「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 392 393 394 395 396 397 398 399 400 .... 429 430 次へ＞- The organic EL panel 1 has functional layers 7 each at least with an organic light-emitting layer formed in lamination between a first electrode 4 formed on a substrate 2 and a second electrode 8 formed so as to cross the first electrode 4.
基板２上に形成される第一電極４とこの第一電極４と交差するように形成される第二電極８との間に少なくとも有機発光層を有する機能層７を積層形成してなる有機ＥＬパネル１である。 - 特許庁 - In the second process, a paste for a hydrogen electrode is produced by mixing the Pt holding carbon catalyst and the Nafion (R) solution, and after coating the paste for the hydrogen electrode on the conductive substrate, the paste is dried to form a hydrogen reactive layer 2a.
第２工程において、Ｐｔ担持カーボン触媒とナフィオン（登録商標）溶液とを混合して水素極用ペーストを作製し、この水素極用ペーストを導電性のある基材に塗布した後、乾燥させて水素極反応層２ａを形成する。 - 特許庁 - The second objective super magnetostrictive material comprises a composite body consisting of the magnetostrictive alloy and the fine particles or fibers dispersed in the magnetostrictive alloy, or a bulk body consisting of the magnetostrictive alloy, and a coating layer which covers the surface.
また、本発明に係る超磁歪材料の二番目は、このような磁歪合金と、磁歪合金中に分散させた微粒子若しくは繊維との複合体、又は、このような磁歪合金からなるバルク体と、その表面を被覆する被覆層からなる。 - 特許庁 - The manufacturing method includes a process of forming a second insulation film on the wiring layer formed on the first insulation film after the defect is irradiated with the converged ion beam when irradiation of the converged ion beam is selected in the selection process.
そして、選択工程において集束イオンビームを照射すると選択された場合には、欠陥に集束イオンビームを照射した後、第１の絶縁膜上に形成された配線層上に第２の絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁 - A relay processing means of the network relaying system executes relay processing for relaying data containing the address of the data link layer of the terminal device between the first and a second networks, when the connection request from the terminal device is authenticated.
ネットワーク中継システムの中継処理手段は、端末装置からの接続要求が認証されている場合に、端末装置のデータリンク層のアドレスを有するデータを、第１のネットワークと第２のネットワーク間で中継する中継処理を行う。 - 特許庁 - Liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 120 in the sub-pixel region axisymmetrically align around an axis perpendicular to the surface of the first substrate 110a as a center when a specified voltage is applied between the first electrode 111 and the second electrode 131.
サブ画素領域における液晶層１２０中の液晶分子は、第１電極１１１と第２電極１３１との間に所定の電圧を印加したとき、第１基板１１０ａの表面に垂直な軸を中心に軸対称配向する。 - 特許庁 - The polymer thermal detector 1 includes a polymer thermal layer 4 having a first polymer consisting of polyvinyl chloride resin and/or aliphatic polyamide resin, and a second polymer consisting of epihalohydrin polymer.
本発明による高分子感熱検知体１は、高分子感熱層４を有し、この高分子感熱層４はポリ塩化ビニル樹脂および／または樹脂族ポリアミド樹脂からなる第一ポリマーと、エピハロヒドリン系重合体からなる第二ポリマーとを含有する。 - 特許庁 - The exhaust gas cleaning catalyst contains a first catalyst, which has an inorganic oxide having heat resistance and the transition metal oxide catalyst layer supported on the surface of the inorganic oxide, and a second catalyst having at least one kind of an alkali metal sulfate.
耐熱性を有する無機酸化物と前記無機酸化物の表面に担持された遷移金属の酸化物触媒層を有する第１の触媒と、少なくとも１種のアルカリ金属の硫酸塩を有する第２の触媒と、を含有する。 - 特許庁 - The second driving section drives the light emitting layers so that the grayscale of light emitting luminance by the first to the third light emitting elements may be expressed, by making the light emitting layer emit light in a state that weighting of the light emitting luminance is set for each of the plurality of light emitting layers.
第２の駆動部は、複数の発光層に対してそれぞれ発光輝度の重み付けを設定した状態で発光層を発光させることにより、第一から第三の発光素子による発光輝度の階調を表現するよう駆動する。 - 特許庁 - A carbon graphite layer 6 made of light-shielding film is formed (d) and a graphite stripe film 7 of a stripe shape is formed by etching (e) it, and a second resist film 8 of a stripe shape is formed on top of it (f), and then, a carbon graphite film 10 is formed on its top (g).
遮光性膜のカーボングラファイト層６を形成し（ｄ）、エッチングによりストライプ状のグラファイトストライプ膜７を形成し（ｅ）、その上にストライプ状の第２レジスト膜８を形成し（ｆ）、その上にカーボングラファイト膜１０を形成する（ｇ）。 - 特許庁 - The layer (3) includes a first conductivity source region (4), a first conductivity drain region (6), and a second conductivity body region (5) different from the first conductivity and interposed between the source region (4) and the drain region (6).
半導体層（３）は、第１導電型であるソース領域（４）と、前記第１導電型であるドレイン領域（６）と、ソース領域（４）とドレイン領域（６）との間に介設され、前記第１導電型と異なる第２導電型であるボディ領域（５）とを含む。 - 特許庁 - Further, completion of the tape carrier 10 for the semiconductor device is achieved by peeling the masking tape 23 from the second copper layer 22B and by forming a solder resist 4 on a predetermined region of the wiring pattern 2 after Sn plating 24 of the wiring pattern 2 is carried out.
更に、配線パターン２にＳｎめっき２４を施した後、第２の銅層２２Ｂからマスキングテープ２３を剥離し、配線パターン２の所定領域にソルダーレジスト４を設けることにより、半導体装置用テープキャリア１０が完成する。 - 特許庁 - At the same time, vias are made through a second layer of dielectric material having a standard dielectric constant to reach the metal line so that silicon nitride caps 20a-20d exist on the metal line thus avoiding via poisoning.
同時に、この方法では、誘電率が標準的である誘電材料の第２の層を通過して金属線に至るようにバイアを形成し、金属線上にシリコン窒化物キャップ２０ａ〜２０ｄを存在させることにより、バイア・ポイズニングを回避する。 - 特許庁 - A second anode terminal part b1, which is integrally formed with the valve metal substrate 1 and has a surface exposed to a position level with the cathode electrode layer is formed, in a part of the regions forming cathode parts d1 and d2 in the valve metal substrate 1.
弁作用金属基体１における陰極部ｄ１，ｄ２をなす領域の一部には、弁作用金属基体１と一体に形成され、その表面が陰極電極層と面位置に露出した第２の陽極端子部ｂ１を形成する。 - 特許庁 - The electronic device 108 includes a light-receiving device 101, a frame member 102 composed of a first resin provided so as to surround a light-receiving unit 101b of the light-receiving device 101, and an encapsulating resin layer 106 composed of a second resin and filling the periphery of the frame member 102.
電子装置１０８は、受光素子１０１と、受光素子１０１の受光部１０１ｂを囲むように立設する第１樹脂からなる枠材１０２と、枠材１０２の周囲を埋める第２樹脂からなる封止樹脂層１０６と、を備える。 - 特許庁 - On the ceramic substrate 10 situated at a location opposite to the outgoing radiation aperture across a mounting location of the luminous element 3 in the second concavity portion 10d, a metallization layer 12 having a light reflecting property is formed, in such a way to be electrically insulated from the wiring patterns 11a.
第２凹部１０ｄ内の発光素子３の搭載位置を挟んで前記出射口の反対側位置の前記セラミック基板１０に、光反射性を備えたメタライズ層１２を配線パターン１１ａとは電気的に絶縁されて形成する。 - 特許庁 - Furthermore, in the top layer of the semiconductor substrate 2, an N-type second impurity diffusion area 4 is formed while being spaced apart from the first impurity diffusion area 3 at one side of a predetermined direction with respect to the first impurity diffusion area 3.
また、半導体基板２の表層部には、第１不純物拡散領域３に対して所定方向の一方側に、第１不純物拡散領域３と間隔を空けて、Ｎ型の第２不純物拡散領域４が形成されている。 - 特許庁 - The liquid crystal display element is equipped with a first substrate having a reflective display region and a transmissive display region and a second substrate placed opposite to the first substrate and having protrusions on the opposing surface, and is constructed by forming a liquid crystal layer between the substrates.
反射表示領域と透過表示領域を有する第１基板と、第１基板と対向配置され対向面に突起を有する第２基板とを備え、これら基板間に液晶層が形成されてなる液晶表示素子である。 - 特許庁 - An electric field produced between the first electrode and second electrode hardly reaches the other substrate, so no retardation is generated in an electroopticall material layer provided nearby a top surface of the other substrate and this region has a little contribution to display.
第１電極と第２電極との間に発生する電界は、他方の基板にはほとんど届かないため、他方の基板の表面近傍に設けられる電気光学物質層にはリタデーションが形成されず、この領域は表示にほとんど寄与しない。 - 特許庁 - A size of the shield electrodes 81 and 82 is optimized to make the first substrate 10 and the second substrate 20 be in a state that electromagnetic coupling by a magnetic-field component mainly is performed, thus, an electric field distribution in an air layer or the like is drastically reduced.
シールド電極８１，８２の大きさを最適化することで、第１の基板１０と第２の基板２０との間では主として磁界成分による電磁結合がなされる状態にし、空気層等における電界分布を大幅に少なくする。 - 特許庁 - On a support 11, a first layer 12 is formed using a first slurry containing a first solvent which is a good solvent for an organic binder and a second solvent which is a poor solvent therefor and has a boiling point higher than that of the first solvent as organic solvents.
支持体１１上に、有機バインダーに対して良溶媒の第１の溶剤と、貧溶媒でありかつ第１の溶剤よりも高沸点の第２の溶剤と、を有機溶剤として含む第１のスラリーを用いて第１の層１２を形成する。 - 特許庁 - The gallium oxide substrate 2 with a semiconductor layer formed thereon is divided into strips along a first cleavage surface (m) of the substrate (first dividing step) for forming a bar 20, and then the bar 20 is separated in a direction that is perpendicular to the first cleavage surface (m) (second dividing step).
半導体層を積層した酸化ガリウム基板２をその第１の劈開面ｍにそって短冊状に分割してバー２０を形成し（第１の分割ステップ）、このバー２０を第１の劈開面側ｍから分割する（第２の分割ステップ）。 - 特許庁 - Thereafter, recesses 104 are formed in the insulating barrier film 103 and the first interlayer insulating film 101 which are interposed between the lower-layer wirings 102, and a second interlayer insulating film 105 is so deposited on the insulating barrier film 103 as to fill the recesses 104 with the film 105.
その後、下層配線間の絶縁性バリア膜１０３及び第１の層間絶縁膜１０１に溝１０８を形成し、絶縁性バリア膜１０３の上に溝１０８を埋めるように第２の層間絶縁膜１０５を堆積する。 - 特許庁 - The circuit is used for the disposer which is used for fusing and cutting syringe needles by energization from the power source, wherein a first or second battery 1 and an electric double layer capacitor 2 are provided.
電源からの通電により注射針を溶解・切断処理を行う注射針処理装置に使用される電源回路であって、電源は、一次もしくは二次電池１と、電池１に並列に接続された電気二重層コンデンサ２と、からなる。 - 特許庁 - An EL sheet 10 including first and second facing electrode layer circuits 17a and 17b is stacked on a transparent film 11; multiple key top parts 3a and 3b are formed by unevenly drawing it; and the key top parts 3a and 3b are filled with a core material 6.
第一・第二の対向電極層回路１７ａ，１７ｂを含むＥＬシート１０を透明フィルム１１に積層し、凹凸に絞り成形してキートップ部３ａ，３ｂを多数設け、キートップ部３ａ，３ｂには芯材６を充填している。 - 特許庁 - Then the print tape 30 is heated, which causes it to be deformed such that its cross section is a nearly circular arc with the first thermal shrinkage layer on a center side, since the second thermal shrinkage material 33 has a larger shrinkage rate than the first thermal shrinkage material 32.
その後、印字テープ３０の加熱により、第二熱収縮材料３３が第一熱収縮材料３２と比較して収縮する割合が大きいため、第一熱収縮層が中心側となる断面略円弧状に変形する。 - 特許庁 - A semiconductor device 100 is provided with a first substrate 101, with which a passive element 107 is formed on one side and a shielding layer 113 is formed on the other side; and a second substrate 117, with which an active element 119 is formed on one side.
半導体装置１００は、一方の面に受動素子１０７が形成され且つ他方の面にシールド層１１３が形成された第１の基板１０１と、一方の面に能動素子１１９が形成された第２の基板１１７とを備える。 - 特許庁 - A potential fixed region 104 is formed of an SOI layer between the first insulating isolation trench 109 and second insulating isolation trench 110, and the potential fixed region 104 is set (connected) to have the same potential as a collector potential of the IGBT.
そして、第１絶縁分離トレンチ１０９と第２絶縁分離トレンチ１１０との間にＳＯＩ層からなる電位固定領域１０４を形成し、その電位固定領域１０４は、ＩＧＢＴのコレクタ電位と同電位になるように設定（接続）する。 - 特許庁 - By this method, the cured film 133 formed on the rear end surface 112 of the detection element 11 is heat-treated to become the protective film 33 and this protective film 33 prevents the contact of the detection element 11 with the glass component of the second filling layer 302.
これにより、検出素子１１の後端面１１２に形成された硬化膜１３３が熱処理されて保護膜３３となり、この保護膜３３が検出素子１１と第二充填層３０２のガラス成分との接触を防止することになる。 - 特許庁 - The conductor paste, restrained from foaming even repeated sintering process are applied, capable of forming a conductive layer which can maintain sufficiently high circuit board bonding strength, can be obtained since Pd is contained as a conductive second component in addition to Pt.
導体成分としてPtに加えて第２成分としてPdが含まれることから、繰返し焼成処理が施されても、発泡が抑制され延いては十分に高い基板付着強度を維持できる導体層の形成可能な導体ペーストが得られる。 - 特許庁 - The light-emitting device includes: a laminate (light-emitting element) composed of a base plate 2, a first electrode 3, a light-emitting layer 4, and a second electrode 5; and a cured film 1 which is the cured product of the curable resin composition formed around the laminate.
本発明の発光装置は、基板２と、第１電極３、発光層４、及び第２電極５からなる積層体（発光素子）と、この積層体の周囲に形成させた前記硬化性樹脂組成物の硬化体である硬化膜１とを含む。 - 特許庁 - The favorable method for manufacturing the polymer film laminate has a first process of winding the laminate in which the precursor layer of the polymer film is formed on the metal foil, and a second process of heat-treating the wound laminate to form a polymer film laminate.
好適な高分子フィルム積層体の製造方法は、金属箔上に高分子フィルムの前駆体の層が形成された積層体を巻き取る第１工程と、巻き取り体を熱処理して高分子フィルム積層体を得る第２工程とを有する。 - 特許庁 - The dielectric layer 12b of the outer unit 19a and 19b is equipped with pinhole conductors 20 which connect the outer conductor layers of a pair of the first outer conductor layers or a pair of the second outer conductor layers together.
外層部１９ａ，１９ｂの誘電体層１２ｂが一対の第１外層用導体層あるいは一対の第２外層用導体層において、各々の外層用導体層同士を互いに接続させる複数のピンホール導体部２０を有する。 - 特許庁 - By making the thickness of the second insulating resin substrate 7, by which the reflection type liquid crystal display device 20 is constituted, 0.4 mm or less, problems such as display blurring or the like are not generated even when a haze value of a diffusion layer 11 is made longer to 70 or more.
反射型液晶表示装置２０を構成する第２の絶縁性樹脂基板７の厚さを０．４ｍｍ以下をすることで、拡散層１１のヘイズ値を７０以上と大きくした場合についても表示ボケなどの問題が発生しない。 - 特許庁 - The refraction index n of the first translucent substrate 11 and the second translucent substrate 12 is made 1.73<n<2.0 (at d line), the incident angle α is made 61°≤α≤82°, and the film thickness t of the bonding layer 14 is made 15nm≤t<60nm.
第一透光性基材１１及び第二透光性基材１２の屈折率ｎを、１．７３＜ｎ＜２．０（d線における）とし、入射角αを、６１°≦α≦８２°に設定し、接合層１４の膜厚ｔを、１５ｎｍ≦ｔ＜６０ｎｍとした。 - 特許庁 - The upper surface of the AlInGaN layer 101 includes at least one first inclined plane 101a inclined in a [0001] direction from the (m) plane and at least one second inclined plane 101b inclined in a [000-1] direction from the (m) plane.
ＡｌＩｎＧａＮ層１０１の上面は、ｍ面から［０００１］方向に傾斜した少なくとも１つの第１傾斜面１０１ａと、ｍ面から［０００−１］方向に傾斜した少なくとも１つの第２傾斜面１０１ｂとを有している。 - 特許庁 - The connection path 50 includes an extension portion 43 extending in a plane direction, a first connection end 52 linking between the extension portion 43 and a wiring layer 10 in a height direction, and a second connection end 46 linking the extension portion 43 and the continuity portion 18 in a height direction.
接続経路５０は平面方向に延びる延出部４３と、延出部４３と配線層１０間を高さ方向に繋ぐ第１接続端部５２と、延出部４３と導通部１８間を高さ方向に繋ぐ第２接続端部４６とを有する。 - 特許庁 - A reticle blanks RB includes a plate shaped blanks body 40 having a first face 41 and a second face 42 located on the reverse side of the first face 41, and a conductive layer 43 formed on the side of the first face 41 of the blanks body 40.
レチクルブランクスＲＢは、第１面４１及び該第１面４１の反対側に位置する第２面４２を有する板状のブランクス本体４０と、該ブランクス本体４０の第１面４１側に形成された導電層４３とを備えている。 - 特許庁 - A resistor R3 and a first transistor TR1 are provided between the electric double-layer capacitor SC and the LED lamp 3, a base of a second transistor TR2 is connected between the two, and a collector is connected to a base of the first transistor TR1.
電気二重層コンデンサＳＣとＬＥＤランプ３との間の放電回路４上に抵抗Ｒ３と第一トランジスタＴＲ１とを設け、双方間に第二トランジスタＴＲ２のベースを接続し、コレクタを第一トランジスタＴＲ１のベースに接続する。 - 特許庁 - This electrophoretic display device 10 is provided with an electrophoretic display layer between an element substrate and an opposite substrate both having optical transparency, and a control device 50 and an acceleration sensor 52 are incorporated in a second frame part 11B of a display panel 11.
電気泳動表示装置１０は、ともに光透過性を有する素子基板と対向基板の間に電気泳動表示層を備えているとともに、表示パネル１１の第２の枠部１１Ｂには、制御装置５０と加速度センサ５２を内設している。 - 特許庁 - In the signal recording layer, a first information signal is read out by luminous flux made incident nearly vertically to the principal surface part of the base body and a second information signal is read out by luminous flux made incident to be nearly parallel to the principal surface part of the base body.
信号記録層は、基体の主面部に略々垂直に入射される光束によって第１の情報信号を読出され、基体の主面部に略々平行に入射される光束によって第２の情報信号を読出される。 - 特許庁 - Then, an N+-type embedded layer 61 is formed in a second island region 53 to form therein a C-MOS transistor 42, and thereby the noise generated from an N-channel MOS transistor is blocked so as to prevent adverse effects given to an NPN transistor.
そして、Ｃ−ＭＯＳトランジスタ４２が形成される第２の島領域５３にＮ^+型埋め込み層６１が形成されることで、ＮチャンネルＭＯＳトランジスタから発生するノイズをブロックしＮＰＮトランジスタへの悪影響を防止することができる。 - 特許庁 - The base materials 10, 20 and 12 for the flooring comprise a pad made of a first heat-meltable material 10, a stabilizing mesh 20 formed of a second heat-meltable material and a connection layer 12 between a pad 10 and a mesh 20.
床張り材のための基材１０、２０、１２であって、第１の熱融解可能材料からなるパッド１０と、第２の熱融解可能材料からなる安定化メッシュ２０と、上記パッド１０と上記メッシュ２０との間の接続層１２とを備える。 - 特許庁 - The wiring board comprises a substrate 10; the banks 30 that is provided at the upper portion of the substrate 10 for partitioning a plurality of regions; and a conductive layer 52 and first and second wirings 54, 62 arranged in parallel between the banks 30 and the substrate 10.
配線基板は、基板１０と、基板１０の上方に設けられ複数の領域を区画するためのバンク３０と、バンク３０と基板１０との間に並列して形成された導電層５２並びに第１及び第２の配線５４，６２と、を有する。 - 特許庁 - First and second bag position sensors for detecting vertical positions of the front and the rear of a sack in the uppermost layer at a take-out position are attached to a common attachment member as sensors for detecting whether the sack is horizontal.
取出位置における最上層の大袋が水平状態か否かを検出するセンサとして、前記大袋の前部及び後部の上下方向の位置を検出する第１及び第２袋位置センサを、共通の取付部材に取り付ける。 - 特許庁 - In the diffusion plate 7 disposed in the transmission type screen, two first diffusion layers 13, 15 into which diffusion particles are respectively added are arranged via a second diffusion layer 14 into which diffusion particles having a particle size smaller than that of the diffusion layers 13, 15 are added.
それぞれ拡散粒子を添加した二つの第１の拡散層１３，１５を、第１の拡散層１３，１５よりも粒径の小さい拡散粒子を添加した第２の拡散層１４を介して配置した拡散板７を、透過型スクリーンに設ける。 - 特許庁 - Then openings 10a for grooves are formed in the third mask layer 10, connecting openings 12b for connection holes are formed in the first and second mask layers 8 and 9 and first to third insulating films 4-6 by performing etching by using a resist pattern 11 as a mask, and the pattern 11 is removed.
次に、第３マスク層１０に溝用開口１０ａを形成し、レジストパターン１１をマスクしたエッチングによって、第２マスク層９〜第３絶縁膜６に接続孔用の接続用開口１２ｂを形成し、レジストパターン１１を除去する。 - 特許庁 - The optical recording medium D includes an information layer D2 formed by layering at least a first protective film 8, a second protective film 9 and a recording film 10 in this order on a first substrate 1 having an incident surface 1A in which a laser beam L is made incident as a bottom surface.
光記録媒体Ｄは、レーザ光Ｌが入射する入射面１Ａを底面とした第１基板１上に、少なくとも第１保護膜８、第２保護膜９、記録膜１０をこの順に積層した情報層Ｄ２を備えている。 - 特許庁 - In the photosensitive layer 21 incorporated in the image forming apparatus 1, a first end 22A in the axial direction of the latent image forming area 22 is pressed harder than a second end 22B at opposite side of located opposite to the first end 22A in the axial direction.
感光層２１は、画像形成装置１に組み込んだときに潜像形成領域２２における軸方向の第１の端部２２Ａが、第１の端部２２Ａとは軸方向の反対側に位置する第２の端部２２Ｂよりも強く押圧される。 - 特許庁 - In the MR magnetic sensor, first and second vertically surface energized magnetoresistive effect elements 1 and 2 respectively having magnetic flux sensing films are laminated upon another through a nonmagnetic intermediate gap layer 3 so that the magnetic flux sensing films may become closer to each other.
磁束感知膜を有する面垂直通電型の第１および第２の磁気抵抗効果素子１および２が、互いの磁束感知膜が近接する側に位置するように非磁性中間ギャップ層３を介して積層する構成とする。 - 特許庁
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