「semiconductor processes」を含む例文一覧(1127)
＜前へ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 .... 22 23 次へ＞- To reduce the number of processes of a semiconductor device including transistors of high withstand voltage and low withstand voltage of the same substrate.
高耐圧と低耐圧のトランジスタを同一基板に備える半導体装置の工程数を削減する。 - 特許庁 - To provide a forming method of a dual gate oxide film, in which twice thermal processes or ion injection which may cause the complexity of processes and damages to a semiconductor substrate are not required, and a manufacturing method of a semiconductor element utilizing the forming method.
工程の複雑性及び半導体基板の損傷を引き起こす、２回の熱工程やイオン注入を行わないデュアルゲート酸化膜を形成する方法及びそれを利用した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device which is capable of mounting semiconductor chips surely on a board while processes and materials necessary for carrying out the processes are markedly reduced and bonding a chip-side electrode and a board-side electrode together without using a lead-containing solder.
半導体チップの基板への実装を、工程及び材料の大幅な削減を図りつつ、確実に行うことができ、しかも鉛入りはんだを用いることなく、チップ側電極と基板側電極を接合できるようにする。 - 特許庁 - To easily determine model parameters included in a device model so as to represent a semiconductor element manufactured in processes having been modified with the device model when the processes of manufacturing a semiconductor integrated circuit are modified.
半導体集積回路を製造するプロセスを変更した場合において、デバイスモデルによって変更後のプロセスにより製造された半導体素子を表すためにデバイスモデルに含まれるモデルパラメータを容易に決定できるようにする。 - 特許庁 - Alternatively, a semiconductor substrate 14 is deoxidization-treated, the deoxidization-treated semiconductor substrate 14 is pasted on a support substrate 16, and a semiconductor element is formed inside the deoxidization-treated and pasted semiconductor substrate 14, and via respective processes, the semiconductor device is manufactured.
又は、半導体基板１４を脱酸素処理し、脱酸素処理された半導体基板１４を支持基板１６に貼り合わせ、脱酸素処理されて貼り合わされた半導体基板内１４に半導体素子を形成する各工程を経て半導体装置を製造する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor integrated circuit which improves the use rate of a semiconductor substrate where a semiconductor element is formed and decreases waste of manufacturing processes for the integrated circuit, a manufacturing circuit for the semiconductor integrated circuit, a semiconductor element member, an electrooptic device, and electronic equipment.
半導体素子が形成される半導体基板の利用率を向上させ、集積回路の製造プロセスにおける無駄を低減する半導体集積回路、半導体集積回路の製造方法、半導体素子部材、電気光学装置、電子機器を提供する。 - 特許庁 - To easily form a semiconductor active device in a predetermined region of a semiconductor having a crystalline phase of a big particle size in subsequent processes of a process of obtaining the semiconductor having the crystalline phase of the big particle size from a semiconductor thin film.
半導体薄膜から粒径の大きな結晶相の半導体を得る工程において、以降の工程で、粒径の大きな結晶相の半導体の範囲の所定の領域に、容易に半導体能動素子を形成可能とする。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method capable of performing a uniform thermal treatment in a semiconductor layer including impurities without increasing the number of processes and allowing metallic atoms to be excessively diffused into the semiconductor layer, and to provide a semiconductor device.
工程数の増加や金属原子が半導体層中へ過度に拡散することなく、不純物を含む半導体層の均一な熱処理を可能とする半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a deep hole reaching deep in a semiconductor substrate by usual semiconductor processes, and to provide a semiconductor device manufactured by the same.
半導体基板の深層にまで至る深い孔を有する半導体装置であれ、通常の半導体プロセスを通じて製造することのできる半導体装置の製造方法及びこの製法によって製造された半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for processing a semiconductor substrate which processes the semiconductor substrate with a solution having an extremely low concentration of CN^-ion to remove metallic contaminations therefrom, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.
半導体基板を、ＣＮ^−イオン濃度が極低濃度の溶液で処理して、金属汚染を除去する半導体基板の処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor wafer wherein the scattering of cutting scraps is reduced in cutting processes to individual semiconductor elements and damages to the semiconductor elements and a dicing plate caused by the cutting scraps are eliminated.
個々の半導体素子への切断工程での切削屑の飛散を少なくし、切断屑による半導体素子やダイシングブレードへのダメージを無くす半導体ウェーハを提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device with high productivity through simple processes as a semiconductor device manufactured by mounting a bare chip IC on a wiring board and the semiconductor device itself.
配線基板にベアチップＩＣを実装して製造する半導体装置で、簡便な工程で生産性の高い半導体装置の製造方法と、それによる半導体装置を提供すること。 - 特許庁 - To improve the reliability and degree of structural flexibility of a semiconductor device and to simplify its manufacturing processes.
半導体装置の信頼性及び構造上の自由度を向上させるとともに製造工程を容易にすることにある。 - 特許庁 - To provide a stable PLL circuit which is not much affected by the influence of dispersion of semiconductor processes or by variation in the voltage.
半導体プロセスのばらつきによる影響や電圧の変動に強く、安定したＰＬＬ回路を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device with rectangular contact holes formed thereon without increasing the number of masks or processes.
マスク数や工程を増やすことなく矩形のコンタクトホールを形成する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Thus formation of bumps, esp., forming of its seed layer is made commonly to processes of forming the wiring and a protective film, and the semiconductor manufacturing process is simplified to shorten the manufacturing time.
つまり、配線形成時に、その配線表面に、バリア層１６およびシード層１７を積層させればよい。 - 特許庁 - To reduce the number of processes and manufacturing time, in manufacturing a semiconductor device provided with a T-shaped electrode.
Ｔ型電極を備える半導体装置を製造するに当たって、工程数を減らし、製造時間を短縮する。 - 特許庁 - To reduce the number of processes, when high and low breakdown voltage transistors are formed on the same semiconductor substrate.
高耐圧トランジスタと低耐圧トランジスタとを同一半導体基板上に形成する際に工程数を削減する。 - 特許庁 - To provide a method and apparatus for controlling a temperature of a semiconductor wafer during reactive ion etching and similar processes.
反応性イオンエッチング及び同様な加工中半導体ウェーハの温度を制御する方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which is capable of preventing reduction in Schottky junction area and is manufactured at low cost with simple processes.
ショットキー接合部の面積の減少を防ぐことができるとともに、簡便なプロセスで低コストの半導体装置を得る。 - 特許庁 - The present invention relates to an inspection system for a process apparatus which processes a substrate such as a semiconductor wafer, a flat panel display or the like.
本発明は、半導体ウエハまたはフラットパネルディスプレイ等の基板を処理するプロセス装置の検査システムに関する。 - 特許庁 - The semiconductor elements formed on the wafer are measured by alternately repeating the first and second processes.
上記第１工程と第２工程とを交互に繰り返して上記ウェハ上に形成された半導体素子の測定を行う。 - 特許庁 - To manufacture a semiconductor memory device with a small number of processes which has a large contact area between an electrode and a plug at a capacitor side.
キャパシタ側の電極とプラグとの接触面積が大きな半導体記憶装置を少ない工程数で製造する。 - 特許庁 - To provide a PLL having desired frequency characteristics even if processes for manufacturing a semiconductor integrated circuit are varied.
半導体集積回路の製造プロセスがばらつきを持っても所望の周波数特性を有するＰＬＬを提供する。 - 特許庁 - Using this result, it is also possible to correct process conditions in the processes for elements of the other semiconductor devices.
この結果を利用して、他の半導体デバイスの要素に対するプロセスにおけるプロセス条件を補正することもできる。 - 特許庁 - The formation of the first doped layer 540a and its coating with the second semiconductor layer 550a are conducted in a series of processes.
第１のドーピング層５４０ａの形成と第２の半導体層５５０ａでの被覆とが一連の工程である。 - 特許庁 - To manufacture a semiconductor memory device where a pointed shape is hardly formed without increasing processes in number.
工程数を増加させることなく、浮遊ゲート電極に尖端形状が形成され難い半導体記憶装置を製造する。 - 特許庁 - In addition with the relatively small number of manufacturing processes, the semiconductor device 1 provided with the temperature sensor 41 can be manufactured.
また比較的少ない製造工程数で、温度センサ４１を備える半導体装置１を製造することができる。 - 特許庁 - To provide a high voltage applying terminal without increasing the number of manufacturing processes and manufacturing cost in a semiconductor integrated circuit.
半導体集積回路において、製造工数、製造コストの増加を伴うことなく、高電圧印加端子を設ける。 - 特許庁 - To provide a method for forming a tungsten nitride film, which is one of processes in manufacturing a semiconductor device, by using an MOCVD technique.
半導体素子の製造工程のうち、ＭＯＣＶＤ法を用いてタングステン窒化膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of reducing the number of manufacturing processes as compared with before.
従来と比較して製造工程数を少なくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an inspection method and device for discriminating inspection objects on the basis of colors in semiconductor processes.
半導体プロセスにおいて、色の違いによって検査対象物を判別する検査方法および検査装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a power semiconductor device which can be manufactured by the minimum number of processes and has a stable characteristic and a high switching speed.
最小の工程数で尚且つ、特性が安定しており、スイッチングスピードの速いパワー半導体装置を実現する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of suppressing the number of manufacture processes of an element isolation part.
素子分離部の製造工程が増加するのを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To offer a semiconductor device which enables an insulation film having a flat surface to be easily formed, without increasing the number of processes.
工程数増加なしに容易に表面平坦な絶縁膜を形成することのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for measuring a film layer state during various processes such as a semiconductor-manufacturing process.
半導体製造工程をはじめとする種々の工程中において、膜層状態を測定する方法を提供する。 - 特許庁 - The sensor segments are miniaturized, so that they can be integrated into a display module using semiconductor manufacturing processes.
センサーセグメントは小型化されることで、半導体製造プロセスを用いてディスプレイモジュールの中に統合されることができる。 - 特許庁 - To provide the fine structure of a compound semiconductor containing a quantum box and a quantum small wire in a small number of processes.
少ない工程数により、量子箱や量子細線を含む化合物半導体の微細な構造を提供すること。 - 特許庁 - The processes protect the semiconductor substrate 200 and the oxide layers on the corners 207 of the shallow trench 207 and is used for isolating the STI.
本工程は、半導体基板２００とシャロートレンチのコーナー２０７上の酸化層を保護し、STIを隔離するのに用いる。 - 特許庁 - To provide an improved semiconductor device which can be manufactured by simple and a small number of processes.
単純なプロセスと、より少ないプロセス過程により製造することができる改善された半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device manufacturing method capable of preventing cracks from occurring in a low dielectric material layer included in a semiconductor wafer without increase in the number of processes.
工程数の増加を抑制しつつ、半導体ウエハが有する低誘電材料層のクラックを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - By this setup, an expensive facility such as a clean room or the like or a special carrier for carrying semiconductor wafers can be eliminated from thereafter processes where a semiconductor device is manufactured.
これにより、この後の半導体装置の製造工程から、クリーンルーム等の高価な設備や半導体ウェハを搬送するための特殊なキャリアを削減することができる。 - 特許庁 - To provide the manufacturing method of a semiconductor device in which the front surface area of HSG (Hemi-Spherical Grain) film formed in a semiconductor capacitor lower electrode will not decrease in subsequent cleaning processes.
半導体キャパシタ下部電極に形成されるＨＳＧ膜の表面積が、後続の洗浄工程で減少しない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device, the method forming high-reliability silicon oxide films having different thicknesses on the same semiconductor with a small number of processes.
少ない工程で、異なる膜厚の信頼性の高いシリコン酸化膜を同一の半導体基板上に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a highly reliable semiconductor element having suppressed absorption of light through an electrode and also provide processes for manufacturing the simplified semiconductor element.
電極による光吸収を抑制した信頼性の高い半導体素子を提供すること及び簡便な半導体素子の製造工程を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide with less number of processes a method for manufacturing a semiconductor device, in which a plurality of wirings electrically insulated from one another, are connected to one another on a semiconductor substrate.
少ない工程で半導体基板上で互いに電気的に絶縁された複数の配線間を接続することのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a small semiconductor device on which a semiconductor chip is mounted with the CSP mounting method without an increase in the manufacturing processes through reduction in the manufacturing cost.
半導体チップがＣＳＰ実装される小型化された半導体装置であって、製造工程が増大せず、製造コストが低減された半導体装置を提供する。 - 特許庁 - To reduce the number of masks and manufacturing processes in a method for manufacturing a semiconductor device provided with a MOS transistor, a resistance element, etc. on a semiconductor substrate.
ＭＯＳトランジスタと抵抗素子等を１つの半導体基板上に備えた半導体装置の製造方法において、マスク枚数、製造工程数を削減する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device which enables a reduction in the number of manufacturing processes without sacrificing the performance and also has sufficient breakdown resistance, and to provide a manufacturing method of the semiconductor device.
性能を犠牲にすることなく、製造工程数を削減することができ、しかも、充分な破壊耐量を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a film for processing a semiconductor wafer, reduced in manufacturing cost while existing manufacturing processes are utilized, and also to provide a method of manufacturing a semiconductor chip using the film.
既存の製造プロセスを利用しながら製造コストの低減が図れる半導体ウェハ加工用フィルム及びこのフィルムを用いた半導体チップの製造方法を提供する。 - 特許庁
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