「second-layer」を含む例文一覧(21457)

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  • The touch panel is characterized in that the optical film has a transparent electroconductive film provided on a reverse surface of the hard coating layer (A) from the optically transmissive substrate and in that a second transparent electroconductive film is disposed on a side of the transparent electroconductive film of the optical film.
    上記光学フィルムのハードコート層（Ａ）の光透過性基材とは反対側の面に、透明導電膜が設けられた光学フィルムの当該透明導電膜側に、さらに第二の透明導電膜が設けられていることを特徴とする、タッチパネル。 - 特許庁
  • The middle word regulation creation procedure creates a middle word regulation which arranges a first non-end symbol for the middle word in the left edge, and which arranges a second non-end symbol for the middle word that is a lower layer than the first non-end symbol for the middle word in the right edge.
    中間語規則生成手順は、左辺に第１の中間語用非終端記号を配置すると共に、右辺に第１の中間語用非終端記号よりも下位の階層となる第２の中間語用非終端記号を配置した中間語規則を生成する。 - 特許庁
  • A template 10 is used in imprinting where a second irregular pattern consisting of a hardening agent is formed on a layer to be processed by filling a first irregular pattern with a hardening agent and then hardening the hardening agent thereby transferring the first irregular pattern to the hardening agent.
    実施形態のテンプレート１０は、第１凹凸パターンに硬化剤を充填して硬化させることにより第１凹凸パターンを硬化剤に転写して硬化剤からなる第２凹凸パターンを被加工層上に形成するインプリントに用いるテンプレートである。 - 特許庁
  • The storage capacitance is constructed by oppositely arranging a first capacitance electrode (13) made up with a same film of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) made up with the same film as a barrier layer (34), that relay connects the pixel electrodes and the TFTs, through a dielectric film (42).
    蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 - 特許庁
  • In this opening frame 1, a plate material 24 arranged along the inner peripheral surface of the second frame body 20 is in a state in which inner and outer peripheral layers 26 and 28 are superposed on each other; and the inner peripheral layer 26 is fitted into the fitting groove 16 of the first frame body 10.
    開口枠１は、第２枠体２０における内周面に沿って配置される板材２４が、内周層２６および外周層２８を積層した状態となっており、この内周層２６が第１枠体１０における嵌合溝１６に嵌合する。 - 特許庁
  • Then a junction type FET is constituted by providing a source electrode/drain electrode 7 in ohmic contact with the pair of first conductivity type contact layers 6 respectively and a gate electrode 8 in ohmic contact with the second conductivity type contact layer 2.
    そして、一対の第一導電型コンタクト層６のそれぞれにオーミックコンタクトしてソース電極／ドレイン電極７が、また、第二導電型コンタクト層２にオーミックコンタクトしてゲート電極８がそれぞれ設けられることにより、接合型ＦＥＴが構成されている。 - 特許庁
  • The composition comprises: a mixture solvent including a first organic solvent (A) having a surface tension of 32 mN/m or more and a second organic solvent (B) having a surface tension of 32 mN/m or less; and a material for forming liquid crystal alignment layer dissolved in the mixture solvent.
    表面張力が３２ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第１有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、混合溶剤に溶解されてなる液晶配向膜形成用材料と、を含有してなる。 - 特許庁
  • In addition, a counter electrode 6 is provided on the organic EL layer 5, the auxiliary electrode 3 is connected to one power supply through a first electrode extracting terminal 7, and the end part of the counter electrode 6 is connected to the other power supply as a second electrode extracting terminal.
    更に、有機ＥＬ層５上に対向電極６が設けられ、補助電極３は第１の電極取り出し端子７を通して一電源に接続し、対向電極６の端部が第２の電極取り出し端子として他電源につながるようになる。 - 特許庁
  • The third wiring layer includes a fifth wiring 17a located in the upper part of the first element region 1a, and a sixth wiring 17b located in the upper part of the second element region 1b and electrically connected to the third wiring 11b via the conductive pattern 14b for connection.
    第３配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第５配線１７ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて接続用導電パターン１４ｂを介して第３配線１１ｂに電気的に接続する第６配線１７ｂを具備する。 - 特許庁
  • When the thickness of the upper clad layer of a first actual refractive index-guiding type laser section is controlled to a prescribed value, the surface of the laser section can be planarized sufficiently and a second laser section having good crystallinity can be laminated upon the planarized surface.
    実屈折率ガイド型の第１のレーザ部の上側クラッド層の層厚を所定の厚みとすることにより、第１のレーザ部の表面を十分に平坦化することが可能となり、その上に結晶性の良好な第２のレーザ部を積層することができる。 - 特許庁
  • To enable to make it unnecessary to form a second protection membrane on a surface of a protection layer, to make an aging process unnecessary, and to largely shorten time necessary for aging.
    保護層の表面に第２保護膜を形成する必要がなく、しかも、エージング工程を不要にすることができる、ないしエージングに要する時間を大幅に短縮することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法およびそれによって得られたプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁
  • Distribution of the cross section ratios of the superconducting wire with metal cover is calculated from an electric resistance actually measured depending on the electric resistance of a first material contained in the core part and the electric resistance of a second material composing the metal cover layer.
    金属被覆超電導線の断面積比の長さ方向の分布は、芯線部に含まれる第１の材料の電気抵抗値と金属被覆層を構成する第２の材料の電気抵抗値に基づき、実際に測定した電気抵抗値から算出される。 - 特許庁
  • In the imaging semiconductor device, an image cell is formed on the surface of a semiconductor layer 53, and the image cell is provided with a photodiode PD constituted of an n-type region 54 and a p-type region 55, and a second transistor for amplifying photodetection signals output from the photodiode PD.
    半導体層５３の表面に画像セルが形成され、画像セルはＮ型領域５４及びＰ型領域５５により構成されたフォト・ダイオードＰＤと、フォト・ダイオードＰＤから出力される光検出信号を増幅する第２トランジスタを有している。 - 特許庁
  • The consistency of the coating liquid forming the receiving layer has a viscosity in second measured by a Zahn cup (Rigo Co., Ltd., No.4) of less than 10 seconds in both conditions when the coating liquid is adjusted and produced and after 30 minutes stirring from the time of production.
    該受容層を形成するための塗工液において、該塗工液の粘度が、塗工液を調整して作製した時及び作製時から３０分間攪拌後の条件で、ザーンカップ（離合社、Ｎｏ．４）により測定した粘度秒数が、両者とも１０秒以下である。 - 特許庁
  • In the first and second configurations, the reflective section is formed by using a portion corresponding to the auxiliary capacitor section formed at the bottom end of a pixel region and the buffer layer corresponding to the reflection section is formed to a stripe shape extending to one direction when viewed from the entire part of the substrate.
    上記第1及び第2構成で、上記反射部は画素領域の下端に構成された補助容量部に対応する部分を使用し、上記反射部に対応するバッファ層は基板の全体から見た時一方向に延びたストライプ形状に構成される。 - 特許庁
  • Moreover, contact plug 10 for connecting the second electrodes 8 to upper-layer metallic wiring 14a are buried in areas surrounded by the sidewalls 9 and a metal silicide 12 and metal nitride films 13 are formed at the connections between the contact plugs 10 and metallic wiring 14a.
    また、第二電極８と上層の金属配線１４ａとを接続するためのコンタクトプラグ１０をサイドウォール９で囲まれる領域に埋め込み、コンタクトプラグ１０と金属配線１４ａとの接続部に、金属シリサイド１２と窒化金属膜１３とを形成する。 - 特許庁
  • The electrolyte membrane layer 10 is configured so that thermal contraction amount of the first electrolyte membrane 11 in the long side direction and short side direction becomes smaller than that of the second electrolyte membrane 12 in the long side direction and short side direction.
    電解質膜層１０は、第１の電解質膜１１の長辺方向および短辺方向における熱収縮量が、第２の電解質膜１２の長辺方向および短辺方向における熱収縮量よりも小さくなるように構成されている。 - 特許庁
  • A second layer STO film 18b becoming the overlying dielectric film 17b of the capacitor consists of a thick crystal film having perovskite structure in the vicinity of the lower electrode 12a and a thin amorphous film in other regions, and is formed on the STO film 18a.
    ＳＴＯ膜１８ａの上に、下部電極１２ａ付近がペロブスカイト型結晶構造を有する厚肉の結晶膜で、その他の領域が薄肉の非晶質膜である、キャパシタ上層誘電体膜１７ｂとなる第２層目のＳＴＯ膜１８ｂを形成する。 - 特許庁
  • The second insulating film 16b consists of a material (silicon oxide (SiO_x), and silicon nitride (SiN_x) etc.) having excellent etching selectivity by same gas or solution to oxide semiconductor constituting the channel layer 15 and the first insulating material respectively.
    第２絶縁膜１６ｂはチャネル層１５を構成する酸化物半導体および第１絶縁材料それぞれに対して同一ガス（あるいは溶液）によるエッチング選択性の良好な材料（酸化シリコン（ＳｉＯ_x）、窒化シリコン（ＳｉＮ_x）等）により構成されている。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises a first n-type MOS transistor having a channel region formed on the element region A1; and a second n channel MOS transistor, and a p channel MOS transistor having a channel region formed on the epitaxial layer.
    この半導体装置は、素子領域Ａ１に形成されたチャネル領域を有する第１のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタと、エピタキシャル層に形成されたチャネル領域を有する第２のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタおよびＰチャネル型ＭＯＳトランジスタとを備えている。 - 特許庁
  • The semiconductor apparatus has a gate electrode formed through a gate insulating film, and a second conductive type source area and a drain area, in an area segmented by an element separation insulating film formed in a first conductive type semiconductor layer.
    本発明に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層に形成された素子分離絶縁膜により区分された領域に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第２導電型のソース領域及びドレイン領域とを有する。 - 特許庁
  • The outer layer section 15 is more projecting than the surface 111 of the primary center section 11, has smaller impact resilience than urethane foam composing the primary center section 11 and the second center section 12, and consists of the urethane foam having a greater hysterisis loss and return time.
    表層部１５は，第１中央部１１の表面１１１よりも突出しており，第１中央部１１及び第２中央部１２を構成する発泡ウレタンよりも反発弾性が小さいと共にヒステリシスロス及び戻り時間が大きい発泡ウレタンよりなる。 - 特許庁
  • The active material, the electron-conducting material and the conduction assistant are included in the active material layer of this battery equipped with first and second electrodes and a separator, hydrophobicity is imparted to one of the the electron-conducting material and the conduction assistant, and hydrophilicity is imparted to the other.
    第１および第２の電極と、セパレータとを備えた電池の活物質層内に、活物質と、電子導電材と、導電助剤を含有し、上記電子導電材および上記導電助剤の一方に疎水性を持たせ、他方に親水性を備える。 - 特許庁
  • In the LED, the specific resistance of the GaN substrate 1 is 0.5 Ωcm or less, the side of the P-type Al_xGa_1-xN layer 5 is down-mounted, and light is emitted from a second principal surface 1a opposite to the first principal surface of the GaN substrate 1.
    このＬＥＤでは、ＧａＮ基板１の比抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下であり、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、ＧａＮ基板１の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。 - 特許庁
  • The first photodetector 4 is aligned to receive light made incident through the light exit opening into the hollow body at both the positions, and the second photodetector 5 is aligned to receive light scattered by the diffusion/scatter layer at both the positions.
    第１光検出器４は両位置において光出口開口部を通って中空体の中に入射する光を受信するよう整列され、第２光検出器５は両位置において拡散散乱層による散乱光を受信するよう整列される。 - 特許庁
  • The resin layer 6 includes an optical path conversion part 10 in which first and second lens parts 11 and 12 are stacked, provided at a position covering the light-receiving element 3; and a fixing mechanism 7 for attaching an optical fiber 14 to the vicinity of the optical path conversion part 10 via a ferrule 13.
    樹脂層６には、受光素子３を覆う位置に第１，第２のレンズ部１１，１２を積み重ねた光路変換部１０を設けると共に、光路変換部１０の近傍にフェルール１３を介して光ファイバ１４を取り付ける固定機構７を設ける。 - 特許庁
  • The accumulative fluorescent sheet 12 has a frame member 18 covering a fluorescent layer 16 at its four sides and a back-scattered ray preventing lead sheet 28 replaceably attached via a double-sided tape to a second recessed portion 22 formed in the frame member 18.
    蓄積性蛍光体シート１２は、蛍光体層１６の４辺を覆って枠部材１８を設けるとともに、この枠部材１８に形成された第２凹部２２には、バック散乱線防止用の鉛シート２８が、両面テープ３０を介して交換自在に取り付けられる。 - 特許庁
  • An insulating film laminate 8 wherein the first insulating film 1 to the sixth insulating film 6 are laminated is formed on a substrate, and the first layer internal wire 21 comprising copper electrically insulated from the substrate is formed inside the second insulating film 2.
    基板の上に第１の絶縁膜１から第６の絶縁膜６が積層された絶縁膜積層体８が形成されており、第２の絶縁膜２の内部には、基板と電気的に絶縁された銅からなる第１の層内配線２１が形成されている。 - 特許庁
  • After a first wiring is formed by selectively removing a part of the first interlayer insulating film 204, the first metal layer 203, and the insulating film 202 through photolithography and dry-etching, a second interlayer insulating film 212 is formed using a plasma CVD device.
    フォトリソグラフィーとドライエッチングとによって第１の層間絶縁膜２０４と第１の金属層２０３と絶縁膜２０２の一部とを選択的に除去して、第１の配線を形成した後、プラズマＣＶＤ装置を使用して第２の層間絶縁膜２１２を形成する。 - 特許庁
  • A first contact hole 46 that communicates with one of the source area 34 and the drain area 36, and a recessed part 48 that is on the upside of the gate electrode 28 but does not communicate with the gate electrode 28 are simultaneously formed in the second insulating layer 42 by dry etching.
    第２の絶縁層４２に、ソース領域３４及びドレイン領域３６の一方に連通する第１のコンタクトホール４６と、ゲート電極２８の上方であるがゲート電極２８に連通しない凹部４８を同時にドライエッチングによって形成する。 - 特許庁
  • In the device chip 100C of the light emitting device 100, the base semiconductor layer 1 of light absorptivity has a body 1m where the inner face of the notch 1j is formed and a brim-like part 1g integrated with a second main surface side end of the body 1m.
    発光素子１００の素子チップ１００Ｃにおいて、光吸収性のベース半導体層１が、切り欠き部１ｊの内側面を形成する本体部１ｍと、該本体部１ｍの第二主表面側端部に一体化された鍔状部１ｇとを有する。 - 特許庁
  • The protection layer 102 is provided with a first protection film 106 formed by a plasma CVD method without damaging the organic element 101, and a highly adhesive high-density second protection film 107 formed on the first protection film 106 by a sputtering method.
    保護層１０２は、プラズマＣＶＤ法によって有機素子１０１にダメージを与えることなく成膜された第１の保護膜１０６と、第１の保護膜１０６上にスパッタリング法によって成膜された密着性が高く高密度な第２の保護膜１０７を有する。 - 特許庁
  • To enhance environmental durability of a composite optical element including a third optical element composed of a resin layer between a first optical element and a second optical element and a shading member for suppressing generation of flare generated at an end of the third optical element.
    第１の光学要素と第２の光学要素の間に樹脂層からなる第３光学要素を備え、かつ、第３の光学素子の端部において発生するフレアの発生を抑える遮光部材を備えた複合光学素子の環境耐久性を高める。 - 特許庁
  • A p-side electrode 24 is formed on slopes 26 and 28 of the upper clad layer 22 parallel to the first and second slopes 12 and 14 of the GaAs substrate 16, while an n-side electrode 30 is formed on the rear surface of the GaAs substrate 16.
    ｐ側電極２４が、ＧａＡｓ基板１６の第１の傾斜面１２及び第２の傾斜面１４に平行な上クラッド層２２の傾斜面２６及び傾斜面２８上に、また、ｎ側電極３０がＧａＡｓ基板１６に裏面に、それぞれ、形成されている。 - 特許庁
  • The undercoat layer 26 is formed of a member having an adhesive feature with an electrode such as the first and second gate electrodes 34 and 41 higher than an adhesive feature between the electrode and the substrate body when forming the electrode on the one surface of the substrate body 25 by the coating method.
    下地層２６は、第１および第２ゲート電極３４，４１などの電極との接着性が、基板本体２５の一表面上に塗布法で電極を形成した場合の電極と基板本体との接着性よりも高い部材によって形成される。 - 特許庁
  • The electrolyte 30 is contained in spaces/a space of the porous oxide semiconductor layer 12 and/or the nonconductive film 25, and the second electrode 20 has a structure for exposing the plate-like nonconductive base material 22, in an angled part which is wound with the first electrode 10.
    電解質３０は、多孔質酸化物半導体層１２及び／又は非導電性の膜２５の空間部に含まれており、第二電極２０は、第一電極１０を巻き付ける角部において板状の非導電性基材２２を露出させている構造を有する。 - 特許庁
  • The composition contains a mixed solvent containing a first organic solvent A having a surface tension of 37 mN/m or more and a second organic solvent B having a surface tension less than 32 mN/m, and a material for forming the liquid crystal alignment layer dissolved in the mixed solvent.
    表面張力が３７ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第２有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、この混合溶剤に溶解されてなる液晶配向膜形成用材料と、を含有してなる。 - 特許庁
  • At least one part of the data pads PD23 to PD0 is set into dual-purpose pads PD23, PD22 and first and second signals DP, DM constituting the differential signal are inputted to a receiver circuit 214 of the physical layer circuit via the dual-purpose pads PD23, PD22.
    データパッドＰＤ２３〜ＰＤ０の少なくとも一部が兼用パッドＰＤ２３、ＰＤ２２に設定され、差動信号を構成する第１、第２の信号ＤＰ、ＤＭが、兼用パッドＰＤ２３、ＰＤ２２を介して物理層回路のレシーバ回路２１４に入力される。 - 特許庁
  • After crystallization of the oxidized conductive film 26 through heat treatment, the oxidized conductive film 26 is reduced when forming the initial layer 27A of the ferroelectric film 27, thereby forming a second conductive film 26A, whose crystal grain is small and the orientation of the same is regulated.
    酸化導電膜２６を熱処理により結晶化した後、強誘電体膜２７の初期層２７Ａの形成時に酸化導電膜２６を還元することにより、結晶粒が小さく且つ配向が整った第２の導電膜２６Ａを形成する。 - 特許庁
  • In the second step, a light L2 with different transmission is used as a predetermined light L to control the distribution of light intensity, and a micro irregular structure 3a decided beforehand by device designing is precisely formed on a boundary surface from the one surface of the transparent substrate 2 in the semiconductor layer 3.
    第２工程は、所定の光Ｌとして、異なる透過率の光Ｌ２を用いて光の強度分布を制御して、半導体層３の透明基板２の一面との界面に予めデバイス設計にて決めた微細凹凸構造３ａを精度良く形成する。 - 特許庁
  • This semiconductor device 202 is provided with concave portions 118 formed in a first region 104, a second region 106 and separation regions 108 respectively; and a dielectric layer 120 for backing the concave portions 118 so as to have a uniform thickness, on a substrate 102.
    本発明の半導体装置２０２は、基板１０２上に、第１領域１０４、第２領域１０６、及び分離領域１０８に形成された凹部１１８と、上記凹部１１８を均一な厚さで裏打ちする誘電体層１２０とを備えた半導体装置。 - 特許庁
  • The surface layer 3 is solidified by a composition in which a first component capable of forming an alkaline earth carbonate at the normal temperature and a second component capable of forming a solid hydrate at the normal temperature together with the first component or singly are at least mixed.
    表層３は、常温下でアルカリ土類炭酸塩を生成し得る第１成分と、この第１成分とともに又は単独で常温下で固体水和物を生成し得る第２成分とが少なくとも混合されてなる調合物により固化されている。 - 特許庁
  • In the buffer layer 3, the entire Al composition of one pair of the first buffer region 331 and the adjacent second buffer region 332 at the nitride-based compound semiconductor 4 side is set to be larger than the Al composition of one pair of the regions at the substrate side.
    バッファ層３において窒化物系化合物半導体４側の第１のバッファ領域３３１とそれに隣接する第２のバッファ領域３３２との１組の全体のＡｌ組成は基板側の１組のＡｌ組成に対して大きく設定されている。 - 特許庁
  • After that, the unwanted first substrate 1 is peeled, by mechanically destroying the easily peelable layer 2 between the first substrate 1 and the shaped article 3 (and an electrode 4) and the device, such as a piezoelectric film type elements, is manufactured by transferring the shaped article 3 on the second substrate 5.
    その後に、第一の基板１と造形物３（および電極４）との間の易剥離層２を機械的に破壊することにより不要な第一の基板１を剥離し、第二の基板５上に造形物３を転写して、圧電膜型素子等のデバイスを作製する。 - 特許庁
  • As a result, if a foreign material 300 is contained in the organic light emitting layer 240 of that pixel, the second electrode 250 is separated into a contact region 250a with the foreign material 300 and a region 250b which is contacted with neither that region 250a nor the foreign material 300.
    その結果、その画素の有機発光層２４０に異物３００が含まれていたら、第２電極２５０を、異物３００との接触領域２５０ａと、その領域２５０ａ及び異物３００１の双方に接触していない領域２５０ｂとに分離する。 - 特許庁
  • The second layer 11 is positioned on the side coming into contact with the cathode pellets.
    カソードペレット１３を挿入するカップ１０を、第一層１２がニッケル・クロム合金、第二層１１がニッケル・マグネシウム合金、ニッケル・マグネシウム・シリコン合金、ニッケル・マグネシウム・タングステン合金、ニッケル・マグネシウム・シリコン・タングステン合金のいずれかである二層の金属板で形成し、第二層１１がカソードペレットと接する側とする。 - 特許庁
  • A semiconductor substrate 1 which has a connection electrode 2 and is provided with a first metal film 4 and a second metal film 5, and an electrical connection projection 10 on the connection electrode 2 is provided with a metal protection layer 6 adjacently to an outer circumferential part of the electric connection projection 10.
    接続用電極２を有し、接続用電極２の上に第１金属膜４と第２金属膜５と電気接続突起１０を設けた半導体基板１において、電気接続突起１０の外周部に隣接するように、金属保護層６を設ける。 - 特許庁
  • The gas sensor element 100 is constituted so that at least the surfaces of the first and second solid electrolytes 17 and 19 (excepting the parts of a pump electrode 10 and a detection electrode 11) facing the inside of a first measuring chamber 5 are covered with an insulating layer 60.
    ガスセンサ素子１００は、少なくとも、第１測定室５内に面する第１固体電解質体１７及び第２固体電解質体１９の表面（ポンプ用電極１０、検知用電極１１の部分を除く）が、絶縁層６０で被覆されている。 - 特許庁
  • An insulator 30a which is formed on the side wall of a first trench 34a from the surface of a silicon layer 40b up to the specified depth is formed with a thickness larger than that of the insulator 30b of a second trench 34b from the specified depth up to an oxide film 40a.
    シリコン層４０ｂの表面から所定の深さまでの第一トレンチ３４ａの側壁に形成されている絶縁体３０ａを、所定の深さから埋め込み酸化膜４０ａまでの第二トレンチ３４ｂの絶縁体３０ｂより厚く形成する。 - 特許庁
  • A detection part 8 consisting of a second conductivity type impurity area to which signal charges accumulated in a charge accumulation area are transferred is provided, corresponding to the charge storage area 7, in the semiconductor layer 1 while spaced apart from the charge storage area 7.
    電荷蓄積領域７に蓄積された信号電荷が転送される、第２導電型の不純物領域からなる検出部８が、電荷蓄積領域７に対応して、電荷蓄積領域７と間隔をおいて半導体層１に設けられている。 - 特許庁
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