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第１の電極１２と第２の電極１６との間に少なくとも光電変換層１４と電荷輸送層１３，１５とを積層して成る有機光電変換素子において、光電変換層がポルフィリン誘導体、若しくはアザポルフィリン誘導体から選ばれる少なくとも２種以上の材料を含有することを特徴とする有機光電変換素子。 - 特許庁 - The first switching element 10 has: a semiconductor layer laminate 13 composed of a nitride semiconductor formed on a substrate 11; a gate electrode 18, a first ohmic electrode 16 and a second ohmic electrode 17 formed on the semiconductor layer laminate 13; and a back electrode 20 formed on the back of the substrate 11.
第１のスイッチング素子１０は、基板１１の上に形成された窒化物半導体からなる半導体層積層体１３と、半導体層積層体１３の上に形成されたゲート電極１８、第１のオーミック電極１６及び第２のオーミック電極１７と、基板１１の裏面に形成された裏面電極２０とを有している。 - 特許庁 - The biosensor comprises an electrical insulating board 1, operating electrode 4 and counter electrodes 5 formed on the board 1, a first reagent layer 7 formed on the electrode 4, containing no enzyme and containing at least electron transporter and a second reagent layer 8 formed on the electrodes 5, containing no electron transporter and containing an at least enzyme.
電気絶縁性の基板１、基板１上に形成された作用極４および対極５、作用極４上に形成された、酵素を含有せず、少なくとも電子伝達体を含有する第１の試薬層７、並びに対極５上に形成された、電子伝達体を含有せず、少なくとも酵素を含有する第２の試薬層８を具備するバイオセンサ。 - 特許庁 - The ultrasound inspection method for noisy materials and the related probe are disclosed to inspect defects in a cast material that uses a polycarbonate delay (14) layer having a first surface configured to be disposed on a surface of the cast material and an acoustic crystal element (12) disposed on a second surface of the polycarbonate delay layer.
鋳造材料の欠陥を検査するために、鋳造材料の表面上に配置されるように構成された第１の表面を有するポリカーボネートディレイ（１４）層と、該ポリカーボネートディレイ層の第２の表面上に配置された音響水晶素子（１２）とを用いた、雑音のある材料の超音波検査方法及び関連するプローブが開示される。 - 特許庁 - A polyolefin resin film containing aluminum hydroxide or magnesium hydroxide as a fire retardant is laminated on the surface of a fire-retardant fluoroplastic film laminated steel plate through a first bonding agent layer, and also a transparent ethylene-tetrafluoroethylene copolymer film of 10-50 μm film thickness is provided thereon through a second bonding agent layer.
この難燃性フッ素樹脂フィルム積層鋼板は、鋼板表面に第１の接着剤層を介して水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウムを難燃剤として配合したポリオレフィン樹脂フィルムが積層され、更に膜厚１０〜５０μｍの透明エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体フィルムが第２の接着剤層を介して設けられている。 - 特許庁 - To prevent a stress at wire bonding, etc. to be applied to a minute wiring pattern in a first multilayer wiring structure, in a semiconductor integrated circuit device comprising a first multilayer wiring structure using a low dielectric constant inter-layer insulating film and a second multilayer wiring structure using an inter-layer insulating film of larger dielectric constant formed thereon.
低誘電率層間絶縁膜を使った第１の多層配線構造とその上に形成されたより誘電率の大きい層間絶縁膜を使った第２の多層配線構造とを有する半導体集積回路装置において、ワイヤボンディングなどの際の応力が第１の多層配線構造中の微細な配線パターンに印加されるのを抑制する。 - 特許庁 - A second face (307) of the flexible insulated support is covered by a layer (301) made of a thermally conductive material in order to dissipate heat generated by the light emitting diode, where the layer comprises a zone contacting the diode and a prolonged zone extended outside the contact zone, and dissipating of heat is substantially performed at the prolonged zone.
可撓性絶縁支持体の第２の面（３０７）は、発光ダイオードによって生成される熱を放散するために、熱伝導材料からなる層（３０１）で覆われており、この層は、ダイオードと接触する領域、およびこの接触領域から延出した延出部を備えており、この延出部で、実質的に熱の放散が行われる。 - 特許庁 - While the first recording film 3 records data using a light beam, when the second recording film irradiated with the light beam having a wavelength of 650 nm band and being focused through the substrate and the L0 layer as a condensing spot having a predetermined area, a reflectance R1 of the L1 layer is set in the range from 5% or more to 10% or less.
第１記録膜３が光によって情報が記録された記録済状態で、６５０ｎｍ帯の波長を有する光が基板とＬ０層を通して第２記録膜に対してフォーカスして所定の面積を有する集光スポットとして照射されたとき、Ｌ１層の反射率Ｒ１は５％以上１０％以下である。 - 特許庁 - The electron emission element comprises a cathode electrode formed on a substrate; a gate electrode positioned on the cathode electrode and other layers with a first insulating layer inbetween; an electron emitting section electrically connected to the cathode electrode; and the focusing electrode formed on the cathode and gate electrodes with a second insulating layer inbetween.
本発明による電子放出素子は、基板上に形成されるカソード電極と、第１絶縁層を間に置いてカソード電極と他の層に位置するゲート電極と、カソード電極に電気的に連結される電子放出部と、第２絶縁層を間に置いて前記カソード電極及びゲート電極上に形成される集束電極とを含む。 - 特許庁 - A Rh catalyst layer (the second catalyst layer 4) contains a carrier 5 consists mainly of zirconia, a Rh particle (a noble metal particle 6) supported on the carrier 5 and a binding member 7 which exists among carriers 5 and consists mainly of zirconia.
基材２上に複数の触媒層（第１の触媒層３，第２の触媒層４）が形成された排ガス浄化触媒１であって、ジルコニアを主成分とした担体５と、担体５上に担持されたRh粒子（貴金属粒子６）と、担体５間に存在するジルコニアを主成分とした結合部材７と、を含むRh触媒層（第２の触媒層４）を有することを特徴とする。 - 特許庁 - A metallic film 13 has a plurality of openings 14 arranged in a regular pattern satisfying a super-oscillation condition and is inserted between the auxiliary low refractive index layer 17 of the first multilayer film 11 and the auxiliary low refractive index layer 17 of the second multilayer film 12 at such a position that the light quantity distributed to the optical axis direction of the incident light does not become the maximum.
金属膜１３は、スーパーオシレーション条件を満足する規則的なパターンで設けられた複数の開口部１４を有し、第１多層膜１１の補助低屈折率層１７と第２多層膜１２の補助低屈折率層１７との間における入射光の光軸方向に分布する光量が極大とならない位置に挿入される。 - 特許庁 - The second laminated film for direct deposition of metal is constituted so that a styrene-based resin layer (B2) made of a resin composition (b2) containing a copolymer of styrene monomer and maleic anhydride as a resin component is laminated onto at least one side surface of the thermoplastic resin layer (A) made of the resin composition (a) containing a thermoplastic resin as a resin component.
本発明の第二の金属直接蒸着用積層フィルムは、熱可塑性樹脂を樹脂成分とする樹脂組成物（ａ）からなる熱可塑性樹脂層（Ａ）の少なくとも一方の面に、スチレン系単量体と無水マレイン酸との共重合体を樹脂成分とする樹脂組成物（ｂ２）からなるスチレン系樹脂層（Ｂ２）が積層されてなる。 - 特許庁 - The method comprises the steps of initially transmitting a broadcast physical layer packet according to a fixed transmission format for at least one first slot interval; and retransmitting the broadcast physical layer packet for at least one second slot interval, by using a variable transmission format different from the transmission format used in the first slot interval.
少なくとも１つの第１のスロット期間の間に、固定送信形式に従ってブロードキャスト物理層パケットを初期送信するステップと、少なくとも１つの第２のスロット期間の間に、第１のスロット期間で使用された送信形式とは異なる可変送信形式を用いてブロードキャスト物理層パケットを再送信するステップと、を有する。 - 特許庁 - The minute capacitance element includes: first and second metal electrodes having respective opposite facets, facing each other, formed on an insulator layer to define a first gap therebetween; and a shield electrode which is formed on the insulator layer, can be connected to an externally applied potential, and defines a slit confining a coupling capacitance within the first gap.
微小容量素子は、絶縁層上に成膜されかつそれぞれが互いに対向して第１間隙を画定する対向面を有する第１及び第２金属電極と、絶縁層上に成膜されかつ外部電位に接続可能でありかつ第１間隙内において結合容量制限スリットを画定するシールド電極と、からなる。 - 特許庁 - To allow the electrochromic device to have little or no offset between its front and rear elements, an electrical conductor may be provided to electrically couple a portion of a first conductive layer provided on the rear surface of the front element with a portion of a second conductive layer provided on the front surface of the rear element.
エレクトロクロミック装置がその前部及び後部要素間でオフセットが殆どないか又は全くないことを可能にするために、前部要素の後部表面上に設けられた第１の導電層の一部分を後部要素の前部表面上に設けられた第２の導電層の一部分に電気的に結合するように導電体を設けることができる。 - 特許庁 - To avoid formation of a level difference between a top surface of a semiconductor layer and a top surface of a semiconductor region and formation of a level difference on the top surface of the semiconductor region when manufacturing an SiC semiconductor device with a semiconductor region of a second conductivity type formed in a depth range including the top surface of the semiconductor layer of a first conductivity type.
第１導電型の半導体層の上面を含む深さ範囲に第２導電型の半導体領域が形成されているＳｉＣ半導体装置を製造する際に、半導体層の上面と半導体領域の上面との間に段差が形成されず、かつ、半導体領域の上面に段差が形成されないようにする。 - 特許庁 - A lightweight foamed rubber composition with its surface layer converted into ebonite is characterized by the natural fiber resin laminate constituted of a first laminate which is excellent in insulation, weatherability, acid resistance, and alkali resistance and has high mechanical strengths by converting its surface layer into ebonite and a second laminate having lightweight properties, low thermal conductivity, elastic force, and cushioning properties.
表層をエボナイト化することで絶縁性、耐候性、耐酸性、耐アルカリ性にすぐれ、また機械的強度が強い第一の積層体と、軽量性と低熱伝導性、弾性力およびクッション性を持つ第二の積層体で構成された天然繊維樹脂積層体を特徴とする表層がエボナイト化した軽量発泡ゴム組成物。 - 特許庁 - In one embodiment, the wick layer 24 has the composite structure of a first wick 26 formed by sintering the metal powder 26a, and a second wick 28 constituted by a plated layer 28a in which the minute carbon fiber 28b is mixed and formed so as to partially fill a gap in the first wicks 26 and to cover a surface part thereof.
一形態においてウイック層２４は、金属粉末２６ａを焼結してなる第１のウイック２６と、微小炭素繊維２８ｂが混入されためっき層２８ａからなり、第１のウイック２６内の空隙を部分的に充填するとともにその表層部分を覆うように形成された第２のウイック２８とが複合された構造からなる。 - 特許庁 - The fixing device includes: the fixing belt having a first metallic heat generation layer; a pressure roller opposed to the outer periphery of the fixing belt; an IH coil disposed in the hollow part of the fixing belt; a pressure pad configured to press the fixing belt to the pressure roller; and an auxiliary heat generation member disposed on the periphery of the fixing belt, and having a second metallic heat generation layer.
実施形態の定着装置は、第１の金属発熱層を有する定着ベルトと、定着ベルトの外周に対向するプレスローラと、定着ベルトの中空内部にあるＩＨコイルと、定着ベルトをプレスローラに加圧する加圧パッドと、定着ベルトの周囲にあり、第２の金属発熱層を有する補助発熱部材とを備える。 - 特許庁 - The coil embedded type inductor is constituted by arranging a first magnetic body 31 in a cylindrical coil 10 made of a wire which has an insulating coating layer 20 and is shaped in a nearly rectangular shape, surrounding its periphery with a nonmagnetic body 32, further surrounding the whole with a second magnetic body 33 and a third magnetic body 34, and forming an external electrode layer 40 at an outer peripheral part.
絶縁被覆層２０を備えた略矩形断面の線材からなる円筒コイル１０の内部に第１の磁性体３１を配置し、その周囲を非磁性体３２で取り囲み、さらに全体を第２磁性体３３および第３磁性体３４で取り囲み、外周部に外部電極層４０を形成することによりコイル埋設型インダクタを構成する。 - 特許庁 - The recording medium includes: a transparent resin sheet; a first lenticular lens 20 formed on one side of the transparent resin sheet; an image formation layer 22 which has a recording area 22a and non-recording area 22b and is formed on the other side of the transparent resin sheet and; and a second lenticular lens 24 which is formed on the non-recording area 22b of the image forming layer 22.
記録媒体は、透明な樹脂シートと、透明な樹脂シートの一方の面に形成される第１のレンチキュラーレンズ２０と、記録領域２２ａ及び非記録領域２２ｂを有し、透明な樹脂シートの他方の面に形成される画像形成層２２と、画像形成層２２の非記録領域２２ｂに形成される第２のレンチキュラーレンズ２４と、を含む。 - 特許庁 - In the gas sensor, a porous layer 112 is constituted of a first porous part 112A and a second porous part 112B, their porosities are each 20% or more and 70% or less, mutual porosities differ by 10% or more, and furthermore when an area of the porous layer is set to be 100%, both are adjusted so that the area ratios are each 70% or less.
ガスセンサでは、多孔質層１１２を第１多孔質部１１２Ａ，第２多孔質部１１２Ｂで構成し、それらの気孔率がいずれも２０％以上７０％以下で、かつ、互いの気孔率が１０％以上異なり、さらに多孔質層の面積を１００％としたときの面積率が何れも７０％以下になるように調整されている。 - 特許庁 - Reflection of light by the reflecting interfaces 16, 17 is so structured that either is to weaken against light of wavelengths away by +15 nm or more, and the other, against light of wavelengths away by -15 nm or more, at least against either a central wavelength of an emission spectrum of the first light-emitting layer 13a or a central wavelength of an emission spectrum of the second light-emitting layer 13b.
反射界面１６、１７による光の反射が、第１の発光層１３ａの発光スペクトルの中心波長および第２の発光層１３ｂの発光スペクトルの中心波長の少なくとも一方に対し、一方が＋１５ｎｍ以上、他方が−１５ｎｍ以下離れた波長の光に対して弱め合うようにする。 - 特許庁 - To solve the problems such as the decrease in a pattern resolution which may occur during the forming of second and later layers when a multi- layer circuit board is manufactured by an ordinary MCM-D process and the decrease in the flatness of the layer and to achieve the purpose at a low cost without necessitating a polishing process or the like in a damascene method.
多層回路基板の製造方法に関し、通常のＭＣＭ−Ｄプロセスで多層回路基板を作製するに際し、第２層以後の作製時に発生するパターン解像度の低下や各層に於ける平坦性低下の問題を解消し、ダマシン法に於ける研磨プロセスなどを必要とすることなく、低コストで目的を達成しようとする。 - 特許庁 - A method for producing the objective nitride semiconductor substrate comprises forming the seed crystal 2 of the nitride semiconductor on a substrate 1 different therefrom, forming a protective film 4, on the upper part of which the nitride semiconductor does not grow, and then growing a second nitride semiconductor layer 6 in a transverse direction from the edge face of a first nitride semiconductor layer 5 formed only by a transversely directional growth.
窒化物半導体とは異なる異種基板１上に窒化物半導体のシード結晶２を形成し、その上部に窒化物半導体が成長しない保護膜４を形成し、横方向成長のみで形成された第１の窒化物半導体層５の端面から第２の窒化物半導体層６を横方向成長させる。 - 特許庁 - In this method of encapsulating optoelectronic elements, by embedding the elements to be encapsulated between a first transparent polymer layer and a second polymer layer, which is filled with unactivated foaming agent, and then activating the foaming agent, so that both the polymer layers are joined to each other, in particular, welded to each other, and the elements are enclosed between both the polymer layers.
オプトエレクトロニクス素子の封入方法であって、被封入素子を、第１の透明なポリマー層と、未活性化発泡剤が充填された第２のポリマー層との間に埋め込み、次に発泡剤を活性化し、それによって、両ポリマー層を相互に結合し、特に相互に溶接し、素子を両ポリマー層の間に閉じ込める封入方法。 - 特許庁 - The second communication layer B is provided with a means for storing the identifier of the agent mounted on the communication adapter and a means for performing processing of determining whether a message received from the first communication layer A should be transferred to the agent or to the appliance main body through an appliance adapter interface, on the basis of a destination of the message and the agent identifier when receiving the message.
第２の通信レイヤＢは、通信アダプタ上に搭載されているエージェントの識別子を記憶する手段と、前記第１の通信レイヤＡからメッセージを受け取った際に、そのメッセージを宛先とエージェント識別子とを基に前記エージェントに渡すか機器アダプタインタフェースを介して機器本体に転送させるかを判断して処理する手段を具備する。 - 特許庁 - The reflective type display device has: a first light control layer with which a light absorption state and a light transmission state are electrically controllable from the outside; a second light control layer with which a light reflection state and the light transmission state are electrically controllable from the outside; and a reflection plate to reflect light in a specified wavelength region in this order from the light incident side.
反射型表示装置は、光の吸収状態と透過状態とを外部から電気的に制御可能な第１の調光層と、光の反射状態と透過状態とを外部から電気的に制御可能な第２の調光層と、特定の波長帯域を反射する反射板とを光の入射する側からこの順に有する。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with an embedded conductive film 12A formed of a conductor including impurity embedded in a channel part formed to a semiconductor substrate 10, and a bit line 12 formed of a first diffusion layer 12B formed in the regions in both sides of the channel part and a second diffusion layer 12C formed at the side wall and the bottom surface of the channel part.
半導体装置は、半導体基板１０に形成された溝部に埋め込まれた不純物を含む導電体からなる埋め込み導電膜１２Ａと、溝部の両側方の領域に形成された第１の拡散層１２Ｂと、溝部の側壁及び底面に形成された第２の拡散層１２Ｃとからなるビット線１２を備えている。 - 特許庁 - The semiconductor device is equipped with: a substrate 101; an emission member 150 which is composed of a semiconductor provided above the substrate 101; an electrical conduction layer 108 which is formed above the substrate 101 and receives light emitted from the emission member 150 and is composed of the semiconductor; and a first electrode 110 and a second electrode 111 which are connected to the electrical conduction layer 108.
半導体装置は、基板１０１と、基板１０１の上方に設けられた半導体からなる発光部１５０と、基板１０１の上方に設けられ、発光部１５０から放射される光を受け、半導体からなる電気伝導層と、電気伝導層に接続された第１の電極１１０及び第２の電極１１１とを備えている。 - 特許庁 - The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.
本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁 - The antireflective laminate according to the present invention includes a cellulose resin substrate, a first layer that contains the cellulose resin and (A1) at least one resin selected from an acrylic resin and a vinyl resin, and a second layer that contains (A2) a binder resin and (B) particles having a refractive index of 1.40 or less, in this order.
本発明に係る反射防止用積層体は、セルロース樹脂からなる基材と、前記セルロース樹脂並びに（Ａ１）アクリル系樹脂及びビニル系樹脂から選択される少なくとも一方の樹脂を含有する第１層と、（Ａ２）バインダー樹脂及び（Ｂ）屈折率が１．４０以下である粒子を含有する第２層と、をこの順番で備えることを特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises an intermediate layer of an oxide containing a first element, i.e. one of group III elements or group V elements formed on a semiconductor substrate, an insulating film of an oxide containing a second element, i.e. the other of group III elements or group V elements formed on the intermediate layer, and an electrode formed on the insulating film.
半導体基板上に形成された、ＩＩＩ族元素及びＶ族元素の一方である第１の元素を含む酸化物より成る中間層と、中間層上に形成された、ＩＩＩ族元素及びＶ族元素の他方である第２の元素の酸化物より成る絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極とを有している。 - 特許庁 - Thus, since a hot carrier flows within the first embedded layer 110a formed near the first mesa 109 in a low voltage region before starting multiplication, a flat part of M=1 appears in optical current/voltage characteristics, and a leak bus of a current is hardly formed on an interface of a protecting film 113 and the second embedded layer 110b.
これにより、増倍開始前の低電圧領域において、第１メサ１０９の近傍に形成された第１埋込み層１１０ａ内をホットキャリアが流れるので、光電流−電圧特性に増倍率（Ｍ）＝１の平坦部が現れるようになり、かつ保護膜１１３と第２埋込み層１１０ｂとの界面に電流のリークバスが形成され難くなる。 - 特許庁 - The catalyst includes the first catalyst layer with platinum and/or palladium supported and the second catalyst layer in which rhodium is supported in a support containing alumina solid-dissolved with lanthanum oxide and ceria zirconia sold-dissolved with lanthanum oxide in a ratio of the lanthanum oxide to the total mass of the support of 1-7 mass%, in this order from the side of the supporting substrate, on a supporting substrate.
支持基材の上に、該支持基材側から順に、白金及びパラジウムの少なくとも一方が担持された第１の触媒層と、酸化ランタンが固溶したアルミナと酸化ランタンが固溶したセリアジルコニアとを含む担体にロジウムが担持され、酸化ランタンの担体全質量に対する割合が１〜７質量％である第２の触媒層とを備えている。 - 特許庁 - The liquid crystal display device has a liquid crystal layer 40 containing a polymerizable monomer 40C sealed between a TFT substrate 20 and a CF substrate 30, wherein the liquid crystal layer 40 in each pixel has a first region 10A where a pretilt angle is imparted to liquid crystal molecules 40A and a second region 10B where the liquid crystal molecules 40A are vertically aligned to the substrate.
ＴＦＴ基板２０およびＣＦ基板３０の間に、重合性を有するモノマー４０Ｃを含む液晶層４０が封止され、液晶層４０は、各画素内に、液晶分子４０Ａにプレチルト角が付与された第１領域１０Ａと、液晶分子４０Ａが基板に対して垂直に配向してなる第２領域１０Ｂとを有している。 - 特許庁 - In one embodiment, the detector includes a source electrode (38) and a drain electrode (40) which consist of a first layer of a conductive material and a data line (44) which consists of a second layer of a conductive material so that the source electrode (38) and drain electrode (40) are vertically offset from the data line (44).
一実施形態では、この検出器は、導電性材料の第一の層で形成されたソース電極（３８）及びドレイン電極（４０）と、導電性材料の第二の層で形成されたデータ線（４４）とを、ソース電極（３８）及びドレイン電極（４４）がデータ線（４４）から上下方向にオフセットして設けられるようにして含んでいる。 - 特許庁 - A nonvolatile semiconductor memory has a substrate 1 having stripe-like trenches 50, each first electrode 10 buried in the bottom of each trench 50, each second electrode 20 covering the surface of the substrate interposed between the adjacent first electrodes to each other, each diffusion layer 40 served as each source or each drain, and each trap film 30 served as a charge accumulating layer.
本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、ストライプ状のトレンチ５０を有する基板１と、トレンチ５０の底部に埋設された第１の電極１０と、隣り合う第１の電極間１０の基板表面を覆う第２の電極２０と、ソース／ドレインとしての拡散層４０と、電荷蓄積層としてのトラップ膜３０とを備える。 - 特許庁 - A high-pressure gas layer is formed between an object 105 and the lower face of the substrate part 3 by the gas jetted by the first and second air flow jetting means, and the gap between the object 105 and the lower face of the substrate part 3 is kept constant by the equilibrium of the pressure and weight of the gas layer.
第１及び第２の空気流噴射手段により噴射される気体によって、対象物１０５と基材部３の下面部との間に高圧の気体層が形成され、この気体層の圧力と自重との均衡によって、対象物１０５と基材部３の下面部との間の間隔が所定の一定間隔に維持される。 - 特許庁 - The manufacturing method of the semiconductor device comprises: (a) a process of forming the contact hole (6) at an upper part inside an insulation layer 3 containing a silicon oxide by dry etching using a first etching gas containing an Xe gas, (b) and a process of deepening the contact hole 7 more inside the insulation layer 3 by dry etching using a second etching gas not containing the Xe gas.
半導体装置の製造方法は、（ａ）Ｘｅガスを含む第１エッチングガスを用いたドライエッチングにより、酸化シリコンを含む絶縁層３内の上部にコンタクトホール（６）を形成する工程と、（ｂ）Ｘｅガスを含まない第２エッチングガスを用いたドライエッチングにより、絶縁層３内でコンタクトホール７をより深くする工程とを具備する。 - 特許庁 - A first resin layer 50 made of a cured liquid resin is provided at bonding portions of the ferrite-magnet element 30 and the elements CS1, R to the substrate 20; and a second resin layer 60 made of a cured soft sheet-shaped resin adhered to a rear surface of the flat yoke 10 is provided around the ferrite-magnet element 30 and the elements CS1, R.
フェライト・磁石素子３０及び素子ＣＳ１，Ｒの基板２０に対する接合部には液状樹脂が硬化した第１の樹脂層５０が設けられ、フェライト・磁石素子３０や素子ＣＳ１，Ｒの周囲には平板状ヨーク１０の裏面に貼着された軟質シート状樹脂が硬化した第２の樹脂層６０が設けられている。 - 特許庁 - A VCSEL contains, on a substrate, an n-type lower DBR106, an active region, and a p-type upper DBR 110, a first selective oxidation layer 106A composed of an n-type AlAs being formed in the lower DBR 106, a second selective oxidation layer 110A composed of a p-type AlAs being formed in the upper DBR 110.
ＶＣＳＥＬは、基板上に、ｎ型の下部ＤＢＲ１０６、活性領域、ｐ型の上部ＤＢＲ１１０を含み、下部ＤＢＲ１０６内にｎ型のＡｌＡｓからなる第１の選択酸化層１０６Ａが形成され、上部ＤＢＲ１１０内にｐ型のＡｌＡｓからなる第２の選択酸化層１１０Ａが形成されている。 - 特許庁 - In the lochia absorption sheet comprises at least a liquid holding layer and a liquid leakage preventive layer in such a manner that the respective layers are connected at peripheral edges, a connecting line is provided along a contour line of a second using shape capable of conforming to the lingerie wearing time of the T-back shape, and the sheet can be cut short along the line.
少なくとも液保持層と液防漏層とを備え、周縁部で各層が接合されたおりもの吸収シートにおいて、その平面形状の内側に、Ｔバック形状の下着装着時に適合できる第２の使用形状の輪郭線に沿う接合ラインを設け、この接合ラインに沿っておりもの吸収シートを切り詰めることを可能とする。 - 特許庁 - While adjoining an electrode H1, forming the branching of the charge transfer channel 1, a pair of transfer electrodes connected to a first-layer electrode 2 and a second-layer electrode 3 are arranged, as well as, the horizontal shift register before branching, on each charge transfer channel 1, to form transfer electrodes HLa and HLb, respectively, of the horizontal shift register of the transfer channel 1.
電荷転送経路１の分岐を形成する電極Ｈ１に隣接して、それぞれの電荷転送経路１上には分岐前の水平シフトレジスタと同様に第１層目の電極２と第２層目の電極３が接続された電送電極が１対配置され、それぞれの転送経路1の水平シフトレジスタの転送電極ＨＬａ、ＨＬｂを形成する。 - 特許庁 - A ridge region is formed in a cap layer 107 and a second clad layer 105 by providing a groove region having at least one groove formed in the direction normal to the end face of the semiconductor laser wherein at least one of the groove regions on both sides of the ridge region has a plurality of grooves depending on the distance from the end face of the semiconductor laser.
キャップ層１０７と第２のクラッド層１０５に、半導体レーザの端面の法線方向に形成された少なくとも１つの溝を有する溝領域を設けてリッジ領域を形成し、このリッジ領域を挟む両サイドの溝領域の少なくとも一方を、半導体レーザの端面からの距離に応じて異なる複数の溝で構成することとした。 - 特許庁 - A semiconductor device includes a GaN layer 19, a base 13 including an active region 11a formed owing to the GaN layer, a gate electrode 15 formed on the active region, and first and second main electrodes 17a and 17b formed in the active region apart from and opposite each other with the gate electrode interposed.
ＧａＮ層１９、及びＧａＮ層に起因して発生した活性領域１１ａを含む下地１３と、活性領域上に形成されているゲート電極１５と、活性領域に形成されており、ゲート電極を挟んで互いに離間しかつ対向して形成されている第１及び第２主電極１７ａ及び１７ｂとを具える。 - 特許庁 - Then, at a position inside the periphery of the semiconductor substrate 7 by a prescribed width, a groove 18 reaching a surface layer section of the semiconductor substrate 7 through the second interlayer film 11 and the first interlayer film 9 from the surface of the uppermost layer wiring coating film 15 is formed while surrounding an element formation region B of the semiconductor substrate 7.
そして、半導体基板７の周縁から所定幅だけ内側の位置においては、最上層配線被覆膜１５の表面から第２層間膜１１および第１層間膜９を貫通して半導体基板７の表層部に達する溝１８が半導体基板７の素子形成領域Ｂを取り囲んで形成されている。 - 特許庁 - A resistance layer is provided on the surface of a developer carrier, whereby counter charge generated in a developer by toner supply to the first toner carrier on the upstream side in the rotating direction of the developer carrier is not completely attenuated before the developer moves to the second toner carrier on the downstream side to remain in the developer or the resistance layer surface.
現像剤担持体表面に抵抗層を設け、現像剤担持体の回転方向上流側の第１のトナー担持体へのトナー供給によって現像剤中に生じたカウンターチャージが、下流側の第２のトナー担持体に現像剤が移動するまで減衰しきらず、現像剤中もしくは抵抗層表面に残留するように構成する。 - 特許庁 - A rear surface protecting sheet 1 for a solar cell is constituted by integrally laminating a first weatherability base 3 consisting of resin, and a second weatherability base 4 including a white layer 4a obtained by coloring resin white and a barrier layer 5 of an inorganic compound deposited on the side of the first weatherability base 3.
本発明の太陽電池用裏面保護シート１は、樹脂からなる第１の耐候性基材３と、樹脂を白色に着色してなる白色層４ａを含むとともに、第1の耐候性基材３側に無機化合物からなるバリア層５が蒸着された第２の耐候性基材４と、を積層し一体化してなることを特徴とする。 - 特許庁 - The plastic bag 9 is held in a state along the rear face 21 of the concave mirror plate 2 by a first intermediate layer 10 formed of an air mat filled between the concave mirror plate 2 and the bag 9 and a second intermediate layer 11 formed of an air mat 12 and an insulator 13 filled between the bag 9 and the mounting plate 3.
プラスチック袋９は、凸面鏡板２と袋９の間に充填されたエアーマットによって形成された第１の中間層１０と、袋９および取付板３の間に充填されたエアーマット１２および断熱材１３からなる第２の中間層１１によって、凸面鏡板２の背面２１に沿った状態に保持されている。 - 特許庁
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