変動が５％未満である。 - 特許庁 - The second electron emission layer 15-2 is obtained by forming a plurality of smaller aperture parts 151-2 than the aperture parts 151-1 on a thinner base material 153 than the base material 141 and is coated with the photoelectric film 100.
第２の電子放出層１５−２は、基材１４１よりも薄い基材１５３に、開口部１５１−１よりも小さい複数の開口部１５１−２が形成されると共に光電膜１００が成膜されてなる。 - 特許庁 - A gas exhaust section sucks the source gas so that the source gas flows toward one end along the cylindrical longitudinal direction in the second-layer space by folding back the flow of the source gas at the other end of the reactor vessel.
ガス排気部は、リアクタ容器の他方の端で原料ガスの流れを折り返して第２の層の空間中を筒形状の長手方向に沿って一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する。 - 特許庁
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