「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 389 390 391 392 393 394 395 396 397 .... 429 430 次へ＞- A carrier passing through a miniband included in a conductive band of a first multiquantum well comes into collision with a minigap 13 having an energy level higher than that of a barrier layer of a second multiquantum well arranged at the side lower than the first multiquantum well to transit to the minigap included in the conductive band of the second multiquantum well for light emission.
第１の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニバンド内を透過したキャリアが、第１の多重量子井戸よりも下位側に配設された第２の多重量子井戸の障壁層のエネルギー準位よりも高いエネルギー準位にあるミニギャップ１３に衝突し、第２の多重量子井戸の伝導帯に含まれるミニギャップに遷移して発光する。 - 特許庁 - This liquid crystal display panel using the touch includes a first element installed with the touch panel including a transparent conductive structure, a second element installed with a thin film transistor panel, and opposed to the first element, and a liquid crystal layer installed between the first element and the second element, and the transparent conductive structure includes a carbon nanotube structure.
本発明のタッチパネルを利用した液晶表示パネルは、透明導電構造体を含むタッチパネルが設置された第一素子と、薄膜トランジスタパネルが設置され、且つ前記第一素子に対向する第二素子と、前記第一素子と前記第二素子との間に設置された液晶層と、を備え、前記透明導電構造体がカーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁 - The optical device comprises a first dielectric multilayer film 2 formed on one surface of a glass substrate 1, a second dielectric multilayer film 3 formed on the other surface of the glass substrate, a metal electrode 4 comprising a metal film that allows soldering is formed on one of the first and second dielectric multilayer films 2, 3, and an optical component soldered on the meta layer.
ガラス基板１の一方の面に形成された第１の誘電体多層膜２と、ガラス基板の他方の面に形成された第２の誘電体多層膜３と、第１，第２の誘電体多層膜２，３のどちらか一方の上に半田付けが可能な金属膜による金属電極４を形成し、その上に光学部品を半田付けするようにした。 - 特許庁 - The ultrasonic probe includes: a first electrode 12a provided on a matching layer 11; a piezoelectric body 13 provided on the first electrode 12a; a second electrode 12b provided on the piezoelectric body 13; a resonance body 15 provided on the second electrode 12b; and a backing member 16 provided on the resonance body 15.
本発明の超音波プローブは、整合層１１上に設けられた第１の電極１２ａと、第１の電極１２ａ上に設けられた圧電体１３と、圧電体１３上に設けられた第２の電極１２ｂと、第２の電極１２ｂ上に設けられた共振体１５と、共振体１５上に設けられたバッキング材１６とを具備する超音波プローブである。 - 特許庁 - The electroless deposition station includes an environmentally controlled processing enclosure, a first processing station configured to clean and activate the surface of the substrate, a second processing station configured to electrolessly deposit a layer onto the surface of the substrate, and a substrate shuttle positioned to transfer the substrate between the first and second processing stations.
無電界堆積ステーションは、環境的に制御される処理エンクロージャーと、基板の面を洗浄し活性化するように構成された第１処理ステーションと、基板の面に層を無電界堆積するように構成された第２処理ステーションと、第１及び第２の処理ステーション間で基板を移送するように位置された基板シャトルとを備えている。 - 特許庁 - A substrate processing apparatus 1 comprises a first process liquid supply unit 6 which supplies a first process liquid onto the surface of a substrate W having a metal layer formed of a transition metal, and a second process liquid supply unit 7 which supplies a second process liquid, containing molecules having the adsorption characteristics for a transition metal, onto the surface of the substrate W.
基板処理装置１は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを備える。 - 特許庁 - A portable information device includes: a display unit that is connected to an intra-device ground wiring at a first connection; a conductor layer that is connected to the intra-device ground wiring at a second connection; and a drive unit that drives the display unit, and is connected to the intra-device ground wiring at a third connection between the first and second connections.
本発明は、機器内グランド配線に第１の接続部で接続されるディスプレイ部と、前記機器内グランド配線に第２の接続部で接続される導電体層と、前記ディスプレイ部を駆動し、前記第１、第２の接続部との間の第３の接続部で前記機器内グランド配線に接続される駆動部と、を有する携帯情報機器である。 - 特許庁 - A pressure loss in an alternating current of an aerofoil can be largely reduced by restraining separation of a boundary layer caused by a second shock wave, by weakening the second shock wave generated in the supersonic parts k-l being substantially constant in its rear flow speed, by actively generating a large first shock wave in a position of becoming the first maximum value (j) in the flow speed.
流速が最初の極大値ｊになる位置で大きな第１の衝撃波を積極的に発生させることで、その後方の流速が略一定の超音速部分ｋ〜ｌに発生する第２の衝撃波を弱め、第２の衝撃波に伴う境界層の剥離を抑制して翼の後流の圧力損失を大幅に低減することができる。 - 特許庁 - The liquid crystal display 2 with the touch sensor is constituted of a polarizing plate 4, a first quarter wave plate 6, the touch sensor 8, a second quarter wave plate 10 and a liquid crystal display panel 13 which are disposed in this order from a viewer side, and an air layer is formed between the second quarter wave plate 10 and the touch sensor 8.
本発明のタッチセンサ付き液晶表示装置２は、観察者側から、偏光板４、第１の１／４波長板６、タッチセンサ８、第２の１／４波長板１０、および液晶表示パネル１３がこの順で配置されて構成されており、第２の１／４波長板１０とタッチセンサ８との間に空気層が形成されている。 - 特許庁 - The hologram recording medium is provided with translucent first and second substrates and a recording layer which is formed between the first and second substrates and has at least either of particulates of metal and metal oxide and carbon clusters or a three-dimensional crosslinked polymer matrix, radical polymerizable compound and radical photopolymerization initiator.
本発明のホログラム記録媒体は、透光性の第1及び第2の基板と、第1の基板と第2の基板間に形成され、金属、金属酸化物の微粒子及びカーボンクラスターの少なくともいずれか、３次元架橋ポリマーマトリクス、ラジカル重合性化合物、及び、光ラジカル重合開始剤を有する記録層とを備えることを特徴とする。 - 特許庁 - The coil element is characterized in that it comprises a first thin film coil 1 spirally formed in the plane of a surface, a second thin film coil 2 spirally formed along and adjacent to the first thin film coil in the same plane where the first thin film 1 is formed, and an insulating layer 3 provided between the first thin film coil 1 and the second thin film coil 2.
面内にスパイラル状に形成された第１の薄膜コイル１と、第１の薄膜コイル１と同一面内において第１の薄膜コイル１に沿い隣接してスパイラル状に形成される第２の薄膜コイル２と、第１の薄膜コイル１と第２の薄膜コイル２の間に設けられた絶縁層３とを備えることを特徴とする。 - 特許庁 - After etching the first mask 5 and the etch stopper film 3, a wiring groove 11 is formed on the second low dielectric constant film 4 by etching with the second and first masks 6, 5 as a mask, and a connecting hole 12 that is connected with the low layer wiring 1 is formed on the first low dielectric constant film 2 by etching with the etch stopper film 3 as a mask.
第１のマスク５及びエッチストッパ膜３のエッチング後、第２及び第１のマスク６，５をマスクとしたエッチングにより第２の低誘電率膜４に配線溝１１を形成するとともに、エッチストッパ膜３をマスクとしたエッチングにより第１の低誘電率膜２に下層配線１と接続する接続孔１２を形成する。 - 特許庁 - In the semiconductor device, the gate electrode is formed using the first conductive layer, the gate wiring is formed using the first conductive layer and the second conductive layer, the source electrode is formed using the third conductive layer, and the source wiring is formed using the third conductive layer and the fourth conductive layer.
絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 - 特許庁 - Smooth layers 590 such as a resin tape, a metal sheet, a coating layer, a sheet glass, and a reflecting plate are superposed on an area facing the first photoreflector 580a and an area facing the second photoreflector 580b on the side faces of the movable body 3.
ここで、可動体３の側面には、第１フォトリフレクタ５８０ａと対向する領域および第２フォトリフレクタ５８０ｂと対向する領域に樹脂テープ、金属シート、コーティング層、板状ガラス、反射板等の平滑層５９０を積層しておく。 - 特許庁 - The heat dissipation structure has a melt-sprayed composite material layer 28 formed by a melt-spraying method (cold spraying method) and a metal wiring 23 (upper member) made of a second material on a heat sink 21 made of a first material (Al or Al alloy).
放熱構造体は、第１の材料（ＡｌまたはＡｌ合金）からなるヒートシンク２１の上に、溶射法（コールドスプレー法）によって形成された溶射複合材料層２８と、第２の材料からなる金属配線２３（上方部材）とを備えている。 - 特許庁 - The tack label affixable to an adherend has a first label having a transparent affixing part and a second label which is peelably affixed to a display part successively disposed with the affixing part of the first label and is provided with a display printing layer.
被貼着体に貼着可能なタックラベルであって、透明な貼着部を有する第一ラベルと、該第一ラベルの前記貼着部と連設された表示部に剥離可能に貼着され且つ表示印刷層が設けられた第二ラベルとを備えたことにある。 - 特許庁 - When the waterproof pan (FRP molded product) 1 is molded by the resin/transfer/molding (RTM) method, the nut (waterproof pan fixing metal fittings) 30 preliminarily attached to the square material (reinforcing material) 22 of a preform member 19 is insert-molded in a second resin layer 25.
レジン・トランスファー・モールディング（ＲＴＭ）成形法で、防水パン（ＦＲＰ成形品）１を成形するに際して、プリフォーム部材１９の角材（補強材）２２に予め取り付けたナット（防水パン固定用金具）３０を、第２の樹脂層２５にインサートモールドする。 - 特許庁 - An outside air passage 144 and an inside air passage 145 are formed by the second inside air door 141 and a first partitioning door 142 arranged on a downstream side of the conditioning airflow rather than the heater core 109, thereby executing air-conditioning control by an inside/outside air two-layer mode.
第２内気ドア１４１と、ヒータコア１０９より空調空気流れ下流側に配設された第１仕切ドア１４２とによって外気通路１４４と内気通路１４５とを形成し、内外気２層モードによる空調制御を実行する。 - 特許庁 - This structure serves as a supply suppression structure for suppressing supply of liquid fuel from the first flow passage 13 to the diffusion layer 17 of the fuel electrode 1, and a discharge acceleration structure for accelerating discharge of discharge gas from the second flow passage 15.
この構造は、第１の流路１３から燃料極１の拡散層１７への液体燃料の供給を抑制する供給抑制構造と、第２の流路１５からの排出ガスの排出を促進する排出促進構造とをなす。 - 特許庁 - The ceramic substrate is provided with a single ceramic layer 1 which is constituted of inorganic filler such as alumina and of glass with a low melting point in a remaining part, and in which a first region 1a and a second region 1b are formed in a plane direction.
このセラミック基板では、アルミナなどの無機質フィラーと残部を低融点のガラスとから構成されているとともに、平面方向に、第１の領域１ａと第２の領域１ｂとが形成された単一のセラミック層１を備えている。 - 特許庁 - The dye-sensitized solar cell 120 is provided with a light-transmitting first substrate 13, a second substrate 25 arranged at a position opposite to the first substrate 13, a light-transmitting conductive layer 14, a semiconductor electrode 15, and a catalyst electrode 23.
本発明の色素増感型太陽電池１２０は、透光性を有する第１基体１３、第１基体１３と対向する位置に配置された第２基体２５、透光性導電層１４、半導体電極１５、触媒電極２３を備える。 - 特許庁 - A waveguide 22 is positioned on the light detector 20, and provided with a waveguide activating layer 26 arranged between a pair of waveguide cladding layers 24 and 28, a first edge part 30 for receiving inputted lights, and a second edge part 50 for reflecting lights.
導波路２２は、光検出器の上に位置し、一対の導波路クラッディング層２４、２８の間に配置された導波路活性層２６と、入力された光を受ける第１端部３０と、光を反射する第２端部５０とを有する。 - 特許庁 - A side face in a detection electrode of a first linear electrode 5a or a second linear electrode 5b, or the like, and an edge part consisting of a part of a counter face of a recording photoconductive layer 2 which is continued to the side face are covered with a dielectric material 5c.
第１の線状電極５ａまたは第２の線状電極５ｂ等の検出電極における側面および該側面に連続する記録用光導電層２との対向面の一部からなる端部を誘電体５ｃで覆う。 - 特許庁 - A radio wave W generated by driving the driver IC 112 is blocked by the shield box 120 and the second layer L2, and therefore a radio-wave leakage from or to the light source drive substrate 110 can be suppressed.
ここで、ドライバＩＣ１１２の駆動により発生した電波Ｗは、シールドボックス１２０、第２層Ｌ２で遮断されるため、光源駆動基板１１０からの電波漏洩又は光源駆動基板１１０への電波洩れ込みを抑えることができる。 - 特許庁 - A raw sheet 30 with a long hoop state Al foil is prepared, a protection film 40 with a second adhesive layer 37 is pasted to the upper face of the aluminum foil 5, and afterwards it is formed into a base sheet 2 by applying a cutting work or the like.
本発明は、長尺フープ状のＡｌ箔付き原反シート３０を準備し、上記アルミ箔５の上面に第２粘着層３７付きの保護フィルム４０を貼り合わせ、その後、切断加工などを施してベースシート２に形成するようにした。 - 特許庁 - A second etching step employs an etching method in which an etching rate to the first film is higher than that in the first etching step, and an etching rate to "a layer provided below and in contact with the first film" is lower than that in the first etching step.
第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁 - The coil conductors 5 and 7 respectively contain first sections 5a and 7a which are disposed in parallel with each other at a prescribed interval on a first insulating layer and second sections 5b and 7b which three-dimensionally intersect each other.
第１コイル導体５及び第２コイル導体７は、第１絶縁層上において互いが所定間隔を有して沿うように配置される第１の部分５ａ，７ａと、互いが立体的に交差する第２の部分５ｂ，７ｂとを含んでいる。 - 特許庁 - Then, it is heated further more and brazing material in the paste material layer 122c is melted and a tube 122 is formed by brazing and connecting the first plate 122a and the second plate 122b and the inner fin 123 is brazed and connected in the tube 122 (refer to c).
その後更に加熱して、ペースト材層１２２ｃ中のろう材を溶融し、第１プレート１２２ａと第２プレート１２２ｂとをろう付け接合してチューブ１２２を形成するとともに、チューブ１２２内にインナーフィン１２３をろう付け接合する（（ｃ）参照）。 - 特許庁 - In a manufacturing process of the semi-transmission reflective substrate, a photosensitive resin 132 is applied to a second substrate 120 as shown in Fig.(a), then exposed to a photomask 145 as shown in Fig.(b), to form the base layer 130 by developing.
半透過反射基板の製造工程においては、まず、図５（ａ）に示すように第２基板１２０上に感光性樹脂１３２を塗布し、続いて、図５（ｂ）に示すようにフォトマスク１４５にて露光した後、現像して下地層１３０を形成する。 - 特許庁 - The foam layer 1 is formed of a foam having components of a first diol having the molecular weight of 500-5000, a second diol having the molecular weight of ≤500, an inorganic filler, water as a foaming agent, isocyanate and a fire-retardant agent as raw material components.
発泡体層１は、分子量５００〜５０００の第１のジオール、分子量５００以下の第２のジオール、無機充填材、発泡剤としての水、イソシアネートおよび難燃剤の各成分を原料成分とする発泡体で形成されている。 - 特許庁 - The conductive wires are formed of the first groove 22 partitioning a conductive layer 20 which is preliminarily provided on the claddings, while a part of the sides of the cores is formed of the second grooves 24a, 24b which are formed in a part of the first groove.
導電線は、前記クラッド上に予め設けられた導電層２０を分離する第１の溝２２によって形成され、前記コアの側面の一部は、前記第１の溝の一部に形成された第２の溝２４ａ，２４ｂによって形成されている。 - 特許庁 - When a titanium dioxide layer 20 is formed on the surface of the surface course 1206, a mixture comprising titanium dioxide, cement, a filler, and water mixed together is sprayed on the surface of the surface course 1206 through a first jet nozzle 31 and a second jet nozzle 32.
表層１２０６の表面に二酸化チタン層２０を形成するに際して、二酸化チタンと、セメントと、充填材と、水とを混合した混合物を第１噴射ノズル３１と第２噴射ノズル３２から表層１２０６の表面に吹き付ける。 - 特許庁 - Next, the first spacer film is removed, impurities of the second conductivity-type are implanted into the surface layer part of the first region with use of the first gate electrode as a mask for third activation treatment and to form a third impurity diffusion region 111.
次いで第１のスペーサ膜を除去し、第１のゲート電極をマスクとして第１領域の表層部に第２導電型の不純物を注入した後第３の活性化処理を行い、第３の不純物拡散領域１１１を形成する。 - 特許庁 - A free magnetic layer 6 and second fixed magnetic layers 4c and 8c are formed of CoMnGeSi alloy layers whose composition formulae are expressed by Co_2xMn_x(Ge_1-zSi_z)_y (both of x and y are atomic%, and 3x+y=100 atomic%).
フリー磁性層６及び第２固定磁性層４ｃ，８ｃが、組成式がＣｏ_２ｘＭｎ_ｘ（Ｇｅ_１—ｚＳｉ_ｚ）_ｙ（ｘ、ｙはいずれも原子％であり、３ｘ＋ｙ＝１００原子％）で表されるＣｏＭｎＧｅＳｉ合金層で形成されている。 - 特許庁 - On the ceramic substrate 10, situated at a location opposite to the outgoing aperture across the mounting location of the light-emitting element 3 in the second recess portion 10d, a metallized layer 12 having a light reflecting property is formed, in such a way to be electrically insulated from the wiring patterns 11.
第２凹部１０ｄ内の発光素子３の搭載位置を挟んで前記出射口の反対側位置の前記セラミック基板１０に、光反射性を備えたメタライズ層１２を配線パターン１１ａとは電気的に絶縁されて形成する。 - 特許庁 - This water purifier S is constituted of a first water purifying tank 1 consisting essentially of activated carbon, and a second water purifying tank 2 consisting essentially of a hollow fiber membrane arranged in the downstream, and a ceramic particle layer 3 is provided in the first water purifying tank 1.
浄水装置Ｓを、活性炭を主材とする第１浄水槽１と、その下流に配置された中空糸膜を主材とする第２浄水槽２とから構成し、前記第１浄水槽１内においてセラミック粒層３を設けた。 - 特許庁 - In this second operation, one of a plurality of items in a layer lower than a specific item indicated by the first operation signal when depressing the rotation operation knob is selected or an contents of the specific item is confirmed.
このときの第２の操作は、回転操作つまみを押下したときの第１の操作信号による特定の項目の、下位階層の複数項目の一つを選択指示する操作とし、或いは、前記特定の項目の内容を確認する操作とする。 - 特許庁 - Reflected light 52 is made incident on the inside of a total reflection member 92 from the bottom of the member 92 and is totally reflected by an end face 92a of the total reflection member 92 and reaches a light receiving face of a photodetector 70 through a second refractive index matching layer 94.
この反射光５２は、全反射部材９２の底面からその内部に入射され、該全反射部材９２の端面９２ａで全反射され、更に、第２の屈折率整合層９４を介して受光素子７０の受光面に到達される。 - 特許庁 - After formation of the first oxide film 4, a polycrystalline silicon film 5, the second oxide film 6, and a nitride film on an n-type epitaxial layer 3, those films are removed, excluding the region where a base region is to be made, and a sidewall nitride film is made at the side.
ｎ^-型エピタキシャル層３上に第１酸化膜４と多結晶シリコン膜５と第２酸化膜６と窒化膜を形成した後、ベース領域が形成される領域以外のそれらの膜を除去し側面に側壁窒化膜を形成する。 - 特許庁 - (stage G.) Then the cholesteric liquid crystal layer 16 is heated up to a temperature different from the temperature at the time of forming the first pattern and exposed to the active light beam at this temperature using a pattern different from the pattern at the time of forming the first pattern to form a second pattern.
(工程Ｇ） 次にコレステリック液晶層１６に対して、第一のパターン形成時と異なる温度で加熱し、この温度条件下で活性光線を第一のパターン形成時と異なるパターンで露光して第二のパターンを形成する。 - 特許庁 - In the IC module 1 on a COT face, one IC module terminal plate face is duplicately formed with a first outer shape punching outline shape 6 configuring an outermost shape and a second outer shape punching outline shape 7 inside thereof, and a metal foil layer 12 of both outer shape punching outline shape portions is removed except connection parts 8.
第１と第２の外形打ち抜き輪郭形状が、いずれもＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７，Ｃ８の接触端子を包含するように形成してもよく、第２の外形打ち抜き輪郭形状内には、Ｃ４，Ｃ８端子を包含しないように形成してもよい。 - 特許庁 - The rubbing treatment is carried out by controlling the number of revolution of the rubbing roller 72 to be a first number of revolution from starting the rubbing treatment for a predetermined time, and after the lapse of the predetermined time, to be a second number of revolution smaller than the first number of revolution so as to form the alignment layer.
ラビングローラ７２の回転数をラビング処理開始から所定時間は第１の回転数とし、所定時間経過後は第１の回転数より小さい第２の回転数とすることでラビング処理し、配向膜を形成する。 - 特許庁 - The steel cord of the second - the fourth belt layers 7B, 7C and 7D has an elongation percentage of 0.4% or less when a load of 300 N is applied, and volume ratio as a ratio of the steel cord in relation to the whole volume of each belt layer 7B, 7C and 7D is set at 12-22%.
２〜４番ベルト層７Ｂ，７Ｃ，７Ｄのスチールコードは、３００Ｎ荷重時の伸び率が０．４％以下で、各ベルト層７Ｂ，７Ｃ，７Ｄの全体積に占めるスチールコードの割合である体積分率が１２〜２２％になっている。 - 特許庁 - This system has a two-layer structure of an air mat 5 and a cushion member 4 consisting of a coil spring, the air mat is obtained by dividing first and second air cells plurally disposed in a right/left direction by a right and left air cell parts and a recess part tilt-bent forward/backward, formed in a center.
エアマット５とコイルスプリングよりなるクッション部材４の２層構造を有し、エアマットは、左右方向に複数配列した第１、第２エアセルを、左右エアセル部と中央に形成した前後方向に傾斜屈曲した凹部にて分割した。 - 特許庁 - In each reel layer, the rear reel is stopped (70) if the pressing of the stop button is the fist time, the center reel is stopped (76) if the pressing of the stop button is the second time, and the front reel is stopped (80) if the pressing of the stop button is the third time.
各リール層について、ストップボタンの押下が１回目の場合には、奥のリールを停止し（７０）、ストップボタンの押下が２回目の場合には、中のリールを停止し（７６）、ストップボタンの押下が３回目の場合には、手前のリールを停止する（８０）。 - 特許庁 - The second pressure sensitive adhesive layer 3 is formed with a pressure sensitive adhesive having a viscoelastic character of a storage elasticity G' (1 Hz) of 1x104-5x106 Pa at the measuring temperature of 20°C and a storage elasticity G' (10-7 Hz) of 1x104-1x106 Pa at the standard temperature of 20°C.
第２の感圧接着層３は、測定温度20℃の貯蔵弾性率Ｇ'(１Hz）が１×10^4 〜５×10^6 Ｐａで、基準温度20℃の貯蔵弾性率Ｇ'(10^-7Hz）が１×10^4 〜１×10^6 Ｐａの粘弾性特性を有する感圧接着剤で構成されている。 - 特許庁 - An electromagnetic wave source 10 irradiates the sensor section 30 with electromagnetic wave, having a wavelength larger than the interval of the plurality of the first penetration slits 31A as well as the second penetration slits 32A, from a direction normal to the first metal layer 31.
電磁波源１０は、複数の第１の貫通スリット３１Ａの間隔および複数の第２の貫通スリット３２Ａの間隔よりも長い波長を有する電磁波を、第１の金属層３１と交差する方向からセンサ部３０に照射する。 - 特許庁 - The solid-state imaging apparatus has a light receiving region 101 having a plurality of photoelectric conversion elements 2, and a peripheral circuit region 102 on the semiconductor substrate 1, and a second resin layer 8 is formed on the light receiving region 101 and the peripheral circuit region 102.
半導体基板１上に、複数の光電変換素子２を有する受光領域１０１と、周辺回路領域１０２とを有し、受光領域１０１及び周辺回路領域１０２上に第２の樹脂層８を形成する。 - 特許庁 - Also, parts between the adjacent second fins 4n in the nMIS formation region are completely filled by the gate electrode 6, and the parts between the adjacent first fins 4p of the pMIS formation region are filled by the gate electrode 6 and an insulating film formed in the upper layer.
また、ゲート電極６でｎＭＩＳ形成領域の隣接する第２フィン４ｎ間を完全に埋め込み、ゲート電極６およびその上層に形成される絶縁膜でｐＭＩＳ形成領域の隣接する第１フィン４ｐ間を埋め込む。 - 特許庁 - The method of manufacturing semiconductor device comprises the processes to form a first and a second semiconductor layers (1x, 1y) which are mutually separated on a substrate (10), a gate insulation film 82) on the semiconductor layer, and a gate electrode on the gate insulation film.
本発明の半導体装置の製造方法は、基板（１０）上に相互に分離された第１及び第２の半導体層（１ｘ、１ｙ）、該半導体層上にゲート絶縁膜（２）、該ゲート絶縁膜上にゲート電極（３）を形成する工程を含む。 - 特許庁
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