「second-layer」を含む例文一覧(21457)
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光透過型有機ＥＬ表示体５は、ガラス基板等の透明基板５ａ上に、透明な導電性素材による第１電極５ｂ、有機ＥＬ発光層５ｃ、透明な導電性素材による第２電極５ｅが順に積層されて形成される。 - 特許庁 - The binder 10a is irradiated with active energy rays through the second releasing film 35 and, thereby, is cured, the lens shape of the transfer surface is transferred to the surface of a light diffusion layer 16 and, thereby, a diffusion lens part 19 on which cylindrical lenses 19a are arranged in parallel is formed.
第２離型フィルム３５を通してバインダ１０ａに活性エネルギー線を照射して硬化させ、転写面のレンズ形状を光拡散層１６の表面に転写してシリンドリカルレンズ１９ａを並列させた拡散レンズ部１９を形成する。 - 特許庁 - When the photosensitive layer 21 is charged by the same charging capability along with the axial direction of the substrate 20, the dark potential in the latent image forming area 22 becomes larger gradually toward a second end 22B from the first end 22A in an axis direction of the substrate 20.
感光層２１は、基体２０の軸方向に沿って同一の帯電能力で帯電させた場合に、潜像形成領域２２における暗電位が、基体２０の軸方向において、第１の端部２２Ａから第２の端部２２Ｂに向かって漸次大きい。 - 特許庁 - Then, the first surface layer wiring conductor 21 contains V2O5 in the Ag-family conductor within a range of 0.2-1.0 wt.%, and the second surface wiring conductor 22 contains V2O5 in the Ag-family conductor within a range of 0-0.1 wt.% (without including 0).
そして、前記第１の表層配線導体２１は、Ａｇ系導体中にＶ_2 Ｏ_5 が０．２〜１．０ｗｔ％の範囲で含み、第２の表面配線導体２２は、Ａｇ系導体中にＶ_2 Ｏ_5 が０〜０．１ｗｔ％（０を含まない）の範囲で含むものである。 - 特許庁 - When the TN element for a polarization switch is turned off, the laser light passes through the PBS surface 5c of the PBS prism 5, and led to the objective lens actuator 6 via a first reflection surface (curved surface), and then condensed on the second recording layer 101 of the disk 100.
一方、偏光スイッチ用ＴＮ素子がＯＦＦされているとき、レーザ光は、ＰＢＳプリズム５のＰＢＳ面５ｃを通過し、その後、第１の反射面（曲面）を経由して対物レンズアクチュエータ６に導かれ、ディスク１００の第２の記録層１０１上に集光される。 - 特許庁 - The optical recording medium D is provided with an information layer D2 formed by layering at least a first protective film 8, a second protective film 9, a third protective film 10 and a recording film 11 in this order on a first substrate 1 having an incidence surface 1A in which laser light L is made incident as a bottom surface.
光記録媒体Ｄは、レーザ光Ｌが入射する入射面１Ａを底面とした第１基板１上に、少なくとも第１保護膜８、第２保護膜９、第３保護膜１０、記録膜１１をこの順に積層した情報層Ｄ２を備えている。 - 特許庁 - The body-contacting region 30 is provided in the field region 20B on the side of the second portion 24B2 of the L-shaped gate 25 opposite to the first portion 24B12, and a low-resistance layer 29 is formed on the surfaces of the source region 28A and body-contacting region 30.
Ｌ型ゲート２５の第２部分２４Ｂ２を挟んで第１部分２４Ｂ１２とは反対側のフィールド領域２０Ｂにボディコンタクト領域３０が設けられ、ソース領域２８Ａとボディコンタクト領域３０との表面に低抵抗層２９が形成されている。 - 特許庁 - Thus, a three- layer structure (triplate structure) can be formed of the ground plate 11, the strip conductor constituted of the power supplying strip line 13 and the radiating antenna elements 14a-14j, and the conductive plate 19 having the 10 pieces of slots 18a-18j with the first dielectric substrate 12 and the second dielectric substrate 17 interposed between them.
こうして、接地板11、給電ストリップ線路13と放射アンテナ素子14a〜14jとからなるストリップ導体、及び１０個のスロット18a〜18jを有する導体板19が、間に第１の誘電体基板12、第２の誘電体基板17を挟んで３層構造（トリプレート構造）を形成する。 - 特許庁 - At this time, the diffusion width of the protective layer forming material is narrowest at the first jet gun tips 44a and successively made large in the order of the first-third interposed jet gun tips 44c, 44d and 44e and the second jet gun tips 44b.
この際、保護層形成材の拡散幅は、第１噴出ガンチップ４４ａで最も狭く、第１介在噴出ガンチップ４４ｃ、第２介在噴出ガンチップ４４ｄ、第３介在噴出ガンチップ４４ｅおよび第２噴出ガンチップ４４ｂの順に大きくなる。 - 特許庁 - Depth y (mm) of hardened layer of Vickers hardness Hv653 or higher formed on a second inner raceway surface 20b included in the inner ring 3, the maximum outer diameter D_1 (mm) and inner diameter D_3 (mm) of the inner ring 3 satisfies inequality y/{(D_1-D_3)/2}≥0.015.
また、内輪３が有する第二内側軌道面２０ｂに形成されたビッカース硬さＨｖ６５３以上の硬化層の深さｙ（ｍｍ）と、内輪３の最大外径Ｄ_1 （ｍｍ）及び内径Ｄ_3 （ｍｍ）とが、ｙ／｛（Ｄ_1 −Ｄ_3 ）／２｝≧０．０１５なる数式を満足する。 - 特許庁 - The radiation conductor plate 20 is formed of a substantially C-shaped metal flat plate of which both ends 20d, 20e face each other with an opened portion 4 interposed therebetween, and is mounted on the circuit board 3 in a position where the first and the second support metal pieces 21, 22 come close to the ground conductor layer 33.
放射導体板２０は開放部４を介して両端部２０ｄ，２０ｅが対向する略Ｃ字状に形成されており、第１および第２の支持金属片２１，２２が接地導体層３３と近接する位置で回路基板３上に搭載されている。 - 特許庁 - The body 2 has a plurality of first terminals 4 which are arranged on a top face of a principal part 2M including a plurality of layer parts and are connected to the wiring 3, and a plurality of second terminals 5 which are arranged on a bottom face of the principal part 2M and are connected to the wiring 3.
本体２は、複数の階層部分を含む主要部分２Ｍの上面に配置されて配線３に接続された複数の第１の端子４と、主要部分２Ｍの下面に配置されて配線３に接続された複数の第２の端子５を有している。 - 特許庁 - A lot of cracks are thus generated on a convex part P of the second nitriding compound semiconductor layer 2, that is, in a high defective region of a nitriding compound semiconductor 3, and a crack occurrence of the nitriding compound semiconductor 3 on a recess part D1 which is a low defective region, is controlled thereby.
よって、第２の窒化化合物半導体層２の凸部Ｐ上、すなわち窒化化合物半導体３の高欠陥領域にクラックが多数生じ、低欠陥領域である凹部Ｄ１上の窒化化合物半導体３のクラック発生を抑制できる。 - 特許庁 - An optical module 30 uses a multilayered substrate for a module substrate 33 with a capacitor 35 mounted in a hole 91 on the substrate for filtering out the noise, and the capacitor is connected in between a power line 73 and a ground line 82 formed in a second conductive layer m2.
光モジュール３０は、モジュール基板３３として多層基板を用い、この基板に設けた孔９１内にノイズ除去用のコンデンサ３５を配置し、このコンデンサを第２の導体層ｍ２に形成した電源ライン７３とグランドライン８２との間に接続している。 - 特許庁 - Then the parts of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b are etched by RIE similarly to the above-mentioned method using a part of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as masks to form a magnetic part 100.
続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ(1) とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁 - This optical packaging substrate is constituted by forming a substrate layer disposed with a first integrated circuit having light emitting sections from which signal light is emitted and light receiving sections from which the signal light is received by separating at least one second integrated circuits from each other.
信号光が発光される発光部を備えた第１の集積回路と、前記信号光が受光される受光部を備えた少なくとも１つの第２の集積回路とを互いに離間して配設した基板層を形成してなる光実装基板である。 - 特許庁 - An organic dye is held in a film hole of an anodic oxidation film 3, and the surface of the aluminum-based member 2 is uniformly colored to form a first colored layer 42, and thereafter, a second organic dye is diagonally sprayed to color a part of the surface of the aluminum-based member 2.
陽極酸化皮膜３の皮膜孔に有機染料を保持させ、アルミニウム系部材２の表面を均一に着色して第１の着色層４２を形成した後、第２の有機染料を斜めに吹き付け、アルミニウム系部材２の表面の一部を着色する。 - 特許庁 - Next, a portion of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b is etched by the similar RIE by using a portion of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as a mask to form a magnetic pole part 100.
続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ（１） とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁 - The air cleaner 10 itself is composed of a foam body such as foam urethane, and is formed into a two-layer structure for covering a side surface part 13 and an upper surface part 12 of a substantially truncated cone-shaped first foam body 15 for forming the hollow part 14 with a second foam body 16.
エアクリーナ１０自体は、発泡ウレタンなどの発泡体から構成されており、中空部１４を形成する略円錐台形の第一発泡体１５の側面部１３と上面部１２を第二発泡体１６が覆う二層構造となっている。 - 特許庁 - A half-wave retardation film 30 consisting of a uniaxially stretched single-layer polycarbonate film is joined with a photosetting adhesive 4 between the inclined end face 11 of the first light transmitting base material 10 and the inclined end face 21 of the second light transmitting base material 20.
第１の透光性基材１０の傾斜端面１１と第２の透光性基材２０の傾斜端面２１との間には、一軸延伸された単層のポリカーボネートフィルムからなるλ／２位相差フィルム３０が光硬化性の接着剤４で接合されている。 - 特許庁 - The organic EL panel 100 has an organic EL element 2 to become a picture element formed in a matrix form on a first transparent substrate 1, a second transparent substrate 3 is arranged on an organic light-emitting film of this organic EL element 2, and these are adhered by an adhesive layer 4.
この有機ＥＬパネル１００は、第一透明基板１上に画素となる有機ＥＬ素子２をマトリックス状に成膜し、この有機ＥＬ素子２の有機発光膜上に第二透明基板３を配置し、これらを接着層４により固着した構造である。 - 特許庁 - A mask 10 having a machining pattern for a laser machining is formed of a mask member layer 12 made of a metallic material having the machining pattern and a first and a second base plate members 11 and 13, composed of a laser beam transmissible material, which clamp the mask member layers on the upper and lower faces.
レーザ加工用の加工パターンを持つマスク１０を、前記加工パターンを持つ金属材料によるマスク部材層１２と、該マスク部材層を上下両面から挟んでいるレーザ光の透過材料より成る第１、第２の基板部材１１、１３とで形成した。 - 特許庁 - The disk-type MEMS resonator 10 is composed such that a nitride film 11, first/second/third sacrifice layers 12, 13, and 14, and a wiring layer 15 are laminated on a semiconductor substrate 1 and an opening part C1 being a cylindrical recessed part is formed almost at the center.
ディスク型ＭＥＭＳ振動子１０は、半導体基板１上に、窒化膜１１、第一の犠牲層１２、第二の犠牲層１３、第三の犠牲層１４、及び配線層１５が積層され、略中央に、円筒形状の凹部である開口部Ｃ１が形成されている。 - 特許庁 - Also, this device is provided with an actuator 15 for a focus servo for moving the objective lens 13 to the direction of the optical axis 13a for allowing the objective lens 13 to converge the first light beam (a) and the second beam b in a prescribed size on the recording layer.
対物レンズ１３に対しては、第１の光ビームａ及び第２の光ビームｂを記録層上で所定の大きさに焦合させるために、対物レンズ１３をその光軸１３ａ方向に移動させるフォーカスサーボ用アクチュエータ１５が設けられている。 - 特許庁 - To obtain a proper ohmic contact by breaking a barrier layer existing in an interface between Ni of a first electrode of a positive temperature coefficient thermistor element and Ag of a second electrode without bringing about the problem of the damage or rectifying operation of the positive temperature coefficient thermistor element.
正特性サーミスタ素子の第１電極であるＮｉと第２電極であるＡｇとの界面に存在する障壁層を、正特性サーミスタ素子の破壊や整流作用の残存という問題を発生させずに破壊して良好なオーミック接触を得る。 - 特許庁 - This semiconductor light-emitting element includes: a light-emitting structure having a plurality of compound semiconductor layers each having a rounded side surface on the outer side; a first electrode part disposed on the light-emitting structure; and a second electrode layer disposed under the light-emitting structure.
本発明に従う半導体発光素子は、外側にラウンドされた側面を持つ複数の化合物半導体層を含む発光構造物と、上記発光構造物の上に第１電極部と、上記発光構造物の下に第２電極層と、を含む。 - 特許庁 - This organic EL element is provided with at least an organic compound layer 30 between a first electrode 12 and a second electrode 16 to form an element region, and a protective film 20 including a polymerized film of a hetero-cyclic compound is formed to cover the element region.
有機ＥＬ素子は、第１電極１２、第２電極１６との間に少なくとも一層の有機化合物層３０を備えて素子領域が構成されており、この素子領域を覆うようにヘテロ環式化合物の重合膜を含む保護膜２０を形成する。 - 特許庁 - When first and second stress films 4 and 5 are dividedly applied on the upper layer of a gate electrode 1 and then a contact hole leading to the gate electrode 1 is formed to form a contact electrode, a contact hole formation region 9 is laid out on the side of the first stress film 4.
ゲート電極１の上層に第１，第２の応力膜４，５を張り分けてからそのゲート電極１に通じるコンタクトホールを形成してコンタクト電極を形成する際、そのコンタクトホール形成領域９を第１の応力膜４側にレイアウトする。 - 特許庁 - Based on the position, a punching position of an opening 20a is controlled by a control means 52 corresponding to the catalyst layer 12A by a cutter unit 38 for forming an opening 20a on a belt-like protection film 20C guided along a second upstream channel 26.
その位置に基づいて、制御手段５２により、第２の上流経路２６に案内される帯状の保護フィルム２０Ｃに対し開口部２０ａを形成するカッターユニット３８の、触媒層１２Ａに対応する開口部２０ａの打抜き位置を制御する。 - 特許庁 - On the substrate face 23b of the transparent substrate main body 23 constituting a backlight 13, a first electrode 26, an organic EL layer 25, and the second electrode 27 are laminated toward the opposite side of a liquid crystal panel 12 from the transparent substrate main body 23 side in this order.
バックライト１３を構成する透明基板本体２３の基板面２３ｂ上において、第１電極２６、有機ＥＬ層２５、及び、第２電極２７は、同順に透明基板本体２３側から液晶パネル１２と反対側に向かって積層されている。 - 特許庁 - Protection layers 5, 13 composed of a compound of alkali metal (either of Li, Na, K, Rb, Cs) and halogen (either of F, Cl, Br, I) or alkali metal oxide are provided on the surfaces of a first plate and a second plate at least provided with a phosphor layer 10.
第一プレートおよび少なくとも蛍光体層１０が設けられた第二プレート表面にアルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのいずれか）とハロゲン（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉのいずれか）の化合物あるいはアルカリ金属酸化物からなる保護層５、１３を設ける。 - 特許庁 - The second layer preferably contains an IR absorbent under conditions of not causing ablation, e.g. the condition of an optical density of ≤1.0 and the formation of covalent bonds under the action of light or heat is preferably carried out by a crosslinking reaction.
この第２の層には、アブレーションを起こさない条件、例えば、光学濃度１．０以下の条件で赤外線吸収剤を含有することが好ましく、光又は熱の作用による共有結合の形成は、架橋反応によるものであることが好ましい。 - 特許庁 - In this case, a relay electrode pad RP connected to the coupling electrode pad P of a first chip 12 by a relay wiring 23 is further provided on the pad formation surface of the first chip 12 as a lower surface in such a way that the pad RP is exposed on a second chip 16 as an upper layer.
このとき、下層になる第１チップ１２のパッド形成面には、中継配線２３によりその連結電極パッドＰと接続された中継電極パッドＲＰが、上層になる第２チップ１６に露出されるかたちでさらに備えられる。 - 特許庁 - The inter-layer insulating film 10 comprises a first silicon oxide film 10a provided by HDP(high density plasma)-CVD substantially comprising no impurities and a second silicon oxide film 10b whose main material is PSG (phospho silicate glass) deposited on the first silicon oxide film 10a.
層間絶縁膜１０は、実質的に不純物を含まないＨＤＰ−ＣＶＤによる第１のシリコン酸化物膜１０ａと、この第１のシリコン酸化物膜１０ａ上に堆積されたＰＳＧを主体とする第２のシリコン酸化物膜１０ｂとを有する。 - 特許庁 - A thermoplastic resin 5 is charged between a side surface of an electric double layer capacitor element 2 and an internal wall of a bottomed case 31, between a first electrode plate 41 and a second electrode plate 42, and between an opening of the bottomed metal case 31 and a printed substrate mounting surface.
電気二重層コンデンサ素子２の側面と有底金属ケース３１の内壁の間と、第１の電極板４１と第２の電極板４２の間と、有底金属ケース３１の開口部とプリント基板実装面との間を熱可塑性樹脂５で充填する。 - 特許庁 - The Pb-free solder contains: first metal particles containing Sn as a principal component; and second metal particles in which the surfaces of core particles containing Ni-Fe alloy as a principal component are covered with at least one coating layer containing as a principal component, Sn and a metal that forms an alloy.
Ｐｂフリーはんだは、Ｓｎを主成分とする第１金属粒子と、Ｎｉ−Ｆｅ合金を主成分とするコア粒子の表面が、Ｓｎと合金を作る金属を主成分とする少なくとも１つの被覆層で覆われた第２金属粒子とを含む。 - 特許庁 - As the lower step switch 3 below the cover can not be used thereby when the cover 5 is not opened, the lower step switch is prevented from outputting carelessly and it is possible to arrange a number of the first and the second switches 3 and 6 being a two layer structure above and below the cover 5.
これにより、カバー５を開けないとカバー５下部の下段スイッチ３が使用できないため下段スイッチ３の不用意な出力を防止できるとともに、カバー５の上下に二層構造で第１，第２のスイッチ３，６を多数配置することが可能となる。 - 特許庁 - In the partial area of the first main surface EA, a notched section JK is formed in the semiconductor laminate 50, by notching the laminate 50 to its halfway in the thickness direction rather positioned on the second main surface side of the laminate 50 than the boundary of the p-n junction of the light-emitting layer 24.
該第一主表面ＥＡの一部領域において半導体積層体５０は、発光層部２４のｐ−ｎ接合境界よりも第二主表面側に位置する厚さ方向途中位置まで切り欠かれることにより切欠部ＪＫが形成される。 - 特許庁 - This ceramics member is provided with substrate wherein first ceramics material is used as the main component, and a covering layer which covers the surface of the substrate which surface faces the inside of the reaction vessel and in which second ceramics material whose plasma etch-proof property is higher than that of the first ceramics material is made the main component.
第１のセラミックス材を主成分とする基材と、基材の反応容器内に面した表面を被覆し、第１のセラミックス材より耐プラズマエッチング性が高い第２のセラミックス材を主成分とする被覆層とを有するセラミックス部材である。 - 特許庁 - Assuming that a dimension in a direction perpendicular to a direction along which the first terminal region 16a and the second terminal region 16b are laid is a width, when viewed from above, a width of at least a part of the first silicon film 12c is larger than a width of the first metal silicide layer 15c.
平面視において、第１の端子領域１６ａと第２の端子領域１６ｂとが並ぶ方向に垂直な方向の寸法を幅とするとき、第１のシリコン膜１２ｃの少なくとも一部の幅は、第１の金属シリサイド層１５ｃの幅よりも大きい。 - 特許庁 - The first conductive wire 2a is arranged at the shaft center of the cable as the core wire, and the second to the seventh conductive wires 2b to 2g are arranged in parallel on the outer periphery of the first conductive wire 2a so as to surround the first conductive wire 2a as the outer layer wire.
第１の導電線２ａは芯線としてケーブルの軸心に配置され、第２〜第７の導電線２ｂ〜２ｇは外層線として前記第１の導電線２ａを囲むように該第１の導電線２ａの外周に並列に配置されている。 - 特許庁 - Current C injected from the p-side electrode 21 enters the n-type cladding layer 12 after lowering to the flat section 32 along the first level difference section 31, and flows toward the n-side electrode 22 laterally; and the path of the current C is separated from the second level difference section 33.
ｐ側電極２１から注入された電流Ｃは、第１段差部３１に沿って平坦部３２まで下降してｎ型クラッド層１２に入ったのち、横方向にｎ側電極２２に向かって流れ、電流Ｃの経路が第２段差部３３から遠ざかる。 - 特許庁 - The common mode choke coil 1 has a rectangular parallelepiped-like outer shape as a whole by forming an insulating layer 60, first/second helical coils 11, 12, and a closed magnetic circuit 141 on a silicon substrate 51, which is formed of single-crystal silicon, with a thin-film formation technique.
コモンモードチョークコイル１は、単結晶シリコンで形成されたシリコン基板５１上に絶縁層６０、第１ヘリカルコイル部１１、第２ヘリカルコイル部１２及び閉磁路１４１を薄膜形成技術で形成した全体として直方体状の外形を有している。 - 特許庁 - As shown by a manufacturing step chart in fig. 2 (b) to fig. 2 (h), a large difference does hot occur at the boundary of a semiconductor layer 4 and the second undercoat insulation film 3, and since step coverage is excellent, a gate leak current is not generated in a thin film transistor thus obtained.
このため、図２（ｂ）〜（ｈ）の製造工程図に示す通り、半導体層４と第二アンダーコート絶縁膜３との境界部分において大きな段差が生じず、ステップカバレージが良好であるため、得られた薄膜トランジスタはゲートリーク電流を生じない。 - 特許庁 - In such a design, the one or more second magnetic layers are antiparallel to the one or more first magnetic layers so that a zero total net magnetic moment is present for the multi-layer magnetic structure when current is removed from the write head pole.
このような設計では、１つ以上の第２の磁性層は、電流が書き込みヘッド磁極から取り除かれるときに多層磁気構造についてゼロの合計の正味磁気モーメントが存在するように、１つ以上の第１の磁性層に対し反平行である。 - 特許庁 - The emitter region 6 and the collector region are arranged separately in the width direction of the side wall and the depth direction of the semiconductor substrate 1 through the second conductive type impurity diffusion layer 5, and they are arranged in the closest position in width direction of the side wall.
前記エミッタ領域６と前記コレクタ領域とは前記第２導電型の不純物拡散層５を介してサイドウオールの幅方向及び半導体基板１の深さ方向に離間して配置され、かつサイドウオールの幅方向において最近接して配置されている。 - 特許庁 - The plurality of plate materials are configured so that, out of two side plates 6c, 7a facing each other while sandwiching the outermost layer of the electrode group 2, one side plate 6c is included in a first plate material 6, and the other side plate 7a is included in a second plate material 7.
電極群２の最外層を間に挟んで対向する二側板６ｃ，７ａのうち、一方の側板６ｃが第１の板材６に含まれ、かつ他方の側板７ａが第２の板材７に含まれるように複数の板材が構成されている。 - 特許庁 - Iodine ^129I is stored in the first target 2, neptunium ^237 Np, americium ^241Am, and curium ^245Cm are stored in the second target 3, iodine ^129I, technetium ^99Tc, and cesium ^135Cs are stored in the third target 5, and the moderate layer 4 is filled with water.
第一ターゲット２にはヨウ素^１２９Ｉを、第二ターゲット３にはネプツニウム^２３７Ｎｐ、アメリシウム^２４１Ａｍ、及びキュリウム^２４５Ｃｍを、第三ターゲット５にはヨウ素^１２９Ｉ、テクネチウム^９９Ｔｃ、及びセシウム^１３５Ｃｓをそれぞれ収納し、モデレート層４には水を満たす。 - 特許庁 - This image sensor is provided with a first conductive semiconductor substrate where a trench is formed in a predetermined region, a second conductive impurity region formed in a semiconductor substrate at the lower part of a trench bottom face, and a first conductive epitaxial layer embedded in the trench.
所定領域にトレンチが形成された第１の導電型の半導体基板と、トレンチ底面の下部の前記半導体基板内に形成された第２の導電型の不純物領域と、前記トレンチに埋め込まれた第１の導電型のエピタキシャル層とを備える。 - 特許庁 - Furthermore, the wafer is subjected to annealing for 10 seconds at 1,150°C under a gas atmosphere containing nitrogen as a third annealing step, and then it is cooled down at a cooling rate of 50°C/second so that a large quantity of vacancies are injected to the vicinity of the surface layer of the substrate thus enhancing the gettering capability.
更に第３熱処理工程として窒素含有ガス雰囲気下にて１１５０℃で１０秒熱処理し、その後５０℃／秒の冷却速度で降温することで基板表層近傍に空孔を大量に注入することでゲッタリング能力も高まる。 - 特許庁
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