「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 397 398 399 400 401 402 403 404 405 .... 429 430 次へ＞- The first and second deformation parts 41, 42 for fixing and the first extension/contraction deformation part 43 include: electric active polymers 44 having a layer shape to be deformed by energization; and electrodes 45, 46 having the layer shape for performing energization to the electric active polymers 44, respectively, and includes actuators 410, 420, 430 which are operated (deformed) by performing energization between the electrodes 45, 46.
第１固定用変形部４１、第２固定用変形部４２および第１伸縮変形部４３は、それぞれ、通電により変形する層状をなす電気活性ポリマー４４と、電気活性ポリマー４４に通電するための層状をなす電極４５、４６とを有し、電極４５、４６間に通電することにより作動（変形）するアクチュエータ４１０、４２０および４３０を備えている。 - 特許庁 - To provide a method of metallizing at least one photovoltaic cell 100, including a semiconductor based substrate (102), having a first conductive type, a layer (104) fabricated in the substrate by doping impurities having a second conductive type to form a front face of the substrate, and an antireflection layer (106) manufactured on the front face of the substrate and forming the front face (108) of the photovoltaic cell.
第一種の導電性を有する半導体をベースとする基板（１０２）、第二種の導電性で不純物をドープされて基板中に製造され、基板の正面を形成している層（１０４）、基板の正面上に製造されて、光電池の正面（１０８）を形成する反射防止層（１０６）、を備える少なくとも一つの光電池（１００）を金属化する方法を提供する。 - 特許庁 - The CNTs are bonded to a conductive substrate by a step of applying, onto the substrate, glass paste which contains a glass frit and a first solvent, by a step of applying CNT paste containing the CNTs and a second solvent to form a CNT paste layer, and after finishing the steps, by a step of melting or softening and cooling the glass paste layer by carrying out heat treatment.
導電性基板にガラスフリットと、第１溶剤とを含有するガラスペーストを基板上に塗布し、ガラスペースト層を形成させるステップと、ＣＮＴと第２溶剤とを含有するＣＮＴペーストを塗布し、ＣＮＴペースト層を形成させるステップと、該ステップ終了後、加熱処理をすることにより、前記ガラスペースト層を融解もしくは軟化させ、冷却するステップとによってＣＮＴを接着する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the optical information recording medium includes a pre-groove forming step for providing the pre-grooves in the burst cutting area on the bonded surface side of the first substrate and a signal recording step for recording the signal by irradiation with a laser beam from the first substrate side toward the burst cutting area after the first and the second substrates are bonded so that a recording layer is an inner layer.
また、第１の基板の貼り合わせ面側でバーストカッティングエリアに、プリグルーブを設けるプリグルーブ形成工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを前記記録層が内層となるように貼りあわせた後に、第１の基板側からバーストカッティングエリアに向けてレーザー光を照射して信号を記録する信号記録工程と、を含む光情報記録媒体の製造方法である。 - 特許庁 - The paper feeding device 2 has a lift plate 16 for lifting up a leading end PSa side of a paper layer PS; and a fan 14 for sucking the first paper P1 of the paper layer PS lifted up by the lift plate 16 and blowing air between the first paper P1 and the second paper P2 positioned at its lower side to separate the two sheets of paper P1, P2.
給紙装置２は、用紙層ＰＳの先端ＰＳａ側を持ち上げるためのリフト板１６と、リフト板１６によって持ち上げられた用紙層ＰＳの第１枚目の用紙Ｐ１を吸引し、かつ、第１枚目の用紙Ｐ１とその下側にある第２枚目の用紙Ｐ２との間に送風してこれら２枚の用紙Ｐ１，Ｐ２を分離するためのファン１４と、を有している。 - 特許庁 - A surface layer 4, at least high in seed defect density, is removed in a first conductive silicon carbide epitaxial film 2 grown from the front surface of the first conductive silicon carbide single crystal substrate 1 by chemical vapor deposition method, and thereafter, a second conductive silicon carbide epitaxial film 3 is made to grow from the front surface of the silicon carbide epitaxial film 2, whose surface layer 4 is removed.
化学気相蒸着法によって第１導電型の炭化珪素単結晶基板１の表面から成長させた第１導電型の炭化珪素エピタキシャル膜２における少なくとも種欠陥密度が高い表層４を除去した後、表層４を除去した炭化珪素エピタキシャル膜２の表面から第２導電型の炭化珪素エピタキシャル膜３を成長させる。 - 特許庁 - A structure is provided that comprises: (1) information from an SPS NAL unit, the information describing a parameter for use in decoding a first-layer encoding of a sequence of images; and (2) information from a supplemental SPS NAL unit having a different structure than the SPS NAL unit, the information describing a parameter for use in decoding a second-layer encoding of the sequence of images.
（１）画像系列の第１の層の符号化の復号化に使用するためのパラメータを表す、ＳＰＳ ＮＡＬユニットからの情報、及び（２）ＳＰＳ ＮＡＬユニットとは別の構造を有する補助ＳＰＳ ＮＡＬユニットからの情報であって、画像系列の第２の層の符号化の復号化において使用するためのパラメータを表す情報を含む構造が提供される。 - 特許庁 - A solid state imaging element has a sensor having a second conductivity type semiconductor region 13 formed on the surface of a first conductivity type semiconductor region 12, wherein a second conductivity type semiconductor layer 6 having a less than that of the semiconductor region 13 is formed in the semiconductor region 12 beneath the semiconductor region 13.
また、第１導電型半導体領域１２の表面に第２導電型半導体領域１３が形成されたセンサ部２を有し、第２導電型半導体領域１３下の第１導電型半導体領域１２内に、第２導電型半導体領域１３より小さい面積の第２導電型半導体層６が形成されて成る固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁 - Each pixel part 7 has a pixel electrode 15, and a projection part which is provided on the second substrate, overlaps with the reflection area R3, is disposed beyond a peripheral edge of the pixel electrode in the second direction d2, and projects on the first substrate side to make the thickness of the liquid crystal layer opposite the reflection area thinner than that opposite the transmission area R2.
各画素部７は、画素電極１５と、第２基板に設けられ、かつ、反射領域Ｒ３に重なっているとともに第２方向ｄ２に画素電極の周縁を超えて位置し、かつ、第１基板側に突出して反射領域と対向した液晶層の層厚を透過領域Ｒ２と対向した液晶層の層厚より薄くする突出部と、を有している。 - 特許庁 - A first electrode 20a and a second electrode 21 having a three-dimensional structure and being formed in a projecting shape are formed on a substrate 1 as lower layers, an inter-layer insulating film 18 is deposited on the substrate 1, the insulating film 18 is etched and a trench 26 exposing the top face of the second electrode 21 and a side face in at least one direction is formed.
基板１上に３次元構造で凸形状をなす第１電極２０ａと第２電極２１とを第１電極２０ａを下層として形成した後、基板１上に層間絶縁膜１８を堆積し、この層間絶縁膜１８をエッチングして、第２電極２１の上面および少なくとも一方向の側面を露出させる溝２６を形成する。 - 特許庁 - The linear structure bodies are arranged in parallel to each other so that they are electrically insulated from each other through a first insulation line and a second conductor crosses the linear structure bodies, and are brought into electrical contact with the luminous layer structure at intersecting points arranged in matrix, and the linear conductors are electrically insulated from each other through a second insulation part.
この線状構造体は、互いに電気的に第１の絶縁線で絶縁され、第２の導電体が線状構造体に対して交差するように互いに並列して配置され、マトリックス状に配置された交差位置において前記発光層構造に電気的に接触され、この線状の導電体は、互いに第２の絶縁部によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁 - In this thermal infrared sensor 100 having an infrared detection part 110, the infrared detection part 110 is equipped with the first electrode part 103a and the second electrode part 103b formed adjacent on a substrate 105, and a conductive layer 106, formed in a state of facing the first electrode part 103a and the second electrode part 103b via the dielectric film 101.
赤外線検知部１１０を有する熱型赤外線センサ１００において、赤外線検知部１１０は、基板１０５上に隣り合うように形成された第１の電極部１０３ａ及び第２の電極部１０３ｂと、誘電体膜１０１を介して第１の電極部１０３ａ及び第２の電極部１０３ｂと対向するように形成された導電層１０６とを備える。 - 特許庁 - The manufacturing method of the photoelectromotive element includes the stages of: forming a precursor film 102a on a substrate 101; forming a second semiconductor thin film 103 on the precursor film 102a; and forming a first semiconductor thin film 102b by supplying thermal energy using the second semiconductor thin film 103 as a cap layer and then crystallizing the precursor film 102a.
基板１０１の上に前駆体膜１０２ａを形成する工程と、前駆体膜１０２ａの上に第２の半導体薄膜１０３を形成する工程と、第２の半導体薄膜１０３をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜１０２ａを結晶化して第１の半導体薄膜１０２ｂを形成する工程と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The diamond substrate 10 has a substrate 3 with a main face 3a including first regions r1 and a second region r2 surrounding the first regions r1, a plate-like single crystal diamond parts 5 provided on the first regions r1 of the main face 3a, and a layer-like polycrystalline diamond part 7 provided on the second region r2 of the main face 3a.
ダイヤモンド基板１０は、第１の領域ｒ１と第１の領域ｒ１を取り囲む第２の領域ｒ２とを含む主面３ａを有する基板３と、主面３ａの第１の領域ｒ１上に設けられた板状の単結晶ダイヤモンド部５と、主面３ａの第２の領域ｒ２上に設けられた層状の多結晶ダイヤモンド部７とを備える。 - 特許庁 - First and second adhesive sheet components having shapes matching the planar shape of the transfer master and an elastic body component are prepared by performing blanking work from an adhesive sheet with a base material and the sheet of an elastic body and the transfer master is adhesively fixed to the base member by using each adhesive layer of the first and the second adhesive sheet components which are stuck by sandwiching the elastic component therebetween.
基材入り粘着シートと弾性体のシートからそれぞれ打ち抜き加工を行い、転写原盤の平面形状に合った形状を有する第１及び第２の粘着シート部品、並びに弾性体部品を作製し、弾性体部品を間に挟んで貼り合わせた第１及び第２の粘着シート部品の各粘着層により転写原盤をベース部材に接着固定する。 - 特許庁 - The array substrate 100 comprises an organic EL element 40 that is constructed of a first electrode 60 that is arranged in matrix-form and formed in a separated island shape for each picture element, a second electrode 66 that is arranged opposed to the first electrode 60 and formed in common for all picture elements, and a luminous layer 64 that is held between the first electrode 60 and the second electrode 66.
アレイ基板１００は、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極６６と、第１電極６０と第２電極６６との間に保持された発光層６４と、によって構成された有機ＥＬ素子４０を備えている。 - 特許庁 - A communication device used in a mobile communication system is provided with a means for generating first control information including retransmission information to data channels received in the past, a means for generating second control information including scheduling information on a wireless resource, and a generating means for generating a transmission signal including a low-layer control channel including at least one of the first or second control information.
移動通信システムで使用される通信装置は、過去に受信したデータチャネルに対する再送情報を含む第１制御情報を生成する手段と、無線リソースのスケジューリング情報を含む第２制御情報を生成する手段と、第１及び第２制御情報の少なくとも一方を含む低レイヤ制御チャネルを含む送信信号を生成する生成手段とを有する。 - 特許庁 - A semiconductor memory device includes: bit lines BL and /BL provided in a layer of the same level above a semiconductor substrate 30; a first variable-resistance element 10 and a first MOSFET 20 which are provided below the bit line BL and are connected in series; and a second variable-resistance element 10 and a second MOSFET 20 which are provided below the bit line /BL and are connected in series.
半導体記憶装置は、半導体基板３０の上方の同一レベル層に設けられたビット線ＢＬ，／ＢＬと、ビット線ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第１の抵抗変化素子１０及び第１のＭＯＳＦＥＴ２０と、ビット線／ＢＬの下方に設けられかつ直列に接続された第２の抵抗変化素子１０及び第２のＭＯＳＦＥＴ２０とを含む。 - 特許庁 - A resin molding apparatus is provided with: a first mold; a second mold movably arranged freely forwards and backwards to the first mold and facing thereto; a transfer plate 24 with the transfer face formed of an irregular pattern, attached to one of the first and second molds toward cavity spaces C1, C2; and a heat insulating layer formed of metallic glass disposed between one of the molds and transfer plate 24.
第１の金型と、第１の金型に進退自在に、かつ、対向させて配設された第２の金型と、凹凸のパターンから成る転写面をキャビティ空間Ｃ１、Ｃ２に向けて第１、第２の金型のうちの一方の金型に取り付けられた転写プレート２４と、一方の金型と転写プレート２４との間に配設され、金属ガラスから成る断熱材層とを有する。 - 特許庁 - This package 1 is constituted mainly of the pressure sensor 11 joined with the first substrate 11a having a fixed electrode, and the second substrate 11b having a movable electrode arranged with the prescribed space with respect to the fixed electrode, a support substrate 12 having an opening part 12a capable of storing the second substrate 11b, and a resin layer 13 for fixing the pressure sensor 11 and the support substrate 12.
パッケージ１は、固定電極を有する第１基板１１ａと、この固定電極と所定の間隔をおいて配置された可動電極を有する第２基板１１ｂとを接合してなる圧力センサ１１と、第２基板１１ｂを収容可能な開口部１２ａを有する支持基板１２と、圧力センサ１１及び支持基板１２を固定する樹脂層１３とから主に構成されている。 - 特許庁 - The linear structure bodies are arranged in parallel to each other so that they are electrically insulated from each other through a first insulation line, and a second linear conductor intersects the linear structure bodies, and are brought into electrical contact with the luminous layer structure at intersecting points arranged in matrix, and the linear conductors are electrically insulated from each other through a second insulation part.
この線状構造体は、互いに電気的に第１の絶縁線で絶縁され、第２の導電体が線状構造体に対して交差するように互いに並列して配置され、マトリックス状に配置された交差位置において前記発光層構造に電気的に接触され、この線状の導電体は、互いに第２の絶縁部によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁 - The second electrode is a platy conductive base material with at least a part covered by a nonconductive film 25, and the first electrode is in a linear shape and is composed of a first wire rod 11 having at least conductivity and a porous oxide semiconductor layer 12 arranged on an outer periphery of the first wire rod and carrying a colorant, and moreover is arranged so as to encircle the outer side of the second electrode.
第二電極は、少なくとも一部が非導電性の膜２５で覆われた板状の導電性基材であり、第一電極は、線状をなし、少なくとも導電性を有する第一線材１１と、該第一線材の外周に配され色素を担持した多孔質酸化物半導体層１２とから構成され、かつ、第二電極の外側を巡るように配される。 - 特許庁 - The method includes: forming patterns on a substrate; forming first photoresist film patterns in regions where the patterns are opened; diffusing the first photoresist film patterns to upper corners of the patterns to form second photoresist film patterns; and etching the patterns using the second photoresist film patterns as an etch-stop layer.
基板の上部にパターンを形成する段階と、前記パターンがオープンされた領域に第１の感光膜パターンを形成する段階と、前記第１の感光膜パターンを前記パターンの縁部の上部に拡散させて第２の感光膜パターンを形成する段階及び前記第２の感光膜パターンをエッチング防止層として用いて前記パターンをエッチングする段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - To avoid discharge breakdowns of first and second stripe electrodes due to the application of a dc voltage, when recording a radiation image in a radiation solid detector, where the first stripe electrode with an electrode layer illuminated with electromagnetic waves for reading transmits electromagnetic waves for reading and the second stripe electrode for breaking the electromagnetic waves for reading are arranged alternately.
読取用の電磁波が照射される電極層が読取用の電磁波を透過する第１ストライプ電極と読取用の電磁波を遮断する第２ストライプ電極とが交互に配列されてなる放射線固体検出器において、放射線画像の記録の際、直流電圧印加による第１ストライプ電極および第２ストライプ電極の放電破壊を回避する。 - 特許庁 - This multilayer wiring board includes: a substrate; a land including a first conductor arranged on the substrate, a second conductor laminated on a surface of the first conductor, which is distant from the substrate, and a stress-relieving layer arranged between the first conductor and the second conductor; and a connection portion that contacts the land and is electrically connected to the land.
多層配線板であって、基板と、基板上に配置された第１導電体、第１導電体の基板から離れた面に積層された第２導電体、及び第１導電体と第２導電体との間に配置された応力緩和層を備えるランドと、ランドと接し、前記ランドと電気的に接続されている接続部と、を有することで上記課題を解決する。 - 特許庁 - The photoelectric conversion element includes: first and second substrates arranged by separating each other; a plurality of first electrodes arranged on one surface of the first substrate facing the second substrate, extending from a sealing zone of the first substrate and separated from each other; and a protective layer arranged on the first electrode.
互いに離隔して配される第１及び第２基板と、第２基板と対向する第１基板の一面上に配され、第１基板のシーリング領域から延び、互いに離隔する複数の第１電極と、第１電極上に配される保護層と、を備え、シーリング領域上の保護層の端部は、少なくとも２つ以上の第１電極を横切って連続的に延びる光電変換素子。 - 特許庁 - The heater includes a first heat equalizing plate having a wafer placing surface, a second heat equalizing plate supporting the first heat equalizing plate, and a resistive heating element between the first heat equalizing plate and the second heat equalizing plate, and is structured by integrating the resistive heating element with an opposite face from the wafer placing surface of the first heat equalizing plate by an insulation adhesive layer.
本発明の加熱ヒータは、ウェハ載置面を有する第１の均熱板と、この第１の均熱板を支持する第２の均熱板と、第１の均熱板と第２の均熱板の間に抵抗発熱体を有し、この抵抗発熱体を第１の均熱板のウェハ載置面とは反対側の面に絶縁性の接着層によって一体化したことを特徴とする。 - 特許庁 - The metal membrane formed on a substrate, the layer of a first fixing agent provided in order to fix a target molecule on the metal membrane, which is constituted of a compound having the region bonded to a metal and a second fixing agent, and that of a second fixing agent which has a functional group bondable to a target and that of a hydrophilic side chain are formed to the measurement chip for the surface plasmon resonance sensor.
基板上に形成された金属薄膜と、該金属薄膜上にターゲット分子を固定化するために設けられた、金属及び第二の固定化剤と結合する部位を有する化合物からなる第一固定化剤と、ターゲットと結合可能な官能基と親水性側鎖を有する第二固定化剤の層を表面プラズモン共鳴センサー用測定チップに形成させた。 - 特許庁 - In a protruding part formation step, a second laser beam is radiated to the functional layer 13 inside the pair of first working grooves 141 and 142 along the division scheduled line 12 to form a second working groove 15 of such a depth as the surface of a substrate 10 is so exposed as to be separated from the pair of first working grooves 141 and 142, and thus a pair of protruding parts 161 and 162 are formed.
凸部形成工程は、分割予定ライン１２に沿って一対の第１の加工溝１４１，１４２の内側の機能層１３に第２のレーザー光線を照射し、一対の第１の加工溝１４１，１４２と離間するように基板１０の表面が露出する深さの第２の加工溝１５を形成することで一対の凸部１６１，１６２を形成する。 - 特許庁 - A photodetector PS of the OCT device, consisting of a semiconductor of a first conductivity type, includes a silicon substrate 1, where while having a first principal plane 1a and a second principal plane 1b both facing each other; a semiconductor layer 3 of the second conductivity type is formed at the side of first principal plane 1a and a charge forwarding electrode 5 arranged on the first principal plane 1a to forward the charge generated.
ＯＣＴ装置の光検出器ＰＳは、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面１ａ及び第２主面１ｂを有すると共に第１主面１ａ側に第２導電型の半導体層３が形成されたシリコン基板１と、第１主面１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極５と、を備えている。 - 特許庁 - An infrared sensor 8 for detecting infrared rays emitted by the pot has a sensor base material 20, a first thermal element 22 for detecting the temperature change of the sensor base material 20 and a second thermal element 23 for detecting the atmospheric temperature of the sensor base material 20, and is provided with an infrared reflecting layer 25 for reflecting the infrared rays facing the second thermal element 23.
鍋が放射する赤外線を検出する赤外線センサ８は、センサ基材２０と、センサ基材２０の温度変化を検出する第１の感熱素子２２と、センサ基材２０の雰囲気温度を検出する第２の感熱素子２３とを有するとともに、第２の感熱素子２３に相対して赤外線を反射する赤外線反射層２５を設けたものである。 - 特許庁 - The semiconductor photodetector SP includes: a silicon substrate 21 that includes a first conductivity type semiconductor and has first and second main surfaces 21a, 21b opposing to each other and a second conductivity type semiconductor layer 23 formed at the side of the first main surface 21a; and a charge transfer electrode 25 that is provided on the first main surface 21a and transfers generated charges.
半導体光検出素子ＳＰは、第１導電型の半導体からなり、互いに対向する第１主面２１ａ及び第２主面２１ｂを有すると共に第１主面２１ａ側に第２導電型の半導体層２３が形成されたシリコン基板２１と、第１主面２１ａ上に設けられ、発生した電荷を転送する電荷転送電極２５と、を備えている。 - 特許庁 - Such a difference in the radiopacity is caused by the followings: the helical pitch of the coil 6 in the second radiopaque region 72 is smaller than that in the first radiopaque region; and the content of the contrast medium in the coating layer 5 in the second radiopaque region 72 is less than that in the first radiopaque region 71.
このような造影性の差は、第２の造影領域７２におけるコイル６の螺旋のピッチが第１の造影領域におけるコイル６の螺旋のピッチよりも小さく、かつ、第２の造影領域７２における被覆層５中の造影剤の含有量が第１の造影領域７１における被覆層５中の造影剤の含有量よりも少ないことによりなされている。 - 特許庁 - To avoid the discharge breakdown of a first and second stripe electrodes caused when a DC voltage is applied for recording a radiation image in a solid state radiation detector, in which an electrode layer, to which an electromagnetic wave for retrieval is radiated, is formed by alternately arranging the first stripe electrode for transmitting the electromagnetic wave for retrieval and the second stripe electrode for shielding the same.
読取用の電磁波が照射される電極層が読取用の電磁波を透過する第１ストライプ電極と読取用の電磁波を遮断する第２ストライプ電極とが交互に配列されてなる放射線固体検出器において、放射線画像の記録の際、直流電圧印加による第１ストライプ電極および第２ストライプ電極の放電破壊を回避する。 - 特許庁 - The cathode has a cathode active material composition containing a conductive agent, a binder, and a cathode active material formed on one surface of a current collector, and the cathode active material contains a first lithium compound with the open potential of 3V or higher and a second lithium compound with potential smaller than 3V based on a lithium metal, and the second lithium compound includes a metal oxide coating layer.
導電剤、バインダー及びカソード活物質を含むカソード活物質組成物が集電体の一面上に形成され、カソード活物質がリチウム金属を基準に、開放電位が３Ｖ以上である第１リチウム化合物と、３Ｖ未満である第２リチウム化合物とを含有し、第２リチウム化合物が金属酸化物コーティング層を含むことを特徴とするカソード。 - 特許庁 - The display device 100 has a plurality of first electrodes 11, a plurality of pixel electrodes 14 electrically connected respectively to at least one of the plurality of first electrodes via at least a bidirectional dual electrode element 12, a plurality of second electrodes 17, a display medium layer provided between the plurality of pixel electrodes 14 and the plurality of second electrodes 17.
表示装置１００は、複数の第１電極１１と、それぞれが複数の第１電極のいずれか１つに少なくとも１つの双方向二端子素子１２を介して電気的に接続された複数の画素電極１４と、複数の第２電極１７と、複数の画素電極１４と複数の第２電極１７との間に設けられた表示媒体層とを有する。 - 特許庁 - The reflective liquid crystal display device is constructed by arranging a first substrate with an Al reflection pixel electrode 12 formed thereon and a transparent second substrate with an ITO counter transparent electrode 9 formed thereon so as to place the reflection pixel electrode 12 and the counter transparent electrode 9 opposite to each other, and injecting a liquid crystal layer 8 in a gap between the first and second substrates.
Ａｌ反射画素電極１２を形成してなる第１の基板と、ＩＴＯ対向透明電極９を形成してなる透明な第２の基板とを、反射画素電極１２と前記対向透明電極９とが対向するように配置し、これら第１の基板と第２の基板との間隙に液晶層８を注入してなる反射型液晶表示装置。 - 特許庁 - For signal wiring formed on each different wiring layer in order to interconnect a first logic element and a second logic element arranged on a semiconductor integrated circuit and interconnected through vias, timing analysis is performed between the first logic element and the second logic element (S02), an a decision is made whether a signal propagation delay time satisfies a specified reference value or not (S03, S04).
半導体集積回路に配置される第１論理素子と第２論理素子を互いに接続するために、異なる配線層にそれぞれ形成され、且つビアを通して互いに接続する信号配線に対して、前記第１論理素子と前記第２論理素子間のタイミング解析をおこない（Ｓ０２）、信号伝播遅延時間が所定の基準値を満たすか否かを判定する（Ｓ０３、Ｓ０４）。 - 特許庁 - The scanning electrode substrate is provided with an alignment layer provided in a first region of a transparent substrate and subjected to alignment treatment in a prescribed direction, the alignment marks 4 provided in a second region S2 on the outer side of the first region of the transparent substrate and dummy patterns provided in a region S3 other than the first and the second regions of the transparent substrate.
走査電極基板は、透明基板の上の第１の領域に設けられ、所定方向に配向処理が施された配向膜と、透明基板における第１の領域の外側の第２の領域Ｓ２に設けられたアライメントマーク４と、透明基板における第１の領域及び第２の領域Ｓ２以外の領域Ｓ３に設けられたダミーパターンとを備えている。 - 特許庁 - To supply stable earth potential to a second linear electrode in a radiation image detector which records a radiation image by being irradiated with radiation to generate electric charges and which includes an electrode layer comprising many first linear electrodes connected to a charge amplifier for detecting the electric charges and the many second linear electrodes connected to earth.
放射線の照射を受けて電荷を発生して放射線画像を記録する放射線画像検出器であって、上記電荷を検出するチャージアンプに接続される多数の第１の線状電極と接地される多数の第２の線状電極とを有する電極層を備えた放射線画像検出器において、上記第２の線状電極に安定した接地電位を供給する。 - 特許庁 - Further, a buried collector layer 103 is formed by ion-implanting (151) second conductivity second impurities to the semiconductor single crystal substrate 100 in a direction having an inclined angle to the normal line direction of the principal surface of the semiconductor single crystal substrate 100, with an implantation energy higher than that in the ion implantation process of the first impurities.
また、半導体単結晶基板１００の主面の法線方向に対して傾斜角度を持つ方向に沿って半導体単結晶基板１００に、前記第１不純物のイオン注入処理における注入エネルギーよりも高い注入エネルギーで、第２導電型の第２不純物をイオン注入（１５１）することにより埋め込みコレクタ層１０３を形成する。 - 特許庁 - In the laminated strip line filter, within sequentially laminated first-third dielectric layers 40-42, first and second resonators are parallel disposed with the second dielectric layer 41 in between so as to partially overlap at least their portions see from a laminating direction, and the first and third dielectric layers include the through-conductors connected to an input or output electrode terminal.
順次積層された第１〜第３の誘電体層内４０〜４２に、第１および第２の共振器が第２の誘電体層４１を挟んでそれぞれの少なくとも一部が積層方向から見て重なるように平行に配され、第１および第３の誘電体層に入力または出力の電極端子に接続されている貫通導体を有している積層ストリップラインフィルタである。 - 特許庁 - The semiconductor storage device comprises a row decoder, a first cell array arranged in one side of the row decoder, a second cell array arranged in the other side of the row decoder, word lines arranged on the row decoder corresponding to the predetermined row address of the first cell array, and a wiring layer for terminating the word lines corresponding to the predetermined row address of the second cell array.
半導体記憶装置は、行デコーダ部と、前記行デコーダ部の一方に配置された第１のセルアレイと、前記行デコーダ部の他方に配置された第２のセルアレイと、前記行デコーダ部上に配置され、前記第１のセルアレイの所定の行アドレスに対応するワード線と前記第２のセルアレイの前記所定の行アドレスに対応するワード線を短絡する配線層とを有する。 - 特許庁 - The liquid crystal panel has electrodes provided respectively at first and second substrates 1 and 6, a pixel part at each crossing point of respective electrodes, the liquid crystal layer 16 to which irradiation with UV is necessary and provided between the first and the second substrates 1 and 6, a reflection film 50 provided on the first substrate 1 and aperture parts 15 provided at the reflection film 50.
第１の基板１と第２の基板６とのそれぞれに電極を設け、それぞれの電極の交点に画素部を有し、第１の基板１と第２の基板６との間に紫外線照射が必要な液晶層１６とを備え、第１の基板１上には反射膜５０を設け、反射膜５０には開口部１５が設けられることを特徴とする液晶パネル。 - 特許庁 - The ice-encasing container encases blocks of ice inside thereof and is put on sale, which is characterized in that it is integrally formed by stacking a first resin to be made the inside layer of the container and a second resin which is different from the first resin, with the first resin being polyethylene terephthalate copolymer and the second resin being polystyrene or styrene- butadiene copolymer.
内側に氷ブロックを収納して販売される氷用容器であって、該氷用容器は、少なくとも、該氷用容器の内側層となる第一樹脂と、該第一樹脂と異なる第二樹脂とを積層して一体化するように形成され、前記第一樹脂をポリエチレンテレフタレート共重合体とし、前記第二樹脂をポリスチレン又はスチレンブタジエン共重合体としたことを特徴とする。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a semiconductor substrate having the first and second surfaces with both faces finish-treated, a group IV semiconductor layer formed on the first surface and including one IV group semiconductor device, and a III-V group semiconductor body 130 formed on the second surface, and including at least one III-V group semiconductor device coupled electrically to the one IV group semiconductor device.
第１、第２の表面を有する両面仕上げ処理された半導体基板と、前記第１の表面上に形成され、一つの４族半導体デバイスを含む４族半導体層と、前記第２の表面上に形成され且つ前記少なくとも一つの４族半導体デバイスに電気的に結合された３−５族半導体デバイスを含む３−５族半導体本体１３０とを備える。 - 特許庁 - This electronic board, on which two semiconductor devices 300 and 302 are mounted, has a first conductive member 304 electrically connected to the semiconductor device 300, a second conductive member 306 electrically connected to the semiconductor device 302, and an insulating layer 308 electrically separating the second conductive member 306 from the first conductive member 304.
本発明の電子基板は、複数の半導体素子３００、３０２が搭載される電子基板であって、半導体素子３００に電気的に接続される第１導電部材３０４と、半導体素子３０２に電気的に接続される第２導電部材３０６と、第２導電部材３０６を第１導電部材３０４から電気的に分離する絶縁層３０８とを備えている。 - 特許庁 - The liquid crystal device 15 is so constituted that distribution is incorporated in the change of an attitude of a liquid crystal element which constitutes a liquid crystal layer 16 along second and third surfaces 1204 and 1802 by applying driving voltage to first and second electrodes 2602 and 2604 and the focal length of the lens 14 can be adjusted by changing the voltage.
液晶装置１５は、第１電極２６０２と第２電極２６０４に駆動電圧が印加されることにより、第２面１２０４および第３面１８０２の面に沿って液晶層１６を構成する液晶素子の姿勢の変化に分布を持たせるとともに、前記電圧を変化させることによってレンズ１４の焦点距離の調節が可能となるように構成されている。 - 特許庁 - The LCD device includes a first substrate with an array of a plurality of pixel regions thereon, a second substrate parallel and opposed to the first substrate with a gap therebetween and a liquid crystal layer interposed between the first substrate and the second substrate, wherein the array is divided into the plurality of sub-regions, and each sub-region comprises the plurality of pixel regions.
複数の画素領域のアレイを当該基板上に有する第１基板と、前記第１基板と平行に対向し、第１基板との間に間隙を有する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配された液晶層とを含み、前記アレイが、複数のサブ領域に分けられ、各サブ領域が、複数の画素領域を含む液晶ディスプレイデバイスを提供する。 - 特許庁 - The solid state image sensor is fabricated through a step for forming a planarized film 20 by etching or chemical mechanical polishing a first inorganic film, a step for forming a second inorganic film on the planarized film 20, and a step for forming on-chip lenses 21 by etching back a lens-shaped resist layer formed on the second inorganic film.
また、平坦化膜となる第１の無機膜を形成しエッチバック又は化学的機械的研磨法により平坦化膜２０を形成する工程と、平坦化膜２０上に第２の無機膜を形成する工程と、第２の無機膜上にレンズ形状のレジスト層を形成しエッチバックして第２の無機膜によるオンチップレンズ２１を形成する工程とを有して固体撮像装置１を製造する。 - 特許庁
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