「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 378 379 380 381 382 383 384 385 386 .... 429 430 次へ＞- The first lens group 110 includes a first lens element 111, a first buffer layer 112, a first transparent body 113, and a second lens element 114, which are arranged in order from the object side OBJS toward the image surface 140 side.
第１レンズ群１１０は、物体側ＯＢＪＳから像面１４０側に向かって順番に配置された、第１レンズエレメント１１１と、第１バッファ層１１２、第１透明体１１３と、第２レンズエレメント１１４と、を含む。 - 特許庁 - On the surface of the second electrode 412, a buffer layer formed by, for instance, LiNbO_3, LiTaO_3, or SA can be formed and thereby the growth direction of the IrO_x nanostructure is determined.
第２電極４１２の表面上には、例えばＬｉＮｂＯ_３、ＬｉＴａＯ_３またはＳＡによって形成される緩衝層を形成することが可能であり、これによって、ＩｒＯ_Ｘナノ構造体の成長方向が決められる。 - 特許庁 - Thus, the hologram coupled member 3 in which an optical coupling layer 34 formed as a result of cure of the light transmitting adhesive is interposed is formed between the facing surfaces of the first and second polarizing hologram substrates 4, 5.
これによって、第１および第２偏光ホログラム基板４，５の相互に対向する表面間に、透光性接着剤が硬化することによって形成される光学的結合層３４が介在するホログラム結合体３を形成する。 - 特許庁 - Thereby, light directed to the gaps 9s, 9t of the adjacent pixel electrodes 9a is optically modulated by the liquid crystal layer 50 during a period of being reflected by the drain electrode 6b and being protruded again from the second substrate 20 side and contributes to display.
このため、隣接する画素電極９ａの隙間９ｓ、９ｔに向かう光は、ドレイン電極６ｂで反射して再び、第２基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって光変調され、表示に寄与する。 - 特許庁 - The second resonator 28 penetrates an electrode 42, formed penetrating the principal surface of the fourth dielectric layer S4, and the first to third dielectric layers S1-S3, and has a via hole 44 which connects the electrode 42 and the ground electrode 18.
第２の共振器２８は、第４の誘電体層Ｓ４の主面に形成された電極４２と、第１〜第３の誘電体層Ｓ１〜Ｓ３を貫通し、且つ、電極４２とアース電極１８とを接続するビアホール４４とを有する。 - 特許庁 - A shielding film 8 is provided on the second face 20b side of the substrate 20 for the input device, and an adhesive layer 82 and a base material film 81 are interposed between the shielding electrode 83 and the substrate 20 for the input device.
入力装置用基板２０の第２面２０ｂ側にはシールド用フィルム８が設けられており、シールド用電極８３と入力装置用基板２０との間には接着剤層８２および基材フィルム８１が介在している。 - 特許庁 - In the semiconductor laser, an active layer 4 is provided inside an element body 5, a first electrode 6 is formed on an upper surface of the element body 5, and a second electrode 7 and a third electrode 8 are formed on a lower surface of the element body 5.
素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。 - 特許庁 - When it is assumed that there is little propagation path fluctuation of a mobile terminal for performing MIMO transmission, an OCC is used to separate a first layer and the other layers among three layers, and the second and third layers are separated by a cyclic shift.
ＭＩＭＯ伝送を行なう移動端末の伝搬路変動はほとんどないと考えると、３つのレイヤの内、第１レイヤとその他のレイヤの分離にＯＣＣを用い、第２および第３レイヤはサイクリックシフトによって分離させる。 - 特許庁 - A first heating resistor 13a, a second heating resistor 13b, and a third heating resistor 13c are divided in the sub-scanning direction of the thermal head and are arranged in parallel to the main scanning direction on a glaze layer 12 on a substrate 11.
支持基板１１上のグレーズ層１２に第１の発熱抵抗体１３ａ、第２の発熱抵抗体１３ｂ、第３の発熱抵抗体１３ｃがサーマルヘッドの副走査方向に分割され、その主走査方向に並行に配設される。 - 特許庁 - The multicolor layer 1001 forming the laminate structure 1000 has a structure such that a photo-curing ink of first color spreads across a predetermined range and a photo-curing ink of second color surrounds a predetermined range on the outer periphery thereof.
積層構造１０００を形成する複数色層１００１は、第１の色の光硬化型インクが所定の範囲に亘って拡がり、その外周の所定の範囲を第２の色の光硬化型インクが囲う構造をしている。 - 特許庁 - The layer thickness regulating member 24 has a pair of first ranges A located at both ends in the width direction and held by the developing roller 22 and the side seal 122, and a second range B provided between the pair of first ranges A.
層厚規制部材２４は、幅方向における両端部に位置して現像ローラ２２およびサイドシール１２２によって挟まれる１対の第１範囲Ａと、１対の第１範囲Ａの間に設けられる第２範囲Ｂとを有している。 - 特許庁 - A band layer 7 comprises: a first band ply piece 7A arranged on the left side of a tire equator C in a front view seen from a tread face side with a tire shaft core made horizontal; and a second band ply piece 7B arranged on the right side of the tire equator C.
バンド層７は、タイヤ軸芯を水平としたトレッド面側から見た正面視において、タイヤ赤道Ｃよりも左側に配される第１のバンドプライ片７Ａと、右側に配される第２のバンドプライ片７Ｂとからなる。 - 特許庁 - A first electrode 1001 and a second electrode 103 are facing each other through an air gap 1011 and an insulation layer 124, and the partition wall 1012 defines the outer periphery of the air gap 1011 and supports the diaphragm 121 movably.
第１の電極１００１と第２の電極１０３が、空隙部１０１１及び絶縁層１２４を介して対向しており、隔壁部１０１２は空隙部１０１１の外周を画して振動板１２１を可動に支持する。 - 特許庁 - When drainage containing mud or the like flows into the structure 1a, the mud is accumulated in the second structure 20, and the first permeable structure 10a and a permeable (infiltrating) crushed stone layer 92 at the outside can suppress plugging.
泥などを含む排水が構築物１ａに流入すると、泥は第２の構造体２０に溜まり、透水性の第１の構造体１０ａおよびその外側の透水性（浸透性）の砕石層９２が目詰まりするのを抑制できる。 - 特許庁 - A pixel of the liquid crystal display device includes a liquid crystal layer 30 including a nematic liquid crystal material having negative dielectric anisotropy, a first electrode 20A1, a second electrode 20A2 and a pair of vertical alignment layers 21A1 and 21A2.
本発明の液晶表示装置の画素は、誘電異方性が負のネマチック液晶材料を含む液晶層３０と、第１電極２０Ａ１と、第２電極２０Ａ２と、一対の垂直配向膜２１Ａ１、２１Ａ２とを備える。 - 特許庁 - To provide a superjunction Schottky barrier diode including a parallel p-n layer where a first-conductivity region and a second-conductivity region are alternately arranged, the Schottky barrier diode relaxing a surface electric field and reducing a leakage current.
第一導電型領域と第二導電型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備える超接合ショットキーバリアダイオードにおいて、表面電界を緩和し、漏れ電流の低減するショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁 - A wiring electrode 4 and an isolated gap electrode 5 without wiring are formed, an insulation layer 6 is formed thereon, then a display electrode 7, an exterior second display electrode 8a and an interior display electrode 8b are formed thereon.
配線電極４と配線のない独立した隙間電極５を形成し、その上に絶縁膜６を形成し、その上に表示電極７、外側第二表示電極８ａ及び内側表示電極８ｂを形成している。 - 特許庁 - The upper clad layers 15a of the mesa structure part 19a includes a first region 151a arranged on the core layer 14a, and a second region 152a and a third region 153a arranged on the first region 151a in parallel.
メサ構造部１９ａの上部クラッド層１５ａは、コア層１４ａ上に配置された第一領域１５１ａと、第一領域１５１ａ上に並んで配置された第二領域１５２ａ及び第三領域１５３ａとを含む。 - 特許庁 - The lithium battery electrode body 1 contains a current collector electrode 2 and an electrode mixture layer 3 in which a plurality of first particles 4 containing an electrode active material and a plurality of second particles 5 containing a solid electrolyte are mixed.
集電極２と、電極活物質を含む複数の第１粒子４と固体電解質を含む複数の第２粒子５とが混合されてなる電極合材層３と、を含んでなるリチウム電池用電極体１である。 - 特許庁 - The coating layer 20 is so composed that a first region 21 thereof which is located at the boundary with the silicon core 10 contains the carbon fibers and a second region 22 which is located on the outside of the first region 21 contains the silicon material and the carbon fibers.
被覆層２０のなかでケイ素核との境界に位置する第１領域２１が炭素繊維を含むようにし、第１領域よりも外側に位置する第２領域２２がケイ素材料と炭素繊維とを含むようにする。 - 特許庁 - To suppress sticking of toner to the electrode member of a layer thickness regulating member 25Y further than that in the conventional art, while suppressing developing concentration irregularity caused by adhesion of the toner to the surface of a first developing sleeve 21Y or a second developing sleeve 51Y.
第１現像スリーブ２１Ｙや第２現像スリーブ５１Ｙの表面に対するトナー付着に起因する現像濃度ムラを抑えつつ、層厚規制部材２５Ｙの電極部材に対するトナー固着を従来よりも抑える。 - 特許庁 - The second nitride semiconductor layer 14 has a contact part 14a having an inclination part of which the bottom or wall surface is included to a substrate surface and having a concave cross-section, and the electrodes 16, 17 having the ohmic properties are formed in the contact part 14a.
第２の窒化物半導体層１４は、底面又は壁面が基板面に対して傾斜した傾斜部を持つ断面凹状のコンタクト部１４ａを有し、オーム性を持つ電極１６、１７はコンタクト部１４ａに形成されている。 - 特許庁 - To provide a simple improved multi-layered permeation device (1) which can supply the first active agent in an outer layer (2) to one use environment and supply the second active agent in a core (5) to another use environment.
本発明は外層(２)中の第一の活性剤を一つの使用環境に、そしてコア(５)中の第二の活性剤を別の使用環境に供給することが可能な簡素で改良された多層浸透デバイス(１)を供給する。 - 特許庁 - In this liquid crystal display device, a liquid crystal panel, which has a first substrate on which nonlinear elements and electrodes are provided and a second substrate on which electrodes are provided and which is disposed to face to the first substrate and liquid crystal layer which is held between both substrates, is used.
非線形素子および電極が設けられた第１の基板と、電極が設けられ、第１の基板と対向配置された第２の基板と、前記両電極間に挟持された液晶層とを有する液晶パネルを使用する。 - 特許庁 - In the photosensitive layer 21, thickness or dynamic indentation hardness at the first end 22A in the latent image forming area 22 is larger than thickness or dynamic indentation hardness at the second end 22B in the latent image forming area 22.
感光層２１は、潜像形成領域２２における第１の端部２２Ａの厚みまたは動的押し込み硬さが、潜像形成領域２２における第２の端部２２Ｂの厚みまたは動的押し込み硬さに比べて大きい。 - 特許庁 - The side reinforcing rubber layer 10 is made of not less than two kinds of rubber materials at least including a first rubber part 11 and a second rubber part 12 made of the rubber material smaller by not less than four degrees in JIS durometer hardness than the first rubber part 11.
サイド補強ゴム層１０は、第１のゴム部１１と、この第１のゴム部１１よりもＪＩＳデュロメータ硬さ４度以上小さいゴム材からなる第２のゴム部１２とを少なくとも含む２種以上のゴム材からなる。 - 特許庁 - A penetration 53 leading to the sensor region 26 is formed in the substrate 50 beforehand, and thereby a sacrificial layer for forming the second electrode 22 can be removed using an etchant even after installing the sensor 20 at the tank 10.
基板５０には、センサ領域２６に通じる貫通孔５３を予め設けておくことにより、センサ２０をタンク１０に取付けた後であっても第２の電極２２を形成するための犠牲層をエッチャントで除去できる。 - 特許庁 - The second layers 7, 8, 9 has such an upper surface, when viewed from its section, that has a recess and a projection along a step shape formed between the upper surface of the underlying mark 1 and the upper surface of the first layer adjacent to the mark 1.
また、第二の層７，８，９の上面は、断面視において、下地マーク部１の上面と当該下地マーク部１に隣接する第一の層上面との間で生じている段差形状に沿った、凹凸形状が生じている。 - 特許庁 - An IP reception processing circuit 30 includes an IP reception processing section 31; a fragment managing section 32; a fragmentation information recording section 33; a first reception queue 34; a high-order layer transfer processing section 35; and a second reception queue 36.
このＩＰ受信処理回路３０は、ＩＰ受信処理部３１と、フラグメント管理部３２と、フラグメンテーション情報記録部３３と、第１受信キュー３４と、上位レイヤ転送処理部３５と、第２受信キュー３６とを具備する。 - 特許庁 - A first pattern 1 is formed on a substrate 3, and a layer 2 made of a material to be patterned is formed in the opening 4 of the first pattern 1, and then the first pattern 1 is removed to form a second pattern made of a material to be patterned.
基板３上に第一のパターン１を形成し、その第一のパターン１の開口部４に被パターン材料からなる層２を形成し、その後、第一のパターン１を除去して被パターン材料からなる第二のパターンを形成する。 - 特許庁 - Related to an embedded second layer wiring L2, comprising a conductive barrier film 17a that has barrier properties for diffusion of copper and the main conductor film 18a containing copper as the main component, the upper corners of the main conductor film 18a are made round.
銅の拡散に対してバリア性を有する導電性バリア膜１７ａおよび銅を主成分とする主導体膜１８ａを有する埋込第２層配線Ｌ２において、主導体膜１８ａの上部角に丸みを形成した。 - 特許庁 - Subsequently, a capacitor insulating film is formed on the whole surface of the substrate 201, a second conducting film 206 is formed on the capacitor insulating film, the layer 206 is made to remain on the alignment mark formation region and a plate electrode 206 is formed on the memory cell region.
続いて、全面に容量絶縁膜を形成し、その上に第２の導電層２０６を形成し、位置合わせマーク形成領域に第２の導電層２０６を残存させ、メモリセル領域にプレート電極２０６を形成する。 - 特許庁 - When the magnetic fields along the X axis, Y axis and Z axis are applied to a free layer of a magnetic storage element storing "1" in combination according to a second magnetic field application sequence, the magnetization LM and the magnetization UM are inverted.
“１”を記憶する磁気記憶素子の自由層に対して、第２磁場印加シーケンスに従って、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に沿った磁場が組み合わされて印加されると、磁化ＬＭ，ＵＭが反転する。 - 特許庁 - In a second method, a silicon oxide film and a silicon nitride film are formed on the Si-Ge mixed crystal layer that becomes the base and the silicon epitaxial film that becomes the emitter, and the silicon nitride film is subjected to wet etching by a selective etchant, for forming an emitter opening.
第２の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜の上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜を選択性エッチャントを用いてウエットエッチングしてエミッタ開口部を形成する。 - 特許庁 - An outer circumferential end B of a bonding interface A between the first and second metal layers is positioned farther toward the outside in the direction to be away from the operating region than the outer circumferential side surface 3c of the first insulating layer 3a.
第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 - 特許庁 - The reflective layer 32 is parted by a pair of grooves 33 and 33 into a first reflective region M1 intersecting one bonding wire 14 three-dimensionally and a second reflective region M2 intersecting the other bonding wire 14 three-dimensionally.
反射層３２は、一対の溝３３，３３によってボンディングワイヤ１４の一方と立体的に交差する第１の反射領域Ｍ１と、ボンディングワイヤ１４の他方と立体的に交差する第２の反射領域Ｍ２とに分断されている。 - 特許庁 - In such a case, the laser light is reflected by the PBS surface of a PBS prism 5, and led to a objective lens actuator 6 via a second reflection surface (plane), and then condensed on the first recording layer 101 of a disk 100.
かかる場合、レーザ光は、ＰＢＳプリズム５のＰＢＳ面によって反射され、その後、第２の反射面（平面）を経由して対物レンズアクチュエータ６に導かれ、ディスク１００の第１の記録層１０１上に集光される。 - 特許庁 - Each pixel PX has: a cathode, an anode, and an organic light emitting diode OLED including an organic layer; an N channel type drive transistor DR; an output switch SWa; a first capacitor section Cs; and a second capacitor section Cx.
各画素ＰＸは、陰極、陽極及び有機物層を含んだ有機発光ダイオードＯＬＥＤと、Ｎチャネル型の駆動トランジスタＤＲと、出力スイッチＳＷａと、第１容量部Ｃｓと、第２容量部Ｃｘとを有している。 - 特許庁 - Additionally in the liquid crystal display panel, a black matrix region on the second substrate on the non-terminal side, vertical to a running into direction of the substrate in rubbing and with no alignment layer formed thereon is formed so as to be longer than the travelling distance of the substrate while a rubbing roll makes one rotation.
前記第２基板上のラビングの基板突入方向と垂直な反端子側の配向膜が形成されていないブラックマトリクスの領域がラビングローラが１回転するあいだに進む距離よりも長く形成されている。 - 特許庁 - The dielectric layer 107 is provided with a plate electrode 701 which is connected to the first balanced terminal Pb1 and a plate electrode 702 which is connected to the second balanced terminal Pb2, both in opposition to the plate electrode 601.
誘電体層１０７には、第１平衡端子Ｐｂ１に接続する平板電極７０１と、第２平衡端子Ｐｂ２に接続する平板電極７０２とが、それぞれ平板電極６０１に対向するように形成されている。 - 特許庁 - A wiring layer 23 is formed to extend over the rear surface of the semiconductor chip 50, i.e. over the first semiconductor region 50A and the second semiconductor region 50B, while being connected with pad electrodes 11 and 11 through the via hole 21.
そして、ビアホール２１を通してパッド電極１１，１１に接続し、半導体チップ５０の裏面、即ち、第１の半導体領域５０Ａ及び第２の半導体領域５０Ｂ上に延びる配線層２３が形成されている。 - 特許庁 - The optical multilayer film 3 is deposited and formed in an optical member 2, and a second optical member 5 is adhered to an optical multilayer film adhesion surface 2a in the first optical member 2 via a photo- setting type adhesive layer 4.
光学多層膜３は第１の光学部材２に被着形成されており、第１の光学部材２の光学多層膜被着面２ａには光硬化型接着剤層４を介して第２の光学部材５が接着されている。 - 特許庁 - The memory cell transistor includes a first insulating film 102a on the semiconductor substrate, a charge storage layer 104, a second insulating film 106a made of aluminum oxide, a first control gate electrode 108a, and a first source/drain region.
メモリセルトランジスタは、半導体基板上の第１の絶縁膜１０２ａと、電荷蓄積層１０４と、アルミニウム酸化物である第２の絶縁膜１０６ａと、第１の制御ゲート電極１０８ａと、第１のソース／ドレイン領域を有する。 - 特許庁 - A first conductive film for wiring on a semiconductor substrate 101 is etched with a first via contact 106 as a mask to form a first layer wiring 1 03A, and a second interlayer insulation film 108 is deposited.
第１のビアコンタクト１０６をマスクとして半導体基板１０１上の第１の配線用導電膜に対してエッチングを行なって第１層配線１０３Ａを形成した後、第２の層間絶縁膜１０８を堆積する。 - 特許庁 - By this, the secondary particles 57 in which a myriad of the primary particles (raw material particles) 33 are flocculated via the second ion conductive polymer 51 on the target 55 are formed in layers on the target 55 to be the electrode layer 59.
これによって、ターゲット５５には、無数の一次粒子（原料粒子）３３が第二のイオン伝導性ポリマー５１を介して凝集してなる二次粒子５７が、ターゲット５５上で層状に形成され、電極層５９となる。 - 特許庁 - In the resonator, first and second conductors 13, 14 sandwich the resonance tunnel diode 11 and a resistive layer 12 in a direction nearly vertical to an in-plane direction of the resonance tunnel diode 11.
まず、本発明に係る共振器は、第１の導体１３と第２の導体１４とで、共鳴トンネルダイオード１１の面内方向に対して略垂直な方向に、該共鳴トンネルダイオード１１と抵抗層１２とを挟み構成される。 - 特許庁 - The glue rubber of the tooth part rubber layer 2 and the internal and external glue rubber layers 5 and 6 are formed by blending a first rubber component formed of nitrile rubber hydride with a second rubber component (peroxide cross-link) formed by adding zinc methacrylate to the nitrile rubber hydride.
歯部ゴム層２と内側及び外側糊ゴム層５，６との糊ゴムは、水素化ニトリルゴムからなる第１のゴム成分と、水素化ニトリルゴムにメタクリル酸亜鉛を添加した第２のゴム成分（パーオキサイド架橋）とをブレンドしたものである。 - 特許庁 - A first wiring pattern 11 is formed by etching on a metal flat plate, and a second wiring pattern 14 conducted through a first insulation layer 12, the first wiring pattern 11 and a through hole 13 is formed thereon.
金属平板上にエッチングによって第１の配線パターン１１を形成し、その上に第１の絶縁層１２、及び、第１の配線パターン１１とスルーホール１３を介して導通する第２の配線パターン１４を形成する。 - 特許庁 - Accordingly, even if impurities for forming the first and second source/drain regions 119A, 119B are injected, since the amorphous silicon layer 110 becomes a barrier of the impurities, generation of channeling is prevented.
これにより、上記第１，第２のソース／ドレイン領域１１９Ａ，１１９Ｂを形成するための不純物の注入を行っても、非晶質化シリコン層１１０がその不純物の障壁となるので、チャネリングの発生を防ぐことができる。 - 特許庁 - In the method to produce magnetic head, there are formed a first soft magnetic layer, conductor wire/coil, a second soft magnetic film and dielectric film with each prescript shapes in order, by sputtering and ion- milling processing, on an insulated substrate.
本発明の磁気ヘッド製造方法では、絶縁体基板の上に、スパッタリングとイオンミリング処理により、それぞれ所定の形状の、第１の軟磁性層、導体線、導体コイル、第２の軟磁性膜及び誘電体膜を順次形成する。 - 特許庁
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