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１つの実施の形態では、デュアルゲート半導体装置は、上に第１のゲート誘電体が形成されており、該第１のゲート誘電体の上に窒素および酸素を含む拡散障壁層が形成されている低電圧領域と、第１のゲート誘電体より厚い厚さを有する第２のゲート誘電体が上に形成されており、前記拡散障壁層が無い高電圧領域と、を含む。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with either one or both of the island type semiconductor layer formed on a partial region of the semiconductor substrate, first elements formed on the side wall of the island type semiconductor layer, more than one of second elements formed on the surface of the other regions than the semiconductor substrate, and the non-circuit patterns formed on the surface of other regions.
半導体基板上の一部の領域に形成された島状半導体層と、前記島状半導体層の側壁上に形成された第１素子と、前記半導体基板上の他の領域の表面に形成された１以上の第２素子と前記他の領域の表面に形成された非回路パターンとのいずれか一方あるいは両方を備えることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁 - This film is produced by laminating a first layer A made of a polyester having a major repeating unit of an ethylene terephthalate and a second layer B made of a composition of 1-40 wt.% of an acrylic resin consisting of a repeating unit represented with the formula and 60-99 wt.% of a polyester having a major repeating unit of an ethylene terephthalate to each other.
エチレンテレフタレートを主たる繰り返し単位とするポリエステルからなる第１層（Ａ）と、下記一般式で表わされる繰り返し単位からなるアクリル樹脂１〜４０重量％とエチレンテレフタレートを主たる繰り返し単位とするポリエステル６０〜９９重量％からなる組成物で形成される第２層（Ｂ）とを積層してなることを特徴とする金属板ラミネート用積層フィルム。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the multilayer board, a conductive wiring layer 14 formed by patterning a conductive film 13 is laminated via an insulating film 12, a circular confirmation hole 14 is provided in the conductive film 13 laminated first, the position of the confirmation section 14 is recognized, and the second wiring layer 18 or thereafter is patterned.
本形態の多層基板の製造方法は、導電膜１３をパターニングすることで形成された配線層１４が絶縁膜１２を介して積層される多層基板の製造方法において、最初に積層される導電膜１３に円形の確認孔１４を設け、この確認部１４の位置を認識してから、２層目以降の配線層１８のパターンニングを行う構成に成っている。 - 特許庁 - This panel has a plurality of main discharge cells 15 formed by scanning electrodes 6, maintenance electrode 7, and data electrode 10, and has barrier ribs 13 formed so as to section a plurality of priming discharge cells 16 formed by the scanning electrodes 6 and the priming electrodes 12, and a second dielectric layer 20 and fluorescent material layer 41 for insulation are installed in the priming discharge cell 16.
走査電極６および維持電極７とデータ電極１０とで形成される複数の主放電セル１５と、走査電極６とプライミング電極１２とで形成される複数のプライミング放電セル１６とを区画するように形成した隔壁１３とを有し、プライミング放電セル１６内に第２誘電体層２０と絶縁用蛍光体層４１とを設ける。 - 特許庁 - This printed wiring board with a built-in electronic circuit having base metal 1 made on its surface, a first electronic circuit 3 formed on the base material 1 and connected to a first wiring, a first insulating resin layer 2 formed on the first electronic circuit 3 and the base material 1, and a second wiring made on the first insulating resin layer 2, and its manufacturing method.
表面に第１の配線が形成された基材１と、基材１上に形成され、第１の配線に接続する第１の電子回路３と、第１の電子回路３および基材１上に形成された第１の絶縁性樹脂層２と、第１の絶縁性樹脂層２上に形成された第２の配線とを有する電子回路内蔵プリント配線板およびその製造方法。 - 特許庁 - A seizure resistance improving method comprises a first step of carburizing a sliding surface of a steel base, a second step of performing chromium plating on the carburized sliding surface, and a third step of forming an oil sump recess comprising very small recesses in a chromium-plated layer and a relatively large recess formed by a peeled chromium-plated layer on the sliding surface by giving shocks to the chromium-plated sliding surface.
鉄鋼基材の摺動面を浸炭処理する第１の工程と、浸炭処理された上記摺動面にクロムメッキを施す第２の工程と、クロムメッキが施された上記摺動面に衝撃を与えて該摺動面にクロムメッキ層の微小凹部と該クロムメッキ層の剥落による比較的大きな凹部とからなる油溜り凹部を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - In the contents reception and distribution system that uses an IT home electric device incorporating an HDD, contents encrypted not to be changed or erased are recorded on the second layer of a two-layer recording medium, the contents are decoded by using a secret key provided from a contents manager when a user makes contents use contact with the manager, and a contents use right is provided.
ＨＤＤを内蔵するＩＴ家電を使ったコンテンツ受配信システムにおいて、２層記録媒体の第２層には変更や消去が出来ない暗号化されたコンテンツが記録されており、ユーザーがコンテンツ管理者とコンテンツ利用契約を結んだ際に支給されるコンテンツ管理者から供給の秘密鍵を用いて、コンテンツを復号化して、コンテンツの利用権利を与える。 - 特許庁 - The antenna unit 20 is mounted on a mobile terminal having a metal hinge part 24 for connecting a first housing and a second housing, and comprises a ground layer 21 arranged inside the first housing, a power supply part 22 formed in the ground layer 21, and a power supply element 23 electrically connected to the power supply part 22 and the hinge part 24.
本発明のアンテナ装置２０は、第１筐体と第２筐体とを連結する金属製のヒンジ部２４を備えた携帯端末に搭載するアンテナ装置であって、第１筐体内部に配置されたグランド層２１と、グランド層２１に形成された給電部２２と、給電部２２に接続されると共にヒンジ部２４に電気的に接続された給電素子２３とを備える。 - 特許庁 - The reflection sheet 10 is constituted as follow; a silver deposition film 14 as a positive reflection layer is formed on the surface 13a of a resin material sheet 13 and a translucent resin layer 15 excellent in light transmissivity which includes first filler 16 having a relatively small particle size and second filler 17 having a relatively large particle size is formed on the surface 14a of the silver deposition film 14.
反射シート１０は、樹脂材料製シート１３の表面１３ａに正反射層としての銀蒸着膜１４が形成され、この銀蒸着膜１４の表面１４ａに相対的に粒径の小さな第１のフィラー１６と相対的に粒径の大きな第２のフィラー１７を含む光透過性に優れた透光性樹脂層１５が形成されてなるものである。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 includes a semiconductor layer 2, an emitter electrode 6 formed on the surface of the semiconductor layer 2, a first convex part 4 with the insulation property at least on the surface, formed around and on the inner side of the outer periphery of the surface of the semiconductor device 100, and a second convex part 8 formed in the inner side range of the first convex part 4.
半導体装置１００は、半導体層２と、半導体層２の表面に形成されているエミッタ電極６と、半導体装置１００の表面の外周に沿って外周の内側を一巡しているとともに、少なくとも表面が絶縁性である第１凸部４と、第１凸部４の内側範囲に形成されている第２凸部８を備えている。 - 特許庁 - An insulation trench 15 is disposed so as to enclose a memory cell 1 and an adjacent memory cell 16, doped active region 17 between the memory cell 1 and the adjacent memory cell 16 is formed, and a second dielectric layer 12 having an inside opening 13 is disposed above an epitaxial grown layer 11 in the upper region 6 of a trench 3.
絶縁トレンチ１５が、メモリセル１と、隣接する別のメモリセル１６とを取り囲むように配置されており、該メモリセル１と、隣接する別のメモリセル１６との間にドーピングされたアクティブ領域１７が形成されており、トレンチ３の上方領域６において、エピタキシャル成長層１１の上方に、内側開口１３を有する第２の誘電層１２が配置されている。 - 特許庁 - The concentration measuring device 1 includes: a grazed substrate 5 that composes a region where liquid is injected and has a ceramic substrate 13 and a first glass layer 14 formed on the ceramic substrate 13; and a first electrode 8 and a second electrode 7 arranged on the first glass layer 14 with a gap so that they come into contact with liquid.
濃度測定装置（１）は、液体が注入される領域を構成するグレーズド基板（５）であって、セラミック基板（１３）と、セラミック基板（１３）上に形成した第１のガラス層（１４）と、を有するグレーズド基板（５）と、液体と接触するように、第１のガラス層（１４）の上に互いに間隔を空けて配置された第１の電極（８）及び第２の電極（７）と、を備える。 - 特許庁 - (1) The DRAW type magnetic recording medium is obtained by disposing at least a first light absorption layer essentially consisting of an organic material and a second light absorption layer essentially consisting of a metallic material and/or an inorganic material.
（１）基板上に少なくとも、有機材料を主成分とする第一の光吸収層と、金属材料及び／又は無機材料を主成分とする第二の光吸収層を設けた追記型光記録媒体において、第一及び第二の光吸収層は、５００ｎｍ以下の青色レーザ波長領域の記録再生光に対する吸光度が０．５以下である追記型光記録媒体。 - 特許庁 - A first support 10 having a magnetic layer 10a on one surface, and a second support 12 having a magnetic layer 12a on one surface are stuck to each other with the other surfaces having no magnetic layers faced oppositely, and the magnetic layers 10a, 12a contain magnetic particles having CuAu type or Cu_3Au type ferromagnetic ordered alloy phases.
一方の面に磁性層１０ａを有する第１の支持体１０と、一方の面に磁性層１２ａを有する第２の支持体１２とが、前記磁性層を有さない他方の面を対向させて貼り合わされており、前記磁性層１０ａ，１２ａがＣｕＡｕ型またはＣｕ_３Ａｕ型強磁性規則合金相を有する磁性粒子を含有することを特徴とする磁性粒子塗布物である。 - 特許庁 - The manufacturing method comprises a step of forming a first film made of silicon oxide or silicon oxide nitride film on a silicon substrate, a step of forming a second film made of tetrachlosilane single molecular layer 1 in an ALD-CVD method, and a step of forming a third film made of silicon nitride single molecular layer by nitriding treatment or oxide-nitriding treatment in the ALD-CVD method.
シリコン基板上にシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜からなる第１の膜を形成する工程と、ＡＬＤ−ＣＶＤ法によりテトラクロロシラン単分子層１層からなる第２の膜を形成する工程と、ＡＬＤ−ＣＶＤ法により窒化処理または酸窒化処理して窒化ケイ素単分子層１層からなる第３の膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - The semiconductor device 10 mounted on a printed board 11 by flip-chip mounting through solder bumps 9 and the like is provided with a semiconductor substrate 1, the inductor 4 arranged with a first insulating resin layer 3 set between the semiconductor substrate 1 and itself, and a shield 6 arranged above the inductor 4 with a second insulating resin layer 5 set between the inductor 4 and itself.
はんだバンプ９等によりプリント基板１１上にフリップチップ実装される半導体装置１０であって、半導体基板１と、前記半導体基板１との間に第１の絶縁樹脂層３を介して設けられたインダクタ４と、前記インダクタ４との間に第２の絶縁樹脂層５を介して前記インダクタ４の上部に設けられたシールド６とを備えることを特徴とする。 - 特許庁 - The invention relates to the discharge monitor equipped with a second insulation protective layer for protecting the discharge monitor elements on a discharge monitor substrate on which a plurality of discharge monitor elements constituted of at least two or more charge collection electrodes, a low melting point metal wire for connecting them, and a first insulation protective layer for protecting the low melting point metal wire are provided in parallel.
本発明は、少なくとも２つ以上の電荷収集電極と両者をつなぐ低融点金属配線、および低融点金属配線を保護する第一の絶縁保護層から構成される放電モニタ要素が、複数並列に配置された放電モニタ基板において、放電モニタ要素を保護する第二の絶縁保護層を配置したことを特徴とする放電モニタに関する。 - 特許庁 - In the method for producing a photosensitive lithographic printing plate material having on a support a photosensitive layer containing (A) a photopolymerization initiator, (B) a polymerizable ethylenic double bond-containing compound and (C) a polymer binder, drying air in the first half and drying air in the second half of a drying zone for the photosensitive layer have a temperature distribution.
支持体上に、（Ａ）光重合開始剤、（Ｂ）重合可能なエチレン性二重結合含有化合物、（Ｃ）高分子結合材を含有する感光層を有する感光性平版印刷版材料の製造方法において、該感光層の乾燥ゾーンの乾燥前期と乾燥後期の乾燥風に温度分布があることを特徴とする感光性平版印刷版材料の製造方法。 - 特許庁 - A silicon carbide semiconductor device includes a silicon carbide substrate 1 and a silicon carbide drift layer 2 laminated on a first principal surface 1a of the substrate 1, which has a removal region 15 reaching the drift layer 2 from a second principal surface 1b, a region on the removal region 15 being an IGBT region 14 and the other region being a MOSFET region 13.
本発明の炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１と、基板１の第１主面１ａ上に積層された、炭化珪素ドリフト層２を備え、基板１は、第２主面１ｂからドリフト層２に達する除去領域１５を備え、除去領域１５上の領域がＩＧＢＴ領域１４、それ以外の領域がＭＯＳＦＥＴ領域１３である。 - 特許庁 - The laminated film is constituted by laminating the first resin layer comprising the acrylic resin on the second resin layer comprising a resin composition which is prepared by adding an inorganic filler to a butadiene- containing resin containing an aromatic vinyl compound, a vinyl cyanide compound and butadiene as essential monomers and contains 1-40 wt.% of inorganic filler and 5-40 wt.% of an acetone-insoluble resin component.
アクリル系樹脂からなる第一の樹脂層及び、芳香族ビニル化合物とシアン化ビニル化合物とブタジエンを必須の単量体とする含ブタジエン樹脂に無機フィラーを含有する樹脂組成物であって、無機フィラーの含量が１〜４０重量％であり、アセトン不溶樹脂分が５〜４０重量％である第二の樹脂層が積層された積層フィルムが提供される。 - 特許庁 - The method of manufacturing a fuel cell catalyst layer includes a first step of applying a catalytic ink S containing a catalyst carrying conductive carrier, an electrolyte and a dispersion solvent on a surface of a base material T in layers to form a coating film and a second step of drying the coating film in a pressure reduced atmosphere to form a catalyst layer on the surface of the base material T.
本発明の燃料電池用触媒層の製造方法は、触媒が担持された導電性担体と、電解質と、分散溶媒と、を含む触媒インクＳを、基材Ｔ表面に層状に塗布して塗膜を形成する第１の工程と、塗膜を減圧雰囲気下で乾燥させて基材Ｔ表面に触媒層を形成する第２の工程と、からなるものである。 - 特許庁 - The first doped semiconductor regions 18 and the second doped semiconductor regions 28 are electrically grounded or forward-biased relative to the bottom semiconductor layer at a voltage that is insufficient to cause excessive current due to forward-biased injection of minority carriers into the bottom semiconductor layer, i.e., at a potential difference not exceeding 0.6V to 0.8V.
第１のドープされた半導体領域１８及び第２のドープされた半導体領域２８は、共にグランド電位に接続されるか、又は底部半導体層への少数キャリアの順方向バイアス注入に基づく過剰な電流を生じるには不十分は電圧、即ち、０．６Ｖ乃至０．８Ｖを越えない電位差を保って底部半導体層に対して順方向バイアスされる。 - 特許庁 - The laminated chip varistor 11 comprises a varistor element 21 composed of a varistor layer, and of a plurality of internal electrodes disposed to sandwich the varistor layer; and first external electrodes 22, 23 and second external electrodes 25 to 28 formed on the outer surface of the varistor element 21, and respectively connected with the corresponding internal electrodes among the plurality of the internal electrodes.
積層型チップバリスタ１１は、バリスタ層と、当該バリスタ層を挟むように配置される複数の内部電極とを有するバリスタ素体２１と、バリスタ素体２１の外表面に形成されると共に、複数の内部電極のうち対応する内部電極にそれぞれ接続される第１の外部電極２２，２３及び第２の外部電極２５〜２８と、を有している。 - 特許庁 - In addition, the presented printed wiring board production method includes: an inactive conductor film formation process for forming an inactive conductor film on the surface of the first circuit conductor; and a surface treatment process for roughening the surface of the second insulator layer formed at the first circuit conductor formation side of the first insulator layer with the first circuit conductor formed on the surface.
第一回路導体の表面に不活性導体皮膜を形成する不活性導体皮膜形成工程と、さらに表面に第一回路導体が形成された第一絶縁体層の第一回路導体形成面側に形成された第二絶縁体層の表面を粗化する表面処理工程を含むことを特徴とするプリント配線板の製造方法。 - 特許庁 - The semiconductor device includes: a plurality of first wiring layers 12 formed on an optional level layer on a substrate and formed of patterns having wiring widths and pitches smaller than those of a solution limit of an exposure technology; and second wiring layers 14 formed between the plurality of first wiring layers 13 in the same level layer and having a wiring width larger than that of each of the first wiring layers 13.
半導体装置は、基板上の任意のレベル層に設けられ、かつ露光技術の解像限界より小さい配線幅及び間隔を有するパターンで形成された複数の第１の配線層１２と、同一レベル層内で複数の第１の配線層１３の間に設けられ、かつ第１の配線層１３より大きい配線幅を有する第２の配線層１４とを含む。 - 特許庁 - To prevent generation of cracks or micro-cracks in a thin dielectric layer formed on a dielectric layer by using an epoxy type material or a polyvinyl butyrate(PVB) type material as a seal, and treating the seal at specified temperature, after first and second substrates are positioned.
構造的要素又はガラス基板上に形成される部品の層、特に例えばＡＣプラズマパネルの場合に厚い誘電体層上に形成されるマグネシアの薄い誘電体層の中のき裂又は微視き裂を形成する危険性を防止するような、シールによって相互に封止される第１及び第２のガラス基板を含むタイプの部品の製造のための方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The elastic wave element is provided with a piezoelectric single crystal substrate 5, a first conductivity type semiconductor layer 3 provided on the piezoelectric single crystal substrate 5 and a plurality of linear second conductivity type semiconductor regions 4a and 4c arrayed in a prescribed cycle in a prescribed direction on the surface facing the piezoelectric single crystal substrate 5 of the first conductivity type semiconductor layer 3.
圧電単結晶基板５と、この圧電単結晶基板５上に設けられた第１導電型半導体層３と、この第１導電型半導体層３の圧電単結晶基板５に対向する面に所定の方向に所定の周期で配列して設けられた複数の線状の第２導電型半導体領域４ａ、４ｃとを具備することを特徴とする弾性波素子。 - 特許庁 - The adhesive sheet comprises first release paper, an adhesive layer and second release paper that are laminated in this order, wherein the adhesive layer contains an adhesive; the adhesive contains at least an acrylic resin, an epoxy resin, a curing agent, and a curing catalyst; the curing agent is a dicyandiamide-based compound; and the curing catalyst is an imidazole-based catalyst.
第１離型紙と、粘接着層と、第２離型紙とを、この順で積層してなる粘接着シートであって、前記粘接着層が、粘接着剤を含んでなり、前記粘接着剤が、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、硬化剤、および硬化触媒を少なくとも含み、前記硬化剤がジシアンジアミド系の化合物であり、前記硬化触媒が、イミダゾール系触媒であることを特徴とする。 - 特許庁 - The photo sensitive and heat sensitive recording material is provided on a substrate with a photo sensitive and heat sensitive recording layer containing at least a diazonium salt, a coupler for developing color through a reaction with the diazonium salt and a base while the photo sensitive and heat sensitive recording layer contains at least one kind of compound having nitrogen atom substituted through second class or third class substitution.
支持体上に、ジアゾニウム塩と、該ジアゾニウム塩と反応して発色させるカプラーと、塩基とを少なくとも含む感光感熱記録層を有する感光感熱記録材料であって、前記感光感熱記録層が、２級若しくは３級置換された窒素原子を有する化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする感光感熱記録材料である。 - 特許庁 - The method of subjecting the acoustic resonator to batch processing includes a process step of depositing a first electrode on the surface of a substrate, a process step of depositing a layer of a dielectric material on the first electrode and depositing a second electrode on the layer of the piezoelectric material and a process step of reducing the thickness of the substrate (200) by removing the material from the base surface of the substrate (200).
本発明による音響共振器をバッチ処理するための方法は、基板の表面上に第１の電極を堆積させる工程と、第１の電極上に圧電材料の層を堆積させ、圧電材料の層上に第２の電極を堆積させる工程と、基板（２００）の底面から材料を除去して基板（２００）の厚さを少なくする工程を含む。 - 特許庁 - The antistatic transparent laminate is constituted of a first layer which has an antistatic function with a capability of adjusting a refractive index so as to match with the refractive index of the transparent support and further, has microprotrusions with an average surface roughness (Rz) of not less than 100 nm formed of added particles and a second layer with hard coating properties, laminated on the transparent support.
透明な支持体の上に、帯電防止機能を持たせ、かつ前記透明な支持体の屈折率と同じくなるように屈折率を調整し、さらにその表面が、添加した粒子により、平均表面粗さ（Ｒｚ）が１００ｎｍ以上の微小な凸部を設けた第１層と、ハードコート性を有する第２層を積層した構成とすることにより解決した。 - 特許庁 - The organic EL element 10 is manufactured by forming organic thin films having dipole moment at either or both of the base plate 1 on which the first electrode 2 is formed and the base plate 7 on which the second electrode 6 is formed, and by arranging the both base plates so that the electrodes face to each other, and by forming the luminescent layer 4 by injecting the liquid crystalline organic material for the luminescent layer between the electrodes.
この有機ＥＬ素子１０は、第１電極２が形成された基板１と第２電極６が形成された基板７の一方又は両方に双極子モーメントを有する有機薄膜を形成し、その両基板を電極が向き合うように対向させ、電極間に発光層用の液晶性有機材料を注入して発光層４を形成することにより製造する。 - 特許庁 - A TN liquid crystal 305 is inserted into a collimator lens 143, no voltages are applied to the TN liquid crystal 305 when a laser beam is focused on a first recording layer 101, a specified voltage is applied to the TN liquid crystal 305 when a laser beam is focused on a second recording layer 102, and thus the focal distance of the collimator lens 143 is changed.
コリメータレンズ１４３中にＴＮ型液晶３０５を挿入し、第１の記録層１０１上にレーザビームを合焦する場合はＴＮ型液晶３０５に電圧を印加せず、第２の記録層１０２上にレーザビームを合焦する場合はＴＮ型液晶３０５に所定電圧を印加し、これによりコリメータレンズ１４３の焦点距離を変更するようにした。 - 特許庁 - The manufacturing method of an electrode for the electrochemical element includes a first process of continuously installing active material layers for storing and releasing lithium on a conductive current collector, and forming a precursor of the electrode in a hoop state; a second process of forming a plurality of grooves in the active material layer; and a third process of membrane forming lithium on the active material layer.
本発明の電気化学素子用電極の製造方法は、導電性を有する集電体の上にリチウムを吸蔵放出する活物質層を連続して設け、電極の前駆体をフープ状に形成する第１の工程と、活物質層に複数の溝を形成する第２の工程と、活物質層の上にリチウムを成膜する第３の工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - This pressure vessel 1 comprises container structures 2 having cylindrical liners 3 and reinforcement fibers circumferentially wound on the outer peripheral wall surfaces of the liners 3 and formed of a first fiber-reinforced resin layer 4 covering the outer peripheral wall surfaces of the liners 3 and a second fiber-reinforced layer 20 having reinforcement fibers wound in the longitudinal direction of all container structures 2.
筒状ライナ３およびライナ３の周壁外周面にその周方向に巻き付けられた補強繊維を有しかつライナ３の周壁外周面を覆う第１の繊維強化樹脂層４よりなる容器構成体２と、すべての容器構成体２の長さ方向に巻き付けられた補強繊維を有する第２の繊維強化樹脂層20とを備えた圧力容器１である。 - 特許庁 - The light emitting element having a structure of laminating a first light emitting mixture layer 4 composed of a hole transporting material, an electron transporting material, and a dopant for determining an emitting color; and a second light emitting mixture layer 5 composed of the hole transporting material, the electron transporting material, and the dopant for determining the emitting color, and a picture display device using the light emitting element is used.
正孔輸送性材料，電子輸送性材料、及び発光色を決定するドーパントからなる第１の発光混合層４と正孔輸送性材料，電子輸送性材料、及び発光色を決定するドーパントからなる第２の発光混合層５を積層させた構造をとる、有機発光素子及びこの発光素子を用いた画像表示装置を用いる。 - 特許庁 - This structure is constituted by combining integrally a first layer shielding material 11 formed of a light material of low density which generates hardly nuclear fragmentation by action of the charged particle of high energy incident from an outside to decelerate the charged particle of high energy with a second layer shielding material 13 formed of a heavy material of high density to decelerate the incident charged particle effectively.
外から入射してくる高エネルギー荷電粒子の作用で核破砕を起こし難い密度が小さい軽材料で形成して前記高エネルギー荷電粒子を減速する１層目の遮蔽材１１と、密度が大きい重材料で形成して入射した荷電粒子を効果的に減速する２層目の遮蔽材１３とを一体的に組み合わせて構成した。 - 特許庁 - A p-type semiconductor region 3 includes a first semiconductor region 11, that is formed by selectively introducing impurities onto the main surface of an n^--type epitaxial layer 2, and is formed to a prescribed depth from the main surface of the n^--type epitaxial layer 2; and a plurality of second semiconductor regions 12, projecting toward the depthwise direction from a bottom surface 13 in the first semiconductor region 11.
Ｐ型半導体領域３は、Ｎ^-型エピタキシャル層２の主面上に不純物を選択的に導入することによって形成され、Ｎ^-型エピタキシャル層２の主面から所定の深さにまで形成された第１半導体領域１１と、第１半導体領域１１における底面１３から更に深部方向へと突出する複数の第２半導体領域１２とを含む。 - 特許庁 - This rubber roller is featured by having a base body, a first covering layer covering this base body and being composed of a foaming elastic body formed by using polar rubber and a resistance adjusting conductive filler as a main raw material and a second covering layer covering the outside surface and using a non-polar resin and a resistance adjusting conductive filler as a main raw material.
基体と、この基体を被覆し、有極性ゴムおよび抵抗調整のための導電性充填剤を主原料として生成された発泡弾性体からなる第１被覆層と、さらにその外表面を被覆し、無極性樹脂および抵抗調整のための導電性充填剤を主原料とする第２被覆層とを有することを特徴とするゴムローラ。 - 特許庁 - To enhance breakdown voltage and avalanche resistance by preventing concentration of avalanche current to a corner of the channel region of cell structure of an FET having a square second conductivity channel region in the surface layer of a first conductivity semiconductor substrate, a heavily doped well region in the central part thereof, a first conductivity source region in the surface layer, and an MOS structure on the surface.
第一導電型の半導体基板の表面層に、方形の第二導電型チャネル領域、その中央部に高不純物濃度のウェル領域、表面層に第一導電型ソース領域、さらに表面上のＭＯＳ構造を備えたＦＥＴのセル構造のチャネル領域の角部へのアバランシェ電流の集中を防ぎ、耐圧、アバランシェ耐量を向上させる。 - 特許庁 - The liquid crystal display has pixel electrodes provided in a plurality of pixel regions on the side of a liquid crystal layer of a first substrate; a counter electrode provided on a second substrate and opposed to the pixel electrodes via the liquid crystal layer; switching elements electrically connected to the pixel electrodes; and scanning wiring and signal wiring at least one of which is provided on the first substrate.
本発明による液晶表示装置は、第１基板の液晶層側に複数の絵素領域ごとに設けられた絵素電極と、第２基板に設けられ絵素電極に液晶層を介して対向する対向電極と、絵素電極に電気的に接続されたスイッチング素子と、少なくとも一方が第１基板上に設けられた走査配線および信号配線とを有する。 - 特許庁 - The plastic lens 10 comprises a plastic substrate 1 having a first main surface that is a convex surface 1A and a second main surface that is a concave surface 1B, a photochromic compound-containing photochromic layer 3 formed on the convex surface 1A side of the substrate 1, and an impact-absorbing primer layer 4 formed on the concave surface 1B side of the substrate 1.
プラスチックからなる基材１によって構成されているプラスチックレンズ１０であって、一方の主面が凸面１Ａであり、他方の主面が凹面１Ｂである、基材１と、基材１の凸面１Ａ側に形成され、フォトクロミック化合物を含有するフォトクロミック層３と、基材１の凹面１Ｂ側に形成され、衝撃吸収性を有するプライマー層４とを含む、プラスチックレンズ１０を構成する。 - 特許庁 - To obtain a low-cost and high-performance semiconductor integrated circuit and its manufacturing method by preventing production of drum shapes in a second insulating layer which insulates conductive layers, by etching in lateral direction in a multilayer wiring construction in which layers including conductive layers as wiring are formed in multilayer, by interposing a first insulating layer made mainly of organic polymer film.
配線となる導電層を含む層状部分が、有機高分子膜を主材料とする第一絶縁層を介在して多層的に形成された多層配線構造において、横方向エッチングによって導電層間を絶縁する第二絶縁層に太鼓形状が生じることを防止し、低コストで高性能な半導体集積回路およびその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁 - When laminating a plurality of material layers by discharging ink from a droplet discharge head to a substrate P, a non-discharging region H is preset on a drain electrode 544, ink is discharged on a part other than non-discharging region of the drain electrode 544, and a second interlayer insulating layer 584 is formed on the drain electrode 544 and a first interlayer insulating layer 583.
基板Ｐに対して液滴吐出ヘッドからインクを吐出して複数の材料層を積層する際、ドレイン電極５４４上面に非吐出領域Ｈを予め設定しておき、ドレイン電極５４４のうち非吐出領域Ｈ以外の部分にインクを吐出して、ドレイン電極５４４及び第１層間絶縁層５８３上層に第２層間絶縁層５８４を形成する。 - 特許庁 - On at least one face of a polymer thin film 5 made of molecular compound, as principal component, which is obtained by superimposing monomer in this piezoelectric element 1a, a piezoelectric thin film 3, located in between a first electrode layer 2 and a second electrode layer 4 and made of a piezoelectric body as the principal component which generates charges by applying a dynamic force is formed.
本発明に係る圧電素子１ａは、単量体を重合してなる高分子化合物を主成分とする高分子薄膜５の少なくとも一方の面に、第１電極層２と、第２電極層４との間に挟まれた、力学的な力が印加されることにより電荷を生じる圧電体を主成分とする圧電体薄膜３が形成されていることを特徴としている。 - 特許庁 - Within a scribe line 13, a dummy pattern 14 is formed in the vicinity of an overlap accuracy measuring mark comprising a first layer pattern 11 formed on a semiconductor substrate and a second layer pattern 12 as a resist pattern and, as the result, the resist pattern 10 in the vicinity of the overlap accuracy measuring mark is arranged to be symmetrical to the overlap accuracy measuring mark.
スクライブライン１３内において、半導体基板上に形成された第１層のパターン１１とレジストパターンで形成される第２層のパターン１２とからなる重ね合わせ精度測定マークの周辺にダミーパターン１４を形成することにより、重ね合わせ精度測定マークの周辺のレジストパターン１０を重ね合わせ精度測定マークに対して対称に配置する。 - 特許庁 - This method for producing the organic electroluminescent element comprises steps of forming a first electrode on a substrate; preparing a solution containing a hole carrier organic material, an electron carrier organic material and a light emitting organic material; atomizing the solution on the first electrode by use of a pressurized gas to form the organic thin film layer; and forming a second electrode on the organic thin film layer.
基板上に第１の電極を形成し、正孔輸送性有機材料、電子輸送性有機材料および発光性有機材料を含む溶液を調製し、この溶液を加圧気体を用いて第１の電極上に噴霧して有機薄膜層を形成し、有機薄膜層上に第２の電極を形成する工程を有する有機電界発光素子の製造方法。 - 特許庁 - This semiconductor device 100 is provided with a first conductive semiconductor board 10, a first conductive well 12 formed on the semiconductor board 10, a gate insulating layer 20 formed on the semiconductor substrate 10, a gate electrode 22 formed on the gate insulating layer 20, and second conductive source/drain layers 14a and 14b formed on the semiconductor substrate 10.
半導体装置１００は、第１導電型の半導体基板１０と、半導体基板１０に形成された、第１導電型のウェル１２と、半導体基板１０の上に形成されたゲート絶縁層２０と、ゲート絶縁層２０の上に形成されたゲート電極２２と、半導体基板１０に形成された第２導電型のソース／ドレイン層１４ａ，１４ｂと、を有する。 - 特許庁 - In two small areas (i.e., a first small area and a second small area) provided outside the central part within the emitting area, a transparent layer 111A and a transparent layer 111B that are optically transparent dielectric films to reduce a reflectance of each small area lower than that of the central part of the emitting area are formed at an optical thickness of [oscillation wavelength/4].
また、射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた２つの小領域（第１の小領域、第２の小領域）には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜である透明層１１１Ａ及び透明層１１１Ｂが「発振波長／４」の光学的厚さで設けられている。 - 特許庁
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