「solid-state」を含む例文一覧(12282)

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  • SEMICONDUCTOR LASER PUMPED SOLID-STATE LASER CONTROLLER, SEMICONDUCTOR LASER PUMPED SOLID-STATE LASER DEVICE INCLUDING THE SAME, AND IMAGE FORMING DEVICE INCLUDING THE SAME
    半導体レーザ励起固体レーザ制御装置、及びこれを備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置、並びにこれを備えた画像形成装置 - 特許庁
  • CORRELATION DOUBLE SAMPLING CIRCUIT, SIGNAL PROCESSING CIRCUIT, AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS
    相関二重サンプリング回路、信号処理回路及び固体撮像装置 - 特許庁
  • The solid-state electrolytic capacitor 1 comprises a valve metal base substance 10, a dielectric layer 22, a solid-state polymer molecule electrolytic layer 24, and an insulating layer 16.
    固体電解コンデンサ１は、弁金属基体１０、誘電体層２２、固体高分子電解質層２４、及び絶縁層１６を備えている。 - 特許庁
  • METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, SEMICONDUCTOR APPARATUS AND SOLID-STATE IMAGING APPARATUS
    半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、固体撮像装置 - 特許庁
  • The process by which substances are turned directly from a solid state into a gas is called sublimation.
    物質が直接固体から気体に変わる過程を昇華という。 - Tanaka Corpus
  • The process by which substances are turned directly from a solid state into a gas is called sublimation.
    物質が直接固体から気体に変わる過程を昇華という。 - Tatoeba例文
  • To provide a method for manufacturing a solid-state imaging device which does not deteriorate an output of the solid-state imaging device and does not cause the problem in a reliability.
    固体撮像装置の出力を劣化させず、かつ信頼性上の問題を起こさない固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • SOLID-STATE IMAGING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND IMAGING SYSTEM
    固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法及び撮像システム - 特許庁
  • BACK-ILLUMINATED SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE, ELECTRONIC-EQUIPMENT MODULE, AND CAMERA MODULE
    裏面照射型固体撮像素子、電子機器モジュール及びカメラモジュール - 特許庁
  • To provide a solid-state imaging element having a line memory which is easy to manufacture.
    製造の容易なラインメモリを有する固体撮像素子を提供する。 - 特許庁
  • SOLID-STATE IMAGING DEVICE, PRODUCTION METHOD OF THE SAME, AND ELECTRONIC INFORMATION EQUIPMENT
    固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子情報機器 - 特許庁
  • STORAGE CELL STRUCTURE AND QUATERNARY STORAGE SOLID STATE MAGNETIC MEMORY HAVING THE SAME
    記憶セル構造およびこの構造を備えた４値記憶固体磁気メモリ - 特許庁
  • OPTICAL ELEMENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLID-STATE IMAGING ELEMENT
    光学素子および光学素子の製造方法ならびに固体撮像素子 - 特許庁
  • SOLID-STATE IMAGING DEVICE, DRIVING METHOD OF THE SAME, AND ELECTRONIC INFORMATION APPARATUS
    固体撮像素子およびその駆動方法、並びに電子情報機器 - 特許庁
  • To align a solid-state image pickup element without the need for changing a chart even when a size of the solid-state image pickup element, a pixel size and a pixel pitch are changed.
    固体撮像素子のサイズ、画素サイズ及びピッチが変わってもチャートを変更することなく固体撮像素子の位置合わせを可能にする。 - 特許庁
  • SOLID-STATE IMAGING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, AND CAMERA MODULE
    固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびカメラモジュール - 特許庁
  • CCD SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, DRIVING METHOD THEREOF, AND IMAGING APPARATUS
    ＣＣＤ型固体撮像素子及びその駆動方法並びに撮像装置 - 特許庁
  • To provide a solid-state imaging apparatus capable of performing a high-speed operation.
    高速動作をすることができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
  • CHARGE TRANSFERRING DEVICE, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AREA SENSOR, AND LINEAR SENSOR
    電荷転送装置及び固体撮像装置、並びにエリアセンサ及びリニアセンサ - 特許庁
  • SOLID-STATE IMAGING DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
    固体撮像素子、半導体装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF DRIVING THE SAME, AND ELECTRONIC APPARATUS
    固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および電子機器 - 特許庁
  • METHOD OF DRIVING CCD SOLID STATE IMAGE SENSOR AND IMAGING APPARATUS EMPLOYING IT
    ＣＣＤ固体撮像素子の駆動方法とそれを用いた撮像装置 - 特許庁
  • To provide a solid state imaging device in which read-out voltage is reduced, and to provide its fabrication process and a camera employing the solid state imaging device.
    読み出し電圧の低減化を図った固体撮像装置およびその製造方法、当該固体撮像装置を用いたカメラを提供する。 - 特許庁
  • METHOD OF FORMING ON-CHIP LENS AND METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING APPARATUS
    オンチップレンズの形成方法および固体撮像装置の製造方法 - 特許庁
  • To provide an amplification type solid-state imaging device in which crosstalk is reduced.
    クロストークが低減された増幅型固体撮像素子を提供する。 - 特許庁
  • METHOD FOR POSITIONING OBJECTIVE LENS IN SOLID-STATE IMAGING DEVICE, COUPLER FOR SOLID IMAGING DEVICE AND JIG FOR FIXING COUPLER
    固体撮像装置における対物レンズの位置決め方法、固体撮像装置のカプラ及びカプラ固定用治具 - 特許庁
  • The solid state imaging apparatus 1 comprises a wiring board 10, a solid imaging chip 20, and underfill resin 30.
    固体撮像装置１は、配線基板１０、固体撮像チップ２０、およびアンダーフィル樹脂３０を備えている。 - 特許庁
  • This cosmetic composition is obtained by dispersing foamed volcanic eruption material in a polymeric compound to make a solid state, gel state or creamy state.
    火山噴出物発泡体を高分子化合物に分散して、固形状、ゲル状、又はクリーム状とした化粧品組成物。 - 特許庁
  • Frictional transfer may be performed in such a state that the base material and/or the release agent in the solid state are heated.
    摩擦転写は、基材及び／又は固形状態の離型剤を加熱した状態で行ってもよい。 - 特許庁
  • The solid state laser material contains a disordered polycrystal in which a powder material is crystallized in a polycrystalline state.
    本発明の固体レーザ材料は、粉体材料を多結晶化した無秩序多結晶体からなる。 - 特許庁
  • Then, the specimen 20 is heated so that the temperature of each of solid materials 21, 22 may be a temperature or lower for allowing the solid materials 21, 22 to maintain a solid phase state.
    次に、固体材料２１，２２の温度が、固体材料２１，２２が固相状態を保つことの可能な温度以下となるように試料２０を加熱する。 - 特許庁
  • To provide a control circuit of a solid-state imaging element which separates and reads out two kinds of pixel data different in sensitivity and a driving method of the solid-state imaging element.
    感度の異なる２種類の画素データを分離して読み出す固体撮像素子の制御回路および固体撮像素子の駆動方法を提供。 - 特許庁
  • METHOD FOR FILLING WITH ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING ALL-SOLID-STATE CELL
    電極活物質充填方法及び全固体電池の製造方法 - 特許庁
  • This visible light is made incident to the light receiving face 6 of the solid-state image pickup element 4, and photoelectric converted with sufficient sensitivity by the photosensor of the solid-state image pickup element 4.
    この可視光は固体撮像素子４の受光面６に入射して、固体撮像素子４の光センサーにより充分な感度で光電変換される。 - 特許庁
  • SOLID-STATE IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, ELECTRONIC EQUIPMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
    固体撮像装置とその製造方法、電子機器並びに半導体装置 - 特許庁
  • The laser irradiation device is equipped with a first attenuator 16 to a fifth attenuator 20 to control the intensity of the laser beams L1 to L5 emitted from a first solid state laser 11 to a fifth solid state laser 15.
    第１〜第５のアッテネータ１６〜２０を備え、第１〜第５の固体レーザ１１〜１５から射出される各レーザ光Ｌ１〜Ｌ５の強度を制御する。 - 特許庁
  • To efficiently improve the dynamic range of an amplification type solid-state image pickup element.
    増幅型固体撮像素子のダイナミックレンジを効率的に向上させる。 - 特許庁
  • COLOR FILTER, SOLID STATE IMAGE SENSOR, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC INFORMATION APPARATUS
    カラーフィルタ、固体撮像素子、液晶表示装置および電子情報機器 - 特許庁
  • To provide a method of driving a solid-state imaging device suppressing degradation of a dynamic range due to dark output, a solid-state imaging device, and a camera.
    暗出力によるダイナミックレンジの低下を抑制することができる固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置およびカメラを提供する。 - 特許庁
  • The lighting device 305 includes a surface light emitting solid-state element 46 having flexibility and a mechanism 50 varying the shape of the surface light emitting solid-state element.
    また、照明装置３０５は、可撓性を有する面発光固体素子４６と、該面発光固体素子の形状を変化させる機構５０とを有する。 - 特許庁
  • Powder coating is applied to the coating of the solid-state imaging apparatus capacitive element 20.
    ここで、固体コンデンサ素子２０に対する外装は、粉体塗装で行う。 - 特許庁
  • To reduce the degradation of image quality caused by any defective pixel of a solid state image pickup device.
    固体撮像素子の画素欠陥による画質劣化をより少なくする。 - 特許庁
  • A solid-state imaging device 1 is a back-illuminated solid-state imaging device including a semiconductor substrate 10, a semiconductor layer 20, and a light-receiving section 30.
    固体撮像装置１は、半導体基板１０、半導体層２０、および受光部３０を備える裏面入射型の固体撮像装置である。 - 特許庁
  • SOLID-STATE ELECTROLYTIC CAPACITOR, AND MOUNTING STRUCTURE THEREOF ONTO BOARD
    固体電解コンデンサ及びこの固体電解コンデンサの基板への実装構造 - 特許庁
  • SEMICONDUCTOR DEVICE, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE
    半導体装置、固体撮像素子、および半導体装置の製造方法 - 特許庁
  • SOLID-STATE IMAGING DEVICE FOR FOCUS DETECTION, AND CAMERA SYSTEM USING THE SAME
    焦点検出用固体撮像装置及び、同装置を用いたカメラシステム - 特許庁
  • To obtain a solid-state image pickup element which can compute respective color image signals faster when the resolution of the solid-state image pickup element is decreased to obtain a color image.
    カラー化を実現するために固体撮像素子の解像度を下げた場合等の各カラー画像信号をより早く計算できる固体撮像素子を得ること。 - 特許庁
  • Then a solid- state imaging device 7 is fitted to the front side of the circuit board 8 and a solid-state imaging device 7 and a boding pad are connected through wire bonding.
    その後、回路基板８の表面に固体撮像素子７を取り付け、固体撮像素子７とボンディングパッドとをワイヤーボンディングにより結線する。 - 特許庁
  • To provide a method of manufacturing a solid-state imaging device without a color filter which makes it possible to restrict ripples in the transmissivity characteristics of a solid-state imaging device.
    固体撮像装置の透過率特性に生ずるリップルを抑制することが可能な、カラーフィルタを具備しない固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
    固体撮像素子及びその製造方法、半導体装置の製造方法 - 特許庁
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