「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 371 372 373 374 375 376 377 378 379 .... 429 430 次へ＞- When a P-type semiconductor layer is epitaxilally grown, a first gas flow F1 flowing from a first gas flow port 11 via the zinc crucible 3 and sequential containers to a second gas flow port 12 is generated.
Ｐ型半導体層をエピタキシャル成長させるときには、第１気体流通口１１から、亜鉛壺３および処理容器１群を順に通って第２気体流通口１２に至る第１気流Ｆ１が形成される。 - 特許庁 - The memory device has a first insulating film 102, a charge storing insulating film 103, and a second insulating film 104 on the semiconductor layer 101; and further has a gate electrode 105 made of polysilicon on an upper surface thereof.
半導体層１０１上には、第一の絶縁膜１０２、電荷蓄積絶縁膜１０３、および第二の絶縁膜１０４を有しており、さらに、その上側に、ポリシリコン等よりなるゲート電極１０５を有する。 - 特許庁 - In a second step, releasing the flexible polymer from the template is followed by pressing the inverse pattern of the flexible polymer replica into a resist layer (14) on a substrate to imprint a replica of the pattern of the template surface in therein.
第二工程で、可撓性重合体レプリカをテンプレートから引き離した後、可撓性重合体レプリカの逆パターンを、基材上のレジスト層１４中にプレスし、テンプレート表面のパターンのレプリカをインプリントする。 - 特許庁 - An active layer 11c is formed on the second semiconductor substrate 12 via an oxide film 11a by conducting the heat treatment to the laminated material 13, and by separating the laminated material 13 with an ion-implanting region 11b.
この積層体１３を熱処理して積層体１３をイオン注入領域１１ｂで分離することにより第２半導体基板１２上に酸化膜１１ａを介して活性層１１ｃを形成する。 - 特許庁 - This charger is a device for charging the voltage generated by a dynamo 2, and comprises a full-wave rectifying circuit 5, an electric double layer capacitor 6, a first electrolytic capacitor 7, and a second electrolytic capacitor 8.
この充電装置は、ダイナモ２で発電された電圧を充電するための装置であって、全波整流回路５と、電気２重層コンデンサ６と、第１電解コンデンサ７と、第２電解コンデンサ８とを備えている。 - 特許庁 - A mold exterior resin 8 is formed around a second conductive layer 4b, the cathode terminal 6, and the anode terminal 7, such that the ends of the cathode terminal 6 and the anode terminal 7 are drawn out.
また、陰極端子６および陽極端子７の端部が外部に引き出されるように、第２導電層４ｂ、陰極端子６および陽極端子７の周囲には、モールド外装樹脂８が形成されている。 - 特許庁 - A carbon fiber mat is impregnated into a first thermoplastic resin and then grinded or cut to form the granular substances, which are mixed with a second thermoplastic resin melted and molded to form a base material layer 1.
カーボン繊維マットに第１の熱可塑性樹脂を含浸させた後、粉砕又は切断して得られた粒状体と、第２の熱可塑性樹脂樹脂とを混合して溶融成形することにより基材層１を形成する。 - 特許庁 - After that, the feed gas is supplied, a second semiconductor layer 4 that is generated with dot structure made of a semiconductor crystal as a new crystal growth nucleus is used, and the semiconductor base is completed.
しかる後、原料ガスを供給し、半導体結晶からなるドット構造を新たな結晶成長核として生成される第２の半導体層４を形成して、本発明の半導体基材が完成する。 - 特許庁 - Concurrently, it measures the peaks of the largest S curve and the second largest S curve, and sets a flag showing the possibility that there is an HDDVD layer when this peak ratio is within the predetermined range.
同時に、最も振幅が大きいＳカーブと次に振幅が大きいＳカーブのピーク比を測定し、このピーク比が、所定レンジ内にあるときに、ＨＤＤＶＤ層が存在する可能性があることを示すフラグを立てておく。 - 特許庁 - A first and a second electrodes 120 and 124 are provided on an element substrate 100, and a third electrode 218 is provided on a counter substrate 200 facing the element substrate 100 via a liquid crystal layer 300.
第１電極１２０と第２電極１２４とは素子基板１００に設けられ、素子基板１００と液晶層３００を介して対向する対向基板２００に第３電極２１８が設けられている。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting device according to an embodiment includes: a light-emitting part 17; a translucent part 60; a wavelength conversion part (phosphor layer 70); a first conductive part 31; a second conductive part 32; and an encapsulation part 50.
実施形態によれば、発光部１７と、透光部６０と、波長変換部（蛍光体層７０）と、第１導電部３１と、第２導電部３２と、封止部５０と、を備えた半導体発光装置が提供される。 - 特許庁 - After an opening 17A (first opening) is formed in the liquid-repellent layer 17 and a hollow 18 of the same size is formed in the gate insulating film 13, the opening 17A is widened to form an opening 17B (second opening).
撥液層１７に開口１７Ａ（第１開口）を形成すると共にゲート絶縁膜１３に同じ大きさの窪み１８を形成したのち、開口１７Ａを拡幅して開口１７Ｂ（第２開口）を形成する。 - 特許庁 - The conductive layer includes a wiring region 26 serving as an inductor, a first end region 22 to which one end of the wiring region 26 is connected, and a second end region 24 to which the other end of the wiring region 26 is connected.
導電層は、インダクタとなる配線領域２６と、配線領域２６の一端が接続される第１端部領域２２と、配線領域２６の他端が接続される第２端部領域２４を備えている。 - 特許庁 - When the conductive layer is viewed in a plane, a circumference of the first end region 22 is not surrounded with the wiring region 26, and a circumference of the second end region 24 is not surrounded with the wiring region 26.
導電層を平面視したときに、第１端部領域２２の周囲が配線領域２６によって取囲まれておらず、かつ、第２端部領域２４の周囲が配線領域２６によって取囲まれていない。 - 特許庁 - A first active region 9a and a second active region 9b include central top surfaces 9t of a (100) crystal plane and inclined edge surfaces 9e extending from the central top surfaces 9t to the device isolation layer 14.
第１活性領域９ａ及び第２活性領域９ｂは（１００）面の中心上面９ｔ及び中心上面９ｔから素子分離膜１４に向けて延びる傾斜エッジ面９ｅを有する。 - 特許庁 - When recording a mark for a first round on a recording layer, the irradiation spot of a second light beam is shifted to the recording direction, and thereby the end point of the first mark recording is retracted to the recording direction.
記録層に対する最初の１周分のマーク記録時に第２の光ビームの照射スポットを記録方向側にシフトさせることで、１周目のマーク記録終了位置を記録方向側に待避させる。 - 特許庁 - The elastic layer 100B spirally arranged is provided with a second edge portion 100C_2 that comes in contact with a surface to be cleaned at an angle different from that of each of first edge portions 100C_1 located at both ends in the spiral width direction thereof.
そして、螺旋状に配置された弾性層１００Ｂに、螺旋幅方向の両端部に位置する第１エッジ部１００Ｃ_１とは異なる角度で被清掃面に接触する第２エッジ部１００Ｃ_２を設ける。 - 特許庁 - Then, the coil 23 is wound around the tooth covering unit 32 from the projection guide unit 35 and is wound, in a manner such that a second layer coil line 42 of the coil 23 does not abut against the root 23b of the leading wire 23s.
そして、コイル２３は、突出案内部３５からティース被覆部３２に巻回され、該コイル２３の第２層コイル線４２が引き出し線２３ｓの根本部分２３ｂと接触しないように巻回される。 - 特許庁 - The stamp material layer of a cupola hearth 22 consists of first layers 24a and 24b on the upper surface side formed of a material high in corrosion resistance, and second layers 26a and 26b on the under surface side formed of a material high in heat insulation property.
キュポラ炉床２２におけるスタンプ材層は上面側の耐食性の高い素材にて構成された第１層24a, 24bと下面側の断熱性の高い素材にて構成された第２層26a, 26bとから構成される。 - 特許庁 - An intermediate layer 42 refers to a managed table and determines whether a command received by a communication unit 41 is a command directed to a first operating system 43 or a command directed to a second operating system 44.
中間層４２は、通信部４１で受信されたコマンドを、管理しているテーブルを参照し、第１オペレーティングシステム４３に対するコマンドであるか、第２オペレーティングシステム４４に対するコマンドであるかを判定する。 - 特許庁 - The rewiring 40 has a center line average roughness of 100 nm or more on its surface joined with the second insulating layer 32 and the solder bump 55 strides over the rewiring 40 not electrically connected with the solder bump.
再配線４０は、第２の絶縁層３２との接合面において１００ｎｍ以上の中心線平均粗さを有し、はんだバンプ５５は、該はんだバンプに電気的に接続されない再配線４０に跨る。 - 特許庁 - A multilayer structure has a semiconductor element 15 which is mounted on a first major surface 11a and a conductive layer 13 which is arranged on a second major surface 11b of a substrate 11 and recedes from a side surface 11s of the substrate 11.
積層構造体は、第１主面１１ａに搭載された半導体素子１５と、基板の第２主面１１ｂに設けられ、基板１１の側面１１ｓから後退した導電層１３と、を有する。 - 特許庁 - Further, the magnetic random access memory includes a second selection transistor including the first diffusion region and a third diffusion region which are formed in the active region 12, and first wiring electrically connected to the first pinned layer.
さらに、アクティブ領域１２に形成された前記第１の拡散領域及び第３の拡散領域を有する第２の選択トランジスタと、固定層に電気的に接続された第１の配線とを備える。 - 特許庁 - A via hole 16 is formed in the insulating layer 12 by second laser light L2 with a spot diameter D3 larger than a diameter D1 of a ridgeline of a bump part 26a formed at the peripheral edge of the opening 26 of the masking film 24.
マスキングフィルム２４の開口部２６の周縁に形成された隆起部２６ａの稜線の直径Ｄ１よりも大きなスポット径Ｄ３の第二のレーザ光Ｌ２により、絶縁層１２にビアホール１６を形成する。 - 特許庁 - A portion 11a1 at least on one side of the wiring material 11 is bonded to a portion where first and second electrodes 23 and 24 are mixed on a first principal surface 20b with an adhesive resin layer 12.
配線材１１の少なくとも一方側の部分１１ａ１は、第１の主面２０ｂの第１及び第２の電極２３，２４が混在している部分に対して接着性樹脂層１２により接着されている。 - 特許庁 - The buried LDD region is spaced laterally apart from the drain region, and a second LDD region of the first conductivity type is formed proximately to the upper surface of the semiconductor layer in the buried LDD region.
この埋込みＬＤＤ領域はドレイン領域から横方向に離隔され、この埋込みＬＤＤ領域内の半導体層の上部表面の近傍に第１の導電型の第２のＬＤＤ領域が形成される。 - 特許庁 - In the semiconductor device, a nitrogen added silicon dioxide thin film 4B is stacked on a fluorine added silicon dioxide thin film 4A, and on the top of this nitrogen added dioxide thin film 4B, the metallic wires 6 of a second layer are arranged.
半導体装置において、弗素添加酸化珪素膜４Ａ上に窒素添加酸化珪素膜４Ｂが配設され、この窒素添加酸化珪素膜４Ｂ上に第２層目の金属配線６が配設されている。 - 特許庁 - The resistance changing layer 12 can change an electrical resistance value among a plurality of states by applying a voltage or a current between the first electrode 11 and the second electrode 13.
抵抗変化層１２は、第１の電極１１と第２の電極１３との間に電圧または電流を印加することによって、電気抵抗値が異なる複数の状態間で変化させることが可能な層である。 - 特許庁 - The end face of the pole layer 24 arranged at a medium facing surface has a first portion 41 and a second portion that is loacated apart from a substrate at the first portion and connected to the first portion.
媒体対向面に配置された磁極層２４の端面は、第１の部分４１と、この第１の部分４１よりも基板から遠い位置に配置され、且つ第１の部分に接続された第２の部分４２とを有している。 - 特許庁 - The method for manufacturing the diaphragm structure comprises the steps of forming body parts 30A and 30B and diaphragms 31A and 31B of diaphragm constituting elements by using a normal semiconductor process on first and second substrates 1A and 1B via a mold release layer 2.
第１および第２の基板１Ａ，１Ｂ上に離型層２を介して通常の半導体プロセスを用いてダイヤフラム構成要素である胴体部３０Ａ，３０Ｂおよびダイヤフラム部３１Ａ，３１Ｂを形成する。 - 特許庁 - Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive layer reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further it is made to adjoin the source 26 and the drain 28.
さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電層である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともにソース２６とドレイン２８とも隣接させる。 - 特許庁 - A glass transition point of a dielectric paste that is used for forming the second dielectric layer 32B is set at a lower temperature than that of a sealing exhaust gas, and the softening point is set at a higher temperature than that of the sealing exhaust gas.
第２誘電体層３２Ｂの形成に用いる誘電体ペーストのガラス転移点を封着排気温度よりも低い温度に設定し、かつ、軟化点を封着排気温度よりも高い温度に設定している。 - 特許庁 - The first handrail part 5 and the second handrail part 6 are constituted of a tubular member having a cross-sectional shape of an ellipse shape as a whole by coating the peripheral face of a metal circular tubular material 7 with a resin layer 8.
第１の手摺部５と第２の手摺部６は、金属製の円形管材７の周面に樹脂層８を被覆して、全体として楕円形の断面形状を有する管状部材によって構成されている。 - 特許庁 - The packaging substrate has a double-layer conductive pattern structure, has signal wiring patterns and power supply wiring patterns 300-307 for connecting the memory device to the data processing device on the first surface, and has a ground pattern on a second surface.
前記実装基板は２層の導電パターン構造を有し、第１面にはメモリデバイスとデータ処理デバイスを接続する信号配線パターンと電源配線パターン（３００〜３０７）を有し、第２面にはグランドパターンを有する。 - 特許庁 - This nonvolatile semiconductor storage device is divided into first and second regions I, II, and in the first region I, an n+ layer 9 is formed so as to extend from a source region 3 into under a floating gate 6.
不揮発性半導体記憶装置は、第１、第２の領域Ｉ，ＩＩに分割され、第１の領域Ｉにおいて、ソース領域３から浮遊ゲート６の下に拡張してｎ＋層９が形成されている。 - 特許庁 - The third lower semiconductor DBR 103_3 is provided between a resonator structure and the second lower semiconductor DBR 103_2, and each refraction layer is set to have an optical thickness of λ/4.
第３の下部半導体ＤＢＲ１０３_３は、共振器構造体と第２の下部半導体ＤＢＲ１０３_２との間に設けられ、各屈折率層はいずれもλ／４の光学厚さとなるように設定されている。 - 特許庁 - Wood veneers are laid on top of each other for multi-layer wood, plywood, or some other sandwich material (20), the veneers included in the second density category serving a middle veneers (14).
ベニア板は積層木材、合板又は他のサンドイッチ材料（２０）を作るために積重ねて置かれ、第１密度カテゴリーに入るベニアは表面板（１３）として使い、第２密度カテゴリーに入るベニアは中板（１４）として使う。 - 特許庁 - On an N type silicon substrate (first substrate) 110, an epitaxial silicon layer (second substrate) 111 is formed at an impurity concentration lower than that of the silicon substrate 110, e.g. a concentration of 1E14 or less, thus completing a silicon substrate.
Ｎ型シリコン基板（第１基板）１１０の上に、このシリコン基板１１０より不純物濃度の低い、例えば１Ｅ１４以下の濃度でエピタキシャルシリコン層（第２基板）１１１を形成してシリコン基板を完成する。 - 特許庁 - The liquid crystal display device has a liquid crystal modulation element having a liquid crystal layer 100 between a first electrode 102 and a second electrode 103, and a light source 210 for illuminating the liquid crystal modulation element.
液晶表示装置は、第１の電極１０２および第２の電極１０３の間に液晶層１００を有する液晶変調素子と、該液晶変調素子を照明する光源２１０とを有する。 - 特許庁 - The barrier ribs 4 are made from photoresist and each comprise two reverse-tapered projecting strips 4a and 4b extending parallel to the second electrodes 7, and a forward-tapered insulating layer 8 formed on the outside of the projecting strips.
隔壁４はフォトレジストにより形成され、第２電極７と平行に延びる２本の逆テーパ状の凸条４ａ，４ｂと、その外側に形成された順テーパ状の絶縁層８とで構成されている。 - 特許庁 - The power generation array is constituted by providing a plurality of element support portions supporting many photoelectric converting elements to the first conductor layer at intervals and connecting second conductor layers independent by the element support portions.
第1導電体層に多数の光電変換素子を支持する素子支持部を間隔を隔てて複数設けるとともに、各素子支持部毎に独立した第２導電体層を接続した発電アレイを構成する。 - 特許庁 - Moreover, a mold exterior resin 8 is formed around the second conductive layer 4b, cathode terminal 6 and anode terminal 7 such that ends of the cathode terminal 6 and anode terminal 7 are drawn out.
そして、陰極端子６および陽極端子７の端部が外部に引き出されるように、第２導電層４ｂ、陰極端子６および陽極端子７の周囲には、モールド外装樹脂８が形成されている。 - 特許庁 - Each organic layer 25 is formed at the intersection of the first 22 and second electrodes 26 in the shape of independent island and located within the width of the first electrode 22 when viewed on the plan.
有機層２５は第１の電極２２と第２の電極２６との交差する位置にそれぞれ島状に独立して設けられているとともに、平面視した状態で第１の電極２２の幅内に配置されている。 - 特許庁 - In particular, the first electrode is formed using a corrugated shape provided by anisotropic-etching one face of an Si substrate 11 for forming the cavity, the second electrode is formed thereon via sacrifice layer 16, and the backplate is formed further.
特に第１の電極を、キャビティを形成するＳi基板１１の一面を異方性エッチングした波形形状を利用して形成し、この上に犠牲層１６を介して第２の電極を、更にバックプレートを形成する。 - 特許庁 - At least one specified source/drain region in the first and second source/drain regions has effective width which is substantially larger than width of bonding between the semiconductor layer and the specified source/drain regions.
第１および第２のソース／ドレイン領域のうちの少なくとも特定の１つは、半導体層とその特定のソース／ドレイン領域との間の接合の幅よりも実質的に大きな実効幅を有して形作られている。 - 特許庁 - The first groove 26 and the second groove 25 whose depth are different from each other are formed by utilizing a difference of their detachability to stripping liquid using a resist layer comprised of 2 kinds of resist materials with each having a different characteristic.
このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、特性の異なる２種類のレジスト材料からなるレジスト層を用い、これらの剥離液に対する剥離性の違いを利用して形成される。 - 特許庁 - To previously form a ball cell substrate, to remove the diffusion layer of second conductivity tape silicon along a spherical outline without local heating, to expose first conductivity type silicon and to form a ball diode substrate.
予め、ボール・セル基板を形成し、局所的な加熱を伴わずに球状輪郭に沿って第２導電型シリコンの拡散層を取り除き第１導電型シリコンを露出させて、ボール・ダイオード基板を形成することにある。 - 特許庁 - To provide a pumping and draining device capable of reducing the cost for work, properly draining the groundwater of a first aquifer 5 to a second aquifer 6, and properly removing a filtered matter accumulated on a draining layer screen 4.
工事のコストを低減でき、第２帯水層６へ第１帯水層５の地下水を適切に排出可能であり、かつ、排水層スクリーン４に蓄積された濾過物を適切に除去できる揚排水装置を提供する。 - 特許庁 - The monotone function is used as an activation function of a first neuron group N1 and 2r pieces of neurons 11-1r and 21-2R structuring a second neuron group N2 included in an input layer 1 of the recurrent neural network.
このリカレントニューラルネットワークの入力層１に含まれる第１のニューロン群Ｎ１と第２のニューロン群Ｎ２とを構成する２ｒ個のニューロン１１〜１ｒと２１〜２Ｒの活性化関数として単調関数を用いる。 - 特許庁 - The semiconductor laser stack 1 includes a first notch N1 and a second notch N2 (both the ends of a detecting reference) formed at both the end sides of the emitter E of the end face of an active layer including the emitter (light emitting part) E.
半導体レーザスタック１は、エミッタ（発光部）Ｅを含む活性層の端面のうちのそれぞれのエミッタＥの両端側に第１ノッチＮ１及び第２ノッチＮ２（検出基準両端部）を形成している。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
