「solid-state」を含む例文一覧(12279)
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本固体撮像装置は、４相駆動垂直レジスタを有するプログレッシブスキャン方式のインターライン転送型ＣＣＤイメージセンサであって、図１に示すように、フォトダイオード１、トランスファゲート２、垂直レジスタ３、水平レジスタ４、コントロールゲート５、及びドレイン６を備えていて、不要な電荷を排出するドレイン６と排出を制御するコントロールゲート５が、水平レジスタ４に隣接して設けられている。 - 特許庁 - A source follower circuit included in a solid-state imaging element in the contact type linear sensor has a depletion MOS transistor connected to a power supply potential and an enhancement MOS transistor connected to a ground potential, wherein a signal voltage passed through an amplifier circuit is applied to the gate electrode of the depletion MOS transistor and a selection signal is applied as a gate voltage of the depletion MOS transistor.
密着型リニアセンサ内の固体撮像素子が有するソースフォロア回路について、電源電位に接続されたディプレッションＭＯＳトランジスタと、グランド電位に接続されたエンハンスメントＭＯＳトランジスタとを有し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電極に増幅回路を経た信号電圧を印加し、ディプレッションＭＯＳトランジスタのゲート電圧に選択信号を印加する。 - 特許庁 - In the filter 3, various parameters such as the grating height h(x) and the grating cycle F of the grating 33 and a distance D between an image formation surface 41a on a solid-state image pickup device 41 and the grating 33 are properly adjusted, and cutoff frequency in MTF characteristic by the filter 3 by itself is larger than Nyquist frequency decided by the pixel pitch of the device 41.
このローパスフィルター３は、位相格子３３の格子高さｈ（ｘ）、その格子周期Ｆ、固体撮像素子４１上の結像面４１ａと位相格子３３との距離Ｄといった各種パラメータが適宜調整され、当該ローパスフィルター３単独でのＭＴＦ特性におけるカットオフ周波数が、固体撮像素子４１の画素ピッチにより定まるナイキスト周波数よりも大きいものである。 - 特許庁 - An IR light cut filter layer 313 having openings 313a permeable to the visible light and the IR light and non-openings 313b permeable to the visible light but impermeable to the IR light, and a color filter group 314 for separating the visible light region into the components R, G, B, are disposed integrally on a solid state imaging element 312.
可視光および赤外光に対して透過性を有する開口部３１３ａと可視光に対して透過性を有するとともに赤外光に対して非透過性を有する非開口部３１３ｂとが設けられた赤外光カットフィルタ層３１３と可視光領域をＲ，Ｇ，Ｂ成分に分離する色フィルタ群３１４を、固体撮像素子３１２上に一体的となるように配置する。 - 特許庁 - To provide a composition that may form a cured film with high flatness and is suitably used to form a liquid crystal display element and a protective film for solid state image sensors excellent in developability and heat-resistance, to provide a composition having excellent storage stability, to provide a method of forming a protective film using the composition, and to provide a protective film formed from the following composition.
平坦性の高い硬化膜を形成することができ、しかも、現像性、耐熱性に優れた液晶表示素子および固体撮像素子用保護膜を形成するために好適に用いられ、かつ組成物としての保存安定性に優れる組成物、その上記組成物を用いた保護膜の形成方法、および上記組成物より形成された保護膜を提供する。 - 特許庁 - In the micro-channel 11 for nucleic acid hybridization, a sample solution containing the bcr-abl gene mRNA is circulated, and agarose gel carriers (agarose gel beads) 2 in which a capturing chain with a specific base sequence complementary to the bcr-abl gene mRNA is solid-phased are loaded in such a state as held by a filter 113 disposed on the downstream in the direction of feeding the sample solution.
ｂｃｒ−ａｂｌ遺伝子ｍＲＮＡが含まれるサンプル液が通流され、ｂｃｒ−ａｂｌ遺伝子ｍＲＮＡに相補的な特定の塩基配列を有する捕捉鎖が固相化されたアガロースゲル担体（アガロースゲルビーズ）２が、サンプル液の送液方向下流側に配設されたフィルタ１１３によって保持された状態で充填された、核酸ハイブリダイゼーション用マイクロ流路１１。 - 特許庁 - In a preamplifier unit (column region unit) 61 of a solid-state imaging device 10, a pixel signal control unit 200 is provided which independently detects a magnitude of each pixel signal through a pixel signal detection unit 210 independently at an output side of a pixel signal amplification unit 230 for each vertical signal line 158 and sets a gain to the pixel signal amplification unit 230 independently in accordance with the signal magnitude.
固体撮像素子１０のプリアンプ部（カラム領域部）６１に、垂直信号線１５８ごとに、画素信号検出部２１０にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部２３０の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部２３０に対してゲインを設定する画素信号制御部２００を設ける。 - 特許庁 - In the solid-state imaging apparatus 10 whereon a plurality of photodiodes in an imaging region and each MOS transistor in its peripheral circuit region are loaded together, a reflection preventing film 7 of a photodiode surface and a sidewall 9 provided to a side wall of a gate electrode 3 of the MOS transistor are formed simultaneously in the same process, by photolithograpy and dry etching by laminating three layers of insulating films 4 to 6.
撮像領域の複数のフォトダイオードとその周辺回路領域の各ＭＯＳトランジスタが混載された固体撮像装置１０において、フォトダイオード表面の反射防止膜７と、ＭＯＳトランジスタのゲート電極３の側壁に設けられるサイドウォール９とを、３層の絶縁膜４〜６を積層してフォトリソグラフィーとドライエッチングにより同時に同一工程で形成する。 - 特許庁 - In the process for producing baked edible vessels, 25-75 mass parts of a cereal flour and 75-25 mass parts of starch octenylsuccinate (100 mass parts in the total), 2-5 mass parts of food oil which is in the solid state at normal temperature and 1-3 mass parts of edible wax are mixed and kneaded together with water and hot formed to the objective edible vessel.
穀粉とオクテニルコハク酸デンプンの合計を１００質量部としたとき、穀粉を２５〜７５質量部、オクテニルコハク酸デンプンを７５〜２５質量部含有し、常温で固形である食用油脂２〜５質量部および食用ロウ１〜３質量部を含有し、水と共に混捏し、１５０〜２００℃の範囲で加熱成型して、耐水性を有する焼成可食容器を製造する方法。 - 特許庁 - To provide a distal end portion of an electronic endoscope which can discriminate the systems and directions or others of an imaging module unit at a glance that is an integral unit of a solid-state imaging element and a circuit board with the distal end portion of a signal cable by using a sealing resin mass and which can be easily and securely managed such that error does not occur in assembly processes and part management.
固体撮像素子と回路基板とが封止樹脂塊によって信号ケーブルの先端部分と一体化された撮像モジュールユニットの方式や向き等を一目で明瞭に判別することができて、組み立て工程や部品管理等において誤りが発生しないように容易かつ確実に管理することができる電子内視鏡の先端部を提供すること。 - 特許庁 - This solid state relay is provided with a light emitting element 46 for emitting a light upon receiving an input signal, and a photo-TRIAC 44 for turning on when receiving this light, and for turning on a TRIAC 45, and an overvoltage protecting circuit 49 incorporated in the TRIAC 44 for turning off a thyristor 44a or 44b when an overvoltage which is a non-repetition peak-off voltage or more is applied.
本発明のソリッドステートリレーは、入力信号を受けると光を発光する発光素子４６と、この光を受光するとオンし、トライアック４５をオンさせるフォトトライアック４４と、このフォトトライアック４４内に設けられ、非繰り返しピークオフ電圧以上の過渡電圧が印加されると上記サイリスタ４４ａ又は４４ｂをオフさせる過渡電圧保護回路４９ａとを備えている。 - 特許庁 - The pixel signals from the solid-state image pickup element where a plurality of kinds of very small filters each having a different spectral sensitivity characteristic is applied to each of pixels arranged two-dimensionally in a prescribed repetitive period are separated into pixel signals by each pixel configuring a minimum part of the repetition of the very small filters to obtain a difference signal or a rate signal of other signals with respect to one reference signal.
２次元状に配置された複数の画素の各々に分光感度特性の異なる複数種の微小フィルタを一定の繰り返し周期で対応させた固体撮像素子の画素信号を、微小フィルタの繰り返しの最小部分を構成する画素ごとに分離して、基準とする１つの信号に対する他の信号の差信号あるいは比信号を求める。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a reversible thermosensitive recording layer having a domain structure in which two or more of organic low molecular weight substances are mixed in a resin matrix similar to the case of coating with a melt even when a reversible thermosensitive recording layer liquid in which at least 8 or more of organic low molecular weight substances are dispersed in a solid state in a resin solution is used and to provide its manufactured product.
樹脂溶液中に少なくとも２種類以上の有機低分子物質を固体状で分散させた可逆性感熱記録層液を使用した場合でも、溶解液を塗工した場合と同様な樹脂マトリクス中に２種類以上の有機低分子物質が混合したドメイン構造を有する可逆性感熱記録層を製造する方法及びその製造品を提供する。 - 特許庁 - A solid state image sensor is manufactured which comprises: a pixel region 10 where multiple pixels are arranged two-dimensionally; and a peripheral region 50 arranged on the periphery of the pixel region 10 in which the pixel region 10 and the peripheral region 50 include a plurality of wiring layers 36-38 and an insulating film 35 is arranged on the uppermost layer 38 out of the wiring layers 36-38.
複数の画素が２次元状に配置された画素領域１０と、画素領域１０の周辺に配置された周辺領域５０とを有し、画素領域１０及び周辺領域５０が複数層の配線層３６〜３８を含み、配線層３６〜３８のうちの最上の配線層３８上に絶縁膜３５が配置された固体撮像素子を製造する。 - 特許庁 - To provide a liquefaction apparatus that recovers an oil component having a certain composition and stable qualities in a high recovery ratio without causing bad conditions following admixture of solid dust and occurrence of nitrogen oxides and liquefaction apparatus that forcedly cools the inside of a pyrolysis furnace and recovers residue in a dry state without deteriorating qualities and reuses the residue.
固形ダスト分の混入や窒素酸化物の発生に伴う不具合を生じることなく、組成が一定で品質の安定した油分を、高い回収率でもって回収することができる油化設備、並びに、熱分解炉内を強制的に冷却できる上、残渣を、品質を劣化させることなく、乾燥状態で回収して再利用できる油化設備を提供する。 - 特許庁 - Since a buffer agent is disposed on the electrode in a solid state together with the respective enzymes, that is, creatininase, creatinase, and sarcosine oxidase, a measurement specimen can be used as it is without preparing a buffer solution for stabilizing the enzymes in measurement, and this creatinine biosensor takes excellent effect that creatinine can be measured without requiring complicated operation.
このクレアチニンバイオセンサは、クレアチニナーゼ、クレアチナーゼ、ザルコシンオキシダーゼの各酵素とともに、緩衝剤が固形状態で電極上に配置されているため、測定時において酵素を安定化させるための緩衝液を調製することなく、測定試料をそのまま用いることができ、また煩雑な操作を必要とすることなくクレアチニンの測定を行うことが可能となるといった優れた効果を奏する。 - 特許庁 - A solid state imaging element has a sensor having a second conductivity type semiconductor region 13 formed on the surface of a first conductivity type semiconductor region 12, wherein a second conductivity type semiconductor layer 6 having a less than that of the semiconductor region 13 is formed in the semiconductor region 12 beneath the semiconductor region 13.
また、第１導電型半導体領域１２の表面に第２導電型半導体領域１３が形成されたセンサ部２を有し、第２導電型半導体領域１３下の第１導電型半導体領域１２内に、第２導電型半導体領域１３より小さい面積の第２導電型半導体層６が形成されて成る固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁 - A solid-state imaging apparatus 1 includes: a semiconductor layer 13 having a first region and a second region; a pixel part provided in the first region; a plurality of electrodes 22 which are provided in the second region and penetrate the semiconductor layer 13; and a guard ring 20 which is provided in the second region, penetrates the semiconductor layer 13, and electrically isolates the pixel part from the plurality of electrodes 22.
固体撮像装置１は、第１及び第２の領域を有する半導体層１３と、第１の領域に設けられた画素部と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通する複数の電極２２と、第２の領域に設けられ、かつ半導体層１３を貫通し、かつ画素部と複数の電極２２とを電気的に分離するガードリング２０とを含む。 - 特許庁 - In a preamplifier portion (column region portion) 61 of a solid-state imaging device 10, a pixel signal control unit 200 is provided which independently detects a magnitude of each pixel signal through a pixel signal detection unit 210 at an output side of a pixel signal amplification unit 230 for each vertical signal line 158 and sets a gain to the pixel signal amplification unit 230 independently in accordance with the signal magnitude.
固体撮像素子１０のプリアンプ部（カラム領域部）６１に、垂直信号線１５８ごとに、画素信号検出部２１０にて各画素信号の大きさを画素信号増幅部２３０の出力側で独立に検出し、この信号の大きさに応じて独立に画素信号増幅部２３０に対してゲインを設定する画素信号制御部２００を設ける。 - 特許庁 - In an amplification type solid-state image pickup device, the timing (time a') of generation and sending of a reset signal RSi for electronic shutter operation is shifted from a conventional timing (time (a)) so that the impression timing of the reset signal RSi for electronic shutter operation may not overlap the period when a pixel row is selected for read operation (period when SLn is in the high level).
増幅型固体撮像装置において、電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iを生成・送出するタイミング（時刻ａ’）を従来のタイミング（時刻ａ）からずらし、それによって電子シャッター動作のためのリセット信号ＲＳ_iの印加タイミングを読み出し動作のために画素行を選択する期間（ＳＬ_nが「Ｈｉｇｈ」の期間）とは重複しないようにする。 - 特許庁 - In the endoscope having a bent portion 3 to be bent continuous to a tip structure portion 2 having a CCD camera (solid-state image picking-up device) 7, a portion from the bent portion to the tip structure portion is covered with a covering material excellent in heat conductivity, for example, a covering material 17 in which pure copper or copper alloy small wires are formed into a mesh.
ＣＣＤカメラ（固体撮像装置）７を有する先端構成部２に続いて湾曲可能な湾曲部３を有する内視鏡１において、上記湾曲部から先端構成部にかけての部分を熱伝導性が良好な被覆材、例えば、純銅又は銅系合金の細線をメッシュ状に編成して成る被覆材１７によって被覆したものである。 - 特許庁 - The solid-state imaging device 1 includes: a silicon layer 2 where a positive charge accumulation region 13 is formed on the surface of a photodiode PD; and an optical waveguide 21 formed above the photodiode PD to guide incident light to the photodiode PD, wherein an insulating layer 22 is formed in the optical waveguide 21, and the insulating layer 22 has a dielectric constant of 5 or greater and negative fixed charge.
フォトダイオードＰＤの表面に正電荷蓄積領域１３が形成されたシリコン層２と、フォトダイオードＰＤの上方に形成され、入射光をフォトダイオードＰＤに導くための光導波路２１とを有し、この光導波路２１の内部に、比誘電率が５以上であり、負の固定電荷を有する絶縁層２２が形成されている固体撮像素子１を構成する。 - 特許庁 - To provide a new method for producing metal oxide particle and a method for forming metal oxide film which enable metal oxide particle or metal oxide film of multiple metal oxide or solid solution oxide containing metal atoms of two kinds or more to be easily and stably obtained in the state that the contained metal atoms have excellent uniformity.
２種以上の金属原子を含有する複合酸化物もしくは固溶体酸化物の金属酸化物系粒子または金属酸化物膜を得る場合に、それら含有金属原子の均一性が良好な状態で、容易に且つ安定して得ることのできる、新規な金属酸化物系粒子の製造方法および金属酸化物膜の形成方法を提供する。 - 特許庁 - The solid state image sensor has a micro lens on a semiconductor substrate 1 with a photoelectric conversion element 2 formed.
光電変換素子２が形成された半導体基板１の上にマイクロレンズを備える固体撮像素子において、半導体基板１の上に厚さＸのカラーフィルタ層が積層されると共に該カラーフィルタ層の表面部を厚さＹ（＜Ｘ）の凸レンズ部１１ａに成形して前記マイクロレンズ１１とし、該カラーフィルタ層の凸レンズ１１ａ部を除く厚さＺ（＝Ｘ−Ｙ）の部分１１ｂを平板形状としたことを特徴とする。 - 特許庁 - Finally, the Cortinellus shiitake obtained by the solid-liquid separation is bagged in a state immersed in a liquid obtained by adding a saccharide to a proper amount of the separated liquid and commercialized.
適宜厚さ及びサイズにカットした生シイタケを加熱乾燥し、低温湯水に適宜時間浸漬した後に固液分離する処理をその都度液を替えて数次に亘って行ない、各分離液を個別に保存して乾燥粉末化して商品化すると共に、最終的に固液分離して得たシイタケを、適量の前記分離液に糖分を加えた液に浸した状態で袋詰めして商品化することを特徴とする。 - 特許庁 - To obtain a polymerizable composition for a color filter which can suppress illuminance dependence upon forming a colored pattern even when exposure apparatus having different levels of illuminance are used, which exhibits superior curing property of a formed colored pattern, and which can give a rectangular pattern with superior resolution, and to provide a color filter showing good color separation and a solid-state image sensor having high resolution.
着色パターンを形成するに際して、照度の異なる露光機を用いても照度依存性を抑制することができ、形成された着色パターンの硬化性に優れ、解像度の優れた矩形のパターンを得ることができるカラーフィルタ用の重合性組成物を得ることであり、色分離性が良好なカラーフィルタ、及び高解像度の固体撮像素子を得る。 - 特許庁 - In the timing generator 1 that generates a timing pulse such as a vertical register transfer clock and a vertical register read pulse to generate timing when the solid-state imaging device is driven, in the case that the vertical register transfer clock being one of the timing pulses is generated at high speed, the period when the vertical register transfer clock is generated at high speed can externally be controlled.
固体撮像素子を駆動する際のタイミングを生成する為の、垂直レジスタ転送クロックや垂直レジスタ読み出しパルス等のタイミングパルスを発生させるタイミング発生器１において、タイミングパルスの一つである垂直レジスタ転送クロックを高速に発生させる際に、該垂直レジスタ転送クロックを高速に発生させる期間を外部から制御するようにした。 - 特許庁 - A solid-state electrolytic capacitor includes: a capacitive element 1 having a dielectric layer 13 and anode body 11 and an electrolyte layer 14 interposing the dielectric layer 13; a resin layer 2 covering the capacitive element 1; and a cathode terminal 31 and an anode terminal 32 respectively connected to the anode body 11 and the electrolyte layer 14, and exposed to the outside of the resin layer 2.
固体電解コンデンサは、誘電体層１３と当該誘電体層１３を挟み込む陽極体１１及び電解質層１４を有するコンデンサ素子１と、コンデンサ素子１を被覆する樹脂層２と、陽極体１１及び電解質層１４のそれぞれに接続され、樹脂層２の外側に露出した陰極端子３１及び陽極端子３２とを備えている。 - 特許庁 - Occurrence of folding distortion can be reduced by making an optical blurring correcting part 16 for performing optical inter-frame blurring correction perform slight movement that completes within one exposure time to have the function of an optical lowpass filter, even in a thinning readout mode without having to use the optical lowpass filter in the case of performing thinning readout from the solid-state image pickup device 12.
固体撮像素子１２から間引き読み出しする場合に、一露光時間内に完結する微動を、光学的なフレーム間手振れ補正を行うための光学手振れ補正部１６に行わせて、光学的なローパスフィルタの機能を持たせたことにより、間引き読み出しモードにおいても、光学的なローパスフィルタを使用することなしに、折り返し歪みの発生を軽減させることが可能となる。 - 特許庁 - With a sufficient received light quantity obtained even at a low sensitivity by possibly increasing the area of a photo diode 101, a power source SVDD for a reset MOS transistor 102, and a source-follower amplifier 104 changes according to the ISO sensitivity to possibly hold a linearity of the received light quantity of an amplification type solid-state imaging device to the output signal level.
フォトダイオード１０１の面積を可及的に大きくして低感度でも十分な受光量を得ることができるようにしつつ、リセットＭＯＳトランジスタ１０２とソースフォロアアンプ１０４の電源ＳＶＤＤを、ＩＳＯ感度に合わせて変更するようにして、増幅型固体撮像素子の受光量と出力信号レベルとのリニアリティを可及的に保つことができるようにする。 - 特許庁 - In the solid oxide fuel cell constituting a fuel cell stack 1 by alternately laminating power generating cells and separators and housing it together with fuel reformers 21 in a housing 30, the fuel reformers 21 are arranged in a contact state with a plurality of separators in a lamination direction of the fuel cell stack 1, and heat recovery is performed by heat transfer direct from the separators.
発電セルとセパレータを交互に多数積層して燃料電池スタック１を構成し、燃料改質器２１と共にハウジング３０内に収納して構成した固体酸化物形燃料電池において、燃料改質器２１を燃料電池スタック１の積層方向において複数のセパレータに接触させた状態で配設し、セパレータからの直接的な伝熱により熱回収を図る。 - 特許庁 - As a constitution of the solid-state imaging element provided with an optical black region 1 including a pixel unit for compensating for dark current and an imaging region 2 including the pixel unit which is effective for extraction of images, level difference in the optical black is reduced by giving difference between the charge voltage converting efficiencies of the pixel units of the optical black region and imaging region.
暗電流補正用の画素部を有するオプティカルブラック領域１と、画像の取り込みに有効な画素部を有する撮像領域２とを備える固体撮像素子の構成として、オプティカルブラック領域の画素部の電荷電圧変換効率と、撮像領域の画素部の電荷電圧変換効率とに差を持たせることにより、オプティカルブラック段差を低減する。 - 特許庁 - The radiation solid state detector 10 includes lots of signal linear wires 15a arranged for detecting recorded image information as image signals, and a signal detecting means arranged on the side of an opposed side 10b substantially perpendicular to the signal linear wires 15a and connected to the signal linear wires 15a for detecting signals transmitted via the signal linear wires 15a.
放射線固体検出器１０において、記録されている画像情報を画像信号として検出するための多数の信号用線状配線１５ａと、信号用線状配線と略直交する対向辺１０ｂ側に配設された、信号用線状配線１５ａと接続して信号用線状配線１５ａから信号を検出する信号検出手段とを備える。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the solid-state electrolytic capacitor formed of a dielectric film and a chemical oxidation polymerization conductive polymer layer laminated sequentially on a valve action metal; at least one compound selected from a group consisting of amide, sulfoxide and imido is added during the chemical polymerization reaction as the polymerization controlling agent of the chemical oxidation polymerization.
弁作用金属上に順次、誘電体皮膜、化学酸化重合導電性高分子層が形成された固体電解コンデンサの製造方法において、化学酸化重合の重合制御剤として、アミド類、スルホキシド類及びイミド類からなる群から選ばれる少なくとも１つの化合物が、化学重合反応中に添加されることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法 - 特許庁 - A solid-state imaging device comprises a pixel array of multiple pixels arranged two-dimensionally and multiple train-signal processing circuits reading signals out of the pixel array through multiple train-signal lines arranged on each line of the pixel array, which read out pixel signals of the pixel array each having different colors for the same period.
固体撮像装置は、複数の画素が２次元状に配列された画素アレイと、前記画素アレイの各列に対して設けられた複数の列信号線を介して前記画素アレイから信号を読み出す複数の列信号処理回路とを有し、前記画素アレイの互いに異なる色の画素の信号が同一期間に前記複数の列信号処理回路によって読み出される。 - 特許庁 - The solid state imaging device includes a floating diffusion portion (FD portion) 114 to accumulate signal charges, and an output circuit 140 to output a signal corresponding to the signal charges of the FD portion, wherein a part of a gate electrode 124a of a first stage transistor 124 constituting the output circuit 140 is arranged so as to contact an impurity diffusion region 117 constituting the FD portion 114.
固体撮像素子において、信号電荷を蓄積するフローティングディフージョン部（ＦＤ部）１１４と、該ＦＤ部の蓄積電荷に応じた信号を出力する出力回路１４０とを備え、該出力回路１４０を構成する初段トランジスタ１２４のゲート電極１２４ａを、その一部が、該ＦＤ部１１４を構成する不純物拡散領域１１７に接触するように配置した。 - 特許庁 - The method for producing polyester resin is characterized in that a polyester resin prepolymer is produced by performing polycondensation through esterification and/or transesterification and the polyester resin prepolymer is subjected to solid-state polycondensation at a temperature of 200°C or lower when producing the polyester resin including at least the alicyclic dicarboxylic acid component and an alicyclic diol component.
少なくとも脂環族ジカルボン酸成分及び脂環族ジオール成分を含むポリエステル樹脂を製造するに際し、エステル化反応及び／又はエステル交換反応を経て重縮合反応を行うことによりポリエステル樹脂プレポリマーを生成し、該ポリエステル樹脂プレポリマーを２００℃以下の温度で固相重縮合することを特徴とするポリエステル樹脂の製造方法。 - 特許庁 - A solid-state image sensor includes a semiconductor substrate on which a plurality of photoelectric conversion elements are arrayed like a two-dimensional array and a plurality of photoelectric conversion elements per predetermined area are included and an antireflection film wherein at least one photoelectric conversion element (e.g., R pixel) per predetermined area is laminated on a light receiving surface of the semiconductor substrate as an antireflection film removing element.
複数の光電変換素子が二次元アレイ状に配列形成され所定面積当たり複数個の前記光電変換素子を含む半導体基板と、前記所定面積当たり少なくとも１個の前記光電変換素子（この例ではＲ画素）を反射防止膜除去素子として前記半導体基板の受光面に積層される反射防止膜とを備える。 - 特許庁 - The solid-state image sensor comprises: a plurality of pixels to output signals generated by photoelectric conversion; a reference signal generation part to generate a reference signal; and an operator part to calculate, based on a comparison between a signal from an arbitrary pixel and a reference signal,a pulse signal corresponding to a differential signal between signals from the arbitrary pixel and an adjacent pixel of the same color.
光電変換により生じた信号を出力する複数の画素と、基準信号を発生する基準信号発生部と、任意の画素に基づく信号と基準信号との比較結果に基づいて、任意の画素に基づく信号と、その画素と近接する同色の画素に基づく信号との差分信号に相当するパルス信号を演算する演算部とを備える。 - 特許庁 - The solid-state image pickup device 1 includes a semiconductor layer 20 with a photoelectric conversion element to generate a signal electric charge corresponding to a received light quantity, the insulating layer 29 having an insulating material buried in an opening part formed at the semiconductor layer 20, and protecting membranes 30, 31 formed at a surface side of the semiconductor layer 20 so as to cover the insulating layer 29.
受光した光の光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子を有する半導体層２０と、半導体層２０に形成された開口部に絶縁材料が埋め込まれて形成された絶縁層２９と、絶縁層２９を被覆するように半導体層２０の表面側に形成された保護膜３０，３１とから固体撮像装置１を構成する。 - 特許庁 - A solid-state image sensor includes: a photodiode PD that generates and stores a charge according to incident light; the floating capacitor FC that has a microelectro mechanical system capacitor 21 for indicating a variable capacity value according to a control signal, receives the charge and converts the charge into voltage; and an amplifier transistor that outputs a signal according to an electrical potential of the floating capacitor FC.
固体撮像素子は、入射光に応じた電荷を生成し蓄積するフォトダイオードＰＤと、制御信号に応じた可変の容量値を示すマイクロエレクトロメカニカルシステムキャパシタ２１を有し、前記電荷を受け取って前記電荷を電圧に変換するフローティング容量部ＦＣと、フローティング容量部ＦＣの電位に応じた信号を出力する増幅トランジスタとを備える。 - 特許庁 - The solid-state solar photovoltaic generator circuit includes a source of activating radiation 14, a photodiode array 16 responsive to the radiation, a switching device 18 coupled to the photodiode array 16 for responding to an electrical signal therefrom, and a high-impedance resistor made of substantially single-crystal silicon, in which the high-impedance resistor is formed during formation of the switching device 18.
固体太陽光発電回路は、活性化放射線１４源と、該放射線に反応するフォトダイオード・アレイ１６と、フォトダイオード・アレイ１６に接続され、そこから受信した電気信号に反応するスイッチング・デバイス１８と、実質的に単結晶のシリコンで作製された高インピーダンス抵抗器を具備し、該高インピーダンス抵抗器はスイッチング・デバイス１８の形成中に形成される。 - 特許庁 - To provide a solid-state imaging device and a camera effectively and quickly performing a series of operations including the generation of photo-carrier, storage, read-out of charges, and the reset of residual charges; preventing degradation in sensitivity to blue light; suppressing trapping influence of a carrier caused by light in a silicon interface; performing high sensitization and miniaturization of pixels; and moreover exerting a sufficient driving efficiency.
フォトキャリアの生成、蓄積、電荷読み出し、残留電荷の送出(リセット)という一連の動作を効率的、高速に行い、光の青に対する感度を劣化させず、光によるキャリアのシリコン界面でのトラップ影響を防ぎ、高感度化と画素の微細化を図ることが可能で、しかも十分な駆動能力を有するフ固体撮像装置およびカメラを提供する。 - 特許庁 - In the case of reaching a state that a reference amount or larger of the fine particles are accumulated on the first electrodes at the time of the detection of the amount of the fine particles, a temperature of the sensor element is controlled so as to reach a reference temperature or higher and a reference voltage is applied across the first electrodes and the second electrodes arranged so as to hold the solid electrolyte with respect to the first electrodes.
微粒子量検出の際に、第１電極に基準量以上の微粒子が堆積した状態となった場合、センサ素子部の温度を基準温度以上となるように制御すると共に、第１電極と第１電極に対して固体電解質を挟んで配置された第２電極との間に、基準電圧を印加するように制御する。 - 特許庁 - In the biofuel cell, an electrode 1 becoming a reaction field of oxidation-reduction reaction of fuel using an oxidation-reduction enzyme as a catalyst, and an introduction port through which the liquid 3 supplied to the electrode 1 is introduced from the outside are arranged and installed, and at any point of a liquid flow site from the introduction port to the electrode 1, a material 2 causing the reaction is housed in a solid state.
酸化還元酵素を触媒とした燃料の酸化還元反応の反応場となる電極１と、電極１に供給される液体３が外部から導入される導入口と、が配設され、導入口から電極１までの液体通流部位のいずれかの箇所に、前記反応に関与する物質２が固体状態で収容されたバイオ燃料電池を提供する。 - 特許庁 - A back-illuminated solid-state imaging device includes: a pixel region where a plurality of pixels comprising a photoelectric conversion part and a pixel transistor are arrayed; a light-shielding film 39 corresponding to an optical black level region 23B in the pixel region; a first planarization film 52 serving as a substrate of the light-shielding film 39; and an antireflective film 36 serving as a substrate of the first planarization film 52.
本発明は、裏面照射型の固体撮像装置であって、光電変換部と画素トランジスタからなる複数の画素が配列された画素領域と、画素領域の光学的黒レベル領域２３Ｂに対応した遮光膜３９と、遮光膜３９の下地となる第１平坦化膜５２と、第１平坦化膜５２の下地となる反射防止膜３６とを有する。 - 特許庁 - The solid state imaging device includes: a semiconductor substrate having a photoelectric conversion unit for converting an incident light to a charge; an interference filter for color separation, being disposed corresponding to the photoelectric conversion unit, and including at least two kinds of laminated films having different refractive indexes; and a light absorption filter for color separation, being disposed corresponding to the photoelectric conversion unit in which the interference filter is disposed.
入射される光を電荷に変換する光電変換部が形成された半導体基板と、光電変換部に対応して配置され、屈折率の異なる少なくとも２種以上の膜が積層された色分離用の干渉フィルタと、干渉フィルタが配置された光電変換部に対応して配置された色分離用の光吸収フィルタと、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁 - This invention relates to a back irradiation type CMOS solid-state imaging apparatus, which has a pixel region 23 where a plurality of pixels 24 each composed of a photoelectric conversion portion PD and a pixel transistor Tr are arrayed, a light shield film 39 formed in the pixel region 23, and an antireflective film 36 on a light reception portion side as compared with the light shield film 39, the antireflective film 36 having a hafnium oxide film 38.
本発明は、裏面照射型のＣＭＯＳ固体撮像装置であって、光電変換部ＰＤと画素トランジスタＴｒからなる複数の画素２４が配列された画素領域２３と、画素領域２３に形成された遮光膜３９と、遮光膜３９より受光部側にある反射防止膜３６とを有し、反射防止膜３６がハフニウム酸化膜３８を有している。 - 特許庁 - To obtain a method for producing an alkali metal cyanate, more industrially advantageous than conventional methods for producing an alkali metal cyanate using a melt solid phase reaction method, providing the alkali metal cyanate in a suitable state as a raw material for producing a cyanuric acid derivative excellent in purity and preventing formation of ammonium carbonate from ammonium and carbon dioxide produced as by-products.
溶融固相反応法を利用した従来のアルカリ金属シアネートの製造方法に比し、工業的に有利であり、シアヌル酸誘導体の製造原料として好適な状態で得ることが出来、純度の点でも改良され、しかも、副生するアンモニアと二酸化炭素からの炭酸アンモニウムの生成が防止されたアルカリ金属シアネートの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The solid drawing material is obtained by forming a gel-state excipient from at least a gel former and water and dispersing a microcapsule in the excipient, wherein the gel former is a metal salt of a specific aliphatic carboxylic acid, the microcapsule is obtained by encapsulating perfume, and the excipient contains non-microencapsulated perfume separately from the microcapsule.
少なくともゲル形成剤と水でゲル状態の賦形材を形成し、該賦形材中に、マイクロカプセルが分散されてなる固形描画材であって、前記ゲル形成剤が特定の脂肪族カルボン酸の金属塩であり、前記マイクロカプセルが香料を内包してなりかつ賦形材中にマイクロカプセルとは別にマイクロカプセル化されていない香料が含有された固形描画材。 - 特許庁
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