「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 399 400 401 402 403 404 405 406 407 .... 429 430 次へ＞- A dipole antenna consisting of a pair of a first conductor wire 41 and a second conductor wire 42 having directivity in a direction parallel with the principal surface is provided in a region between the antenna region and the side surface of the dielectric substrate where the ground layer is not formed.
アンテナ領域と誘電体基板の側面との間におけるグランド層が形成されていない領域に設けられ、主面に平行な方向に指向性を有する一対の第１導体線４１と第２導体線４２とからなるダイポールアンテナとを有する。 - 特許庁 - After a transistor composed of a gate electrode 10, a heavily doped diffusion layer 12 and the like is formed on a silicon substrate 1, second wiring 22 electrically connected with the transistor is formed and then a plasma nitride film 23 is formed on the silicon substrate 1.
シリコン基板１上に、ゲート電極１０及び高濃度不純物拡散層１２等から構成されるトランジスタを形成した後、該トランジスタと電気的に接続する第２の配線２２を形成し、その後、シリコン基板１の上にプラズマ窒化膜２３を形成する。 - 特許庁 - After a ferroelectric substance 11 connected to one diffusion layer of the MOS transistor 4b, the wiring, an electrode 17 and the like are formed, heat treatment is performed about 300-500°C for about 5-60 minutes in nitrogen as second heat treatment.
そして、ＭＯＳトランジスタ４ｂの一方の拡散層に接続する強誘電体容量１１、配線及び電極１７等を形成した後、第２の熱処理として窒素中で３００乃至５００℃程度の温度で５乃至６０分程度の熱処理をする。 - 特許庁 - The CWDM filter is composed of a first part containing at least two Fabry-Perot cavity structures and a second part containing a plurality of non-quarter wavelength film layer structures for which high and low refractive index film layers are alternately laminated on the first part.
少なくとも２つのファブリ・ペロットキャビティー構造を含む第１部分と、該第１部分上に高、低屈折率のフィルム層を交互に積層した複数層の非４分の１波長フィルム層構造を含む第２部分とによってＣＷＤＭフィルタを構成する。 - 特許庁 - The compound semiconductor portion 3 has a cutting groove 21, formed in a region between the source electrode 4 and auxiliary electrode 7 that cuts the two-dimensional gas layer 12a to divide the compound semiconductor portion 3 into a first portion 51A and a second portion 51B.
化合物半導体部３には、ソース電極４と補助電極７との間の領域に２次元電子ガス層１２ａを切断し、化合物半導体部３を第１の部分５１Ａと第２の部分５１Ｂに分断する切断溝２１が形成されている。 - 特許庁 - Also, the ultrasonic probe comprises the vibrator array including the composite piezoelectric material, an acoustic matching layer and/or an acoustic lens arranged on the first surface of the vibrator array, and a backing material arranged on a second surface opposing the first surface of the vibrator array.
また、超音波探触子は、複合圧電材料を含む振動子アレイと、振動子アレイの第１の面に配置された音響整合層及び／又は音響レンズと、振動子アレイの第１の面に対向する第２の面に配置されたバッキング材とを具備する。 - 特許庁 - A thin-film capacitor wherein a metal oxide of perovskite crystal structure is used as a dielectric layer is formed on a first substrate, which is then transferred on a second substrate where an electronic circuit is formed, for patterning and electric connection of the thin-film capacitor.
ペロブスカイト結晶構造を有する金属酸化物を誘電体層とする薄膜コンデンサを第１の基板上に形成し、その後、電子回路が形成された第２の基板上に転写した後、上記薄膜コンデンサのパターニング、電気的な接続を行う。 - 特許庁 - An organic EL element has at least one organic compound layer 30 interposed between a first electrode 12 and a second electrode 18, thus forming an element region, the element region being covered with the protective film 20 composed of at least amorphous carbon nitrite.
有機ＥＬ素子は、第１電極１２、第２電極１８との間に少なくとも一層の有機化合物層３０を備えて素子領域が構成されており、この素子領域を覆うようにアモルファス窒化炭素を少なくとも含む保護膜２０を形成する。 - 特許庁 - In the dye sensitized solar battery, first and second electrodes 10, 20 are disposed opposite to each other, a buffer layer 30 and a porous film 40 are formed on one surface of the first electrode, and dye 50 is absorbed to the film 40.
本発明の一実施例による染料感応太陽電池は、第１電極１０と第２電極２０が互いに対向配置され、第１電極の一面にバッファー層３０、多孔質膜４０が形成され、前記多孔質膜には染料５０が吸着される。 - 特許庁 - Further, a diode chip 102, smaller than a cathode electrode 103 in the area thereof and consisting of the matrix of the wide gap semiconductor, is arranged on the cathode electrode 103, smaller than an anode electrode 105 in the area thereof, through a second conductive layer 109B.
更に、陽極電極１０５よりも面積的に小さい陰極電極１０３の上に、第２導電層１０９Ｂを介して、陰極電極１０３よりも面積的に小さく且つワイドギャップ半導体を母材とするダイオードチップ１０２を配設する。 - 特許庁 - A metal wire 13 comprising a barrier layer 13a and a copper film 13b is buried in the carbon- containing silicon oxide film 12 and a second insulation film 14 composed of a silicon nitride film is formed on the metal wire 13 and the carbon-containing silicon oxide film 12.
炭素含有シリコン酸化膜１２には、バリア層１３ａと銅膜１３ｂとからなる金属配線１３が埋め込まれており、金属配線１３及び炭素含有シリコン酸化膜１２の上にはシリコン窒化膜よりなる第２の絶縁膜１４が形成されている。 - 特許庁 - To secure high film flatness by forming a first dielectric thin film and a second dielectric thin film that is provided by applying a dielectric-forming composition onto the first dielectric thin film so that a dense layer is formed on the surface of the first dielectric thin film.
第１の誘電体薄膜と、この誘電体薄膜の上に誘電体形成用組成物を塗布して第２の誘電体薄膜を形成して、第１の誘電体薄膜の表面に緻密な層を形成し、当該膜の高い平坦性を確保する。 - 特許庁 - In a cooling process of the second 3-5 group nitride semiconductor layer 3 after the laminating, a stress resulting from difference of thermal expansion coefficient causes warpage on the base substrate 1 on which the nitride crystal substrate 4 is formed and the nitride crystal substrate 4 peels off from the base substrate 1.
第２の３−５族窒化物半導体層３の積層後の冷却過程で、熱膨張係数差に伴う歪みが窒化物結晶基板４が形成されている下地基板１に反りを生じさせ、窒化物結晶基板４が下地基板１から剥離する。 - 特許庁 - When a virtual machine (5) moves as a virtual machine (B) from a physical machine 1 accommodated in a first subnet in a fixed network to a physical machine 2 accommodated in a second subnet which is different from the first subnet, a layer 2 tunnel extending from the physical machine 1 to the physical machine 2 is constructed.
仮想マシン(5)が、固定網内の第1のサブネットに収容されている物理マシン1から第1のサブネットとは異なる第2のサブネットに収容されている物理マシン2に仮想マシン(B)として移動した場合、物理マシン1から物理マシン2へ至るレイヤ2トンネルを構築する。 - 特許庁 - The light guide plate is equipped with: a soft resin base 10A having a first resin surface 10A1 and a second soft surface 10A2 on the side opposite to the first soft surface; and a first hard resin layer 10B formed on the first soft surface.
導光板は、第１軟質表面１０Ａ１と、前記第１軟質表面と反対側の第２軟質表面１０Ａ２とを有する軟質樹脂基材１０Ａと、第１軟質表面上に形成される第１硬質樹脂層１０Ｂとを備える。 - 特許庁 - The dielectric film 8 has an opening for injecting current into the upper surface of the ridge part 6a, is formed with a first electrode 9 to contact the contact layer 7 exposed to the opening, and is formed with a second electrode 10 on the first electrode 9.
誘電体膜８は、リッジ部６ａの上面に電流を注入するための開口部を有し、当該開口部に露出したコンタクト層７に接するように第一電極９が形成され、第一電極９上に第二電極１０が形成されている。 - 特許庁 - The display uses a lens array element which can be controlled to turn on/off the lens effect by changing the refractive index distribution in the liquid crystal layer depending on the voltage applied by the first electrode and the second electrode 21Y facing each other.
互いに対向する第１の電極と第２の電極２１Ｙとによって印加される電圧に応じて液晶層内の屈折率分布を変化させることにより、レンズ効果をオン状態とオフ状態とに可変制御することが可能なレンズアレイ素子を用いる。 - 特許庁 - The microcapsule film where microcapsules in which positively charged electrophoretic particles of a first color and negatively charged electrophoretic particles of a second color are enclosed in a liquid dispersion medium are dispersed includes a sufficient amount of a binder since a layer having the microcapsules dispersed therein is formed like a film.
正帯電の第一の色と、負帯電の第二の色の各電気泳動粒子を液体分散媒中に封入したマイクロカプセルが分散されたマイクロカプセルフィルムであり、マイクロカプセルが分散された層自体がフィルム状をなす為に、充分な量のバインダを含む。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device including a first substrate, a liquid crystal layer, a second substrate and the circuit member and further having a wire grid polarizer, the wire grid polarizer is grounded or maintained at a fixed voltage.
第一基板、液晶層、第二基板及び回路部材を備えた液晶表示装置であって、上記液晶表示装置は、更に、ワイヤーグリッド偏光子を有し、上記ワイヤーグリッド偏光子は、接地されるか、又は、定電圧に保持されている液晶表示装置である。 - 特許庁 - An ohmic contact layer-forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of a semiconductor film-forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, containing a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal.
窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁 - To provide an electrostatic capacitance-type input device in which a first electrode, a second electrode, an inter-layer insulating film, a relay electrode, and peripheral wiring can be formed by three times in total of patterning formation and a method for manufacturing the capacitance-type input device.
計３回のパターニング形成によって、第１電極、第２電極、層間絶縁膜、中継電極、および周辺配線を形成することのできる静電容量型入力装置、および当該静電容量型入力装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Further, the barrier forming composite is applied on top of it and dried, then a second barrier 2 is formed using a barrier forming die in the direction crossing at right angles the first barrier, and after forming the protection layer and removing the unnecessary portion and calcination, a barrier of lattice shape is formed.
更に、その上から隔壁形成用組成物を塗布乾燥後、第１の隔壁と直交する方向に、隔壁形成型を用いて第２の隔壁２を形成し、保護層形成と不要物の除去後に焼成を行って格子状の隔壁を形成する。 - 特許庁 - In a third lamination process 101, the silicon steel plate 51 is pressed on the second laminated layer 92, then the I type plates 71 are laminated while being stamped to form the stators 15, and simultaneously the core type plates 72 are laminated while being stamped to form a magnet core 41.
第３積層工程１０１にて、珪素鋼板５１を第２積層部９２上でプレスし、Ｉ型プレート７１を打ち抜きながら積層してステータ１５を形成すると同時に、コア型プレート７２を打ち抜きながら積層してマグネットコア４１を形成する。 - 特許庁 - The electroluminescent device has a functional region to emit light of a first spectrum distribution and a filter layer which is arranged at the light path of the functional region and absorbs a prescribed spectrum portion region of the light of the first spectrum distribution, and thereby, light of a second spectrum distribution is emitted.
第１のスペクトル分布の光を発光する機能領域と、この機能領域の光路に配置され第１のスペクトル分布の光の所定のスペクトル部分領域を吸収するフィルタ層とを有し、これにより第２のスペクトル分布の光が発光される。 - 特許庁 - A contact hole 12 formed by removing portions of the first insulating film 2, the second insulating film 7 and the organic film 8, and a base layer metal thin film 13 formed so as to cover the contact hole and electrically connected to the first conductive film are provided.
第１の絶縁膜２、第２の絶縁膜７及び有機膜８の一部を除去することにより設けられたコンタクトホール１２と、前記コンタクトホールを覆うように設けられ、第１の導電膜と電気的に接続された下地金属薄膜１３とを備えている。 - 特許庁 - Since the position of the second insulation case 5b can be changed in two or more steps, the height of the assembly electrode 13 is adjusted, and occurrence of an electrical contact failure between the housed electric double layer capacitor element 12 and the armoring metal case 8 is prevented.
第２の絶縁ケース５ｂの位置を２段階以上変化させることができるため、組み立て電極１３の高さは調節され、収容される電気二重層コンデンサ素子１２と外装金属ケース８との電気的な接触不良の発生が防止される。 - 特許庁 - The liquid crystal display panel includes a first substrate provided with a pixel pattern piled up on a display area R and a dummy pattern 41 having two or more kinds of dummy pattern parts of mutually different thicknesses, a second substrate, a liquid crystal layer, and a plurality of spherical spacers 15.
液晶表示パネルは、表示領域Ｒに重なった画素パターンと、互いに厚みの異なる複数種類のダミーパターン部を有したダミーパターン４１とを具備した第１基板と、第２基板と、液晶層と、複数の球状スペーサ１５とを備えている。 - 特許庁 - In the manufacturing method, an electrodeposition painting coating film, a first spray painting insulation coating film having a pencil hardness of 2H-4H and a second spray painting insulation coating film having a pencil hardness of 3H-6H are formed on a surface of the motor core so as to have a three-layer insulation coating film structure.
モータコアの表面に、電着塗装塗膜、鉛筆硬度２Ｈ〜４Ｈの第一のスプレー塗装絶縁塗膜、鉛筆硬度３Ｈ〜６Ｈの第二のスプレー塗装絶縁塗膜を形成して成る三層絶縁塗膜構造を有するモータコア及びその製造方法。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a semiconductor laser device 1, a dielectric film 31 is formed which is a first layer in a high reflective film 21 by ECR plasma method; and dielectric films 32 and 33 are formed which are second and subsequent layers by IAD method.
本実施形態に係る半導体レーザ素子１の製造方法では、高反射膜２１における第１層目の誘電体膜３１をＥＣＲプラズマ法によって形成し、第２層目以降の誘電体膜３２，３３をＩＡＤ法によって形成している。 - 特許庁 - The thin film magnetic head is equipped with; a magnetoresistive element 5; first and second reproduction shield layers 3 and 9 which are arranged so as to sandwich the magnetoresistive element 5; and a bias magnetic field impression layer to impress a bias magnetic field to the magnetoresistive element 5.
薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子５と、磁気抵抗効果素子５を挟むように配置された第１および第２の再生シールド層３，９と、磁気抵抗効果素子５に対してバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加層とを備えている。 - 特許庁 - An organic EL panel 100 is so structured that organic EL elements 2 used as pixels are formed in a matrix-like film form on a first transparent substrate 1, a second transparent substrate 3 is disposed on organic luminescent films of the EL elements 2, and they are fixed by an adhesive layer 4.
この有機ＥＬパネル１００は、第一透明基板１上に画素となる有機ＥＬ素子２をマトリックス状に成膜し、この有機ＥＬ素子２の有機発光膜上に第二透明基板３を配置し、これらを接着層４により固着した構造である。 - 特許庁 - The first fixing part 51A of a first metal terminal 5A is inserted to a fixing groove 215a formed on the first surface of a ring core 3 and fixed at a resin adhesion layer, and a first mounting part 52A is arranged on a first terminal attaching surface 22A stipulated on the second surface 22.
リングコア３の第一面に形成された固定溝２１５ａに第一金属端子５Ａの第一固定部５１Ａが挿入されて樹脂接着層で固定され、第二面２２に規定された第一端子取付面２２Ａに第一実装部５２Ａが配置される。 - 特許庁 - At the time, an align mark or an align-shape part is formed on the dielectric layer, an align mark or an align-shape part corresponding to above the align mark or the align-shape part is formed at least on one substrate among the first substrate or the second substrate.
この時、前記誘電層にアラインマークまたはアライン形状部が形成され、前記第１基板及び第２基板のうちの少なくとも一つの基板に前記アラインマークまたは前記アライン形状部に対応するアラインマークまたはアライン形状部が形成される。 - 特許庁 - A flexible printed circuit 100 is formed by performing thermocompression bonding after first and second unit substrates 1 and 2 are disposed so that surfaces 11a and 21b are opposed to each other, and an adhesive layer 30 is formed by applying epoxy-based thermosetting adhesive to between the surfaces 11a and 21b.
フレキシブルプリント回路１００は、第１及び第２の単位基板１，２を、面１１ａと面２１ｂとが対向するように配置し、間にエポキシ系の熱硬化型接着剤を塗布等して接着剤層３０を形成した上で熱圧着して形成される。 - 特許庁 - In the pattern forming method in which the surface layer of a substrate 1 is patternwise etched using a resist pattern as a mask, the pattern forming region of the surface of the substrate 1 is divided into a dense first region 2a and a thin second region 2b in accordance with pattern forming density.
基板１の表面層に対して、レジストパターンをマスクに用いたパターンエッチングを施すパターン形成方法において、基板１表面のパターン形成領域を、パターンの形成密度に応じて密な第１領域２ａと疎な第２領域２ｂとに分割する。 - 特許庁 - The first under surface electrode 12 and the second under surface electrode 22 are formed mutually adjacently on the under surface of the solid electrolyte layer 4a, and the shape of an adjacent part in a plan view is a ridged and grooved shape, and the ridged portion is inserted into the grooved portion mutually.
また、第１下面電極１２と第２下面電極２２は、固体電解質層４ａの下面に互いに隣接して形成され、隣接する部分を平面視したときの形状が凹凸状であって互いに凸部が凹部に入り込んでいるものである。 - 特許庁 - Disclosed is the method of manufacturing an optical film including the steps of laminating a peel layer and an optical filter on a first substrate, peeling the optical filter off the first substrate, and bonding the optical filter to a second substrate.
本発明は、第１の基板上に、剥離層及び光学フィルターを積層して形成する工程と、前記第１の基板から光学フィルターを剥離する工程と、前記光学フィルターを第２の基板に接着する工程とを有する光学フィルムの作製方法である。 - 特許庁 - An alternating current drive type plasma display device comprises a first panel 10 having a discharge maintaining electrode 12 and a first dielectric layer 14 formed on its inside, and a second panel 20 stuck to the inside of the first panel 10 so as to form a discharging space.
放電維持電極１２と第１誘電体層１４とが内側に形成された第１パネル１０と、第１パネル１０の内側に放電空間が形成されるように張り合わされる第２パネル２０とを有する交流駆動型プラズマ表示装置である。 - 特許庁 - A first electrode and a second electrode separated from each other are formed on a substrate and after stacking a silicon layer in which amorphous silicon and polycrystalline silicon exist mixedly by the sputtering method or the chemical vapor deposition method, a semiconductor is formed by patterning the silicon film.
基板上に互いに分離されている第１及び第２電極を形成し、非晶質と多結晶シリコンとが混在するシリコン膜をスパッタリング法または化学気相蒸着法で積層した後、前記シリコン膜をパターニングして半導体を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which prevents the disconnection of a wiring layer connecting a first semiconductor device part provided on an insulating substrate and a second semiconductor device part of which the height from the insulating substrate to the upper surface is high, and a method of manufacturing the same.
絶縁性基板上に設けられた第１の半導体デバイス部と、絶縁性基板からその上面までの高さが高い第２の半導体デバイス部とを接続する配線層が断線することを防止する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - After removing the mask 33 for diffraction grating, a group III-V compound semiconductor film 35 as a cover layer is deposited, so as to cover the diffraction grating structure 21b of the first semiconductor laminate 25 and the semiconductor film 29 of the second semiconductor laminate 31.
回折格子用マスク３３を除去した後に、第１の積層構造物２５内の回折格子構造２１ｂおよび第２の積層構造物３１内の半導体膜２９を覆うように、カバー層のためのIII−Ｖ化合物半導体膜３５を堆積する。 - 特許庁 - The display panel 21 has a cathode electrode (first electrode) 22 and an anode electrode (second electrode) 23 disposed facing each other between glass substrates 11, 12, and has a light emitting layer 24 by organic EL held between the cathode electrode 22 and the anode electrode 23.
表示パネル２１は、ガラス基板１１，１２間に、対向して配置されたカソード電極（第１電極）２２およびアノード電極（第２電極）２３と、前記カソード電極２２とアノード電極２３との間に挟持された有機ＥＬ（Electro Luminescence）による発光層２４とを備える。 - 特許庁 - Exposure to imaging radiation causes the first layer and the substrate to irreversibly detach without substantial ablation, thereby facilitating removal, by subjection to the cleaning liquid, of the first and second layers 304, 306 where detachment has taken place.
イメージング放射線に対する露光は第１の層３０４及び基板を実質的融除なしに不可逆的に分離する様にさせ、それにより、洗浄液の下におくことにより、分離が生起した所での第１及び第２の層３０４，３０６の除去を促進する。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device, a first polarizer 10, the liquid crystal cell 11, a second polarizer 12, a heat control member 14 with a coefficient of thermal conductivity of 0.3 W/(m×k) or more, an air layer 15, and the backlight 13 are sequentially disposed.
本発明の液晶表示装置は、第１の偏光子１０、液晶セル１１、第２の偏光子１２、熱伝導率が０．３Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である熱制御部材１４、空気層１５、およびバックライト１３が、前記順序で配置されていることを特徴とする。 - 特許庁 - Accordingly, raised portions 174 are formed by clear ink drops applied at the second application step, on the uniform layer 175 of clear ink formed at the first application step, and it is possible to cause light of various wavelengths (colors) to be included in the light reflected off of the print object.
これにより、第１の付与工程で形成された一様な透明インクの層１７５の上に、第２の付与工程で付与された透明インク滴による凸部１７４が形成され、記録物の反射光に様々な波長（色）の光が含ませることが出来る。 - 特許庁 - At least a part of an end face 710 of the light emitting part 71 in a second direction nearly orthogonal to a first direction along a center axis of luminous flux transmitted through the reflection type polarizing layer 715 is covered with a reflection part 72 reflecting incident luminous flux.
そして、反射型偏光層７１５を透過する光束の中心軸に沿った第１方向に対して略直交する第２方向の発光部７１の端面７１０のうち、少なくとも一部を、入射光束を反射する反射部７２で覆った。 - 特許庁 - On the lower side of the back electrode plate 16, a contact spring 18 elastically pressing it upward is arranged in a deflected and deformed state to bring its lower end into contact with a portion of the second conductive layer 36c on the upper surface of the annular substrate 36.
また、背面電極板１６の下方に、これを上方へ向けて弾性的に押圧するコンタクトスプリング１８を、その下端部を第２導電層３６ｃにおける環状基板３６の上面の部分に当接させるようにして撓み変形させた状態で配置する。 - 特許庁 - The phase-change structure fills partially the HARS, fills a first phase-change substance layer pattern, including a first phase-change substance and the remainder of the HARS, and includes a second phase-change substance having a composition being different from the first phase-change substance.
相変化構造物はＨＡＲＳを部分的に満たし、第１相変化物質を含む第１相変化物質層パターン、及び前記ＨＡＲＳの残りを満たし、前記第１相変化物質と相異なる組成を有する第２相変化物質を含む。 - 特許庁 - As to one of the first LDD region and the second LDD region, the concentration of doped impurities changes stepwise in a channel length direction of the semiconductor layer, and as to the other, the concentration of doped impurities does not change stepwise as against the former one.
第１ＬＤＤ領域及び第２ＬＤＤ領域のうち、一方はドープされた不純物の濃度が半導体層のチャネル長方向に沿って段階的に変化し、他方はドープされた不純物の濃度が前記一方と比べて段階的に変化しない。 - 特許庁 - The upper end 3202 of the second rubber sheet layer 32 is lower than 0.6×SH and higher than a bead filler 26, and the lower end 3204 is lower than the bead filler 26 to overlap with the beat filler 26 by 5 mm or more and higher than the half height of the bead filler 26.
第２ゴムシート層３２は、その上端３２０２が、０．６×ＳＨよりも低くかつビードフィラー２６よりも高く、その下端３２０４は、ビードフィラー２６と５ｍｍ以上オーバーラップするようにビードフィラー２６よりも低くかつビードフィラー２６の高さの１／２よりも高い。 - 特許庁
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