「second-layer」を含む例文一覧(21457)
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第１半導体層は第１導電形であり、発光光のピーク波長よりも長いピッチの凹凸を有する凹凸部分と、凹凸部分よりも平坦な平坦部分と、を有する第１面と、第１面とは反対側の第２面と、を有する。 - 特許庁 - The piezoelectric material layer 13 is provided with a first part 13A, which functions as a piezoelectric actuator corresponding to each pressure chamber 23a, and a second part 13B functioning as a piezoelectric transformer for amplifying a drive voltage supplied to the piezoelectric actuator.
圧電材料層１３は、各圧力室２３ａに対応する圧電アクチュエータとして機能する第１の部分１３Ａと、前記圧電アクチュエータに供給される駆動電圧を増幅する圧電トランスとして機能する第２の部分１３Ｂとを備える。 - 特許庁 - The capacitor element 10 of a first embodiment has a structure where a first electrode 15, having a plurality of columnar electrodes 15b, faces a second electrode 17, filled between the columnar electrodes 15b, by holding the dielectric layer 16 between them.
第１の実施形態のコンデンサ素子１０は、複数の柱状電極１５ｂを備える第１電極１５と複数の柱状電極１５ｂの間に充填された第２電極１７とが誘電体層１６を挟んで対向する構造を有する。 - 特許庁 - The electro-wetting apparatus includes: a liquid having electric conductivity or polarity; first and second electrodes for applying voltage on the liquid; a dielectric material layer provided between the liquid and the first electrode; and a voltage applying part.
本発明のエレクトロウェッティング装置は、導電性または有極性を有する液体と、液体に電圧を印加する第１及び第２電極と、液体と第１電極との間に設けられた誘電体層と、電圧印加部とを備える構成とした。 - 特許庁 - As the result, a bimetal laminate structure 10 provides with the decorating metallic layer 12 formed from the first metallic material and the metallic substrate 14 formed by the second metallic material being different from the first metallic material.
その結果作成されるバイメタル・ラミネート構造１０は、第１の金属素材から形成されている装飾金属層１２と、前記第１の金属素材とは異なる第２の金属素材から形成されている金属基板１４とを備えている。 - 特許庁 - To provide an improved method of rapidly and easily applying a layer of a material capable of alloying between first and second galvanized metallic components for minimizing the vaporization of a galvanized coating, thus facilitating the application of a welding technique.
ガルバニック被覆の蒸発を最低限に抑え、それによって溶接技術の適用を容易にするために、第１と第２の亜鉛めっき金属部品の間に合金化可能材料の層を迅速かつ容易に適用する改善された方法を提供する。 - 特許庁 - The OCB mode type liquid crystal layer LC having positive dielectric constant anisotropy Δε is sandwiched between a pixel electrode 17 disposed on a first transparent substrate 10 and a common electrode 21 disposed on a second transparent substrate 20.
第１の透明基板１０に配置された画素電極１７と第２の透明基板２０に配置された共通電極２１との間に、正の誘電率異方性Δεを有したＯＣＢモード型の液晶層ＬＣが挟持されている。 - 特許庁 - Each of the membrane has a longitudinal tensile modulus sufficiently greater than the shear modulus of the elastmeric shear layer, and a longitudinal compression modulus of the second membrane 140 is at least equal to the longitudinal tensile modulus of the first membrane.
各メンブレンはエラストマー剪断層の剪断弾性率より十分に大きな縦方向引張り弾性係数を有し、第２のメンブレン１４０の縦方向圧縮弾性率は第１のメンブレンの縦方向引張り弾性係数に少なくとも等しい。 - 特許庁 - The gas-sensitive element A contains palladium in its surface layer region 2 up to a depth of 60 μm from its surface as a first additive and also contains at least one kind of a metal selected from tungsten, molybdenum, vanadium as a second additive.
感ガス体Ａは、その表面から深さ６０μｍまでの表層領域２に第一添加物としてパラジウムを含有すると共に、第二添加物としてタングステン、モリブデン、バナジウムから選択される少なくとも一種の金属を含有する。 - 特許庁 - This toner contains a plurality of particulates containing a core containing first latex particles, wax and pigment, or a complex of the first latex particles/wax and pigment, and a first shell layer which contains second latex particles and covers at least part of the core surface.
第１ラテックス粒子、ワックス及び顔料、または第１ラテックス粒子−ワックスの複合体及び顔料を含むコアと、第２ラテックス粒子を含んでコア表面の少なくとも一部を覆う第１シェル層と、を含む複数の微粒子を含むトナー。 - 特許庁 - In the resistance elements formed by electrodes and resistors mounted on a semiconductor device, the resistors are formed on a semiconductor layer having a first sheet resistance region 1 and a second sheet resistance region 2 which have different sheet resistances.
半導体装置に搭載された抵抗用電極と抵抗体とで構成される抵抗素子において、上記の抵抗体がシート抵抗の異なる第１のシート抵抗領域１と第２のシート抵抗領域２を有する半導体層に形成される。 - 特許庁 - An apparatus for performing optical routing includes a metallic layer having first and second profiles, structure of regular arrangement located along the first profile and an input optical waveguide located to illuminate part of the first profile.
光ルーティングを行うための装置は、第１および第２の側面を有する金属層と、第１の側面に沿って位置付けされた規則的な配列の構造と、第１の側面の一部を照らすように位置付けされた入力光導波路とを含む。 - 特許庁 - Impurities of the same conductive type are doped to the first and second carrier confinement layers, and the active layer has no impurities doped on it or impurities of the same conductive type as that doped to the carrier confinement layers are doped.
第１及び第２のキャリア閉込層に同一導電型の不純物がドープされており、活性層には、不純物がドープされていないか、またはキャリア閉込層にドープされている不純物と同一導電型の不純物が低濃度にドープされている。 - 特許庁 - An alloy containing zinc with a basic group of tin is used as a junction material and a first member on which a coating film layer is provided with tin and lead 5% or more in weight ratio and 95% or less in the surface composition and a second member are bonded together.
亜鉛を含有し錫を基とする合金を接合材料として用いて、表面組成が錫と重量比で５％以上かつ９５％以下の鉛とを有する被覆層が設けられた第１の部材を第２の部材と接合する。 - 特許庁 - In a non-volatile semiconductor storage device 1, a first insulating film 5, a charge accumulation layer 6, a second insulating film 13, a third insulating film 14, a fourth insulating film 15 and a control gate 17 are formed on the surface of a semiconductor substrate 3.
不揮発性半導体記憶装置１においては、半導体基板３の表面上に第１の絶縁膜５、電荷蓄積層６、第２の絶縁膜１３、第３の絶縁膜１４、第４の絶縁膜１５、制御ゲート１７が設けられている。 - 特許庁 - The bearing parts 20 have first bearings 21 which support the shaft 2a at both ends of the elastic layer 2b so that the shaft 2a freely rotates, and second bearings 22 which support the shaft 2a at both ends of the shaft 2a 20 mm outside from the first bearings 21 so that the shaft 2a freely rotates.
軸受部２０は、弾性層２ｂの両側部でシャフト２ａを回転自在に支持する第一軸受２１と、この第一軸受２１より２０ｍｍ外側両側部でシャフト２ａを回転自在に支持する第二軸受２２とを備えている。 - 特許庁 - A first interlayer insulating film 4, an organic polysilcon film 5, and a second interlayer insulating film 6 composed of a material different from that of the first interlayer insulating film 4 are formed in this order on a diffusion prevention film 3 formed on a lower layer interconnect line 2.
下層配線２上に形成された拡散防止膜３の上に、第１の層間絶縁膜４、有機ポリシリコン膜５、および、第１の層間絶縁膜４とは異なる材料からなる第２の層間絶縁膜６をこの順に形成する。 - 特許庁 - The dye-sensitized solar cells 1, 201 each include a first substrate 13, a second substrate 20, a translucent conductive layer 14, a semiconductor electrode 15, a catalyst electrode 23, a current collecting conductor 42, a plurality of relay connectors 51, a resin protection part 121, and the like.
色素増感型太陽電池１，２０１は、第１基体１３、第２基体２０、透光性導電層１４、半導体電極１５、触媒電極２３、集電導体４２、複数の中継接続体５１、樹脂製保護部１２１等を備える。 - 特許庁 - Widest width belt plies 20d, 20c on the relatively wide outermost side with high bending rigidity are respectively arranged first and second layers from the outermost layer, so that there is no narrow belt ply between these widest width belt plies 20d, 20c on the outermost side and a tread 18.
比較的広幅で曲げ剛性の高い最外側、最広幅ベルトプライ20ｄ、20ｃを最外層から１、２層目にそれぞれ配置したので、これら最外側、最広幅ベルトプライ20ｄ、20ｃとトレッド18との間に幅の狭いベルトプライが存在することはない。 - 特許庁 - An N-type first semiconductor layer 12 is formed on an inner surface of a first recess part 11c of an N-type semiconductor substrate 11 so as to generate a second recess part 51a being smaller than the first recess part; and has a lower first impurity concentration than that of the semiconductor substrate 11.
Ｎ型第１半導体層１２はＮ型半導体基板１１の第１凹部１１ｃの内面にそれより小さい第２凹部５１ａを生じるように形成され、半導体基板１１より低い第１不純物濃度を有する。 - 特許庁 - On a wiring material lamination layer 12, a first insulating film 13 and a second insulating film 14 whose etching selectivity is different from that of the first insulating film 13 are formed into specified thickness, respectively, as hard masks for improving patterning accuracy (Fig. 1 (a)).
配線材料積層１２上にパターニング精度向上のためのハードマスク用として第１絶縁膜１３、さらにこの第１絶縁膜１３とはエッチング選択比の異なる第２絶縁膜１４を所定厚さ分だけ形成する（図１（ａ））。 - 特許庁 - The brushes 60, 62, 64 comprises a three-layer structure laminated with first low resistance layers 60a, 62a, 64a, high resistance layers 60b, 62b, 64b having a high resistance, and second low resistance layers 60c, 62c, 64c.
各ブラシ６０,６２,６４は、夫々回転方向に沿って抵抗値の低い第１低抵抗層６０ａ,６２ａ,６４ａと、抵抗値の高い高抵抗層６０ｂ,６２ｂ,６４ｂと、第２低抵抗層６０ｃ,６２ｃ,６４ｃを積層した３層構造になっている。 - 特許庁 - A carbon dioxide arc welding method is excellent in productivity but rough in bead surface, and the wear resistance is strengthened, and the smooth transfer of the raw material is promoted by covering the rough surface by the second dense and smooth build-up-welding layer with the Vickers hardness of ≥Hv900.
炭酸ガスアーク溶接法は生産性がよい代わりにビード表面が粗いが、この粗面をビッカース硬度Ｈｖ９００以上の緻密で滑らかな第二肉盛層で覆って、耐摩耗性の強化と処理原料のスムースな移送を促進する - 特許庁 - First and second reflection prevention films 12d, 12e made of silicon nitride are formed in advance on the interface P2 between the SOI layer 16 and the insulating film 13 and on the interface P1 between the insulating film 13 and the support substrate 11 before applying laser beams.
レーザ光の照射に先立ち、ＳＯＩ層１６と絶縁膜１３との界面Ｐ２、および絶縁膜１３と支持基板１１との界面Ｐ１に、それぞれ窒化シリコンの第１および第２の反射防止膜１２ｄ，１２ｅを予め形成しておく。 - 特許庁 - The optical member 30 includes a first optical sheet 40 having a plurality of unit lenses 45 convexed toward a light-emitting side, a second optical sheet 60 arranged in the light-emitting side of the first optical sheet, and an adhesive layer 35 for bonding the two sheets.
光学部材３０は、出光側に凸状の複数の単位レンズ４５を有する第１光学シート４０と、第１光学シートの出光側に配置された第２の光学シート６０と、これら二つのシートを接着する接着剤層３５と、を備える。 - 特許庁 - To provide a solid state imaging device in which a second conductivity type epitaxial layer is formed on a first conductivity type semiconductor substrate and which can suppress a leakage current generated in a chip end surface and to provide a method of manufacturing it.
第１導電型の半導体基板上に第２導電型のエピタキシャル層が形成された基板構造をもち、かつ、チップ端面に発生するリーク電流を抑制することができる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - While an internal conductor 11a of the coaxial cable 11 and a core wire 12a of the general electric cable 12 are contacted closely with a first barrel portion 13a of a joint terminal 13 by pressing, an insulating layer 11b of the coaxial cable 11 is contacted closely with a second barrel portion 13b by pressing.
同軸ケーブル１１の内導体１１ａと一般電線１２の芯線１２ａとをジョイント端子１３の第１バレル部１３ａで圧着すると共に、同軸ケーブル１１の絶縁層１１ｂを第２バレル部１３ｂで圧着する。 - 特許庁 - Thereafter, a panel is sealed, and after sealing the panel with the discharging gas, aging is performed, and the second protecting layer 13 is eliminated from a negative electrode area by sputtering due to the discharge so that a surface of the MgO film 12 is exposed with a discharge space 3.
その後、パネルを封着し、パネル内に放電用ガスを封入した上でエージングを行い、放電によるスパッタによって陰極領域から第２保護層１３を除去し、ＭｇＯ膜１２の表面を放電空間３に露出させる。 - 特許庁 - A metallize layer 12 exhibiting light reflectivity is formed, while being insulated electrically from the wiring pattern 11a, on the ceramic substrate 10 at a position on the opposite side to the light exit while holding the mounting position of the light emitting element 3 in the second recess 10d between.
第２凹部１０ｄ内の発光素子３の搭載位置を挟んで前記出射口の反対側位置の前記セラミック基板１０に、光反射性を備えたメタライズ層１２を配線パターン１１ａとは電気的に絶縁されて形成する。 - 特許庁 - First paired bit line BM/BM for reading a data out of an arbitrary memory cell in a memory cell train and second paired bit line BS/BS writing a data into another arbitrary memory cell in the memory cell train are formed at different layers with an inter-layer insulating film 32 in between.
メモリセル列の任意のメモリセルよりデータを読み出す第１のビット線対ＢＭ，／ＢＭと、メモリセル列の他の任意のメモリセルにデータを書き込む第２のビット線対ＢＳ，／ＢＳとは、層間絶縁膜３２を介して、それぞれ異なる層に形成される。 - 特許庁 - A wiring substrate 100 having an electronic component 20 mounted on a major surface 100b has a core insulating layer 110, and the major surface has first and second connection bumps 187 and 188 alternately arranged on the major surface in a lattice form to be formed as power and grounding terminals.
主面１００ｂ側に電子部品２０を搭載する配線基板１００は、コア絶縁層１１０を有し、主面側には電源端子や接地端子となる第１，第２接続バンプ１８７，１８８が格子状に交互に配置されている。 - 特許庁 - Third binding resin which is made by copolymerizing kinds of monomers common to the ones of the first binding resin and is resin soluble to the solvent contained in the coating liquid for forming the first layer is added to the second binding resin at little mass proportion.
第１結着樹脂と共通する種類の単量体が共重合して成る、第１層形成用塗布液に含まれる溶媒に可溶な樹脂である第３結着樹脂は第２結着樹脂に対して少ない質量割合で添加される。 - 特許庁 - N-type first and second electrode diffusion layers 221 and 222 and a p-type third electrode diffusion layer 23 are formed in the same step as that at the time, when an n-channel or p-channel MOSFET source/drain region is formed.
Ｎチャネル型やＰチャネル型のＭＯＳＦＥＴのソース／ドレイン領域の形成時と同一の工程でＮ型の第１電極用拡散層２２１及び第２電極用拡散層２２２、Ｐ型の第３電極用拡散層２３を形成する。 - 特許庁 - The circuit board comprises a first connector 10a of the second wiring pattern 10 superposed on a first connector 7a of the first wiring pattern 7, so that the superposed part is formed in a non-forming part of an insulating layer 9.
そしてこの目的を達成するために本発明は、第１の配線パターン７の第１の接続部７ａ上に、第２の配線パターン１０の第１の接続部１０ａを重合させ、この重合部は絶縁層９の非形成部としたものである。 - 特許庁 - The reflecting layer 44 is covered by a protective film 46 and a first electrode 50 having the work function similar to that of the second electrode 250 and consisting of a transparent conductive material, such as ITO, is formed on the protective film 46 and is connected to the TFT 110.
反射層４４は保護膜４６で覆い、この保護膜４６上に第２電極２５０と同様の仕事関数を備えるＩＴＯ等の透明導電材料からなる第１電極５０を形成しＴＦＴ１１０と接続する。 - 特許庁 - Between these substrates 4, 5, a reflector electrode 6, an organic EL layer 7, a first transparent electrode 8, liquid crystal 9, a second transparent electrode 10, and a color filter 11 are laminated successively from the substrate 5 side located opposite to the light emitting direction X.
この基板４，５の間には光の取出方向Ｘの反対側に位置する基板５側から、反射電極６、有機ＥＬ層７、第１透明電極８、液晶９、第２透明電極１０及びカラーフィルタ１１が積層されている。 - 特許庁 - A shadow mask whose thickness is 500 μm or smaller and three times or less the minimum width of a mask portion and which is mounted on a frame having a plurality of opening portions existing therein is used for patterning at least one of a luminous layer and a second electrode.
厚さが５００μｍ以下で、かつ、マスク部分の幅の最小寸法の３倍以下であり、複数個の開口部が存在するフレームに取り付けられたシャドーマスクを用いて発光層もしくは第二電極の少なくとも一方をパターニングする。 - 特許庁 - The main magnetic pole layer 20 of the magnetic head includes a first part disposed at a position apart from a medium facing surface ABS and a second part disposed between the first part and the medium facing surface and having a thickness smaller than that of the first part.
磁気ヘッドの主磁極層２０は、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置に配置された第１の部分と、第１の部分と媒体対向面との間に配置され、第１の部分よりも小さな厚みの第２の部分を有している。 - 特許庁 - The common negative electrode 50 is composed of a first negative electrode 50a made of metal with low work function formed on the electron injection layer 52, and a second negative electrode 50b formed on and protecting the first negative electrode 50a.
共通陰極５０が、電子注入層５２上に設けられた低仕事関数の金属からなる第１陰極５０ａと、第１陰極５０ａ上に設けられて第１陰極５０ａを保護する第２陰極５０ｂとからなっている。 - 特許庁 - Thanks to the copper plating film 29, the surfaces of the first and second electrodes 21 and 22 are smooth and no resin residue is left out when a non- through hole 43 is opened at a connection layer 40, for raised connection reliability between the via holes 46 and the chip capacitors 20.
銅めっき膜２９により第１、第２電極２１，２２の表面が平滑になり、接続層４０に非貫通孔４３を穿設した際に樹脂残さが残らず、バイアホール４６とチップコンデンサ２０との接続信頼性を高めることができる。 - 特許庁 - A same driving signal is supplied to the third barrier pixels and the counter electrode while a driving signal for applying an effective voltage to a liquid crystal layer between the substrate and the counter electrode is supplied to the first barrier pixels and the second barrier pixels to perform a vertical-stripe barrier display.
第三バリア画素と対向電極に同一の駆動信号を、第一バリア画素と第二バリア画素に対向電極との間の液晶層に実効電圧を印加する駆動信号を供給して縦ストライプのバリア表示を行う。 - 特許庁 - The coil conductors 5 and 7 respectively have first sections 5a and 7a which are disposed in parallel with each other at a prescribed interval on a first insulating layer, and second sections 5b and 7b which three-dimensionally intersect each other.
第１コイル導体５及び第２コイル導体７は、第１絶縁層上において互いが所定間隔を有して沿うように配置される第１の部分５ａ，７ａと、互いが立体的に交差する第２の部分５ｂ，７ｂとを含んでいる。 - 特許庁 - The drum shell is constituted by laminating at least one laminate wood 11 in which at least one fiber-reinforced layer 14 is laminated via adhesives 13 and 16, between a first wood veneer 12 and a second wood veneer 16.
第１の木材単板１２と第２の木材単板１６との間に、少なくとも１層の強化繊維層１４が接着剤１３、１６を介して積層されてなる単位合板１１を、少なくとも１以上積層させてなるドラム用シェルを採用する。 - 特許庁 - The silicon carbide layer includes a body region 3 that faces a gate electrode 9 via the gate insulating film 8 and has a first conductivity type and a pair of regions 2 and 4 that is separated from each other by the body region 3 and has a second conductivity type.
炭化珪素層は、ゲート絶縁膜８を介してゲート電極９と対向しかつ第１導電型を有するボディ領域３と、ボディ領域３によって互いに分離されかつ第２導電型を有する１対の領域２、４とを含む。 - 特許庁 - In this case, the first and second unit cells are connected in series by allowing the second impurity semiconductor layer to abut on the third one, an insulation layer is provided on a surface at a side opposite to the single crystal semiconductor layer of the first electrode, and the insulation layer is joined to a support substrate.
単結晶半導体層の一方の面に第１電極と一導電型の第１不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層が設けられた第１ユニットセルと、非単結晶半導体層の一方の面に一導電型の第３不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第４純物半導体層と第２電極が設けられた第２ユニットセルとを有し、第１ユニットセルと第２ユニットセルは、第２不純物半導体層と第３不純物半導体層が接することで直列接続され、第１電極の単結晶半導体層とは反対側の面に絶縁層が設けられ、絶縁層が支持基板と接合している光電変換装置である。 - 特許庁 - This method for manufacturing the semiconductor device, where a bonding pad 2 is formed using a first and second wiring layers 14, 17, has plural slit-like ditches arranged and provided between the first wiring layer 14 and the second wiring layer 17, and long-length direction H1 of connection part 15 corresponds to the moving direction H2 of a probe 3 for contacting the bonding pad 2.
ボンディングバッド２を第１及び第２の配線層１４、１７を用いて形成した半導体装置の製造方法であって、前記第１の配線層１４と第２の配線層１７との間に、スリット状の溝を複数並べて設け、この溝内に、前記第１の配線層１４と第２の配線層１７とを接続する接続部１５を形成すると共に、前記接続部１５の長手方向Ｈ１と前記ボンディングバッド２に接触せしめるプローブ３の当接方向Ｈ２とを一致せしめたことを特徴とする。 - 特許庁 - The electron emitting elements comprises at least one or more anode electrodes formed on the second substrate, at least one or more fluorescent layers formed on the anode electrodes, the surface treatment layer formed on the surface of fluorescent layers containing the functional substance that remains even after the baking process for forming the fluorescent layer, and the light-emitting containing one or more metallic thin films formed so as to cover the surface treatment layer.
本発明の他の実施例による電子放出素子は、第２基板に形成される少なくとも一つ以上のアノード電極；前記アノード電極に形成される少なくとも一つ以上の蛍光層；前記蛍光層の表面に形成され、蛍光層を形成するための焼成工程後にも残存する機能性物質を含む表面処理層；及び前記表面処理層を覆うように形成される一つ以上の金属薄膜を含む発光部；からなる。 - 特許庁 - The transparent electrode includes a first transparent conductive layer containing conductive fibers on a transparent base and a conductive polymer compound having a structure unit expressed by general formula (I), or a second transparent conductive layer containing a conductive polymer compound having a structure unit expressed by the general formula (I) on the first transparent conductive layer.
透明基材上に、導電性繊維を含有する第一の透明導電層を有する透明電極であって、該透明電極は、該第一の透明導電層が下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有する導電性高分子化合物を含有するか、または該第一の透明導電層上に下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有する導電性高分子化合物を含有する第二の透明導電層を有することを特徴とする透明電極。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the organic electroluminescent element provided with a first electrode formed on a substrate, an organic emission medium layer including an organic light-emitting layer made of at least low-molecule light-emitting materials formed on the first electrode, and a second electrode formed in opposition to the first electrode, the organic light-emitting layer is formed in a wet process, which is carried out as the substrate is heated.
基板上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された少なくとも低分子発光材料からなる有機発光層を含む有機発光媒体層と、前記第一電極に対向するように形成された第二電極と、を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機発光層はウェットプロセスで形成され、前記ウェットプロセスは前記基板を加熱しながら行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたもの。 - 特許庁 - The electron emission layer is made up of a plurality of layers, and a first electron emission layer formed on the first conductive member uses insulator particles with smaller average particle diameters as compared with those of the second electron emission layer.
第一の導電性部材と、第二の導電性部材が互いに向かい合うように形成され、該導電性部材間に電圧を印加することにより、電子を放出する電子放出素子であって、前記第一の導電性部材と第二の導電性部材間に、絶縁体粒子を有する電子放出層が形成され、電子放出層は複数の層からなり、第一の導電性部材上に形成される第一の電子放出層は第二の電子放出層より平均粒径の小さい絶縁体粒子を用いている。 - 特許庁
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