「solid-state」を含む例文一覧(12279)
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固体撮像素子を有する撮像装置に用いる低域通過フィルタであって、該低域通過フィルタは、その光入射面からの光束の一部を光進行方向に対して横ずれさせて出射させており、該光入射面は、光束の同一方向の横ずれ量が入射位置によって異なる領域を含むことを特徴としている。 - 特許庁 - The evaluation method is constituted in such a way that a coloring treatment is executed by bromine or ruthenium regarding the specific organic material which is hardly discriminated by elements in the battery component and which is constituted mainly of three elements of H, O and C, that a solid material is spatially and elementally analyzed and measured, and that the dispersion state of the specific organic material is evaluated.
電池構成部品中で元素による識別が困難である主にＨ、Ｏ、Ｃの三元素で構成された特定有機材料について、臭素またはルテニウムで染色処理を行うことにより、固体材料の空間的元素分析測定を可能とし、特定有機材料の分散状態を評価する構成とする。 - 特許庁 - The method includes a process for penetrating at least 3x105Pa (3 bar) steam into at least one conditioning agent selected from amino acids, oligopeptides, peptides and arbitrarily modified and hydrolyzed proteins in a solid state.
本発明は、少なくとも３×１０^5Pa（３バール）の圧力で蒸気を、固形状の形態にあるアミノ酸、オリゴペプチド、ペプチド、及び任意に変性し、任意に加水分解したタンパク質から選択する少なくとも一つのコンディショニング剤に浸透させる工程を含むことを特徴とする、ケラチン物質の化粧トリートメントのための化粧組成物の製造方法に関する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device includes: the imaging area 10 where the unit pixels 11 are arranged in two dimensional matrix; a vertical line drive means for driving the unit pixels based on the line and setting the signal accumulation time in the photoelectric conversion means of the driven unit pixels; and an accumulation time control means 23 for variably controlling the signal accumulation time based on line unit.
単位画素１１が二次元の行列状に配置された撮像領域１０と、単位画素を行単位で駆動し、駆動される単位画素内の光電変換手段における信号蓄積時間を設定する垂直ライン駆動手段と、信号蓄積時間を行単位で可変制御する蓄積時間制御回路２３とを具備する。 - 特許庁 - Instead of a conventional method for thinning the SOI wafer accompanying an etching stop, a method including a step of measuring thickness of a semiconductor wafer layer from its mirror finished surface to the solid-state image sensor and a step of plasma-etching the semiconductor wafer layer from the mirror finished surface to a predetermined thickness while controlling the plasma-etching amount based on the residual thickness data, is adopted.
エッチングストップを伴った従来法のＳＯＩウェーハの薄膜化に代えて、半導体ウェーハ層の鏡面化された面から固体撮像素子までの厚さを測定し、その残厚データに基づき、半導体ウェーハ層を、その鏡面化された面から所定厚さまで、プラズマエッチング量を制御してプラズマエッチングする方法を採用した。 - 特許庁 - To provide a duty correction circuit, delay locked loop (DLL) circuit, column A/D converter, solid-state imaging device and camera system in which one element is enabled to deal with both the cases where a duty ratio is greater and smaller than 50%, and not only the number of elements but also the number of times of switching can be reduced, thereby reducing current consumption.
デューティ比が５０％より大きい場合も小さい場合も両方を一つの素子で対応が可能であり、素子数を削減できるだけではなく、スイッチング回数を削減することが可能で、消費電流を削減することができるデューティ補正回路、ＤＬＬ回路、カラムＡ／Ｄ変換器、固体撮像素子、およびカメラシステムを提供する。 - 特許庁 - The Nb solid solution of a high melting point metal with a body-centered cubic lattice structure and a B2 type intermetallic compound TiNi are mixed in an optional ratio, and the mixed compound is melted and cast to form a multiphase structure in which an Nb phase serving as a superconducting phase and a TiNi phase serving as a non-superconducting phase are alternately arranged in a layer state.
体心立方格子構造を有する高融点金属のＮｂ固溶体とＢ２型金属間化合物ＴｉＮｉとを任意の割合で配合し、当該配合された配合物を溶解、鋳造し、超伝導相となるＮｂ相と常伝導相となるＴｉＮｉ相とが、層状で交互に配列する複相組織を形成する。 - 特許庁 - A solid state image pickup device includes: a photoelectric conversion section (11) having a plurality of photodiodes; a CCD section (12) supplying a signal charge supplied from the photoelectric conversion section (11) to a charge detection section (14); and a charge storage section (13) provided between the photoelectric conversion section (11) and the CCD section (12) and storing the signal charge.
複数のフォトダイオードを有する光電変換部（１１）と、光電変換部（１１）から供給される信号電荷を電荷検出部（１４）に供給するＣＣＤ部（１２）と、光電変換部（１１）とＣＣＤ部（１２）との間に設けられ、信号電荷を蓄積する電荷蓄積部（１３）とを具備する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁 - In the solid-state electrolytic capacitor 1, a path of current flowing from a bottom toward a top of a laminate 3 via a cathode 13 of the capacitor element 2 and a path of current flowing from a canopy 22 via a coupling part 21 to a cathode terminal 7 are set reverse to each other, whereby reduction of ESL can be achieved by mutual inductance effects in a simple structure.
固体電解コンデンサ１では、コンデンサ素子２の陰極部１３を積層体３の底部から頂部に向かって流れる電流の経路と、庇部２２から連結部２１を通って陰極端子７に流れる電流の経路とが互いに逆方向になることにより、簡単な構造で相互インダクタンス効果による低ＥＳＬ化が図られる。 - 特許庁 - The solid-state imaging device has: a first semiconductor region 23 of a first conductivity type; a photoelectric conversion unit PD having a second semiconductor region 25 of a second conductivity type that is formed in a region isolated by an element isolation region 28 in the first semiconductor region; and pixel transistors (Tr1 to Tr4) formed in the first semiconductor region.
第１導電型の第１の半導体領域２３と、第１の半導体領域の素子分離領域２８で分離された領域内に形成された第２導電型の第２の半導体領域２５を有する光電変換部ＰＤと、第１の半導体領域に形成された画素トランジスタ（Ｔｒ１〜）Ｔｒ４）を有する。 - 特許庁 - The solid-state imaging apparatus includes a light receiving section 103 and a transfer channel 105 formed on a semiconductor substrate 101, a transfer electrode 121 formed on the transfer channel 105, an antireflection film 123 formed on the light receiving section 103, and a light shielding film 125 which covers the transfer electrode 121 and comes into contact with a side surface of the antireflection film 123.
固体撮像装置は、半導体基板１０１に形成された受光部１０３及び転送チャネル１０５と、転送チャネル１０５の上に形成された転送電極１２１と、受光部１０３の上に形成された反射防止膜１２３と、転送電極１２１を覆い且つ反射防止膜１２３の側面と接する遮光膜１２５とを備えている。 - 特許庁 - The process for producing the anisotropic conductive film includes an application step wherein a composition containing a film forming resin, a polymerizable acrylic compound, an organic peroxide, and a conductive particle are applied on a stripping base material, and a solidification step wherein the composition on the stripping base material is cooled to convert the organic peroxide into a solid state at ambient temperature.
剥離基材上に、膜形成樹脂と、重合性アクリル系化合物と、有機過酸化物と、導電性粒子とを含有する組成物を塗布する塗布工程と、前記剥離基材上の組成物を冷却し、前記有機過酸化物を常温で固体の状態にする固体化工程とを有する異方性導電フィルムの製造方法。 - 特許庁 - In the solid-state imaging apparatus with a column A/D conversion circuit 106 which converts a pixel signal S103 output by a pixel 101 into a digital signal, the column A/D conversion circuit 106 is provided with a comparator 107 which outputs a result (comparison result signal S123) of voltage comparison between the pixel signal S103 and analog lamp voltage S122.
画素１０１が出力した画素信号Ｓ１０３をデジタル信号に変換するカラムＡ／Ｄ変換回路１０６を備えた固体撮像装置において、カラムＡ／Ｄ変換回路１０６に、画素信号Ｓ１０３とアナログランプ電圧Ｓ１２２との電圧比較の結果（比較結果信号Ｓ１２３）を出力する比較器１０７を設ける。 - 特許庁 - To provide a preparation method of a color curable composition excellent in dispersibility and dispersion stability; and to provide a color curable composition obtained by the method, a method for producing a color filter having high color purity and reduced color unevenness, a color filter obtained by the production method, and a solid-state imaging device having high resolution.
分散性、分散安定性に優れた着色硬化性組成物の調製方法を提供し、それによって得られた着色硬化性組成物を提供し、また、色純度が高く、色ムラ発生が抑えられたカラーフィルタの製造方法を提供し、それによって得られたカラーフィルタを提供し、さらに高解像度の固体撮像素子を提供する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a solid-state imaging device includes: a step for forming an imaging area and a peripheral circuit area on a substrate; a step for forming a plurality of wiring patterns so that the wiring pattern density of the peripheral circuit area may be higher than that of the imaging area; and a step for forming an insulation film to embed among the wiring patterns.
本発明の固体撮像装置の製造方法は、基板上に撮像領域と周辺回路領域を形成する工程と、撮像領域よりも周辺回路領域の配線パターン密度が高くなるように複数の配線パターンを形成する工程と、配線パターンの間を埋め込む絶縁膜を形成する工程を有する。 - 特許庁 - To obtain a laser light source device using a semiconductor laser, where heat generated by a solid-state laser crystal is prevented from transmitting to a wavelength conversion element having a relatively inferior temperature characteristic while preventing an increase in cost and size of the device, thereby enabling supply of a stabilized semiconductor laser light at all times.
半導体レーザを用いたレーザ光源装置において、装置のコストアップや大型化を防止しつつ、固体レーザ結晶の発熱が、相対的に温度特性の悪い波長変換素子へ熱伝達してしまうことを防止し、この結果、常に安定した半導体レーザを供給することができるレーザ光源装置を得ることを目的とする。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device includes a pixel region used to generate pixels, the black reference region provided outside the pixel region, and a dummy region provided between the black reference region and the pixel region, and including a light shield pattern 113A for blocking light 10 entering the black region from the pixel region.
固体撮像装置は、画素の生成に使用される画素領域と、前記画素領域の外側に設けられた黒基準領域と、前記黒基準領域と前記画素領域との間に設けられ、前記画素領域から前記黒領域に侵入する光１０を遮光するための遮光パターン１１３Ａを含むダミー領域とを具備している。 - 特許庁 - A solid state imaging device includes: a transfer gate 32 transferring signal charges accumulated in the photon-to-current conversion part to the charge-to-voltage conversion part 26; wiring 42 for outputting a signal voltage generated in the charge-to-voltage conversion part 26; and a relay electrode 38 relaying electric connection between the charge-to-voltage conversion part 26 and the wiring 42.
本発明の固体撮像装置は、光電変換部に蓄積された信号電荷を電荷電圧変換部２６に転送する転送ゲート３２と、電荷電圧変換部２６で生成された信号電圧を出力するための配線４２と、電荷電圧変換部２６と配線４２との電気的な接続を中継する中継電極３８とを備える。 - 特許庁 - There is provided a method for recovering nitric acid from a waste liquid containing a nitrate comprising separating and recovering nitric acid from the waste liquid, which method comprises bringing the waste liquid to a sub-critical water state to hydrolyze the nitrate and separating and recovering nitric acid by a solid/liquid separation means from a mixture containing nitric acid and a metal oxide formed by the hydrolysis of the nitrate in the waste liquid.
硝酸塩を含有する廃液から硝酸を分離して回収する廃液からの硝酸回収方法であって、前記廃液を亜臨界水状態にして加水分解し、前記廃液の加水分解により生成した硝酸と金属酸化物を含む混合液から固液分離手段により硝酸を分離して回収する。 - 特許庁 - The method of manufacturing the contact region on a substrate 10, having a sintered porous layer 12 made from aluminum or aluminum containing material on a side of the contact region, includes a step of compressing and/or removing the porous layer 12, by having the porous layer 12 irradiated with a laser beam 24 from a solid-state laser 22, in order to form at least one partial contact region 20 on the substrate 10.
基板１０はコンタクト側にアルミニウムまたはアルミニウム含有物からなる焼結された多孔性の層１２を備え、多孔性の層１２に固体レーザ２２からレーザビーム２４を照射し、多孔性の層１２を圧縮および／または除去することで、基板１０に、少なくとも１つの部分的なコンタクト領域２０を形成する。 - 特許庁 - When a boot process is detected from other than an HDD (hard disk drive) 121 or an SSD (solid state drive) 123, device information is obtained from each of the HDD 121 and SSD 123, priority is determined by a SATA (serial advanced technology attachment) controller 126 in accordance with the obtained device information, and the operating system is installed in the highest-priority storage device.
ＨＤＤ１２１及びＳＳＤ１２３以外からのブート処理を検出した場合、ＨＤＤ１２１及びＳＳＤ１２３のそれぞれからデバイス情報を取得し、取得したデバイス情報に従ってＳＡＴＡコントローラ１２６によって優先順位を決定し、優先順位の一番高い記憶装置にオペレーティングシステムをインストールする。 - 特許庁 - To provide a high-storage stability dispersion composition having a high dispersibility of titanium black and not undergoing titanium black settlement even after a lapse of time; and to provide a photosensitive composition which, when used in pattern formation, prevents residues in an unexposed area and has a high adhesion sensitivity, a light-shielding color filter of a high light-shielding property, a solid state imaging device, and a liquid display device.
チタンブラックの分散性が高く、経時後もチタンブラックが沈降しない保存安定性の高い分散組成物を提供し、パターン形成したときに未露光部における残渣が抑制され、さらに密着感度が高い感光性組成物、遮光性の高い遮光性カラーフィルタ、固体撮像素子、及び液晶表示装置を提供する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device including a photoelectric conversion part (1) having a photodiode, a charge storage part (3), a charge transfer part (5), a first control gate part (2) provided between the photoelectric conversion part (1) and the charge storage part (3), and a second control gate part (4) provided between the charge storage part (3) and the charge transfer part (5), is constituted.
フォトダイオードを有する光電変換部（１）と、電荷蓄積部（３）と、電荷転送部（５）と、その光電変換部（１）とその電荷蓄積部（３）との間に設けられた第１制御ゲート部（２）と、その電荷蓄積部（３）とその電荷転送部（５）との間に設けられた第２制御ゲート部（４）とを具備する固体撮像装置を構成する。 - 特許庁 - The substrate processing apparatus includes a processing chamber 1 having a substrate supporting part for supporting a member 18 to be etched and a substrate, a gas supply unit for supplying halogen gas so as to allow the member to be etched in the processing chamber to be exposed therewith, a plasma generation unit for making the supplied gas in a plasma state, and a power source for applying the DC current to a solid metal as the member to be etched.
被エッチング部材１８及び基板を支持する基板支持部を有する処理室１と、前記処理室内の前記被エッチング部材にハロゲンガスを晒すように供給するガス供給部と、前記供給されたガスをプラズマ状態とするプラズマ生成部と、前記被エッチング部材である固体金属に直流電流を印加する電源とを有する。 - 特許庁 - It has a first antireflection film 11 on a semiconductor substrate 2 at the sensor part 3, a second antireflection film formed thereon via an inter-layer film 6 or directly, so that the first and second antireflection films pass specified wavelength lights, thus constituting a solid state imaging element.
また、センサ部３の半導体基板２上に第１の反射防止膜１１を有し、その上に層間膜６を介して又は介さないで第２の反射防止膜１２または１３が形成され、第１の反射防止膜１１及び第２の反射防止膜１２または１３により特定波長光λ１を通すようにして成る固体撮像素子２１，３１，４１を構成する。 - 特許庁 - The solid-state electrolytic capacitor is manufactured by forming a dielectric oxide film on a surface of a flat plate type anode body having the pore, forming a thin film layer of a conductive polymer into the pore by chemical oxidation polymerization to ≤8% of the pore volume, and then laminating a conductive polymer layer thereupon by electrolytic polymerization.
細孔を有する平板状の陽極体表面に誘電体酸化皮膜を形成し、この細孔内に、当該細孔容積の８％以下となるよう化学酸化重合による導電性高分子の薄膜層を形成し、次いで、その上に、電解重合による導電性高分子層を積層する固体電解コンデンサを作製する。 - 特許庁 - The solid-state memory includes a superlattice laminate SL formed by laminating a plurality of crystal layers including crystal layers 1, 2 differing in composition, a lower electrode 3 provided on one surface SLa of the superlattice laminate SL in a laminating direction, and an upper electrode 4 provided on the other surface SLb of the superlattice laminate in the laminating direction.
互いに組成の異なる結晶層１，２を含む複数の結晶層が積層されてなる超格子積層体ＳＬと、超格子積層体ＳＬの積層方向における一方の面ＳＬａに設けられた下部電極３と、超格子積層体ＳＬの積層方向における他方の面ＳＬｂに設けられた上部電極４とを備える。 - 特許庁 - To obtain a cleaning agent composition for cleaning the skin and hairs of human beings, which is capable of keeping stable paste form or solid state in a wide range of temperatures, has a good foaming property without giving a slimy feeling when rinsing, and in addition to the above effects, does not give any irritative feeling at all, and also makes creamy foams.
広い温度範囲において安定してペースト状〜固形状を呈し、また泡立ちが良好で、すすぎ時にもぬめりのない使用感を有する、ヒトの皮膚、毛髪等を洗浄するための洗浄剤組成物、および、上記効果に加えてさらに使用時のひりつき感がなく、クリーミーな泡質を有する洗浄剤組成物を提供する。 - 特許庁 - This solid-state imaging element includes: avalanche photodiodes each having a structure including an n+ region 2 and a p+ region 3 each formed by extending in the thickness direction of a semiconductor substrate 7, and an avalanche region 4 interposed between the n+ region 2 and the p+ region 3; and a pixel repeatedly including the plurality of structures of the avalanche photodiodes.
それぞれ半導体基体７の厚さ方向に延びて形成された、ｎ^＋領域２と、ｐ^＋領域３と、ｎ^＋領域２とｐ^＋領域３とに挟まれているアバランシェ領域４とを有する構造のアバランシェフォトダイオードと、このアバランシェフォトダイオードの構造を複数個繰り返し含む画素を含む固体撮像素子を構成する。 - 特許庁 - To provide a plate making method for an original plate of an IR photosensitive planographic printing plate which permits direct plate making by recording from digital data of a computer, etc., using a solid-state laser radiating IR rays and a semiconductor laser and a plate making method which imparts a high sensitivity to the IR laser and good printing resistance to the original plate and reduced the contamination by abrasion.
赤外線を放射する固体レーザー及び半導体レーザーを用いてコンピューター等のデジタルデータから記録することにより直接製版が可能な赤外線感光性平版印刷版原版の製版方法であって、赤外線レーザーに対し高感度でかつ良好な耐刷性を有し、アブレーションによる汚染の少ない、製版方法を提供すること。 - 特許庁 - A preamplifier section (column region section) 61 of a solid-state imaging device 10 is provided with a pixel signal control section 200 wherein a pixel signal detection section 210 independently detects the level of each pixel signal at the output side of pixel signal amplifier sections 230 and independently sets a gain to each of the pixel signal amplifier sections 230 in accordance with the level of the signal.
固体撮像素子１０のプリアンプ部（カラム領域部）６１に、垂直信号線１５８ごとに、画素信号検出部２１０にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部２３０の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部２３０に対してゲインを設定する画素信号制御部２００を設ける。 - 特許庁 - This heat absorbing or dissipating body 100 receives temperature energy of thermal conductive fluids 110 flowing in a first fluid pipe 101 and a second fluid pipe 102, and exerts a cold energy releasing function for absorbing heat to solid-phase, rubber-state, liquid-phase or vapor-phase article or space 200, or a heat energy releasing function by dissipation.
吸熱または放熱体１００は、第一流体配管１０１及び第二流体配管１０２で流動する導温流体１１０の温度エネルギーを受け、固相またはゴム状態または液相または気相物体または空間２００に対して吸熱する冷熱エネルギー放出機能を作動させ、または、放熱の熱エネルギー放出機能を作動させる。 - 特許庁 - In the gas-phase olefin polymerization method wherein a solid component containing a metallocene catalyst is supplied to a gas-phase fluidized bed reactor and the copolymerization of ethylene and a 3-12C α-olefin in a gaseous state is started, ethylene and the 3-12C α-olefin are supplied simultaneously to the reactor to start the reaction.
メタロセン系触媒含有固体成分を気相流動床反応器に供給し、気相状態でエチレン及び炭素数３〜１２のα−オレフィンとの共重合を開始させる方法において、エチレン及び炭素数３〜１２のα−オレフィンとを同時に反応器に供給して反応を開始することを特徴とするオレフィンの気相重合方法。 - 特許庁 - A solid-state imaging apparatus includes a plurality of pixels which are disposed in a matrix shape and output signals corresponding to luminance of incident light; a plurality of memories for storing signals of the plurality of pixels; a horizontal signal line onto which signals stored in each of the memories are read out sequentially; and a horizontal shift register for selecting a memory to read signals onto the horizontal signal line.
固体撮像装置は、行列状に配置され、入射光の輝度に応じた信号を出力する複数の画素と、複数の画素の信号を蓄積する複数のメモリと、各メモリに蓄積された信号が順次読み出される水平信号線と、水平信号線へ信号を読み出すメモリを選択する水平シフトレジスタとを備えている。 - 特許庁 - The solid-state imaging apparatus is provided with: a plurality of light receiving pixels for outputting a pixel signal in response to a light receiving amount; an OB pixel region comprising a plurality of optical black pixels for outputting a dark signal to decide a reference level of the pixel signal; and a read section for reading the pixel signal and the dark signal and transferring them to a clamp circuit.
固体撮像装置は、受光量に応じた画素信号を出力する複数の受光画素と、画素信号の基準レベルを定めるためのダーク信号を出力する複数のオプティカルブラック画素からなるＯＢ画素領域と、画素信号及びダーク信号を読み出してクランプ回路に向けて転送する読み出し部とを備えている。 - 特許庁 - To solve the problem wherein, in a conventional solid-state imaging device in which a single-layer silicon oxide film formed on a semiconductor substrate is patterned into a prescribed shape by wet etching to form a field insulation film, a short circuit between electrodes is easily caused on a side face (etching face) of the field insulation film when forming various electrodes by patterning a conductive film by etching.
半導体基板上に形成した単層のシリコン酸化膜をウェットエッチングにより所定形状にパターニングしてフィールド絶縁膜を形成する従来の固体撮像素子では、導電膜をエッチングによってパターニングして種々の電極を形成する際に、フィールド絶縁膜の側面（エッチング面）上において電極同士の短絡が生じやすい。 - 特許庁 - This copper based plain bearing material obtained by sintering and laminating a copper alloy to a steel back plate has a composition cintaiing >2 to 4% Ag and 1 to 10% Sn, and the balance substantially Cu, and at least on the surface side of the sintered layer, Ag and Sn lie in a state of being perfectly or substantially entered into solid solution in the Cu matrix.
銅合金を鋼裏金に焼結・成層してなる銅系すべり軸受材料において、Ag:２％を超え４％以下、Sn：１〜１０％を含有し、残部が実質的にCuからなり，焼結層の少なくとも表面側でAg及びSnがCuマトリックス中に完全もしくは実質的に固溶した状態である銅系すべり軸受材料。 - 特許庁 - A solid-state imaging element comprises: at least two infrared detecting sections 2A, 2B formed on a semiconductor substrate 100; electrical wires 2313A, 2312B for connecting at least two infrared detecting sections in series; and a comparison section 30 for comparing a potential in the middle of the electrical wires for connecting the infrared detecting sections in series with a preset reference potential.
半導体基板１００上に形成された少なくとも２個の赤外線検出部２Ａ、２Ｂと、少なくとも２個の赤外線検出部を直列に接続する電気配線２３１３Ａ、２３１２Ｂと、赤外線検出部を直列に接続する電気配線の中間の電位を、予め設定された参照電位と比較する比較部３０と、を備えている。 - 特許庁 - When converting various kinds of chrominance signals converted in terms of natural logarithm to the quantity of incident light outputted from a solid-state image pickup device 1 to a digital signal by an A/D converter 2, DC voltages VDD and VSS to be applied for generating a reference voltage in the A/D converter 2 are switched by a control part 3 for each kind of chrominance signals.
固体撮像素子１より出力される入射光量に対して自然対数的に変換された各種色信号をＡ／Ｄ変換器２でデジタル信号に変換する際、Ａ／Ｄ変換器２で基準電圧を生成するために与えられる直流電圧ＶDD，ＶSSが色信号の種類毎に制御部３によって切り換えられる。 - 特許庁 - Thus, the high-optical-performance imaging lens having a retrofocus type constitution comprising three lenses having positive refractive power and two lenses having negative refractive power, realizing the reduction of cost, capable of securing an appropriate back focus, restraining an emitting angle to be small, having a wide angle of view and made bright and capable of coping with the high-density solid-state image pickup element.
これにより、正の屈折力をもつ３枚のレンズと負の屈折力をもつ２枚のレンズとからなるレトロフォーカスタイプの構成であり、コストを低減でき、適切なバックフォーカスを確保でき、射出角度を小さく抑えた、広画角で明るく、高密度の固体撮像素子にも対応できる光学性能の高い撮像レンズが得られる。 - 特許庁 - The solid state image sensor 21 comprises a plurality of sensor parts 11, a read gate part 12, and a transfer register 13 consisting of a transfer region 5 and a transfer electrode 7 wherein the transfer region 5 and the sensor part 11 are fabricated in a semiconductor layer 1 and the surface of the semiconductor layer 1 in the transfer region 5 is formed deeper than the surface of the sensor part 11.
複数のセンサ部１１と、読み出しゲート部１２と、転送領域５及び転送電極７から成る転送レジスタ１３とを有し、転送領域５及びセンサ部１１が半導体層１内に形成され、この半導体層１の転送領域５の表面がセンサ部１１の表面よりも深く形成されている固体撮像素子２１を構成する。 - 特許庁 - A first region requiring a high driving capacity is irradiated with CW laser light at a low rate under a state where an a-Si film is patterned by lithography and etching into an island pattern 11 (or a ribbon pattern) whereas a second region not requiring a high driving capacity is irradiated with the CW laser light in the form of a solid a-Si film.
高い駆動能力を要する第１の領域には、ａ−Ｓｉ膜をアイランドパターン１１（又はリボンパターン）にリソグラフィー及びエッチングによりパターニングした状態でＣＷレーザ光を低速で照射し、高い駆動能力を要しない第２の領域には、ａ−Ｓｉ膜のベタ膜のままＣＷレーザ光を高速で照射する。 - 特許庁 - In the solid-state imaging apparatus, one horizontal scan period includes: a vertical read period 201 when signals outputted from pixels are read out through vertical signal lines; and a horizontal read period 202 when signals of respective columns read out in the vertical read period 201 are successively outputted from an output part SOUT of an output circuit.
固体撮像装置において、１つの水平走査期間には、画素から出力された信号を垂直信号線を介して読み出す垂直読み出し期間２０１と、垂直読み出し期間２０１に読み出された各列の信号を、順次出力回路の出力部ＳＯＵＴから出力させる水平読み出し期間２０２とがある。 - 特許庁 - To prevent the occurrence of a period when both exposure adjustments by a diaphragm and by gain control are not performed when performing automatic exposure adjustment by using both exposure adjustment by the diaphragm and exposure adjustment by the gain control of an electron multiplication type solid-state imaging device.
この発明は、絞りによる露光調整と電子増倍型固体撮像素子のゲイン制御による露光調整とを併用して自動露光調整を行なう際、絞り及びゲイン制御による露光調整が共に行なわれなくなる期間が発生することを防止し得るカメラの露出制御装置及び露出制御方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - In a 2nd linear matrix compensation part 50 of the solid state imaging device 10, color shading compensation is made by subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to one side of red pixels from outputs of red pixels, and subtracting a value multiplied a predetermined matrix factor to outputs of green pixels neighboring to blue pixels from outputs of blue pixels.
固体撮像装置10は、第２のリニアマトリクス補正部50において、赤画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、赤画素の出力から減算し、青画素の片側に近接する緑画素の出力に所定のマトリクス係数を乗算した値を、青画素の出力から減算して色シェーディング補正する。 - 特許庁 - An AD memory part 130 is constituted by arranging a unit memory 131 in two-dimensional arrangement corresponding to each pixel arrangement of the pixel array part 110, sequentially accumulates the analog pixel signals read through a perpendicular signal line and performs various kinds of processings (for example, solid-state pattern noise removal and gain adjustment, etc., by CDS) including the AD conversion.
ＡＤメモリ部１３０は、画素アレイ部１１０の各画素配列に対応する２次元配列で単位メモリ１３１を配置して構成され、垂直信号線を通して読み出されたアナログ画素信号を順次蓄積し、ＡＤ変換を含む各種の処理（例えばＣＤＳによる固体パターンノイズ除去やゲイン調整等）を行う。 - 特許庁 - To provide an inexpensive image pickup module where mounting accuracy of a lens member with respect to a solid-state image pickup element in an optical axis direction is enhanced, a focus adjustment mechanism is omitted, the structure is simplified, the number of components is reduced, the assembly is enhanced, the product is made small, and the reliability of the product is improved.
本発明の目的は、固体撮像素子に対するレンズ部材の光軸方向の取付け精度を向上し、ピント調整機構が省略できると共に、構造の簡略化が図れ、部品点数の削減、組立て性の向上、製品の小形化と製品の信頼性の向上が図れ、しかも安価な撮像モジュールを提供する事にある。 - 特許庁 - The curable composition for a color filter of a solid-state imaging sensor contains an alkali-soluble resin having a ratio of weight average molecular weight to number average molecular weight (weight average molecular weight/number average molecular weight: dispersion degree) of from 1.1 to 1.5, a photopolymerization initiator, a colorant, a compound having an ethylenically unsaturated double bond, and a solvent.
重量平均分子量と数平均分子量との比（重量平均分子量／数平均分子量：分散度）が１．１〜１．５であるアルカリ可溶性樹脂と、光重合開始剤と、着色剤と、エチレン性不飽和二重結合を含有する化合物と、溶剤と、を含有する固体撮像素子のカラーフィルタ用硬化性組成物である。 - 特許庁 - In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.
ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁 - In the laser irradiation apparatus comprising a laser oscillator, a diffractive optical element, and a slit, the opening of the slit can be varied in length in the lengthwise direction, the incidence in the direction toward a substrate is oblique, and further, the laser is a continuously oscillated solid-state, gas or metal laser, or a pulsed oscillation one having a frequency of 10 MHz or higher.
レーザ発振器と、回折光学素子と、スリットとを有するレーザ照射装置において、スリットはスリット開口部の長手方向の長さを可変可能であり、基板方向への入射は斜めからであり、更に、レーザは、連続発振の固体レーザまたは気体レーザまたは金属レーザ、もしくは１０ＭＨｚ以上のパルス発振のレーザであることを特徴とする。 - 特許庁
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