「second-layer」を含む例文一覧(21457)
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ジルコニア固体電解質基板（２）に第１と第２の電極（８，１０）を配し、第１の電極（８）と基板（２）との間の電極下地層（９）が安定化剤以外の金属酸化物が添加されたジルコニア固体電解質からなる。 - 特許庁 - A sensing element 10 or detector activated by radiation comprises a first scintillator 12 excited by gamma radiation, and a neutron detecting layer 16, comprising a second scintillator 14 excited by neutron radiation.
ガンマ放射線によって励起される第１のシンチレータ（１２）と、中性子放射線によって励起される第２のシンチレータ（１４）を含む中性子検出層（１６）とを含む、放射線によって励起される検出素子（１０）または検出器。 - 特許庁 - The PTC layer 2 is molded to have an outer shape that includes almost all end faces of two unit cells 1 connecting the first and the second electrodes, and opens through-holes 2B located at end part electrodes 1A of the unit cells.
ＰＴＣ層２は、第一電極３と第二電極４を接続するふたつの素電池１の端面のほぼ全体を含む外形に成形され、素電池１の端部電極１Ａに位置して貫通孔２Ｂを開口している。 - 特許庁 - After the gettering layer 7 is removed, the crystallized semiconductor film 5a is irradiated with second laser light or strong light of energy density lower than that of the first laser light, so that a pin hole on the surface of the crystallized semiconductor film 5a is buried.
ゲッタリング層７を除去した後、結晶化半導体膜５ａに、第１のレーザー光よりエネルギー密度が低い第２のレーザー光又は強光を照射することにより、結晶化半導体膜５ａの表面のピンホールを埋める。 - 特許庁 - A contact layer 3a made of titanium, a first electrode film 3 made of platinum, a piezoelectric film 4 made of PZT and a second electrode film 6 made of platinum, are formed on an ALTiC substrate 1 in order by a sputtering method.
アルチック基板１の上にチタンよりなる密着層３ａと、白金よりなる第１の電極膜３と、ＰＺＴよりなる圧電体膜４と、白金よりなる第２の電極膜６をスパッタ法により順番に形成する。 - 特許庁 - Respective semiconductor layers from the second semiconductor laminate structure 20 to an n-type DBR layer 38 laminated on a substrate 10 constitute a resonator 50 for laser oscillation and the optical detection mechanism is incorporated in the resonator 50.
基板１０上に積層された第２半導体積層構造２０からｎ型ＤＢＲ層３８までの各半導体層がレーザ発振用の共振器５０を構成しており、光検出機構が共振器５０に内蔵されている。 - 特許庁 - Each of the first and second semiconductor laser elements has a ridge structure, the ridge crestal planes of the ridge structures are positioned on almost the same height from a datum surface of the semiconductor substrate layer, and these ridge structures are simultaneously formed.
第１、第２の各半導体レーザ素子はそれぞれリッジ構造を有し、これらの各リッジ構造のリッジ頂面が、半導体基板層の基準面からほぼ同じ高さに位置し、これらのリッジ構造が同時に形成される。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 includes a semiconductor substrate 10, a first semiconductor region 4 formed at a portion of a surface layer of the semiconductor substrate, and a second semiconductor region 6 enclosing the first semiconductor region in the loop shape.
半導体装置１００に、半導体基板１０と、半導体基板の表層の一部に形成されている第１半導体領域４と、第１半導体領域をループ状に囲んでいる第２半導体領域６が形成されている。 - 特許庁 - After this, a second heating treatment is performed and the catalyst element is gettered in the gettering region, whereby the catalyst element can be efficiently moved from a semiconductor layer, specially a region which is used as a channel formation region, to the gettering region.
この後、第２加熱処理を行い、前記ゲッタリング領域に触媒元素をゲッタリングすることにより、効率的に触媒元素を半導体層、特にチャネル形成領域となる領域からゲッタリング領域に移動させることができる。 - 特許庁 - In addition, at least a part of an internal electrode 3a overlaps an internal electrode 4a which is connected to the second external electrode 8 via a varistor layer at different heights in the laminating direction Y.
内部電極３ａの少なくとも一部が、バリスタ層を介して異なる高さ位置で第２の外部電極８に接続されて配置される内部電極４ａに、積層方向Ｙで重なり合うように、バリスタ素体２が構成される。 - 特許庁 - By shifting light in a blue wavelength region emitted from the second fluorescent material layer 22 to green wavelength and red wave length, the light emitting device emitting white light near a spectrum of sunlight can be obtained.
これにより、第２の蛍光体層２２から発せられる青色の波長域の光を緑色の波長、赤色の波長へとシフトさせることにより、太陽光のスペクトルに近い白色光を発する発光装置を得ることができる。 - 特許庁 - A multi-layer structure is manufactured by cold bonding first and second layers 2 and 3, at least one of which is made of single crystalline material via a metallic film 1 such as an Al film containing one or more sorts of metals.
１種類以上の金属を含む層、例えばＡｌ膜のような金属膜１を介して、少なくとも一方が単結晶材料からなる第１の層２および第２の層３を常温接合して多層構造体を製造する。 - 特許庁 - The information storage medium is provided with a recording layer constituted of dye materials having sensitivity of a prescribed level or above to both a beam having a first wavelength band and a beam having a second wavelength band shorter than the first wavelength band.
情報記憶媒体は、第１の波長帯の光ビーム及びこの第１の波長帯より短い第２の波長帯の光ビームの両方に所定レベル以上の感度を有する色素材料により構成された記録層を備える。 - 特許庁 - One layer formed on the first metal film 22 is a second metal film 24 composed of any one of materials in a group composed of molybdenum, tungsten, chrome, titanium, indium tin oxide, indium zinc oxide, and indium tin zinc oxide or the alloy of the material.
第１金属膜２２の上の１層は、モリブデン、タングステン、クロム、チタン、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛及び酸化インジウムスズ亜鉛からなるグループのいずれか１つの材料又は材料を含む合金からなる第２金属膜２４である。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 includes: an insulation film 154 formed on a substrate (not shown); and a MIM capacitor 200 including first and second electrodes formed in the same layer and oppositely disposed via the insulation film 154.
半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成された絶縁膜１５４、同層に形成されるとともに、絶縁膜１５４を介して対向配置された第１の電極および第２の電極、を有するＭＩＭキャパシタ２００とを含む。 - 特許庁 - In a cathode 22 as an electrode catalyst layer, Pt carrying carbon particles 50 and Pt non-carrying carbon particles 51 are mixed in a state coated, respectively, with a first electrolyte resin 71 and a second electrolyte resin 72.
電極触媒層であるカソード２２は、Ｐｔ担持カーボン粒子５０とＰｔ未担持カーボン粒子５１の両粒子をそれぞれ第１電解質樹脂７１と第２電解質樹脂７２で被膜した状態で混在させている。 - 特許庁 - This surface-emitting laser has an active layer between a first multilayer film mirror and a second multilayer film mirror.
第１の多層膜ミラーと第２の多層膜ミラーとの間に活性層を有する面発光レーザであって、第１の多層膜ミラーは、反射帯域の内に共振モードと、該共振モードとは異なる第１の縦モードが含まれるように構成されている。 - 特許庁 - The gate insulating film 19 contains nitride atoms therein, and includes first portions 191 contacting the epitaxial layer 8 outside the body regions 12, second portions 192 contacting the body regions 12, and third portions 193 contacting the source regions 15.
ゲート絶縁膜１９は、膜中に窒素原子を含み、ボディ領域１２外のエピタキシャル層８に接する第１部分１９１、ボディ領域１２に接する第２部分１９２およびソース領域１５に接する第３部分１９３を含む。 - 特許庁 - The present invention relates to the manufacturing method of the display device 1, having a first substrate 10, a second substrate 20 disposed opposite to it, and an electro-optical substance layer 30 held between those substrates.
本発明の表示装置の製造方法は、第１基板１０と、これに対向して配置された第２基板２０と、これら基板間に挟持された電気光学物質層３０と、を備えた表示装置１の製造方法である。 - 特許庁 - On this DRAM (dynamic random access memory) chip, a polysilicon wiring layer (p-Si) is used to form a line 3 of an external ground voltage ext.VSS, and first and second aluminum wiring layers (Al1, Al2) are used to form lines 4 and 5 of an external power voltage ext.VCC.
このＤＲＡＭチップでは、ポリシリコン配線層（ｐ−Ｓｉ）で外部接地電位ｅｘｔ．ＶＳＳのライン３を形成し、第１および第２のアルミ配線層（Ａｌ１，Ａｌ２）で外部電源電位ｅｘｔ．ＶＣＣのライン４，５を形成する。 - 特許庁 - The profile of an insulating film 11b covering the periphery of the corner of a connector 10c of a second layer coil 4b formed in the movable plate 1 to the lead-out wire 10b formed in the torsion bar 2 is formed planely in a roundish shape.
可動板１に形成された２層目コイル４ｂとトーションバー２に形成された引出し線１０ｂとの接続部１０ｃ角部周辺を被う絶縁膜１１ｂの形状を平面的に丸みを帯びた形状とする。 - 特許庁 - A resistance element is constituted, by using the two-layer gate structure, the first conductor is used as a resistor, and the second conductor and the insulation film are removed, with respect to a region of a part of the first conductor.
抵抗素子は、二層ゲート構造を用いて構成され、第１の導電体が抵抗体として用いられ、この第１の導電体上の一部の領域に関し第２の導電体及び絶縁膜が除去されている。 - 特許庁 - A process for accumulating the insulating protective film on the semiconductor substrate is performed, and the surface of the insulating protective film is dry-etched, and the tip of the bump 5 is removed to form a second insulating protective film 6 coating the barrier metal layer.
半導体基板上に絶縁性保護膜を堆積する工程と、前記絶縁性保護膜表面をドライエッチングして、バンプ５の先端部分を除いてバリアメタル層を被覆する第２の絶縁性保護膜６を形成する。 - 特許庁 - The resin pipe 20 is provided with a pipe body 22 formed of first resin material (PPS), and a reinforcement layer 24 laminated as tightly applied to an inner circumferential part of a connection end 20b, and formed of second resin material.
樹脂パイプ２０は、第１樹脂材料（ＰＰＳ）から形成されたパイプ本体２２と、上記接続端２０ｂの内周部に密着した状態で積層されかつ第２樹脂材料から形成された補強層２４とを備えている。 - 特許庁 - Of the wiring layer 35, a first connecting section 36F which is extended from the cavity 11 through the outside surface of the electronic component storing container 10 is formed in a narrower width than a second connecting section 36S not exposed in the cavity 11.
配線層３５のうちキャビティ１１から電子部品収納容器１０の外面まで貫通する第１の接続部３６Ｆは、キャビティ１１に露出しない第２の接続部３６Ｓと比べて線幅が狭く形成されている。 - 特許庁 - A comb-shaped periodic irregular structure 8 is provided on a surface of a semiconductor layer 3, a first electrode 1 is disposed on an upper face of a projection of the periodic irregular structure 8, and a second electrode 2 is disposed on a bottom face of the dented part.
半導体層３の表面に櫛形の周期的凹凸構造８を設け、周期的凹凸構造８の凸部の上面上に第１の電極１を配置し、凹部の底面上に第２の電極２を配置する。 - 特許庁 - The method for producing the spherical grain is characterized by comprising a first step of rounding edges of the crystal grain, and forming the central core grain, and a second step of fixing a coating layer on the surface of the central core grain.
本発明の球形粒の製造方法は、結晶粒の角を削って中心核粒子を形成する第１の工程と、前記中心核粒子の表面に被覆層を固定する第２の工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - The second intermediate layer contains at least one element selected from Co and Fe, contains Cu as a principal component is constituted of an alloy whose total rate of Co and Fe is 10 to 30 at.%, and has a film thickness between 5 nm and 100 nm.
第二中間層は、ＣｏとＦｅから選ばれる少なくとも一元素を含みＣｕを主成分とし、ＣｏとＦｅの合計割合が１０〜３０at.%となる合金で構成し、膜厚を５ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。 - 特許庁 - The control circuit 10 is mounted to a printed circuit board 22 that is fastened to a protruding column 21 of the heat sink 20, and a conductor layer pattern 24 adhered to the top face of the protruding column 21 is soldered to a second terminal Y of a thermistor 12.
ヒートシンク２０の突柱２１に締結されたプリント回路基板２２には制御回路１０が実装され、突柱２１の頂面に密着する導体層パターン２４はサーミスタ１２の第２の端子Ｙにはんだ付けされている。 - 特許庁 - Preferably, a plurality of the second grooves 48 having a larger groove depth than the thickness of the compound semiconductor layer to be epitaxially grown are further formed in parallel to each other on the surface of the film-forming substrate of the wafer in the direction crossing the first grooves.
また、好適には、エピタキシャル成長させる化合物半導体層の膜厚より深い溝深さの複数本の第２の溝４８を、相互に平行に、かつ第１の溝に交差する方向でウエハの成膜基板面に形成する。 - 特許庁 - In this case, the peripheral rim of the first adhesive layer 11 is forced out to the outside of the first semiconductor chip 12 while the peripheral rim of the second semiconductor chip 14 is projected out to the outside of the peripheral rim of the first semiconductor chip 12.
そして、第１の接着層１１の周縁部は第１の半導体チップ１２から外側にはみ出しており、第２の半導体チップ１４の周縁部は第１の半導体チップ１２の周縁部よりも外側に突出している。 - 特許庁 - In the second element, a cathode electrode layer comprising a dielectric oxide coating film 14, a solid electrolyte 15, and a conductive member 16 is provided on both surfaces of a valve action metal substrate 1 to form a cathode part 20 for transmission line formation.
第２の素子は、弁作用金属基体１の両面に誘電体酸化被膜１４、固体電解質１５および導電性部材１６からなる陰極電極層を設けて、伝送線路形成用の陰極部２０とする。 - 特許庁 - The magnetic convergence plate 12 is arranged on the Hall elements 14a and 14b on a second metallic film 16b through a first metallic film 16a arranged on the protection layer 15.
磁気収束板１２は、保護層１５上に設けられた第１の金属膜１６ａを介して、さらにその上に設けられた第２の金属膜１６ｂ上で、かつホール素子１４ａ，１４ｂの上方に配置されるように設けられている。 - 特許庁 - At the temperature where a mixture layer 2 is not melt, the first and second temperature indicating labels cannot be distinguished; but when irradiated with UV light by a black light, they are distinguished by the respective color development into red and green which are the respective color development color tones of the temperature indicating labels.
第一およぴ第二の示温ラベルは、混合物層２が融解しない温度では、区別はつかないが、ブラックライトでＵＶ光をあてるとそれぞれ示温ラヘレルの発色色調である赤と緑に発色するので、区別できる。 - 特許庁 - The first and second electrode are formed so as to inject electric currents, which are different from each other in intensity, into the parts of the active layer 24 which are corresponding to the diamond-shaped route 32 and divided by the diagonal lines of the diamond-shaped route 32.
第１および第２の電極は、活性層２４のうち経路３２に対応する部分であって経路３２の対角線で分割される複数の部分に、異なる量の電流を注入できるように形成されている。 - 特許庁 - The tip of the side of the track width defining part of the upper magnetic pole layer 13 opposite to an air bearing surface 30 is arranged on the air bearing surface 30 side more than the tip of the side of the second part 8b opposite to the air bearing surface 30.
上部磁極層１３のトラック幅規定部分におけるエアベアリング面３０とは反対側の端部は、第２の部分８ｂのエアベアリング面３０とは反対側の端部よりもエアベアリング面３０側に配置されている。 - 特許庁 - The electronic ink layer 600 is arranged between the first substrate 100 and the second substrate 500 and includes a plurality of charged particles 614 and the display state of the display device is determined in accordance with the distribution state of the charged particles 614.
電子インク層６００は、第１の基板１００と第２の基板５００の間に配置されて複数の帯電粒子６１４を含み、帯電粒子６１４の分布状態により表示装置の表示状態が決定される。 - 特許庁 - To provide an air component control method for a working atmosphere, not requiring a second protective film on the surface of a protective layer, and dispensing with an aging process, or remarkably reducing the time required for aging.
保護層の表面に第２保護膜を形成する必要がなく、しかも、エージング工程を不要にすることができる、ないしエージングに要する時間を大幅に短縮することができる、作業雰囲気の空気成分制御方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a glazed substrate 2 which meets conditions that surface waviness 5 of a second convex glazed layer 4 is 0.2 μm or less, straightness B in a direction of length of a pattern is 10 μm or less, and a radius R of curvature at an end is in a range of 3-5 mm.
凸状の第二グレーズ層４の表面うねり５が０．２μｍ以下、パターン長さ方向の直線度Ｂが１０μｍ以下、先端曲率半径Ｒが３〜５ｍｍを満足するグレーズド基板２を提供すること。 - 特許庁 - The first conductor wires 121-127 and the second conductor wires 111-116 are electrically connected to each other via through-hole conductors 131-155 for the formation of a coil surrounding the third insulating layer 103.
第１の導体配線１１１〜１１６及び第２の導体配線１２１〜１２７は、スルーホール導体１３１〜１５５によって電気的に接続され、第３番目の絶縁層１０３の周りを周回するコイルが構成されている。 - 特許庁 - A cutting device to cut a laminate member by abutting the cutting blade 32 to a receptacle 31 is furnished with a recess 31b at the receiving surface 31a of the receptacle 31 and having a depth corresponding to the thickness of the first or the second layer of the laminate member.
受台３１に切断刃３２を押し当てて積層部材を切断する切断装置において、受台３１の受面３１ａに積層部材の第１層又は第２層の厚さに相当する深さの凹部３１ｂが形成される。 - 特許庁 - Then, by a plasma CVD method which uses a second material gas comprising the mixed gas of C4F8/CH4, an organic insulating film 103 comprising an amorphous carbon fluoride film is deposited over the entire surface of the first tight-contact layer 102.
次にＣ_4Ｆ_8／ＣＨ_4 の混合ガスからなる第２の原料ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、第１の密着層１０２の上に全面に亘ってフッ素化アモルファスカーボン膜からなる有機絶縁膜１０３を堆積する。 - 特許庁 - The surface of the sample object 2 and/or the sample portion 4 has a decoration portion 8 formed for sterically producing a first pattern 10a and a second pattern 10b of a pattern layer 10 which is printed on the sample object 2 and/or sample portion 4.
また、見本体２及び/又は見本部４の表面には、該見本体２及び/又は見本部４に印刷された模様層１０の第１模様１０ａと第２模様１０ｂを立体的に現出する装飾部８が形成されている。 - 特許庁 - Since the second plating film comprises the metal baser than tin, it is oxidized more easily than the case of the first plating film, and, the prevention in the oxidation of the first plating film as the substrate is possible by the oxide layer, so as to improve the soldering properties or the like of the terminal component.
第二のめっき膜は、スズよりも卑な金属を含むので、第一のめっき膜よりも容易に酸化されるが、その酸化物層により下地の第一のめっき膜の酸化防止が可能で、はんだ付け性などが向上する。 - 特許庁 - The recording layer 24 includes a first coloring matter (main component), the locally maximum absorption wavelength of which lies within the range of 450-600 nm and at least a second coloring matter, the locally maximum absorption wavelength of which lies within the range of 600-750 nm.
この記録層２２は、極大吸収波長が４５０〜６００ｎｍの範囲にある第１色素（主成分）と、極大吸収波長が６００〜７５０ｎｍの範囲にある第２色素とを少なくとも含有している。 - 特許庁 - In the storage element, the layer containing a compound for showing liquid crystal properties is formed in contact with the first conductive layer and is a layer being subjected to phase transition at least from the first phase to the second phase.
第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層とに挟持される液晶性を示す化合物を含む層と、第１の導電層と第２の導電層に挟持され、液晶性を示す化合物を含む層に接する有機化合物を含む層と、を有し、液晶性を示す化合物を含む層は第１の導電層に接して形成されており、少なくとも第１の相から第２の相へ相転移する層である記憶素子である。 - 特許庁 - The organic electroluminescence element 1 includes an anode 20, a first layer 32, a second layer 34, a light emitting layer 40 containing a host compound and phosphorescence emitting dopant, and a cathode 50 in this sequence.
陽極２０、第一の層３２、第二の層３４、ホスト化合物とりん光発光性ドーパントを含有する発光層４０、及び陰極５０をこの順に有し、第一の層３２の最低励起３重項エネルギーレベルをＴｈ１、第二の層３４の最低励起３重項エネルギーレベルをＴｈ２、ホスト化合物の最低励起３重項エネルギーレベルをＴＨ、りん光発光性ドーパントの最低励起３重項エネルギーレベルをＴＤとしたとき、以下の関係を満たす有機エレクトロルミネッセンス素子１。 - 特許庁 - For the nonaqueous secondary cell comprising a positive electrode 1, a negative electrode 2 and a gel electrolyte layer 3 arranged between the electrode is 1 and e 2, the gel electrolyte layer 3 is obtained by impregnating a porous gel electrolyte layer precursor containing a first polymer insoluble in a nonaqueous electrolyte and a second polymer having the property of gelling the nonaqueous electrolyte with the nonaqueous electrolyte, and heating and cooling the impregnated electrolyte precursor.
正極１と、負極２と、前記正極１及び前記負極２の間に配置されるゲル電解質層３とを具備した非水二次電池において、前記ゲル電解質層３は、非水電解液に難溶性の第１のポリマー及び非水電解液をゲル化させる性質を有する第２のポリマーを含む多孔質なゲル電解質層前駆体に非水電解液を含浸させ、加熱し、冷却したものであることを特徴とする。 - 特許庁 - The pixel 24 includes a first conductive type semiconductor layer 28 formed on the substrate 22, a photoelectric conversion part 18 formed in the semiconductor layer 28, and a separation part formed in the semiconductor layer 28, surrounding the photoelectric conversion part 18 in planar view, and having a first conductive type first semiconductor region 31 and a first conductive type second semiconductor region 32 formed in a position shallower than the first conductive region 31.
画素２４は、基板２２上に形成された第１導電型の半導体層２８と、半導体層２８内に形成された光電変換部１８と、半導体層２８内に形成され、平面的に見て光電変換部１８を囲み、第１導電型の第１の半導体領域３１と第１の半導体領域３１よりも浅い位置に形成された第１導電型の第２の半導体領域３２とを有する分離部とを含む。 - 特許庁 - In the organic electroluminescent element including a rear face substrate 35 and an organic electroluminescent part that is formed on one face of the rear face substrate 35 and that is formed with a first electrode 32, an organic layer 31, and a second electrode 30 laminated sequentially, a nano-porous layer 34 and a high refractive index layer 33 are included between the rear face substrate 35 and the first electrode 32.
本発明により，背面基板３５と，背面基板３５の一面に形成され，第１電極３２，有機層３１及び第２電極３０が順次に積層されて形成された有機電界発光部とを含む有機電界発光素子において，背面基板３５と第１電極３２との間にナノ多孔質層３４及び高屈折率層３３を含むことを特徴とする有機電界発光素子及びその製造方法が提供される。 - 特許庁
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