「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 395 396 397 398 399 400 401 402 403 .... 429 430 次へ＞- The organic EL element comprises a substrate having a first electrode, a surface of the substrate on which a hydrophilic/hydrophobic region can be formed by granting energy thereto, at least one organic compound layer containing an organic luminous layer, provided on the hydrophilic region after forming the hydrophilic region on the first electrode by granting the energy to the surface in an imaging manner, and a second electrode provided on the organic compound layer.
第１の電極が設けられた基板と、該基板上に設けられたエネルギー付与により新／疎水性領域を形成し得る表面と、該表面に画像様にエネルギー付与を行って、前記第１の電極上に親水性領域を形成させた後、該親水性領域上に設けられた有機発光層を含む少なくとも一層の有機化合物層と、該有機化合物層上に設けられた第２の電極と、を順次備えてなることを特徴とする有機電界発光素子である。 - 特許庁 - The film thicknesses t1 and t2 of a first free magnetic layer 53 and a second free magnetic layer 55 of a free magnetic layer 26 having a synthetic ferrimagnetic structure are set larger than a spin diffusion length, whereby the magnetic detector can be reduced in electric resistance while conduction electrons move through the magnetic detector as their spin kept unchanged.
人工フェリ構造のフリー磁性層２６の第１フリー磁性層５３の膜厚ｔ１及び第２フリー磁性層５５の膜厚ｔ２をスピン拡散長（Ｓｐｉｎ ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ ｌｅｎｇｔｈ）より大きくすることにより、磁気検出素子内を伝導電子のスピンが同一性を保って移動している間の電気抵抗を低減させることができ、これによって、磁気検出素子の最小抵抗値と最大抵抗値の差、すなわち、磁気抵抗変化を大きくすることができる。 - 特許庁 - A pixel of the CMOS image sensor includes a first conductive substrate, a second conductive photo diode region formed on the first conductive substrate, a transfer gate formed on the first conductive substrate, a floating diffusion layer formed between the second conductive photo diode region and the transfer gate on the first conductive substrate, a dielectric film laminated on the second conductive photo diode region and a capacitor electrode.
ＣＭＯＳイメージセンサーのピクセルは、第１導電性の基板と、前記第１導電性の基板上に形成された第２導電性のフォトダイオード領域と、前記第１導電性の基板上に形成されたトランスファーゲートと、前記第１導電性の基板上の前記第２導電性のフォトダイオード領域と前記トランスファーゲートとの間に形成された浮遊拡散層と、前記第２導電性のフォトダイオード領域上に積層された誘電膜及びキャパシター電極を含む。 - 特許庁 - The electrode layer and the wiring layer are given with more wettability in the second region than in the first region.
薄膜トランジスタが有する配線や電極パターンは、第１の領域及び第２の領域を有する絶縁表面上に設けられた配線層と、配線層に接する電極層とを有し、前記配線層は前記第２の領域に設けられ、電極層は第１の領域に設けられ、電極層及び配線層に対するぬれ性は、前記第１の領域より前記第２の領域が高い領域に設けられる。 - 特許庁 - In a second partition region 40 thereof, a bipolar type semiconductor element 4 having a buried collector region 47 as the p-type deep layer 7a and having a base region 46 as the n-type shallow layer 6a is formed.
活性層１４の第１区画領域２０にはｐ型の深層７ａをリサーフ領域２７とするとともにｎ型の浅層６ａをドリフト領域２６とするユニポーラ型の半導体素子２が形成されており、第２区画領域４０にはｐ型の深層７ａを埋め込みコレクタ領域４７とするとともにｎ型の浅層６ａをベース領域４６とするバイポーラ型の半導体素子４が形成されている。 - 特許庁 - This semiconductor device consists of a substrate having a substrate surface; a first dielectric layer containing molecules of a first compound having first ends covalently bonded to a first region of the substrate surface and second ends including aromatic regions; and a polycrystalline semiconductor layer containing organic semiconductor molecules having aromatic portions and located on the first region of the substrate.
本発明は、代表的には、基板表面を有する基板と、この基板表面の第１の領域に共有結合している第１の末端と芳香族領域を有する第２の末端とを有する第１の化合物の分子を含む第１の誘電体層と、芳香族部分を備えた有機半導体分子を含み、この基板の第１の領域上にある多結晶半導体層とを備える。 - 特許庁 - In a transparent electrode 13 with an auxiliary electrode 16 between itself and a transparent substrate 14, a first low refractive index layer 17 having a lower refractive index than the transparent substrate 14 is provided on the transparent substrate 14 side of the auxiliary electrode 16, and a second low refractive index layer 18 having a lower refractive index than the transparent electrode 13 is provided on the transparent electrode 13 side of the auxiliary electrode 16.
透明基板１４との間に補助電極１６を有する透明電極１３において、補助電極１６の透明基板１４側に透明基板１４よりも屈折率の低い第１低屈折率層１７を、補助電極１６の透明電極１３側に透明電極１３よりも屈折率の低い第２低屈折率層１８を設けた構成とする。 - 特許庁 - The fuel cell is provided with: a base material layer 18, 26 having a porosity and conductivity, and also having different water repelling properties depending on its positions; fine hole layers 16, 24 which contain a first member having a porosity and conductivity and a conductive second member made of particles, and have a higher density than the base material layer and catalyst layers 14, 22 containing a catalyst having a catalyst action.
多孔質で導電性を有し、部位によって異なる撥水性を有する基材層１８、２６と、多孔質で導電性を有する第１の部材と粒子状で導電性を有する第２の部材とを含み、基材層より高い密度を有する微孔層１６、２４と、触媒作用を有する触媒を含む触媒層１４、２２と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁 - A first insulation layer 2 formed of a thermoplastic elastomer having clay mineral or synthetic mica distributed therein and a second insulation layer 3 formed of a thermosetting resin containing inorganic particulate filler or fiber filler are provided on the outer peripheral surfaces of a vacuum valve body 1 formed by sealing air-tight both end opening parts of a ceramic container by a fixed electrode 4 and a movable electrode 5.
セラミック容器の両端開口部を固定電極４と可動電極５により気密に封止して形成された真空バルブ本体１の外側沿面に、粘土鉱物または合成マイカを分散させた熱可塑性エラストマーからなる第１の絶縁層２と、無機粒子状充填材または繊維状充填材を含有した熱硬化性樹脂からなる第２の絶縁層３とを設ける。 - 特許庁 - By forming the first ohmic contact layers 116 and 117 lower in an impurity concentration than the second ohmic contact layers 118 and 119 between the semiconductor layer 114 and the drain electrode 120 and the source electrode 121, a depletion layer is favorably spread into the first ohmic contact layers 116 and 117, and the leakage current of the thin film transistor 100 is favorably suppressed.
半導体層１１４と、ドレイン電極１２０及びソース電極１２１との間に、第２のオーミックコンタクト層１１８，１１９の不純物濃度より低い第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７を形成することにより、第１のオーミックコンタクト層１１６，１１７内に空乏層が良好に広がり、薄膜トランジスタ１００のリーク電流を良好に抑制することができる。 - 特許庁 - The method for removing the metal element comprises the steps of forming a barrier layer 105 on a first semiconductor film 104 having a crystal structure provided on a substrate and a second semiconductor film 106 including a rare gas element, passing the metal element included in the film 104 through the layer 105 by heat treating, and conducting gettering for moving the element to the film 106.
本発明は基板上に設けられた結晶構造を有する第１の半導体膜１０４上にバリア層１０５と、希ガス元素を含む第２の半導体膜１０６とを形成し、第１の半導体膜１０４に含まれる金属元素を加熱処理によりバリア層１０５を通過させて前記第２の半導体膜１０６に移動させるゲッタリングを行う。 - 特許庁 - The photovoltaic device is constituted by (a) a plurality of elongated semiconductor nanostructures (nanowire is one of these), having first type doping, in which a plurality of the elongated semiconductor nanostructures are arranged on a substrate, and (b) a single amorphous layer of a semiconductor material, having second type doping, in which the layer is provided on the elongated semiconductor nanostructures in a conformal manner.
光起電力デバイスを、（ａ）基板上に配設された複数の細長い半導体ナノ構造であって、第１のタイプのドーピングを有する複数の細長い半導体ナノ構造（ナノワイヤーはその１種である）と、ｂ）細長い半導体ナノ構造上にコンフォーマルに設けられ、第２のタイプのドーピングを有する半導体材料の単一の非晶質層、により構成する。 - 特許庁 - In a reverse conducting type semiconductor device B1 having IGBT element regions J1 and diode element regions J2 mixed with each other in a single semiconductor substrate 2, a length whereby each second trench gate electrode TG2 of each diode element region J2 protrudes from its anode layer 50 is longer than a length whereby each first trench gate electrode TG1 of each IGBT element region J1 protrudes from its body layer 30.
同一半導体基板２にＩＧＢＴ素子領域Ｊ１とダイオード素子領域Ｊ２が混在している逆導通型の半導体装置Ｂ１において、ダイオード素子領域Ｊ２の第２トレンチゲート電極ＴＧ２がアノード層５０から突出している長さが、ＩＧＢＴ素子領域Ｊ１の第１トレンチゲート電極ＴＧ１がボディ層３０から突出している長さよりも長い。 - 特許庁 - The supplementary firing body 9 has a movable layer 21 consisting of a number of first heat resistant spheres arranged horizontally in parallel and vertically in tandem in closely contacting relation adaptable for vertical relative motion and a fixed layer 22 consisting of a number of second heat resistant spheres arranged thereunder horizontally in parallel and vertically in tandem in closely contacting relation unadaptable for relative motion.
助燃体９は、多数の第１耐熱性球体を上下方向に相対運動可動な密接状態で水平方向に並列させると共に上下方向に縦列させてなる可動層２１とその下位において多数の第２耐熱性球体を相対運動不能な密接状態で水平方向に並列させると共に上下方向に縦列させてなる固定層２２とからなる。 - 特許庁 - A static charge which is injected in the substrate 100 via the pad 170 is chiefly discharged through a first discharge route 190, and a second discharge route 192 which goes via a silicide layer 130 little functions as a discharge route as the contact resistance value between the layer 130 and the region 114 is higher than the resistance value of the region 114.
パッド１７０より注入される静電気の電荷は、第１の放電経路１９０を主に経由して放電され、シリサイド層１３０を経由する第２の放電回路１９２は、シリサイド層１３０と第１の拡散領域１１４との接触抵抗値が、第１の拡散領域１１４の抵抗値よりも大きいため、放電経路としてほとんど機能しない。 - 特許庁 - In the solder paste printing process, a first pad 22B where a solid layer 21 is formed in the projection region of the pad 22 on the rear surface through one or a plurality of resin insulation layers is coated with a smaller quantity of solder paste than a second pad 22C where the solid layer 21 is not present in the projection region of the pad 22 on the rear surface.
ハンダペースト印刷工程では、そのパッド２２が、自己を裏面側に投影した領域に１又は複数の樹脂絶縁層を介してベタ層２１が形成されている第１パッド２２Ｂであるか、自己を裏面側に投影した領域にベタ層２１は存在しない第２パッド２２Ｃであるかによって、第１パッド２２Ｂには、第２パッド２２Ｃよりも少量のハンダペーストを塗布する。 - 特許庁 - The print head comprises an insulating board 2, a plurality of through holes 3 penetrating the board 2, a plurality of control electrodes 4 provided on outer peripheries of the holes 3 of one surface of the board 2, a first insulating layer 6 covering a surface of the board 2 at the electrode 4 side, and a second insulating layer 7 covering inner walls of the holes 3 of the board 2.
絶縁性基板２と、絶縁性基板２を貫通する複数の貫通孔３と、絶縁性基板２片面の貫通孔３外周りに設けられた複数の制御電極４と、絶縁性基板２の制御電極４側表面を被覆する第１絶縁層６と、絶縁性基板２の貫通孔３内壁を被覆する第２絶縁層７とを備えている。 - 特許庁 - This substrate is equipped with a color filter part comprising plural colored layers 9 formed on a display region 5a of a substrate 3, first spacers 12 formed on the colored layers 9 of the color filter part, a shielding layer 10 formed on a non-display region 5b of the substrate 3, and a second spacer 14 higher than the first spacers 12, formed on the shielding layer 10.
基板３の表示領域５ａ上に形成された複数の着色層９からなるカラーフィルタ部１と、カラーフィルタ部の着色層上に形成された第１のスペーサ１２と、基板の非表示領域５ｂ上に形成された遮光層１０と、この遮光層上に形成され、第１のスペーサよりも高さの高い第２のスペーサ１４と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - The present invention is manufacturing of a magnetic circuit, where, in an apparatus including the magnetic circuit with a permanent magnet adhered to a yoke while designed so as to be supplied with a coolant 21, on at least a part contacting to the coolant 21 of the magnetic circuit, a first layer made of at least epoxy resin is spray-coated and then a second layer made of fluoro-resin is spray-coated.
ヨークに永久磁石が固着された磁気回路を具備し、前記磁気回路に冷媒２１が供給されるようにした磁気回路を持つ装置において、前記磁気回路の少なくとも前記冷媒２１と接触する部分に、少なくともエポキシ樹脂の第1層を吹き付け塗布し、フッ素樹脂の第2層を吹き付け塗布することを特徴とする磁気回路の製造方法。 - 特許庁 - The semiconductor memory is composed of a transistor TRA for selection (A) and a memory cell MCAM composed of a first electrode 21, a capacitor layer 22 and a second electrode 23 (B), the first electrode 21 is connected, via the transistor TRA for selection, to a bit line BLA and a thermal diffusion layer 25 is formed on or above the memory cell MCAM or under or below the memory cell.
半導体メモリは、（Ａ）選択用トランジスタＴＲ_Aと、（Ｂ）第１の電極２１とキャパシタ層２２と第２の電極２３とから成るメモリセルＭＣ_AMから構成され、第１の電極２１は選択用トランジスタＴＲ_Aを介してビット線ＢＬ_Aに接続され、メモリセルＭＣ_AMの上若しくは上方、あるいは又、メモリセルの下若しくは下方には、熱拡散層２５が形成されている。 - 特許庁 - The white thermal transfer sheet comprises a first white layer containing a white pigment, a binder containing a wax as a main component, and polyolefin particles having a melting point of 100°C or higher, and a second white layer containing a white pigment, a binder containing a wax as a main component and a binder containing a petroleum resin having a softening point of 120 to 160°C, sequentially laminated on a base.
基材の上に、白色顔料と、ワックスを主成分とするバインダーと、融点が１００℃以上のポリオレフィン系粒子とからなる第１白色層、および、白色顔料と、ワックスを主成分とし、軟化点が１２０〜１６０℃の石油樹脂を含有するバインダーとからなる第２白色層を順次積層したことを特徴とする白色熱転写シート。 - 特許庁 - In the laminated body 1 for IC wristbands, an information recording base material 10 in which an IC inlet 12 is stuck on a surface base material 11 via a first adhesive layer 13, is integrated with a back surface base material 20 via a second adhesive layer 30, and a notch 41 is formed, which outlines an IC inlet 12-provided wristband 40 having a prescribed form.
本発明のＩＣリストバンド用積層体１は、表面基材１１にＩＣインレット１２が第１の貼着剤層１３を介して貼着された情報記録基材１０と、裏面基材２０とが、第２の貼着剤層３０を介して一体化され、ＩＣインレット１２を備えた所定形状のリストバンド４０を輪郭付ける切り込み４１が形成されている。 - 特許庁 - The lithium air battery includes: a negative electrode having a storage and release capacity of lithium ions or a release capacity of lithium ions; a positive electrode containing at least a catalyst for oxygen reduction, or a catalyst for oxygen reduction and generation, and a first solid electrolyte layer; and a second solid electrolyte layer arranged between the negative electrode and the positive electrode.
本発明のリチウム空気電池は、リチウムイオンの吸蔵及び放出能力、又は、リチウムイオンの放出能力を備える負極と、少なくとも酸素還元のための触媒、又は、酸素還元及び発生のための触媒、並びに第１の固体電解質層を含む正極と、前記負極及び前記正極間に配置された第２の固体電解質層と、を備える。 - 特許庁 - The placing stand 12 of a plasma treatment apparatus 10 includes: a lower electrode 20 connected to a first high frequency power supply 28 and a second high frequency power supply 29; a dielectric layer 21 embedded at the center of the upper surface of the lower electrode 20; and an electrostatic chuck 22 placed on the dielectric layer 21.
プラズマ処理装置１０の載置台１２は、第１の高周波電源２８及び第２の高周波電源２９に接続される下部電極２０と、該下部電極２０の上面中央部分において埋設される誘電体層２１と、該誘電体層２１の上に載置される静電チャック２２とを有し、該静電チャック２２が有する電極膜３７は以下の条件を満たす。 - 特許庁 - To obtain a power generation unit which is effective in constituting inexpensively a photoelectric conversion device having a first spherical semiconductor and a plurality of photoelectric converting elements covering it except a portion thereof, a one-polarity-side first conductor layer supporting the elements, other-polarity-side second conductor layers, and an electric insulating layer for both the conductor layers.
球状の第１半導体とその一部を残して被覆する第２半導体層を具備する複数の光電変換素子、前記素子を支持する一方極性側の第1導電体層、他方極性側の第２導電体層、並びに双方の導電体層間の電気絶縁層を具備する光電変換装置を低コストで構成するために有効な発電ユニットを得る。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises: an element isolation insulating film formed on a substrate; an element region and a dummy pattern region on the substrate that are partitioned by the element isolation insulating film; a first epitaxial crystal layer formed on the substrate in the element region; and a second epitaxial crystal layer formed on the substrate in the dummy pattern region.
一実施の形態による半導体装置は、基板上に形成された素子分離絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜により前記基板上に区画された素子領域およびダミーパターン領域と、前記素子領域内の前記基板上に形成された第１のエピタキシャル結晶層と、前記ダミーパターン領域内の前記基板上に形成された第２のエピタキシャル結晶層と、を有する。 - 特許庁 - The mounting method and the mounting apparatus are so set as to recognize the alignment recognition mark attached to a first object to be bonded by a recognition means, through the intermediary of infrared rays penetrating through the first object to be bonded, the adhesive layer, and the second object to be bonded, since the adhesive layer is interposed between the objects to be bonded.
被接合物同士を接合するに際し、被接合物間に接着材層を介在させた状態にて、第１の被接合物に付された位置合わせ用の認識マークを、該第１の被接合物、前記接着材層および第２の被接合物を透過する赤外線を介して認識手段により認識することを特徴とする実装方法、および実装装置。 - 特許庁 - The transparent conductive laminate 10 has a rugged structure layer 2, a first dielectric thin film 3, a second dielectric thin film 4, and a transparent conductive thin film 5 laminated in turn on one of the faces of a transparent film base material, with a transparent base body 8 bonded to the other face of the film base material through a transparent adhesive layer 7.
本発明の透明導電性積層体１０は、透明なフィルム基材１の一方の面に、凹凸構造層２、第１誘電体薄膜３、第２誘電体薄膜４および透明な導電性薄膜５が順次積層されており、前記フィルム基材１の他方の面に透明な粘着剤層７を介して透明基体８が貼り合わされていることを特徴とする。 - 特許庁 - The antireflection film formed by laminating a first optical interference layer and a second optical interference layer in this order on one surface of a polyethylene terephthalate film has visible reflectance of 1.0% or less.
ポリエチレンテレフタレートフィルムの一面に、第１光学干渉層及び第２光学干渉層がこの順で積層された視感度反射率１．０％以下の反射防止フィルムであって、光の波長６００ｎｍにおける反射率をＲ、光の波長５５５ｎｍにおける反射率をＧ、光の波長４４５ｎｍにおける反射率をＢとした場合、下記式（Ｉ）、（ＩＩ）及び（ＩＩＩ）を同時に満たす。 - 特許庁 - The floor slab includes at least three precast concrete boards disposed in a first direction adjacently to each other, a concrete layer formed on the precast concrete boards, and a plurality of sound insulating boards disposed at intervals in a second direction orthogonal to the first direction between the two adjacent precast concrete boards and within the concrete layer.
床スラブは、第１方向に互いに隣接して配置された少なくとも３つのプレキャストコンクリート板と、該プレキャストコンクリート板の上に形成されたコンクリート層と、互いに隣接する２つのプレキャストコンクリート板の間及び前記コンクリート層の内部に前記第１方向と直交する第２方向に間隔を置いて配置された、それぞれが前記第１方向に垂直である複数の遮音板とを含む。 - 特許庁 - The two-dimensional web material made of the layer material contains a non-woven material and first and second discrete regions, which are arranged relative to one another in such a way that they form a pattern in the form of inverted polygons and that the two-dimensional layer material has a Poisson's ratio of <0.2 during expansion in the machine direction.
層状材料から作られた二次元のウェブ材料であって、該二次元のウェブ材料は、不織材料と第１の分離領域と第２の分離領域とを含み、それらが、反転した多辺形の形状のパターンを形成し、かつ、該二次元の層状材料が、機械方向への伸張の間に０．２未満のポアソン比を有するように互いに対して配列されている、二次元のウェブ材料。 - 特許庁 - It is preferred that titanium in a titanium dioxide forming the first oxide layer is doped with one of niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, aluminum, and tungsten by 1 to 10% in terms of mol ratio, and titanium in a titanium dioxide forming the second oxide layer is doped with one of niobium, tantalum, molybdenum, arsenic, antimony, aluminum, and tungsten by <1% in terms of mol ratio.
第１酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％以上１０％以下ドープされ、第２酸化物層を構成する二酸化チタン中のチタンに対し、ニオブ、タンタル、モリブデン、ヒ素、アンチモン、アルミニウムまたはタングステンのいずれかがモル比で１％未満ドープされることが好ましい。 - 特許庁 - A method of manufacturing an organic electroluminescent element having a first electrode, at least one organic functional layer, a second electrode, and a sealing layer are laminated in sequence on a base material comprises a discharging process, where at least the discharging process is done in an environment with an oxygen concentration ranging from 100 to 1000 ppm.
基材上に、第１の電極と、少なくとも１層の有機機能層と、第２の電極と、封止層とを順次積層した構成を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、前記製造方法は除電工程を含み、少なくとも前記除電工程の環境が、酸素濃度１００ｐｐｍから１０００ｐｐｍであることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁 - In the transfer step, ferroelectric films 24b respectively formed by parts of the ferroelectric layer 124c are transferred by irradiating the second substrate 40 with the laser beam LB of a light intensity distribution PI which is set to transfer only a part corresponding to a predetermined pattern of the ferroelectric films 24b in the ferroelectric layer 124c from the other surface side thereof.
転写工程では、強誘電体層１２４ｃのうち強誘電体膜２４ｂの所定パターンに対応する部分のみを転写するように設定した光強度分布ＰＩのレーザ光ＬＢを第２の基板４０の上記他表面側から照射することにより、それぞれ強誘電体層１２４ｃの一部からなる強誘電体膜２４ｂを転写する。 - 特許庁 - The printed circuit board 100 includes: a core substrate 30 where a fiber base material is embedded in a first resin; a pair of second resin layers 10 arranged to hold the core substrate 30 between them; and a conductor 7 arranged on at least one of a surface 100a opposed to the core substrate 30 in the resin layer 10 or the interface of the resin layer and the core substrate.
プリント配線板１００は、繊維基材が第１の樹脂に埋設されてなるコア基板３０と、コア基板３０を挟むように設けられる一対の第２の樹脂層１０と、樹脂層１０のコア基板３０側とは反対側の面１００ａ上または前記樹脂層と前記コア基板の界面の少なくとも一方に設けられる導体７とを備える。 - 特許庁 - In two small regions (a first small region and a second small region) formed in a part located in an emission region and outside the central part of the emission region, a transparent layer 111A and a transparent layer 111B each being a transparent dielectric film for setting reflectivity of each small region lower than that of the central part of the emission region are formed at optical thickness of "oscillation wavelength/4".
射出領域内で、該射出領域の中心部から外れた部分に設けられた２つの小領域（第１の小領域、第２の小領域）には、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜である透明層１１１Ａ及び透明層１１１Ｂが「発振波長／４」の光学的厚さで設けられている。 - 特許庁 - In the piezoelectric device 10, the principal surface side of a crystal vibrating piece 1 different from a principal surface where the external connecting terminal 16a of a base 13 of a fixed terminal is formed, is adhered and fixed by a silicone adhesive 39 as an elastic adhesive onto a second layer substrate 22 in the vicinity of a vibrating-piece connecting electrode 25a provided on the third layer substrate 23 of a package 20.
圧電デバイス１０において、水晶振動片１は、固定端である基部１３の外部接続端子１６ａが形成された主面とは異なる主面側が、パッケージ２０の第３層基板２３に設けられた振動片接続電極２５ａ近傍の第２層基板２２上に弾性接着剤としてのシリコーン系接着剤３９により接着・固定されている。 - 特許庁 - A UT array 21 includes a backing material 26, a lower electrode 27, a transmission/receiving piezoelectric body 28 transmitting/receiving ultrasonic waves and reflected waves, a first acoustic matching layer 29, a receiving piezoelectric body 30 receiving reflected waves, an upper electrode 31, a second acoustic matching layer 32 and an acoustic lens 33, which are sequentially layered on a plane-shaped pedestal 25 made of glass-epoxy resin, etc.
ＵＴアレイ２１は、ガラス−エポキシ樹脂等の平板状の台座２５上に、バッキング材２６、下部電極２７、超音波および反射波を送受信する送受信用圧電体２８、第一音響整合層２９、反射波を受信する受信用圧電体３０、上部電極３１、第二音響整合層３２及び音響レンズ３３が順次積層された構造を有する。 - 特許庁 - The water repellent area 45 consists of a first water repellent area 46 preventing formation of the adhesive layer 40 outside an outer circumferential edge area 90s where the translucent cover 90 and end edges 20e, 20f, 20g, 20h of the translucent substrate 20 overlap, and a second water repellent area 47 preventing formation of the adhesive layer 40 inside the area where a flexible wiring board 35 is connected.
撥水領域４５は、透光性カバー９０と透光性基板２０の端縁２０ｅ、２０ｆ、２０ｇ、２０ｈとが重なる外周縁領域９０ｓより外側への接着剤層４０の形成を阻止する第１撥水領域４６、およびフレキシブル配線基板３５が接続されている領域の内側への接着剤層４０の形成を阻止する第２撥水領域４７である。 - 特許庁 - The capacity obtaining part 110 contains the first compound having a perovskite structure which includes an element A, an element B, and oxygen O and which is expressed as a formula ABO_3 as the main component, and the upper layer 121 and the lower layer 122 contains the second compound having a perovskite structure which includes an element A, an element B, and oxygen O and which is expressed as a formula ABO_3 as the main component.
容量取得部１１０は、元素Ａと元素Ｂと酸素Ｏとを含んで一般式ＡＢＯ_３と表されるペロブスカイト構造を有する第一の化合物を主成分として含み、上層１２１と下層１２２は、元素Ａと元素Ｂと酸素Ｏとを含んで一般式ＡＢＯ_３と表されるペロブスカイト構造を有する第二の化合物を主成分として含む。 - 特許庁 - The RFID label is formed by successively laminating an adhesive sheet composed of a label base material and a first adhesive layer, an RFID inlet configured by arranging an IC and an antenna on one side or both sides of a base material whose area is smaller than that of the adhesive sheet, a second adhesive layer formed on the surface of the RFID inlet which is the opposite side to the adhesive sheet, and a separator in the order.
ラベル基材と第１の粘着剤層とからなる粘着紙と、前記粘着紙よりも面積が小さいベース基材の片面または両面にＩＣおよびアンテナを配置したＲＦＩＤインレットと、前記ＲＦＩＤインレットの前記粘着紙とは反対側の面に設けた第２の粘着剤層と、セパレータと、がこの順に積層されたＲＦＩＤラベルである。 - 特許庁 - The second layer 40 is provided in contact with the well region 56 on a part of a top surface of a buried insulating layer 52, and has a plurality of concentration regions 41-43 of which impurity concentration is different from one another, the plurality of concentration regions 41-43 being arranged in the increasing order of the impurity concentration from the side of the body region 26 to the side of the well region 56.
また、第２層４０は、埋め込み絶縁層５２の上面の一部にウェル領域５６に接して設けられ、さらに、不純物濃度がそれぞれ異なる複数の濃度領域４１〜４３を有しており、その複数の濃度領域４１〜４３は、ボディ領域２６側からウェル領域５６側に向けて不純物濃度が増加する順に配置されている。 - 特許庁 - To provide a liquid crystal display panel, allowing easy inspection using a general-purpose tester, for determining whether electrical connection is reliably carried out between an inside face shield layer arranged in a color filter and common routing wiring on an array substrate in production of an in-plane switching liquid crystal display panel where a liquid crystal layer is held between a first substrate (the array substrate) and a second substrate (the color filter substrate).
第１基板（アレイ基板）と第２基板（カラーフィルタ基板）で液晶層を挟んでなる横電界方式の液晶表示パネルの製造時に、カラーフィルターに設けられた内面シールド層と、アレイ基板上のコモン引き回し配線との電気的接続が確実になされているか否かを、汎用のテスターを用いて簡単に検査できるようにした液晶表示パネルを提供すること。 - 特許庁 - A resistance circuit network is created by using resistance values RL11 to 14 and RL21 to 22 obtained by dividing the wiring resistance corresponding to the frame graphic in the first wiring layer and the second wiring layer and resistance values RCT1 to 3 respectively set in each frame area by using the positions of the through-holes respectively set in each frame area as a reference, and the resistance circuit network is synthesized with one resistance RS.
各枠領域に１つに設定されたスルーホールの位置を基準として、第１配線層、第２配線層における枠図形に対応する配線抵抗を分割した抵抗値ＲＬ１１〜１４、ＲＬ２１〜２２と、各枠領域内で１つに設定されたスルーホールの抵抗値ＲＣＴ１〜３とを用いて、抵抗回路網を作成し、抵抗回路網を１つの抵抗ＲＳに合成する。 - 特許庁 - The transparent conductive composite film A (or the sheet B) has first conductive layers 2, 5 as a conductive polymer film or a carbon nanotube layer formed on one surface of a transparent film 1 (or a sheet 4), and further, second conductive layers 3, 6 as an ITO film (an indium tin oxide film) formed on the surface of the first conductive layer.
透明フィルム１（またはシート４）の片面の表面に、導電性高分子膜またはカーボンナノチューブ層である第１の導電性層２，５が形成され、さらにその第１の導電性層の表面に、ＩＴＯ膜（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ膜）である第２の導電性層３，６が形成されていることを特徴とする透明導電性複合フィルムＡ（またはシートＢ）。 - 特許庁 - The adhesive sheet comprises first release paper, an adhesive layer and second release paper that are laminated in this order, wherein the adhesive layer contains an adhesive; the adhesive contains at least an acrylic resin, an epoxy resin and a curing agent; and the content of the epoxy resin is in the range of 175 to 300 parts per 100 parts of the acrylic resin, in terms of mass.
第１離型紙と、粘接着層と、第２離型紙とを、この順で積層してなる粘接着シートであって、前記粘接着層が、粘接着剤を含んでなり、前記粘接着剤が、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、および硬化剤を少なくとも含み、前記エポキシ樹脂の含有量が、アクリル系樹脂１００部に対して、質量基準において１７５〜３００部含まれている。 - 特許庁 - An electroplating soln. is then supplied by the control part from an electroplating soln. feed line 3 to the surface Ws of the substrate W on which the seed layer is formed and held by the mechanism 10, power is supplied between a first electrode 131 and a second electrode 126, and an electroplating layer is formed on the surface Ws of the substrate W in a specified thickness.
基板Ｗが基板保持機構１０に保持された状態で、制御部は、次に、シード層が形成された基板Ｗの処理面Ｗｓに電解メッキ液供給系３から電解メッキ液を供給するとともに、第１電極１３１と第２電極１２６との間に給電して、基板Ｗの処理面Ｗｓに電解メッキで所定の厚さのメッキ層を形成する。 - 特許庁 - By sequentially forming, on a back substrate 2, data electrodes 10, a first dielectric layer 17 covering them, priming electrodes 15, and a second dielectric layer 18 covering them, and by forming a bored part 10a in a part of each data electrode 10, deformation of the data electrodes 10 in manufacturing is prevented, and the withstand voltage of the data electrodes 10 and the priming electrode 15 is improved.
背面基板２上に、データ電極１０、これを覆う第１誘電体層１７、プライミング電極１５、これを覆う第２誘電体層１８を順に形成するとともに、データ電極１０の一部にくり抜き部１０ａを設けることで、製造時におけるデータ電極１０の変形を防ぎ、データ電極１０とプライミング電極１５の絶縁耐圧を向上させる。 - 特許庁 - By using a semiconductor material, that has silicon as a main constituent and contains germanium by 0.1-10 atom.% for a first layer, and an amorphous silicon film for a second layer, and then applying laser beams to the lamination or an amorphous semiconductor film made by laminating at least three layers for crystallization, an appropriate semiconductor film is obtained, and a TFT is manufactured by using the semiconductor film.
シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを０．１〜１０原子％含有する半導体材料を第１層目、非晶質シリコン膜を第２層目に用い、これらの積層、または３層以上の積層からなる非晶質半導体膜にレーザー光を照射して結晶化を行うことで、良好な半導体膜が得られ、その半導体膜を利用してＴＦＴを作製する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of color filter using a dry etching method, the dry etching is performed by a first etching step of forming a colored layer removing part 6 by using a gaseous mixture containing fluorine type gas and oxygen gas and a second etching step of removing the colored layer removing part 6 and forming a support exposure part by using a gaseous mixture containing nitrogen gas and oxygen gas.
ドライエッチング法を用いたカラーフィルタの製造方法において、ドライエッチング処理を、フッ素系ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を形成する第１のエッチング工程と、窒素ガスと酸素ガスとを含む混合ガスを用いて着色層除去部６を除去し支持体露出部を形成する第２のエッチング工程とで行う。 - 特許庁
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