「second-layer」を含む例文一覧(21457)
＜前へ 1 2 .... 390 391 392 393 394 395 396 397 398 .... 429 430 次へ＞- This composition includes a first organic solvent A whose surface tension is 37 mN/m or more and a second organic solvent B whose surface tension is under 32 mN/m, and a liquid crystal alignment layer forming material dissolved in the mixed solvent.
表面張力が３７ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第２有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、該混合溶剤に溶解されてなる液晶配向膜形成用材料と、を含有してなる。 - 特許庁 - In this case, λ represents a wavelength of light generated from the fifth layer, n_1 represents effective refraction index of the first fine wall-like member 112 and the second fine wall-like member 113, and n_2 represents effective refraction index of the semiconductor member 118.
ただし、λは、第５層で発生する光の波長であり、ｎ_１は、第１微細壁状部材１１２および第２微細壁状部材１１３における有効屈折率であり、ｎ_２は、半導体部材１１８における有効屈折率である。 - 特許庁 - The second wiring layer includes a fourth wiring 14a located in the upper part of the first element region 1a, and a conductive pattern 14b for connection located in the upper part of a part of the third wiring 11b and electrically connected to the third wiring 11b.
第２配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第４配線１４ａと、第３配線１１ｂの一部の上方に位置していて第３配線１１ｂに電気的に接続している接続用導電パターン１４ｂを具備する。 - 特許庁 - Heat treatment temperature required for curing can be lowered and heat treatment time can be shortened by dividing the gasket layer into two when compared with the case where all gasket layers (the first gasket layers 14, 15 and second gasket layers 16, 17) consists of the sticky agent or adhesive agent.
また、ガスケット層を二つに分けることで、ガスケット層の全て（第一ガスケット層１４，１５及び第二ガスケット層１６，１７）を粘着剤もしくは接着剤とする場合に比べ、硬化にかける熱処理温度、時間を抑制することができる。 - 特許庁 - The p-electrode 12 is configured with a first Pd film 13, a Ta film 14 and a second Pd film 15 as an oxidation preventing film for preventing oxidation of the Ta film 14 and is formed on a type p-type contact layer 11 formed of a nitride semiconductor.
ｐ電極１２は、第１のＰｄ膜１３、Ｔａ膜１４、およびＴａ膜１４の酸化を防止する酸化防止膜としての第２のＰｄ膜１５によって構成され、窒化物半導体から成るｐ型コンタクト層１１上に形成される。 - 特許庁 - A plurality of p-type semiconductor layers are formed on the second region of the n-type semiconductor layer to form a mesa structure that the corners of at least a pair of diagonal directions are rounded at the inside, and curved inward to form a first basin.
上記n型半導体層の第2領域上には複数のp型半導体層が形成されメサ構造を夫々成し、該メサ構造は少なくとも一対の対角方向の隅が内側に丸みがかって湾入し第1盆地を形成する。 - 特許庁 - A photodiode and an insulated-gate field effect transistor contained in the unit pixel of the solid-state image pickup element share a first-conductivity well region formed in a second-conductivity semiconductor layer provided on a first-conductivity semiconductor substrate.
固体撮像素子の単位画素に含まれるフォトダイオードと絶縁ゲート型電界効果トランジスタとは、第１導電型の半導体基板上の第２導電型の半導体層内に形成された第１導電型のウェル領域を共有している。 - 特許庁 - The display plate includes a first insulating substrate, and a plurality of pixels including color filters that include a plurality of first color filters located at the first insulating substrate, and second black color filters formed in the same layer as the first color filters.
本発明の一実施例による表示板は、第１絶縁基板、第１絶縁基板に位置する複数の第１カラーフィルタおよび第１カラーフィルタと同一の層に形成された黒色第２カラーフィルタを含んだカラーフィルタを含む複数の画素からなる。 - 特許庁 - Until the temperature of a gas sensor element is raised to reach a temperature where each solid electrolytic laminated layer 1, 12, 13 is operable, a minute potential having a polarity for moving oxygen to a reference oxygen chamber side is applied to second electrodes 321 and 322.
該ガスセンサ素子の温度を昇温させて、各固体電解質積層１、１２、１３が動作可能となる温度に到達するまでの間、該第２電極３２１、３２２に酸素が該基準酸素室側へ移動する極性である微小電位を印加する。 - 特許庁 - The power supply coil 21 and the first coil 11 and the second coil 12 of the first booster coil element have rectangular shapes and are overlapped along their three sides in a layer direction in a plain view.
給電コイル２１および第１ブースターコイル素子の第１コイル１１、第２コイル１２はいずれも矩形状であり、平面視で給電コイル２１と第１ブースターコイル素子の第１コイル１１、第２コイル１２はそれぞれの三辺に沿って層方向に重なっている。 - 特許庁 - In the method for depositing an insulating layer 17 on the inner peripheral surface of the pipe 11 of the toner fixing roll by a migration electrodeposition process, a slurry solution 6 for electrodeposition is circulated at a flow rate of 0.1 to 100 mm/second in the pipe 11 during the migration electrodeposition.
トナー定着ロール用パイプ１１の内周面に、泳動電着法により絶縁層１７を形成する方法において、泳動電着時にパイプ１１内部の電着用スラリー液６を、０．１〜１００ｍｍ／秒の流速で循環させる。 - 特許庁 - Silicon nitride film (second HCD-SiN film 9) is formed by a heat CVD method using hexachlorodisilane above the ALD-SiN film 3, and a hole 11a is formed by patterning the silicon nitride film, thereby forming a sacrificial layer pattern.
ＡＬＤ−ＳｉＮ膜３の上方にヘキサクロロジシランを用いた熱ＣＶＤ法によって窒化シリコン膜（第２ＨＣＤ−ＳｉＮ膜９）を成膜し、これをパターニングすることによって孔１１ａを形成することで犠牲層パターンを形成する。 - 特許庁 - A second etching step employs an etching method in which the etching rate to the first film is higher than that in the first etching step and the etching rate to "the layer in contact with the bottom of the first film" is lower than that in the first etching step.
第２のエッチング工程には、第１の膜に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも高く、「第１の膜の下に接して設けられている層」に対するエッチングレートが第１のエッチング工程よりも低いエッチング方法を採用する。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises a semiconductor layer, first conductive-type source regions, second conductive-type back-gate regions, first conductive-type drain regions, a gate insulating film, gate electrodes, a source electrode, and a drain electrode.
実施形態によれば、半導体装置は、半導体層と、第１導電形のソース領域と、第２導電形のバックゲート領域と、第１導電形のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース電極と、ドレイン電極とを備えている。 - 特許庁 - In the package structure 1 of a multilayer capacitor 2, the multilayer capacitor 2 and a circuit board 6 are connected by a solder fillet 7 having such a fillet height H as a resin electrode layer 14 functions as the ESR component of a second capacitor 12.
積層コンデンサ２の実装構造１では、樹脂電極層１４が第２コンデンサ部１２のＥＳＲ成分として機能するようなフィレット高さＨのハンダフィレット７によって積層コンデンサ２と回路基板６との接続がなされている。 - 特許庁 - These semiconductor layers are divided into a first region B comprised one electric charge confinement layer (2DEG) and a second region A comprised a plurality of electric charge confinement layers (2DEG) which are formed adjacent to a hetero junction between two semiconductor layers.
この複数の半導体層が、２つの半導体層間のヘテロ接合近傍に形成された電荷閉じ込め層（２ＤＥＧ）が単数の第１領域Ｂ、および、電荷閉じ込め層（２ＤＥＧ）が複数の第２領域Ａに区分けされている。 - 特許庁 - In this polishing method, when a soft magnetic layer made of an Fe alloy containing Si and Al is polished, CMP is performed using a first acid slurry, and then MP is performed using a second weak-acid or neutral slurry having a pH different from that of the first slurry.
Ｓｉ及びＡｌを含むＦｅ合金による軟磁性層を研磨する場合に、酸性の第１のスラリーを用いてＣＭＰを行い、次いで、第１のスラリーとｐＨの異なる弱酸性又は中性の第２のスラリーを用いてＭＰを行う。 - 特許庁 - In this case, a selected material for the bonding intermediate layer 28 is an oxide, fluoride or nitride material having light transmissive property, different from the main constituent of the first substrate 11 and from the main constituent of the second substrate 12.
このとき、接合機能中間層２８の材料は、第１基板１１の主成分と異なり、第２基板１２の主成分と異なり、酸化物あるいはフッ化物あるいは窒化物のうちの光透過性を有する材料から選択される。 - 特許庁 - Red, green, and blue light-emitting pixels are formed by organic layers 106 separated by pixel separation films 105 on a glass substrate 101 with a first electrode 104 formed, on which, a second electrode 107 and a protective layer 108 are laminated.
第１電極１０４を形成したガラス基板１０１上に、画素分離膜１０５によって互いに分離された有機層１０６による赤色、緑色、青色の発光画素を形成し、その上に第２電極１０７及び保護層１０８を積層する。 - 特許庁 - The acoustic matching layer 12 is formed by embedding, through insert molding, the piezoelectric element 11 and wiring connected to a first electrode 14 and a second electrode 15 while using a resin material of which the acoustic impedance is smaller than that of the piezoelectric element 11.
音響整合部材１２は、圧電素子１１より音響インピーダンスが小さい樹脂材料を用いて、圧電素子１１と、第１電極１４及び第２電極１５に接続される配線とが、インサート成形により埋め込まれて形成されている。 - 特許庁 - After forming a resist pattern covering only the tops of cell regions, it is etched down to the TiN film (etching stop layer) 8 to remove the TiN film 10 and the aluminum alloy film (second conductive film) 9 on peripheral circuit regions.
セル領域の上のみを覆うレジストパターンを形成した後、ＴｉＮ膜（エッチングストップ層）８に至るまでエッチングを行うことにより、周辺回路領域上のＴｉＮ膜１０とアルミニウム合金膜（第２の導電性膜）９を除去する。 - 特許庁 - The method is furthermore comprised of removing a residual layer through etching, after forming the resist pattern over the whole substrate, patterning the polymer thin film (S116), removing the resist coated on the polymer thin film, and completing the second large area stamp (S117).
さらに、基板全体にレジストパターンが形成した後、エッチングを介して残留レイヤーを取り除いて、高分子薄膜をパターニング(S116)し、高分子薄膜にコーティングされたレジストを取り除いて大面積の第２スタンプを完成(S117)する、各段階を含む。 - 特許庁 - A collection range control means 51 of a timing generator 50 controls a collection range of the electric charges generated by the photoelectric conversion in the p-type Si substrate by controlling control voltage Vsb to be provided in the second n-type impurity layer.
タイミングジェネレータ５０の収集範囲制御手段５１は、第２のｎ型不純物層に与える制御電圧Ｖｓｂを制御することにより、ｐ型Ｓｉ基板内において光電変換により生じた電荷の収集範囲を制御する。 - 特許庁 - A dielectric having a length longer than a width and being formed in a specified length, and the built-in capacitor having a first electrode and a second electrode formed on both side walls of the dielectric respectively in the longitudinal direction of the dielectric, are contained in the insulating layer.
絶縁層内に、長さが幅より大きく所定長さに形成される誘電体と、前記誘電体の長手方向に、前記誘電体の両側壁にそれぞれ形成される第１電極および第２電極を有する内蔵型キャパシタとを含む。 - 特許庁 - A first polysilicon film 28 and a buffer oxide film 29 are sequentially formed on a semiconductor substrate comprising an etched layer, and further a second polysilicon film 30, a polish stop film 31, and a first oxide film 32 are stacked to form a hard mask.
被エッチング層を有する半導体基板上に第１ポリシリコン膜２８とバッファ酸化膜２９を順次形成し、さらに第２ポリシリコン膜３０、研磨停止膜３１及び第１酸化膜３２が積層された構造のハードマスクを形成する。 - 特許庁 - The organic electroluminescent element 16 is composed of a first electrode 13, an organic electroluminescent layer 14, and a second electrode 15 successively formed from a transparent substrate 12 side, and the light to be emitted from the organic electroluminescent element 16 is emitted from the transparent substrate 12 side.
有機エレクトロルミネッセンス素子１６は、透明基板１２側から、第１電極１３、有機エレクトロルミネッセンス層１４、第２電極１５が順に配置され、有機エレクトロルミネッセンス素子１６から出射される光が透明基板１２側から出射される。 - 特許庁 - Then the first and the second contact holes 11, 15 are arranged linearly with being put one over the other in a vertical direction X of the TFT substrate 1, and the first contact hole 11 is filled with an insulating resin 25 on the first wiring layer 14.
そして、第１及び第２コンタクトホール１１，１５が、ＴＦＴ基板１の上下方向Ｘにおいて重なった状態で直線的に配置され、第１コンタクトホール１１において、第１配線層１４上に絶縁性樹脂２５が充填されている。 - 特許庁 - The functionally graded material comprises a composition proximate the first interface being substantially free of Al_2O_3-TiO_2 and at the second interface having Al_2O_3-TiO_2 in amounts substantially equal to the first outer layer (300).
傾斜機能材料は、第１の界面に近接した位置において実質的にＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２を含まずかつ第２の界面の位置において第１の外側層（３００）と実質的に等しい量のＡｌ_２Ｏ_３−ＴｉＯ_２を有する組成を含む。 - 特許庁 - A constant voltage control type first DC/DC converter is connected between a power-generation bus A and a battery bus B, while a constant current control type second DC/DC converter 7 is connected between the power-generation bus A and an electric double-layer capacitor 6.
発電母線Ａとバッテリ母線Ｂとの間に定電圧制御型の第１ＤＣ／ＤＣコンバータが、また発電母線Ａと電気二重層コンデンサ６との間に定電流制御型の第２ＤＣ／ＤＣコンバータがそれぞれ接続される。 - 特許庁 - The information recording and reproducing device includes a memory cell, consisting of a recording layer which makes a transition reversibly between a first state having a predetermined resistance, when a voltage pulse is applied, and a second state having a resistance higher than that in the first state.
情報記録再生装置は、電圧パルスの印加によって所定の抵抗値を持つ第１の状態とこの第１の状態よりも高い抵抗値を持つ第２の状態との間を可逆的に遷移する記録層からなるメモリセルを備える。 - 特許庁 - The panty liner 1 includes a liquid-permeable top sheet 2 located on the body side of a wearing person, a liquid-impermeable back sheet 3 located on the clothing side opposite to the body side, and a second sheet 4 as an intermediate layer located between these sheets 2 and 3.
パンティライナ１は、着用者の身体側に位置する透液性のトップシート２と、その反対側である着衣側に位置する不透液性のバックシート３と、これらシート２，３の間に位置する中間層としてセカンドシート４とを含む。 - 特許庁 - As a material of the second or subsequent source or the drain electrode layer, an element selected from Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, and W, an alloy with the elements as constituents, an alloy obtained by combining the elements or the like is used.
二層目以降のソース電極層またはドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 - 特許庁 - As a material of the second source or subsequent or drain electrode layer, an element selected from Al, Cr, Cu, Ta, Ti, Mo, and W, an alloy with the elements as constituents, an alloy obtained by combining the elements or the like is used.
二層目以降のソース電極層又はドレイン電極層の材料は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、又は上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金等を用いる。 - 特許庁 - To prevent increase in substrate thickness, as much as possible, while making it possible to form each of first and second wirings of different thickness in one-time patterning on a wiring substrate having wirings of different thickness on one surface of a wiring formation layer.
配線形成層の一面上に異なる厚さの配線を有する配線基板において、厚さの異なる第１の配線および第２の配線のそれぞれを１回のパターニングで形成可能なものとしつつ、基板厚さの増加を極力防止する。 - 特許庁 - Succeedingly, the surface Wa of the substrate W is converged and irradiated with a machining laser beam as a second laser beam, removably machining the laser beam machining region R1 divided by the modified layer Wr, and thereby forming the recess (step of removing/machining).
次いで、基板Ｗの表面Ｗａに第２のレーザ光である加工用レーザ光を集光照射して改質層Ｗｒにより区切られたレーザ加工領域Ｒ１を除去加工することで凹部を形成する（除去加工工程）。 - 特許庁 - To provide a lithium ion secondary battery capable of suppressing insertion of lithium ion into a second negative electrode part of a negative electrode active material layer when charging, and suppressing degradation of a battery capacity, and to provide a vehicle with the lithium ion secondary battery and a battery-mounted device.
充電の際に、負極活物質層の第２負極部内へのリチウムイオンの挿入を抑制して、電池容量の低下を抑制可能なリチウムイオン二次電池、このリチウムイオン二次電池を搭載した車両及び電池搭載機器を提供する。 - 特許庁 - The device for removing the short circuit section of a solar cell by applying the reverse bias voltage includes one or a plurality of solar cells in which a first electrode, a photoelectric conversion layer and a second electrode are formed sequentially on a substrate.
本発明は、基板上に第１の電極と、光電変換層と、第２の電極とが順次形成された１又は複数の太陽電池セルを含む太陽電池の短絡部を、逆バイアス電圧を印加することによって除去する装置に関する。 - 特許庁 - In a first region between the gate electrode 10 and the drain electrode 8, and in a second region between the gate electrode 10 and the source electrode 9, a trench is formed in at least one portion in at least the cap layer 5 of the first region.
ゲート電極１０とドレイン電極８の間である第１領域及びゲート電極１０とソース電極９の間である第２領域のうち、少なくとも第１領域のキャップ層５において少なくとも１箇所にトレンチが形成される。 - 特許庁 - The semiconductor layer 30A includes a first low concentration region 31A formed between the channel region 33A and the source region 34A and a second low concentration region 32A formed between the channel region 33A and the drain region 35A.
半導体層３０Ａは、チャネル領域３３Ａとソース領域３４Ａとの間に形成された第１低濃度領域３１Ａ、および、チャネル領域３３Ａとドレイン領域３５Ａとの間に形成された第２低濃度領域３２Ａとを有する。 - 特許庁 - A semipermeable membrane having a separation function layer including a primary amino group is reformed by being brought into contact with a reagent, which generates a diazonium salt or its derivative when reacting with a primary amino group, for the period of one second or longer and 60 minutes or shorter.
第一級アミノ基を含む分離機能層を有する半透膜を、第一級アミノ基と反応してジアゾニウム塩またはその誘導体を生成する試薬に１秒以上６０分以内接触させて、半透膜を改質する。 - 特許庁 - To provide a capacitor-embedded printed circuit board and a method of manufacturing the printed circuit board in which deviation in an area of a second electrode in contact with a dielectric layer can be minimized, so that an electrostatic capacitance error of the capacitor can be decreased.
本発明は、第２電極の誘電層に接する面積の偏差を最小化することができ、結果的に、キャパシタの静電容量の誤差を減らすことができるキャパシタ内蔵型の印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A pattern section 130 including a wiring pattern 133 and a periphery pattern 134 is formed on a first semiconductor substrate 120, and a support substrate 140 in which a first electrically insulating layer 144 is formed on a second semiconductor substrate 142 is prepared.
第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。 - 特許庁 - As the source electrode 107 can be formed of two layers and an etching process of the second metal layer 1072 of the source electrode 107 in the through hole 130 can be eliminated, the cost for manufacturing the liquid crystal display device can be reduced.
ソース電極１０７を２層で形成できることと、スルーホール１３０におけるソース電極１０７の第２の金属層１０７２のエッチングプロセスを削減することができるので液晶表示装置の製造コストを低減することが出来る。 - 特許庁 - The channel length direction size of the epitaxial layer, where the channel region of the second n channel type MOS transistor is formed, is smaller than the channel lengthwise direction size of the element region A1, where the first n channel MOS transistor channel region is formed.
第２のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域が形成されているエピタキシャル層のチャネル長方向サイズは、第１のＮチャネル型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域が形成されている素子領域Ａ１のチャネル長方向サイズよりも小さい。 - 特許庁 - Further, after removing the film, an EL element part 4 composed by successively laminating an anode 13 composed of a transparent electric film, a light emitting layer 14 and a cathode 15 on the second region 12 composing a lens part 3, is formed, thus the light emitting apparatus for communication 1 is completed.
そして、フィルムの除去後、レンズ部３を構成する第二領域１２の上に、透明導電膜からなる陽極１３、発光層１４、陰極１５を順に重ねて構成するＥＬ素子部４を形成し、通信用発光装置１とする。 - 特許庁 - Since the bulb type recess pattern 100 has a shape of gourd consisting of the first and second ball pattern parts 25A and 27 which differs in a section shape and a diameter, it is made possible to reduce the size of the void remaining in an electric conductive layer (for example, polysilicon).
バルブ型リセスパターン１００が、断面形状及び直径が異なる第１と第２のボールパターン部２５Ａ、２７からなるひょうたん形であるので、導電層（例えば、ポリシリコン）内に残留するボイドの大きさを小さくすることができる。 - 特許庁 - The protecting element has an elastic member 20 fixed via a solder 21 to a second conductor layer 15 and energizing electrode terminals 16, 17 formed on a predetermined substrate 11 to divide an energizing passage into a plurality of current cut-off parts.
保護素子は、通電経路を複数に分割して電流遮断部とするように所定の基板１１の上に形成された第２の導体層１５及び通電電極端子１６，１７に弾性部材２０が半田２１を介して固着されている。 - 特許庁 - The first and third layers 10a, 10c which are formed of the same temperature sensitive magnetic material are set at the same thickness while the thickness of the second layer 10b is set to minimize thermal deformation due to difference in the thermal expansion coefficient.
同じ感温磁性材である第１の層１０ａおよび第３の層１０ｃとは、同じ厚さ寸法とし、それに対する第２の層１０ｂの厚さ寸法も、熱膨張率の違いに起因する熱変形を最小限とするべく設定する。 - 特許庁 - In this case, in both the end parts of the piezoelectric body, a piezoelectric material and the internal electrode are laminated alternately, and the internal electrode may be connected to each input electrode which is provided at the side or both sides. of both end parts of the piezoelectric body at every second layer.
ここで、圧電体両端部は圧電材と内部電極が交互に積層され、前記内部電極が前記圧電体両端部の側面あるいは両側面に設けた入力電極各々と１層おきに接続されていてもよい。 - 特許庁 - The first wire 21 includes a horizontal part 21A provided on the upper layer of the second wire 22 and extending in a horizontal direction and a leaf part 21B dendritically extending in a vertical direction over the first transfer electrode 11 from the horizontal part 21A.
第１の配線２１は、第２の配線２２の上層に設けられ水平方向に延びる水平部２１Ａと、水平部２１Ａから延長して枝状に垂直方向に延びて第1の転送電極１１上に延びる枝葉部２１Ｂとを有する。 - 特許庁
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