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本発明の漂白剤カプセル化粒子は、漂白剤を含む粒子が、ワックス類を含有する第１コート剤でコーティングされ、さらに該第１コート剤で形成されたコーティング層が無機粉体および有機粉体より選択される１種類以上からなる第２コート剤でコーティングされ、かつ第１コート剤と第２コート剤の配合比が１：３〜４：１であることよりなる。 - 特許庁 - That is, a first mask covering an area (first area DCa) from the edge of a semiconductor wafer 1 of the dummy chip DC to about a few mm and a second mask layer to be formed in the area (second area DCb) of the dummy chip DC other than the first area DCa and the area of a main body chip SC for forming a desired pattern are formed.
すなわち当該ダミーチップＤＣの半導体ウエハ１のエッジから約数ｍｍ程度までの領域（第１の領域ＤＣａ）を覆う第１のマスク層と、第１の領域ＤＣａ以外のダミーチップＤＣの領域（第２の領域ＤＣｂ）および本体チップＳＣの領域に形成される、所望のパターンを形成するための第２のマスク層とを形成する。 - 特許庁 - Then, a first single crystal semiconductor substrate is bonded to a second single crystal semiconductor substrate, and a stacked-layer substrate formed from the first single crystal semiconductor substrate and the second single crystal semiconductor substrate bonded to each other is used as a bond substrate in a process of manufacturing an SOI substrate.
ＳＯＩ基板の製造プロセスにおいて、ボンド基板として用いる半導体基板を所定の回数繰り返し利用した後、第１の単結晶半導体基板を第２の単結晶半導体基板と貼り合わせ、互いに貼り合わされた第１の単結晶半導体基板と第２の単結晶半導体基板からなる積層基板をＳＯＩ基板の製造プロセスにおけるボンド基板として使用する。 - 特許庁 - A layer 20 of a mixed resistance structured packing provided with a first structured packing 26 of a first packed material resistance and a second structured packing 24 having a second packed material resistance different from the first packed material resistance and being almost horizontally adjacent to the first structured packing 26, and a related equipment and a method are provided.
混合抵抗ストラクチャードパッキングの層２０であって、第１の充填物抵抗の第１のストラクチャードパッキング２６、及び第１の充填物抵抗とは異なる第２の充填物抵抗を持ち、前記第１のストラクチャードパッキングとほぼ水平に隣接している第２のストラクチャードパッキング２４、を具備している混合抵抗ストラクチャードパッキングの層２０、並びに関連する装置及び方法とする。 - 特許庁 - The connection structure 10 of the superconducting wire rod is provided with a first superconducting wire rod 20 containing an oxide superconductor and a sheath part, a second superconducting wire rod 30 containing an oxide superconductor and a sheath part, and an MOD superconductive layer 40 for connecting the oxide superconductor of the first superconducting wire rod 20 and the superconductor of the second superconducting wire rod 30.
超電導線材の接続構造１０は、酸化物超電導体とシース部とを含む第１の超電導線材２０と、酸化物超電導体とシース部とを含む第２の超電導線材３０と、第１の超電導線材２０の酸化物超電導体と第２の超電導線材３０の超電導体とを接続するＭＯＤ超電導層４０とを備えている。 - 特許庁 - The non-volatile memory device includes at least one pair of first electrode lines, at least one second electrode line interposed between the at least one pair of first electrode lines, and at least one data storage layer interposed between at least one pair of first electrode lines and at least one second electrode line, which may locally store a resistance change.
少なくとも一対の第１電極ラインと、少なくとも一対の第１電極ラインの間に介在された少なくとも１本の第２電極ラインと、少なくとも一対の第１電極ラインと少なくとも１本の第２電極ラインとの間に介在され、局部的に抵抗変化を保存しうる少なくとも１層のデータ保存層と、を備える不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁 - A step for preparing the photomask provided with a first photomask pattern used for forming the protrusion and constituted of a pattern having a first shape consisting of a plurality of light shielding units and a second photomask pattern used for forming the spacer and constituted of a light shielding pattern having a second shape is performed and then a step for exposing and developing the photoresist layer using the photomask is performed.
突起を形成するのに用いられ、複数の遮光ユニットからなる第１形状を有するパターンから構成される第１フォトマスクパターンと、スペーサを形成するのに用いられ、第２形状を有する遮光パターンから構成される第２フォトマスクパターンとを備えてなるフォトマスクを準備するステップを行った後、このフォトマスクを用いてフォトレジスト層に露光現像を施すステップを実行する。 - 特許庁 - First information 3 is recorded on one surface of the base material 1, a metal layer 4 for hiding the presence of the first information is provided thereon and second information 5 is recorded on the other surface of the base material 1, so that third information formed by synthesizing the first information 3 and the second information 5 can be recognizable under the transmission X-ray, thereby determining the true from the false.
基材１の一方の面に第１の情報３を記録するとともに、その上に第１の情報の存在を隠蔽するための金属層４を設け、さらに基材１の他方の面に第２の情報５を記録することによって、透過Ｘ線のもとで第１の情報３及び第２の情報５を合成した第３の情報６を認識可能として真偽判別を行う。 - 特許庁 - A thin layer of the first electrolyte humidifies or covers at least a part of the surfaces of active material particles, protects the covered surface from a passivation or deterioration reaction induced by the second electrolyte, maintains the quality of an ion exchange or electron exchange between the active material of the electrode and other components of the complex, and the first electrolyte is impermeable to the components of the second electrolyte.
第１電解質の薄層は、活物質粒子の表面の少なくとも一部を湿潤および被覆し、第２電解質によって誘発される不動態化または劣化反応から被覆表面を保護し、電極の活物質と複合体のその他の成分との間でイオン交換および電子交換の質を維持し、第１電解質は、第２電解質の成分に対して不透過性である。 - 特許庁 - The first electrode layer of the capacitor elements is conducted with each other through the conductive path which connects the two first electrode layers opposite to the adjacent two capacitor elements in series, and the conductive path which connects the first electrode layers of the capacitor elements in parallel; and the second electrodes are conducted each other through the conductive path which connects the second electrodes each other.
隣接する２つのコンデンサ素子の対向する２つの第１の電極層を直列に接続する導通経路、及び、コンデンサ素子の第１の電極層を並列に接続する導通経路の両方を介して、コンデンサ素子の第１の電極層同士が導通し、第２の電極を互いに並列に接続する導通経路を介して、第２の電極同士が導通する。 - 特許庁 - Through the buffer layer, a second single crystal semiconductor substrate is adhered to a first single crystal semiconductor substrate, the second single crystal semiconductor substrate is bonded to the first one, the first single crystal semiconductor substrate is heated to crack the damaged region, and one portion of the first single crystal semiconductor substrate is separated from the first single crystal semiconductor substrate.
バッファ層を介して、第２の単結晶半導体基板と第１の単結晶半導体基板を密着させ、第２の単結晶半導体基板と第１の単結晶半導体基板とを貼り合わせ、第１の単結晶半導体基板の加熱によって損傷領域に亀裂を生じさせ、第１の単結晶半導体基板の一部を第１の単結晶半導体基板から分離する。 - 特許庁 - A semiconductor constituent body 4 called CSP is provided on the upper surface of a base plate 1 provided with upper wiring 2 and lower wiring 3, an insulating layer 16 like a square frame is formed therearound, then first and second upper re-wirings 20 and 24 are formed thereon, and a solder ball 27 is provided on the connection pad of the second upper re-wiring 24.
上層配線２および下層配線３を有するベース板１の上面にはＣＳＰと呼ばれる半導体構成体４が設けられ、その周囲には矩形枠状の絶縁層１６が設けられ、それらの上には第１、第２の上層再配線２０、２４が設けられ、第２の上層再配線２４の接続パッド部上には半田ボール２７が設けられている。 - 特許庁 - First detecting pipes are provided in an substantially horizontal direction 5 and second detecting pipes 6 are provided in a substantially vertical direction between an inner wall face 2 and the lining layer 3, and one end of the second detecting pipe 6 is connected to the first detecting pipe 5, and the other end is opened above the liquid level of the liquid.
本発明は、内壁面２とライニング層３との間に略水平方向に対して第１の検知管５と、内壁面２とライニング層３との間に略鉛直方向に対して第２の検知管６とを設け、第２の検知管６の一端を第１の検知管５に接続するとともに他端が貯留する液体の液面より上側に開放するというものである。 - 特許庁 - In order to cause the rapid transition of the liquid crystal of the OCB mode from a spray orientation to a bend orientation, the liquid crystal display device includes a thin-film transistor MS, a first substrate formed with a pixel electrode 910 and a storage electrode 920, a second substrate formed with a common electrode, and a liquid crystal layer of the OCB mode filled between the first substrate and the second substrate.
ＯＣＢモードの液晶をスプレー配向からベンド配向に早く転移させるために、前記液晶表示装置は、薄膜トランジスタＭＳ、画素電極９１０及びストレージ電極９２０が形成された第１の基板と、共通電極９００が形成された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に充填されたＯＣＢモードの液晶層とを含む。 - 特許庁 - The method for forming a plated through-hole comprises processes of; forming a first hole H1 through a stacked plate SP having one or more porous resin layers 12; filling a resin 17 into the first hole H1; forming a second hole H2 through a filler resin 17a; and forming the plating layer at least on the inner peripheral surface of the second hole H2.
１層以上の樹脂多孔質層１２を有する積層板ＳＰに第１貫通孔Ｈ１を形成する工程、その第１貫通孔Ｈ１に樹脂１７を充填する工程、充填した樹脂１７ａに再び第２貫通孔Ｈ２を形成する工程、及び少なくとも第２貫通孔Ｈ２の内周面にメッキ層を形成する工程を含むメッキスルーホールの形成方法。 - 特許庁 - The method of manufacturing the semiconductor device 1 constituted by joining the second substrate 200 to the first substrate 100 having the element region 110 to seal the element region 110 includes feeding electricity to a heating metal layer 150 when the first substrate 100 and second substrate 200 are joined together with a substrate joining member 160 interposed.
素子領域１１０を有する第１基板１００に、前記素子領域１１０を封止するために、第２基板２００を接合してなる半導体装置１を製造する方法であって、第１基板１００と第２基板２００とを基板接合部材１６０を介して接合させる際に、加熱金属層１５０に通電させることを特徴とする半導体装置１の製造方法。 - 特許庁 - Infrared rays emitted from an inner lid 4 are detected by an infrared sensor 8, it is provided with a sensor base material 20, a first thermal element 22, a second thermal element 23 and an infrared reflecting layer 25 for reflecting the infrared rays facing the second thermal element 23, and the infrared sensor 8 of the configuration is arranged inside a lid equipped with the inner lid 4.
赤外線センサ８で内蓋４より放射される赤外線を検出するようにし、これはセンサ基材２０と、第１の感熱素子２２と、第２の感熱素子２３と、第２の感熱素子２３に相対して赤外線を反射する赤外線反射層２５とを有するとともに、これら構成の赤外線センサ８を、内蓋４を装備した蓋内に配置したものである。 - 特許庁 - The laminate type dielectric filter comprises a strip line resonator L1 comprising a dielectric 2 composed of a plurality of dielectric layers; at least first and second mutually opposed strip line conductor layers 13, 16 embedded in the dielectric 2; ground conductor layers 22, 25 opposite to the first and second stripline conductor layers 13, 16; and an input/output conductor layer 28.
積層型誘電体フィルタは、複数の誘電体層から成る誘導体２と該誘導体２に埋設され且つ互いに対向配置された少なくとも第１及び第２のストリップライン導体層１３，１６と第１及び第２のストリップライン導体層１３，１６に対向配置されたグランド導体層２２，２５と入出力導体層２８とから成るストリップライン共振器Ｌ１を具備している。 - 特許庁 - If a first thin and small electrode 41aa and a second thin and small electrode 42aa which are electrically short-circuited via a pin hole P of a highly dielectric material layer 43 are present, the first electrode 41aa has no power supply post 61a nor via hole 61b formed, and the second electrode 42aa has no ground post 62a nor via hole 62b formed.
高誘電体層４３のピンホールＰを介して電気的に短絡している第１薄膜小電極４１ａａと第２薄膜小電極４２ａａが存在している場合、第１薄膜小電極４１ａａには電源用ポスト６１ａやバイアホール６１ｂが形成されておらず、第２薄膜小電極４２ａａにもグランド用ポスト６２ａやバイアホール６２ｂが形成されていない。 - 特許庁 - The capacitor type storage includes: a first conductive passage 21 and a second conductive passage 22 which are in parallel to each other; and a mixed layer 30 which is provided on the upper surface of the first conductive passage 21 and the upper surface of the second conductive passage 22 while having an insulating first substrate, a first conductive powder or first semiconductor powder dispersed in the first substrate.
本発明にかかるキャパシタ型蓄電池は、互いに平行である第１導電路２１及び第２導電路２２と、第１導電路２１の上面及び第２導電路２２の上面それぞれに設けられ、絶縁性の第１基材と、第１基材中に分散された第１導電粉体または第１半導体粉体とを有する混合層３０とを備える。 - 特許庁 - Therefore, even when the depth of a recording layer of the optical recording medium using the luminous flux of the second wavelength is different from the recording medium making the luminous flux of the first wavelength a reproduction light, the problem of insufficient condensing caused by spherical aberration of the condenser lens can be reduced.
このため、第２の波長の光束を用いる光記録媒体の記録層の深さが第１の波長の光束を再生光とする光記録媒体と相違しても、集光レンズの球面収差による集光不足の問題を軽減できる。 - 特許庁 - The micro lens substrate 1A includes a substrate with recessed part for microlens 2A that has a recessed part 31A and a first alignment mark 71, substrate with projected part for microlens 8A that has a projected part 32A and a second alignment mark 72, a resin layer 9A, a microlens 4A and a spacer 5.
マイクロレンズ基板１Ａは、凹部３１Ａと第１アライメントマーク７１とを備えたマイクロレンズ用凹部付き基板２Ａと、凸部３２Ａと第２アライメントマーク７２とを備えたマイクロレンズ用凸部付き基板８Ａと、樹脂層９Ａと、マイクロレンズ４Ａと、スペーサー５とを有している。 - 特許庁 - After a first wiring is formed by selectively removing a part of the first interlayer insulating film 204, the first metal layer 203, and the insulating film 202 by photolithography and dry- etching, a second interlayer insulating film 212 is formed using a plasma CVD apparatus.
フォトリソグラフィーとドライエッチングとによって第１の層間絶縁膜２０４と第１の金属層２０３と絶縁膜２０２の一部とを選択的に除去して、第１の配線を形成した後、プラズマＣＶＤ装置を使用して第２の層間絶縁膜２１２を形成する。 - 特許庁 - Fuel supply efficiency to the fuel electrode 21 can be improved by drop of pressure from the first passage 31 through a diffusion layer 33 to the second passage 32, and exhaust efficiency of exhaust gas produced in the fuel electrode 21 can be improved.
また、第１流路３１から拡散層３３を介して第２流路３２への圧力降下により、燃料極２１への燃料供給効率を向上させると共に、燃料極２１で生成された排出ガスの排出効率を向上させることができる。 - 特許庁 - The composite for the organic semiconductor layer contains an organic semiconductor material having a principal chain containing a π conjugate system structure and a side chain, and satisfying predetermined conditions; and a solvent having a second virial coefficient of -1×10^-3 to 1×10^-3 (cm^3mol)/g^2 for this material.
有機半導体層用組成物は、π共役系構造を含む主鎖と、側鎖とを有し、所定の条件を満たす有機半導体材料と、この材料に対する第二ビリアル係数が−１×１０^−３〜１×１０^−３cm^3・mol/g^2の溶媒を含む。 - 特許庁 - In the groove forming process, a plurality of props 24 for discharging ink droplets with parting the piezoelectric members 36, 37 by grinding the groove 35 with such a depth as to reach the second ceramic layer 23 of the laminated substrate 12 from the surface 33A of the piezoelectric members 36, 37.
溝形成工程では、圧電部材３６，３７の表層３３Ａから積層基板１２の第２のセラミックス層２３に達する深さの溝３５を研削加工することにより、圧電部材３６，３７を分断してインク滴吐出用の支柱２４を複数個形成する。 - 特許庁 - The method of manufacturing an epitaxial wafer includes a first step (step S3) for performing hydrogen baking of a silicon wafer in a reactor, and a second step (step S4) for forming an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer subjected to hydrogen baking by introducing a silicon material gas and a dopant gas into the reactor.
シリコンウェーハを反応炉内で水素ベークする第１の工程（ステップＳ３）と、反応炉にシリコン原料ガス及びドーパントガスを導入することにより、水素ベークされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する第２の工程（ステップＳ４）とを備える。 - 特許庁 - In the middle of the intake stroke, an exhaust valve solenoid driving device 39a opens and closes an exhaust valve 39, and thereby, another part of the mixed gas Gm is mixed with an external EGR gas Go flowing backward in the combustion chamber 25, and a second temperature layer Gmo is formed.
これとともに、吸気行程中期にて排気弁電磁駆動装置３９ａが排気弁３９を開閉させることにより、混合ガスGmの他の一部を逆流してくる外部ＥＧＲガスGoと燃焼室２５内において混合して第２温度層Gmoを形成する。 - 特許庁 - A second information display part 5 where the name of a publisher, a pattern for design and the like are printed by offset printing or the like is provided on the surface of a medium base material 1 so as not to overlap with the first information display part 4 constituted by a leuco dye layer 2.
メディア基材１の表面には、ロイコ染料層２により構成される第１の情報表示部４に対してオフセット印刷等により発行元名や、デザイン用の絵柄などを印刷している第２の情報表示部５と重ならないように設けてある。 - 特許庁 - The main fluorescent dichroic dye for the objective emission color is added to the liquid crystal layer to be sealed between a first substrate and a second substrate, and further an auxiliary fluorescent dichroic dye functioning as a sensitizer to emit light at the absorption wavelength of the main fluorescent dichroic dye is added.
第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶層に、目的の発光色の主蛍光二色性色素を添加し、さらに、主蛍光二色性色素の吸収波長の光を発光する増感剤となる副蛍光二色性色素を添加する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of a conductive pattern forming substrate, a laser beam L of extremely short pulses with the pulse width being less than 1p second is irradiated in a given pattern on a transparent conductive layer A_1, made of an organic conductor formed on at least one surface of a transparent base material A_2.
本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、透明基材Ａ_２の少なくとも一方の面に形成された有機導電体製の透明導電層Ａ_１に、パルス幅１ｐ秒未満の極短パルスのレーザ光Ｌを所定のパターンで照射する。 - 特許庁 - A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.
半導体層１は、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃｈおよびドレイン領域１ｄを含む拡散領域１１の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第１非拡散領域１２および第２非拡散領域１３を有する。 - 特許庁 - In addition, a part of the inner wall face of the cavity 11 is constituted, and first, second and third heat transmission bodies 17, 18, 19 whose ends 17D, 18D, 19D come into contact with the die attach layer 15 and in which the other ends 17U, 18U, 19U extend up to a substrate main face 2 are provided.
また、キャビティ１１の内壁面の一部を構成し、一方の端部１７Ｄ，１８Ｄ，１９Ｄがダイアタッチ層１５に接触し、他方の端部１７Ｕ，１８Ｕ，１９Ｕが基板主面２まで延びる第１，第２，第３伝熱体１７，１８，１９を備える。 - 特許庁 - The manufacturing method includes spraying Si particles having the average particle diameter of 0.3-25 μm onto the surface of a member made from aluminum (containing an alloy thereof) at a particle speed of 200 m/second or more with a cold spray method to form the layer of the soldering material having an Si-particle deposition amount of 0.4-12 g/m^2.
アルミニウム（その合金を含む）からなる部材表面に、コールドスプレー法によって平均粒径０．３〜２５μｍのＳｉ粒子を２００ｍ／秒以上の粒子速度で吹き付けてＳｉ粒子付着量０．４〜１２ｇ／ｍ^2のろう材層を形成する。 - 特許庁 - A uniform heating layer is formed between the first EL light-emitting part and the second EL light-emitting part, and since heat caused by light emission of one EL light-emitting part reduces the change with the passage of time in light emission of the other EL light-emitting part, occurrence of light emission unevenness is suppressed.
第１のＥＬ発光部と第２のＥＬ発光部との間に均熱層を形成し、一方のＥＬ発光部の発光による熱が他方のＥＬ発光部の発光における経時的な変化を低減させて、発光むらが発生することを抑制した。 - 特許庁 - This conductor 12 for the electric wire is provided with a compressed conductor part 14 shaped by compressing a plurality of first strands so as to form an almost circular cross-section, and an outer layer conductor part 18 formed by disposing a plurality of second strands 19 on the outer periphery of the compressed conductor part 14.
電線用導体１２は、複数の第１素線が断面略円形状に圧縮整形された圧縮導体部１４と、この圧縮導体部１４の外周囲に複数の第２素線１９が配設されてなる外層導体部１８と、を備えている。 - 特許庁 - The second process includes a process for flowing a formed pattern by heat treatment or a process for coating a formed pattern with a resin composition containing a crosslinking agent and framing it through chemical reaction at the interface of the pattern and an upper layer film.
第２のプロセスとしては、形成されたパターンに熱処理を施してフローさせるプロセス、もしくは、形成されたパターンに架橋剤を含む樹脂組成物を塗布し、パターンと上層膜との界面での化学反応による枠付けを行なうプロセスを採用する。 - 特許庁 - Forming the first insulating film 10 with a material that can be etched selectively against the second insulating film 14 makes the mask of photo-resist unnecessary in removing the first insulating film 10 in through holes 11 on the lower layer metal wiring 2.
そして第１の絶縁膜１０は第２の絶縁膜１４に対して選択にエッチング可能な材料により形成することでスルーホール１１内の下層金属配線２上の第１の絶縁膜１０を除去する際フォトレジストによるマスクを不要とする。 - 特許庁 - The first and second porous structures 12 and 22 are same in structure, and anodic oxidation treatment and oxidation treatment are applied to the non-doped polycrystalline silicon layer formed on one surface side of the element forming substrate 1.
第１の多孔質構造部１２と第２の多孔質構造部２２とは同一構造であって、素子形成基板１の一表面側に成膜したノンドープの多結晶シリコン層に対して陽極酸化処理および酸化処理を行うことにより形成されている。 - 特許庁 - On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2b formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, so that the lower region of the anode electrode is surrounded.
第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２ｂ表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲するように第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁 - A gas dispersing layer 12 of this fuel cell electrode 10 is structured of a woven fabric which is woven to cross each other with a first fiber bundle 14 composed of hydrophilic carbon fibers as a weft yarn and a second fiber bundle 16 composed of water-repellent carbon fibers as a warp yarn.
燃料電池用電極１０のガス拡散層１２を、親水性炭素繊維からなる第１の繊維束１４を経糸とし、撥水性炭素繊維からなる第２の繊維束１６を緯糸として互いに交差するように織り込まれた織布から構成する。 - 特許庁 - The filter 3 is constructed by sequentially layering a heater wire 21, a first nonwoven fabric 22 formed by laminating ceramic fibrous materials, a catalytic layer 23 having a catalytic function of lowering combustion temperature, a second nonwoven fabric 24 formed by laminating ceramic fibrous materials, and retaining wire netting 25.
フィルタ３は，ヒータ線２１，セラミック繊維材を積層した第１不織布２２，燃焼温度を低下させる触媒機能を有する触媒層２３，セラミック繊維材を積層した第２不織布２４，及び保持金網２５が順次積層して構成されている。 - 特許庁 - Light is incident on the polarization organic photoelectric conversion device while a predetermined bias voltage is applied between the first electrode 11 and the second electrode 12, and the light polarized parallel to the orientation axis of the organic photoelectric conversion layer 13 is photoelectrically converted.
第１の電極１１と第２の電極１２との間に所定のバイアス電圧を印加した状態で偏光有機光電変換素子に光を入射させ、有機光電変換層１３の配向軸に平行な方向の偏光を光電変換する。 - 特許庁 - A reflection electrode 68 for every cell formed with a minute surface irregular shape is formed on the second glass substrate 69 and the thickness of the liquid crystal layer 66A is set based on the maximum retardation given to the material described above in correspondence to the prescribed hue range.
第２ガラス基板６９には微細な表面凹凸形状を形成したセルごとの反射電極６８が形成され、液晶層６６Ａの厚みは、所定の色相範囲に対応して上記材料に付与する最大リタデーションに基づいて設定されている。 - 特許庁 - A base pattern 10 having predetermined thickness is formed at a position corresponding to the contact hole 7, and a connection part (source region 3a and drain region 3b) to the second wiring 8 of the multi-crystal semiconductor layer 3 is formed on the base pattern 10.
コンタクトホール７に対応する位置に所定の厚さを有する下地パターン１０が形成され、この下地パターン１０上に多結晶半導体層３の第２配線８との接続部分（ソース領域３ａ及びドレイン領域３ｂ）が形成されている。 - 特許庁 - The lid may be formed using a two-shot injection molding process in which the lid is formed in a first step and the outer layer of a softer material is formed on the skirt of the lid during the second step of the two-shot injection molding process.
ふたは、二段階射出成形工程を使用して形成することができ、この工程では、第１のステップでふたが形成され、二段階射出成形工程の第２のステップの間に、ふたのスカート上に、より軟かい材料の外層が形成される。 - 特許庁 - The catalyst layer is provided which has a first carbon body of particle shape and a second carbon body of particle shape which carries a catalyst and of which central particle size is smaller than the first carbon body and which is adsorbed on the surface of the first carbon body.
粒状の第１の炭素体と、触媒を担持し、前記第１の炭素体よりも中心粒径が小さく前記第１の炭素体の表面に吸着した粒状の第２の炭素体と、を備えたことを特徴とする触媒層が提供される。 - 特許庁 - A liquid crystal display 21 consists of a simple matrix type and parts in which a liquid crystal layer 25 is held between first and second electrodes, each being a part of a plurality of scanning and signal electrodes 34, 39 respectively, constitute a plurality of display elements 61.
液晶表示装置２１は、単純マトリクス型のものであり、複数の各走査および各信号電極３４，３９のそれぞれ一部分である第１および第２電極によって液晶層２５が挟持された部分が、複数の表示素子６１になる。 - 特許庁 - A silicon nitride film 7 on a wiring layer is formed thicker than a silicon nitride film 7 between wiring layers by forming a second insulation silicon nitride film 7 all over on conditions of 1.0 to 30 Torr and 600 to 1100°C by employing a vacuum thermal CVD method.
全面に第２の絶縁膜であるシリコン窒化膜７を減圧熱ＣＶＤ法を用いて、１．０〜３０Ｔｏｒｒ，６００〜１１００℃の条件にて成膜することにより、配線層上のシリコン窒化膜７を配線層間のシリコン窒化膜７よりも厚く形成する。 - 特許庁 - With this high frequency induction-hardening, the high frequency induction-hardened structure having the higher average hardness than the basic material structure 12a near the second surface and composed of martensite and uniformly and finely dispersed austenite is given on the surface layer 11a near the first surface.
この高周波焼入れにより、第２面近傍の母材組織１２ａよりも高い平均硬度を有する、マルテンサイトと均一に微細分散したオーステナイトとからなる高周波焼入れ組織を第１面近傍の表面層１１ａに与えることを特徴とする。 - 特許庁
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