「solid-state」を含む例文一覧(12279)
＜前へ 1 2 .... 236 237 238 239 240 241 242 243 244 245 246 次へ＞- The method of manufacturing the solid-state image pickup apparatus includes a step of forming a hard mask, having an aperture on the front surface of image pickup area where a plurality of pixels, having photoelectric converting elements are arranged and a step of forming any one of the first, second and third color filter elements within the aperture of hard mask.
固体撮像装置の製造方法では、光電変換素子を有する複数の画素が配列された撮像領域の表面上に開口部を有するハードマスクを形成する工程と、ハードマスクの開口部内に、第１色目フィルタ成分、または第２色目フィルタ成分と第３色目色フィルタ成分、のいずれかを形成する工程を有する。 - 特許庁 - The composition for a solid state imager comprises (A) particles in which when the total amount of metal atoms present in a particle surface is considered to be 100 at.%, the percentage of silicon atoms present in the particle surface is ≥20 at.%, (B) a compound having two or more (meth)acryloyl groups, (C) a photopolymerization initiator and (D) an organic solvent.
下記成分（Ａ）〜（D）：（Ａ）粒子表面に存在する金属原子の総量を１００原子％としたときに、粒子表面に存在するケイ素原子の割合が２０原子％以上である粒子、（Ｂ）２個以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物、（Ｃ）光重合開始剤、及び（Ｄ）有機溶剤を含有する固体撮像素子用組成物。 - 特許庁 - In the solid-state imaging device, the lower electrodes 113 and the contact wiring 111 are connected through openings provided in the light-shielding film 112 each corresponding to the contact wiring 111, and the light-shielding film 112 is formed in the entire region of the gaps between the adjacent lower electrodes 113 on the insulating film 110 except for the places of the openings.
そして、固体撮像装置は、下部電極の１１３とコンタクト配線１１１とが、遮光膜１１２にそれぞれ対応して設けられた開口を介して接続されており、遮光膜１１２が、絶縁膜１１０上において、開口された箇所を除き、隣接する下部電極１１３間の隙間の全域に形成されている。 - 特許庁 - This method for producing the biological pesticide is characterized by mixing at least one antagonistic microorganism with excessive sludge discharged from an active sludge facility and then drying the obtained mixture in the solid state as such at a temperature of ≤40°C to give a final water content of ≤20%, and the biological pesticide is obtained by the method.
活性汚泥施設から排出される余剰汚泥に、少なくとも１種類の拮抗微生物を混合し、得られた混合物を４０℃以下の温度で固形物のまま乾燥して、水分含有量が最終的に２０％以下となるように調整することを特徴とする生物農薬の製造方法、及び該方法で得られた生物農薬。 - 特許庁 - The solid-state imaging device comprises a plurality of modulation transistors Tm which are provided to a pair of photoelectric conversion regions adjoining in one direction of two-dimensional matrix, respectively, of which the threshold voltage of channel is controlled by the optical generation charge held by a modulation well, to output pixel signals corresponding to the optical generation charges.
本発明の固体撮像装置は、２次元マトリックスの一方向において隣り合う１組の光電変換領域毎に１つずつ設けられ、変調用ウェルに保持された前記光発生電荷によってチャネルの閾値電圧が制御され、前記光発生電荷に応じた画素信号を出力する複数の変調トランジスタＴｍを有する。 - 特許庁 - An AD memory part 130 is constituted by arranging a unit memory 131 in two-dimensional arrangement corresponding to each pixel arrangement of the pixel array part 110, sequentially accumulates the analog pixel signals read through a perpendicular signal line and performs various kinds of processing (for example, solid-state pattern noise removal and gain adjustment, etc. by CDS) including the AD conversion.
ＡＤメモリ部１３０は、画素アレイ部１１０の各画素配列に対応する２次元配列で単位メモリ１３１を配置して構成され、垂直信号線を通して読み出されたアナログ画素信号を順次蓄積し、ＡＤ変換を含む各種の処理（例えばＣＤＳによる固体パターンノイズ除去やゲイン調整等）を行う。 - 特許庁 - To provide a solid-state image pickup element where an electric signal is optionally compressed in a vertical direction and a horizontal output data rate can be compressed and that has provision for a moving picture, a still picture with balanced resolution and for a progressive operation, to provide its drive method and a camera system.
色差信号Ｃｒ，Ｃｂが五の目状の配置の補色カラーコーディングの場合には、２画素分離れた同じ色成分の信号同士の加算によって垂直圧縮処理を実現することになるため、水平方向の解像度が通常の水平２繰り返しコーディングに対して水平４繰り返しと同程度（即ち、１／２）に低下する。 - 特許庁 - To provide a solid-state light-emitting element lamp which can be used in place of a fluorescent tube without requiring any improvement or modification of an existing inverter type fluorescent lighting fixture, can maintain lighting even if the supply voltage of the inverter type fluorescent lighting fixture drops gradually, and can contribute to enhancement of versatility while eliminating economic waste due to improvement or modification.
既存のインバーター式蛍光灯器具に何ら改良、改造を加えることなく蛍光管に代えて取付使用でき、インバーター式蛍光灯器具が段階的に供給電圧を低下させても点灯を維持でき、改良・改造による経済的無駄をなくすことができるとともに、汎用性の向上に寄与できる固体発光素子ランプを提供する。 - 特許庁 - A CCD type solid-state image pickup device incorporates at least voltage generating circuits (11-17) for obtaining a plurality of or a single trigger pulse and two kinds of positive and negative power supplies from the outside to drive a vertical CCD, a horizontal CCD, a reset transistor and an output circuit using a predetermined pulse voltage and a DC voltage by inputting the trigger pulse.
ＣＣＤ型固体撮像素子において、外部から複数個のまたは単一のトリガパルスと正、負の２電源の供給を得て、垂直ＣＣＤ、水平ＣＣＤ、リセットトランジスタおよび出力回路をトリガパルスの入力により所定のパルス電圧および直流電圧により駆動する電圧発生回路（１１〜１７）を少なくとも内蔵することとする。 - 特許庁 - A solid-state image sensing element is constituted by providing a plurality of sensors 2 and a color filter 10 formed above the sensor 2, providing a fading filter 12 in the sensor 2 side from the color filter 10 on some sensors 2 and forming the fading filter 12 of a material whose reflectivity in air to light in a visible light region is 50% or less.
複数のセンサ部２と、センサ部２の上方に形成された色フィルタ１０とを有し、一部のセンサ部２上において色フィルタ１０よりもセンサ部２側に減光フィルタ１２を設け、この減光フィルタ１２を可視光域の光に対する空気中における反射率が５０％以下の材料により形成して固体撮像素子を構成する。 - 特許庁 - To obtain a flexographic printing plate which yields good printed matter having good ink receptivity of a solid part in printing on a pour body to be printed such as corrugated cardboard or regenerated paper having a rugged surface, hardly causes deformation (cold flow) in storage and transport in the unhardened state and the surface tackiness of the resultant plate and forms a high sensitivity sharp image.
表面に凹凸がある段ボールや再生紙など質の悪い被印刷体への印刷に於いて、ベタ部分へのインキ乗りが良い良好な印刷物を与え、未硬化版を貯蔵・輸送する際の変形（コールドフロー）と得られる版のべとつきが少なく、しかも高感度でシャープな画像が得られることを可能にしたフレキソ印刷版を提供する。 - 特許庁 - Scanning speed of a read light beam to the solid-state detector 10 by a read light scanning means 20 and sampling frequency in the case that an image signal acquisition means 50 acquires an image signal from current detected by a current detection means 30 are controlled by a reading speed changing means 60 corresponding to the high-speed reading mode or the high-definition mode.
高速読取モードまたは高画質モードに対応して、読取速度変更手段６０により、読取光走査手段２０による固体検出器１０に対する読取光の走査速度と、電流検出手段３０により検出された電流から画像信号取得手段５０が画像信号を取得する際のサンプリング周波数とを制御する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device comprises a driving means for reading, in a first field output period, the signal charge of the field from a reading gate electrode VΦ1 to which a middle voltage has been applied in a horizontal effective period, thereby setting at a low level a gate electrode VΦ3 corresponding to a second field which has not been read in the first field output period.
本固体撮像装置は、第１フィールド出力期間において、水平有効期間中にミドルレベル電圧が印加された読み出しゲート電極ＶΦ１から当該フィールドの信号電荷を読み出す駆動手段を備えることにより、第１フィールド出力期間において読み出されていない第２フィールドに対応するゲート電極ＶΦ３をローレベルにする。 - 特許庁 - The solid-state imaging device has a circuit board mounted with an imaging element and the case covering the circuit board, and also has the filter holding unit holding the IR cut filter, the IR cut filter bonded to the filter holding unit, and a lens in the case, wherein the IR cut filter is provided with the recessed part or an opening for preventing an adhesive from flowing out.
撮像素子を実装した回路基板と、前記回路基板を覆う筐体とを有し、前記筐体内部にはＩＲカットフィルタを保持するフィルタ保持部と、フィルタ保持部に接着されたＩＲカットフィルタと、レンズとを有する固体撮像装置において、前記ＩＲカットフィルタに接着剤の流出を防止するための凹部または開口を設けた。 - 特許庁 - The solid-state imaging apparatus includes a pixel array part 17 grouped as partial pixel area 16A and 16B by half pixel rows, a plurality of vertical scan lines 2A and 2B provided for partial pixel areas 16A and 16B respectively, vertical scan circuits 8A and 8B, horizontal scan circuits 5A and 5B, and output circuits 4A and 4B.
固体撮像装置は、半分の画素行毎に部分画素領域１６Ａ及び１６Ｂとしてグループ化された画素アレイ部１７と、部分画素領域１６Ａ及び１６Ｂ毎に設けられた複数の垂直信号線２Ａ及び２Ｂと、垂直走査回路８Ａ及び８Ｂと、水平走査回路５Ａ及び５Ｂと、出力回路４Ａ及び４Ｂとを備える。 - 特許庁 - When the solid-state imaging element with color filters of the Bayer arrangement images a moving picture, pixels of reading objects are selected so that pixels interleavingly read in the vertical direction are selected not to be adjacent to each other and the distances between the pixel gravity centers added with 2 or more B pixels and pixel gravity centers added with 2 or more R pixels are arranged at an equal interval.
Ｂａｙｅｒ配列のカラーフィルターを有する固体撮像素子の動画撮像時に、垂直方向に間引きして読み出す画素が互いに隣接しないようにするとともに、２以上のＢ画素を加算した画素重心と、２以上のＲ画素を加算した画素重心との距離が等間隔で並ぶように読み出し対象の画素を設定する。 - 特許庁 - In a solid-state imaging device including a protection circuit connected to a terminal, there are included a first circuit connected between the terminal and a negative potential line for providing a negative voltage, a second circuit connecting a protection circuit between the terminal and a ground potential line and a third circuit forming a protection circuit between the ground potential line and another terminal.
端子に接続する保護回路を有するものにあって、端子と負電圧を供給する負電位線との間に接続される第１の回路を有するとともに保護回路が端子とグランド電位線との間に接続される第２の回路を有し、グランド電位線と他の端子との間に保護回路をなす第３の回路を有する。 - 特許庁 - To prevent short circuits between a fuse and a substrate and to obtain a desired voltage by suitable fuse burning in an arbitrary voltage generating structure, which has a plurality of fuses on the substrate and obtains a desired output voltage, by applying a predetermined voltage and burning at least one of the fuses, and a solid-state image pickup element using the same.
基板上に複数のヒューズを設け、所定の電圧を印加して該ヒューズの少なくともいずれか１つを切断することで所望の出力電圧を取り出す任意電圧発生構造及びこれを用いた固体撮像素子について、ヒューズ−基板間のショートを防止でき、適正なヒューズ切断により所望の電圧が得られるようにする。 - 特許庁 - The solid-state imaging apparatus 100 having a pixel array 101 consisting of one or more pixels is provided with a first H-level detecting circuit 104, a first L-level detecting circuit 105, a second H-level detecting circuit 108 and a second L-level detecting circuit 109 for detecting potentials to be generated in the signal lines for control connected to the pixels.
１以上の画素からなる画素アレイ１０１を有する固体撮像装置１００であって、画素に接続されている制御用信号線に生じる電位を検出する第１のＨレベル検出回路１０４、第１のＬレベル検出回路１０５、第２のＨレベル検出回路１０８、第２のＬレベル検出回路１０９を備える。 - 特許庁 - In this method for quantitatively analyzing the organic chlorine compound included in the solid phase, after extracting the organic chlorine compound in the pressurized state from soil, the cable, or the cable insulation paper which is a specimen by using a non-polar solvent, a pretreatment for condensing or diluting the extraction solvent is performed as the need arises.
固相に含まれる有機塩素化合物を定量分析する方法において、非極性溶媒を用いて検体である土壌、ケーブル、又はケーブル絶縁紙から加圧下で有機塩素化合物を抽出した後、必要に応じて前記抽出溶媒を濃縮あるいは希釈する前処理を行う有機塩素化合物の分析方法とする。 - 特許庁 - The silicon wafer has a high-oxygen-concentration region where a solid solution oxygen concentration is ≥0.7×10^18 atoms/cm^3 in a no-defect region (DZ layer) 12 including at least the device active region of the silicon wafer 10, and contains interstitial silicon 14 in the no-defect region 12 in a supersaturation state.
本発明に係わるシリコンウェーハは、シリコンウェーハ１０の少なくともデバイス活性領域が含まれる無欠陥領域（ＤＺ層）１２内に固溶酸素濃度が０．７×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度領域を有し、かつ、無欠陥領域１２内には、格子間シリコン１４が過飽和状態で含有されている。 - 特許庁 - The solid-state imaging element 40 includes a semiconductor substrate 47, a plurality of photodiodes 41 formed on the semiconductor substrate 47 in two-dimensional shape, and a vertical CCD 43 formed by arranging at least one read-out gate for reading out an accumulated charge and non-read-out gate that does not read-out a charge for each photodiode 41.
固体撮像素子４０は、半導体基板４７と、半導体基板４７上に２次元状に形成される複数のフォトダイオード４１と、フォトダイオード４１ごとに、蓄積された電荷を読み出すための読出ゲートおよび電荷を読み出さない非読出ゲートとを少なくとも１つずつ配設されることにより形成された垂直ＣＣＤ４３とを有する。 - 特許庁 - This method for producing a preliminary polymerization catalyst for olefin polymerization comprises carrying out a preliminary polymerization in the presence of (A) a transition metal compound, (B) an aluminoxane in which ≥80% aluminoxane in the system is precipitated or precipitated in a solid state in the preliminary polymerization and optionally (C) an organoaluminum compound under conditions of ≤4 kg/cm2 partial pressure of olefin in a liquid phase.
オレフィン重合用予備重合触媒の製造方法は、（Ａ）遷移金属化合物と、（Ｂ）予備重合時に系内のアルミノキサンの８０％以上が析出する又は析出して析出し固体状であるアルミノキサンと、必要に応じて（Ｃ）有機アルミニウム化合物との存在下、オレフィン分圧が４ｋｇ／ｃｍ^2 以下の条件下、液相で予備重合する。 - 特許庁 - The method of manufacturing a sheet glass used in a solid state image pick-up device includes a functional film formation step for forming a functional film on at least one of two translucent surfaces of the sheet glass facing each other in the thickness direction thereof, and a step for etching a chamfered sheet glass prior to the functional film formation step.
ガラス板の板厚方向に対向する２つの透光面の少なくとも一方の面に機能膜を形成する機能膜形成工程を備え、面取りされたガラス板を前記機能膜形成工程の前にエッチングする工程を備えたことを特徴とする固体撮像装置に用いられる板状ガラスの製造方法である。 - 特許庁 - A timing pulse generator generates various timing pulses used to obtain an image signal from a solid-state image pickup element and an H-ROM 10 stores pattern data consisting of data for timing pulses for one period generated at the beginning of one horizontal scanning period and number of repetitive timing pulses within the one horizontal scanning period.
固体撮像素子から画像信号を得るために使用する各種のタンミングパルスを発生させるタイミングパルス発生装置であり、Ｈ−ＲＯＭ１０には、１水平走査期間の最初に発生させる１周期分のタイミングパルスのデータと、そのタイミングパルスの１水平走査期間内の繰り返し数とからなるパターンデータが記憶されている。 - 特許庁 - The solid state imaging device comprising a semiconductor substrate, and a pixel region including a plurality of pixels having light receiving sections formed on the semiconductor substrate is further formed with first and second wiring layers 14 and 16 formed on the semiconductor substrate and having apertures corresponding to the light receiving sections, and an in-layer lens 18 arranged above the second wiring layer 16.
半導体基板と、この半導体基板に形成された受光部を有する画素を複数含む画素領域を備える固体撮像装置であって、半導体基板上に積層され受光部に対応する開口領域を有する第１および第２の配線層１４，１６と、第２の配線層１６の上方に形成された層内レンズ１８とを備える。 - 特許庁 - To provide an optical apparatus with an imaging function which comprises a photographing system containing a photographing optical system and a solid state imaging element and of an observing optical system, which is constructed so that a photographing optical system is focused properly interlocking with a focus of an observation optical system when an observation optical system is focused by manual operation.
撮影光学系及び固体撮像素子を含む撮影系と、観察光学系とから成る撮影機能付観察光学装置であって、観察光学系を手動操作によって合焦させるとき、該観察光学系の合焦に連動して撮影光学系の合焦を適正に行い得るように構成された撮影機能付観察光学装置を提供する。 - 特許庁 - In the solid-state imaging apparatus which comprises imaging areas of a standard part and a reference part where a plurality of pixels each having a photoelectric conversion element are arrayed respectively and performs phase difference detection type automatic focus, signals output from the standard part and the reference part are output to output circuits of individual channels, which are arranged adjacently to each other.
光電変換素子を有する画素がそれぞれ複数配列された基準部と参照部の撮像領域から成り、位相差検出型オートフォーカスを行う固体撮像装置において、前記基準部と参照部から出力される信号を個別のチャンネルの出力回路に出力し、前記各出力回路は、互いに隣接して配置される。 - 特許庁 - The surface of an aluminum alloy base material is collided with a quasicrystal-dispersed alloy or an amorphous substance-dispersed alloy having strength higher than that of the aluminum alloy base material as a solid phase state together with an inert gas at a supersonic flow by a cold spray process, so as to form a strengthening film, thus the aluminum alloy base material is strengthened.
アルミニウム合金基材の表面に、前記アルミニウム合金基材よりも高強度を有する準結晶分散合金またはアモルファス分散合金からなる粉末を、コールドスプレー法により固相状態のまま不活性ガスと共に超音速流で基材に衝突させて強化皮膜を形成させ前記アルミニウム合金基材を強化する。 - 特許庁 - A video process section 103 segments a 720-pixel region in the vertical direction and 480-pixel region in the horizontal direction out of image signals outputted by a solid-state image pickup device 102 when a viewer rotation position signal is a signal representing 'vertical' and outputs the regions as a recording image to a recording section 104 after the regions are clockwise rotated by 90 degrees.
映像プロセス部１０３は、ビューア回転位置信号が「垂直」を表す信号である場合は、固体撮像装置１０２が出力した画像信号のうち、垂直方向に７２０画素、水平方向に４８０画素の領域を切り出し、時計回りに９０度回転した後、記録画像として記録部１０４へ出力する。 - 特許庁 - Transfer electrodes 4 and 5 at a charge transfer section 3 are constituted of the same electrode layer, the transfer electrodes 4 and 5 are formed on a substrate through an insulating film including an oxide film and an overlying nitride film, and a part 7 from where the nitride film is removed is provided between light receiving sections 2 in the direction parallel with the charge transfer section 3 thus constituting a solid state image sensor 1.
電荷転送部３の転送電極４，５を同一層の電極層により構成し、基板上に、基板上の酸化膜とその上の窒化膜とを含む絶縁膜を介して転送電極４，５を形成し、電荷転送部３に平行な方向における受光部２間に、窒化膜が除去された部分７を設けて固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁 - The solid-state imaging device is driven by a vertical transfer pulse applying step for applying a vertical transfer pulse to a vertical shift register and transferring signal charge output by a photoelectric conversion unit in a column direction, and a horizontal transfer pulse applying step for applying a horizontal transfer pulse to a horizontal shift register during a horizontal transfer period and transferring the signal charge in a row direction.
垂直シフトレジスタに垂直転送パルスを印加して、光電変換部が出力した信号電荷を列方向に転送させる垂直転送パルス印加ステップと、水平シフトレジスタに水平転送期間に水平転送パルスを印加して、信号電荷を行方向に転送させる水平転送パルス印加ステップとにより固体撮像装置を駆動する。 - 特許庁 - A solid-state imaging device 2 comprises a transparent substrate 17, a plurality of DG-TFT 20 arranged on the transparent substrate 17 in a matrix shape, and a protective insulating film 31 for covering all the DG-TFT 20, a discharging conductive film 32 formed on the insulating film 31, and a liquid-repellent film 33 formed on the conductive film 32.
固体撮像デバイス２は、透明基板１７と、透明基板１７上にマトリクス状に配列された複数のＤＧ−ＴＦＴ２０と、全てのＤＧ−ＴＦＴ２０を被覆する保護絶縁膜３１と、保護絶縁膜３１上に形成された放電用導電膜３２と、放電用導電膜３２上に形成された撥液膜３３と、を備える。 - 特許庁 - The solid-state photographing device is characterized in that it is equipped with: a photographing region where pixels 60 composed of photoelectric conversion unit PDs and transistors Tr1 and Tr2 are arranged; and a multilayered interconnection 62 [621, 622, and 623] formed above the pixels 60 through an interlayer insulating film 61, and that the interlayer insulating film 61 has shading properties.
光電変換部ＰＤとトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２で構成された複数の画素６０が配列された撮像領域と、複数の画素６０の上方に層間絶縁膜６１を介して形成された複数層の配線６２〔６２１、６２２、６２３〕を有し、層間絶縁膜６１が遮光性を有して成ることを特徴とする。 - 特許庁 - A solid-state imaging device 101, comprising two-dimensionally arrayed photoelectric conversion elements outputs signal charges read from the photoelectric conversion elements in an order different from the two-dimensional array, a signal converting section 13 converts the signal charges into pixel data, and a rearrangement section 15 rearranges the converted pixel data for 2n+1 rows so as to match the two-dimensional array.
２次元配列された光電変換部を備える固体撮像素子１０１が、光電変換部から読み出した信号電荷を２次元配列と異なる順序で出力し、信号変換部１３が画素データに変換し、前記変換された２ｎ＋１行分の前記画素データを前記２次元配列に合うように再配列部１５が再配列する。 - 特許庁 - The solid state imaging device comprises a plurality of light reception sections 5 formed on a semiconductor substrate 4; a color filter layer 11; and a lens 9 for condensing light at the light reception section 5 having the center 9a of the lens that is formed between the semiconductor substrate 4 and the color filter layer 11, and is displaced to the center of the light reception section 5 by specified distance for arrangement.
この固体撮像装置は、半導体基板４に形成された複数の受光部５と、カラーフィルタ層１１と、半導体基板４とカラーフィルタ層１１との間に形成され、受光部５の中心に対して所定の距離ずらして配置されたレンズ中心９ａを有する受光部５に光を集光するためのレンズ９とを備えている。 - 特許庁 - The solid-state imaging device is configured with an NMOS TR (switching TR) 121 which is inversely in operation to an ON/OFF operation of NMOS TRs (reset TRs) 103p and 103q in each pixel cell and placed at a position just before an input node to especially a correlated double sampling circuit 111 on a common read line 109 shared by a plurality of the pixel cells.
複数の画素セル間において共有される共通読み出し線１０９上の特に相関二重サンプリング回路１１１への入力ノードの直前の位置に、各画素セル内のＮＭＯＳトランジスタ（リセットトランジスタ）１０３ｐおよび１０３ｑのオン／オフ動作と逆に動作するＮＭＯＳトランジスタ（スイッチトランジスタ）１２１を設けて固体撮像素子を構成する。 - 特許庁 - A solid-state imaging device includes: a plurality of pixels which are two-dimensionally arranged to photoelectrically convert incident light; a plurality of vertical signal lines 4 each of which is formed in association with each column of the plurality of pixels and to which output signals of the pixels of the corresponding column are supplied; a plurality of comparison parts 11; and a plurality of reference signal supply parts 14.
固体撮像素子は、２次元に配置され入射光を光電変換する複数の画素と、各々が前記複数の画素の各列に対応して設けられ対応する列の前記画素の出力信号が供給される複数の垂直信号線４と、複数の比較部１１と、複数の参照信号供給部１４とを備える。 - 特許庁 - The solid-state imaging device has an n-type silicon substrate 20; a p-type epitaxial layer 21 formed on the n-type silicon substrate 20; an n-type sensor section 22 formed on the p-type epitaxial layer 21; and an active element formed on the p-type epitaxial layer 21 and reading electric charges obtained by photoelectric conversion by the n-type sensor section 22.
本実施形態に係る固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板２０と、ｎ型シリコン基板２０上に形成されたｐ型エピタキシャル層２１と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成されたｎ型センサ部２２と、ｐ型エピタキシャル層２１に形成され、ｎ型センサ部２２により光電変換して得られる電荷を読み出す能動素子とを有する。 - 特許庁 - To effectively prevent a white hurt and generation of dark current by reducing damage by intrusion of iodine into a photodiode part (photoelectric conversion part) from a photoresist film used as an impurity injection prevention film used in forming the photodiode part (photoelectric conversion part) and each impurity injection region adjacent to the photodiode part, thereby improving the yield of a solid-state imaging device.
フォトダイオード部（光電変換部）、及び、フォトダイオード部に隣接する各不純物注入領域を形成する時に用いる、不純物注入阻止膜として使用するフォトレジスト膜からのフォトダイオード部（光電変換部）へヨウ素の侵入によるダメージを低減することによって、白傷や暗電流の発生を有効に阻止し、固体撮像装置の歩留まり向上を図る。 - 特許庁 - The solid-state image pickup element is constituted by connecting pixel circuits equipped with photodetectors, respectively, and each pixel circuit computes the mean value of the quantity of incident light detected by itself and the quantity of incident light detected by a pixel circuit adjacent to this pixel circuit and varies its photodetection sensitivity range according to the computed mean value to detect the quantity of incident light.
それぞれフォトディテクタを備えた複数の画素回路が接続されてなる固体撮像素子において、各画素回路は、その画素回路で検出された入射光量とその画素回路に隣接する画素回路とで検出された入射光量との平均値を演算し、その演算された平均値に基いて受光感度範囲を変化させて入射光量を検出する。 - 特許庁 - To attain a solid-state imaging device 100 of a mounting structure wherein an imaging element chip 2 is sealed within a sealing package 1 with a hollow space provided above a microlens 8, and corrosion or the like of element wiring is avoided within the sealing package with an excellent moisture resistance and a high reliability even when moisture enters the interior of the sealing package.
封止パッケージ１内に収容された撮像素子チップ２を、そのマイクロレンズ８上に中空空間を設けて封止する実装構造を有する固体撮像装置１００において、該封止パッケージ内部に水分侵入があった場合でも、該封止パッケージ内での素子配線の腐食等を招くことがなく、耐湿性に優れた信頼性の高い固体撮像装置を実現する。 - 特許庁 - In this power supply system 100, a solid-state relay(SSR) 31 supplies the AC power source received at a power source input terminal E1 to a corresponding power supply 21 from a power source output terminal T1, when the AC power source is supplied to the SSR 31 to 3n from a main switch 40.
この発明の電源供給システム１００は、メインスイッチ４０からソリッドステートリレー（ＳＳＲ）３１，〜，３ｎに交流電源が供給された場合、ＳＳＲ３１は、制御信号入力回路Ｃ１に受けた交流電源の電圧が閾値に到達すると、電源入力端Ｅ１に受けた交流電源を電源出力端Ｔ１から対応する電源装置２１に供給する。 - 特許庁 - The pressing force, generated when the smoother is brought into contact with the slurry coating layer 9 on the sheetlike base material, can be received by the under plate and the absorption of the liquid medium in the slurry coating layer by the sheetlike base material is suppressed and, in such a state that the concentration of the solid in the slurry coating layer does not become excessively high, the slurry coating layer can be effectively smoothed.
アンダープレートにより、スムーザーをシート状基材上のスラリー塗布層９と接触させて平滑化する際の押圧力を受け止めることができるとともに、スラリー塗布層中の液状媒体がシート状基材に吸収されるのを抑制してスラリー塗布層中の固形分濃度が過度に高濃度とならない状態で効果的なスラリー塗布層の平滑化を行うことができる。 - 特許庁 - This volatile component extracting device is provided with a sample tube 10 for hosing a sample formed of the solid matter containing the volatile component, a gas-filling device 16 for filling the sample tube with an inert gas, a thermostatic chamber 12 for housing the sample tube for holding the sample housed in the sample tube at a predetermined temperature, and a canister 20 in a previously decompressed state selectively connected to the sample tube.
揮発性成分を含む固形物からなる試料を収納する試料管１０と、この試料管に不活性ガスを充填するガス充填装置１６と、前記試料管を収容して該試料管に収納された前記試料を所定の温度に保つ恒温槽１２と、予め減圧された状態で前記試料管に選択的に接続されるキャニスタ２０とを備える。 - 特許庁 - In a solid-state image pickup element 1, a PD impurity region 33, a charge multiplication region 35 and an output impurity region 37 are arranged in parallel on the lower side of a gate oxide film 39 along the lower face thereof, and a multiplication gate electrode 41 and a transfer gate electrode 43 are arranged in parallel on the upper side of the gate oxide film 39 along the upper face thereof.
固体撮像素子１では、ゲート酸化膜３９の下面側に、その下面に沿って、ＰＤ不純物領域３３と電荷増倍領域３５と出力用不純物領域３７とを並列に配置するとともに、ゲート酸化膜３９の上面側に、その上面に沿って、増倍ゲート電極４１と転送ゲート電極４３とを並列に配置したものである。 - 特許庁 - To provide a ceramic sheet and its manufacturing method less prone to generate a crack and break in receiving a big lamination load and heat stress, targeting the ceramic sheet receiving a big lamination load and heat stress in a state laminating multiple layers such as an electrolytic membrane or an electrode sheet for a planner solid electrolyte type fuel cell, and capable of certainly realizing a precision electrode printing.
平板状固体電解質型燃料電池用の電解質膜や電極シートの如く、多数枚を積層した状態で大きな積層荷重や熱ストレスを受ける様なセラミックシートを対象として、大きな積層荷重や熱ストレスを受けたときでも、クラックや割れを生じ難く、しかも高精度の電極印刷を確実に実現できるセラミックシートとその製法を提供すること。 - 特許庁 - A slurry is prepared from an aromatic carboxylic acid and a solvent, the slurry is continuously supplied to a reactor to carry out hydrogenation reaction in the presence of a solid catalyst, the reaction liquid is continuously extracted from the reactor and at least a part of the extracted reaction liquid is returned to the reactor to perform the hydrogenation reaction while keeping the aromatic carboxylic acid in a state substantially completely dissolved in the reactor.
芳香族カルボン酸と溶媒からスラリー液を調合し、該スラリーを連続的に反応器に供給し、固体触媒存在下に水素化反応を行い、且つ反応器から連続的に抜き出した反応液の少なくとも一部を反応器に循環することで、反応器内で芳香族カルボン酸が実質的に全量溶解した状態で水素化反応を行う。 - 特許庁 - This solid-writing material is obtained by holding a reversible thermochromic composition in a formable wax as a dispersed state and forming is provided with that the composition shows a large hysteresis characteristic on a color density-temperature curve and also an interchangeability between a first color and second color, and having -30 to 0°C range color development temperature and 45 to 95°C range completely achromatizing temperature.
可逆熱変色性組成物を賦形性ワックスに分散状態に保持、成形してなる固形筆記体であって、前記組成物は色濃度−温度曲線に関して大きなヒステリシス特性を示して第１色相と第２色相間の互変性を呈し、発色開始温度が−３０〜０℃の範囲にあり、完全消色温度が４５〜９５℃の範囲にある固形筆記体。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device comprises a signal transmission path T which connects a cathode of a photo-diode 1 to an inverted input terminal of a charge amplifier CAP, a capacitor 11 which connects one terminal with the signal transmission path T and is parallel connected to the photo-diode, and a signal transmission switch S11 provided within the signal transmission path T between the photo-diode 1 and the capacitor 11.
この固体撮像装置は、フォトダイオード１のカソードをチャージアンプＣＡＰの反転入力端子に接続する信号伝達経路Ｔと、信号伝達経路Ｔと一端を接続し前記フォトダイオードに対して並列に接続されたキャパシタ１１と、フォトダイオード１とキャパシタ１１との間の信号伝達経路Ｔ内に設けられた信号伝達スイッチＳ１１とを備えている。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
