「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 次へ＞- To provide an apparatus and method for manufacturing a highly efficient flexible copper film-laminated strip by improving adhesiveness between a polyimide strip and a thin metal film, and removing stress from copper films laminated through magnetron sputtering being a dry deposition process.
ポリイミドフィルムと金属薄膜層との間の接着性を向上させ、乾式蒸着法であるマグネトロンスパッタリング法により形成された銅積層膜の応力を除去して、高効率の軟性銅箔積層フィルムを製造する軟性回路基板の製造装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for producing a sputtering target by subjecting a melt-cast Ta ingot or billet to forging, annealing, rolling, etc., the ingot or billet is subjected to recrystallization annealing at 1,373K-1,673K after subjected to the forging.
溶解鋳造したＴａインゴット又はビレットを鍛造、焼鈍、圧延加工等によりスパッタリングターゲットを製造する方法において、インゴット又はビレットを鍛造した後に１３７３Ｋ〜１６７３Ｋの温度で再結晶焼鈍することを特徴とするＴａスパッタリングターゲットの製造方法。 - 特許庁 - To provide a fluoride thin film manufacturing method capable of manufacturing a fluoride thin film by sputtering without complicated works by solving a problem when forming a target of fluoride, and depositing the fluoride thin film of the desired composition with less lack of fluorine.
フッ化物をターゲットとする場合の問題を解決して煩雑な作業を伴うことなくフッ化物薄膜をスパッタリングにより製造することを可能とし、よりフッ素の欠乏が少なく目的とする組成に近いフッ化物薄膜を成膜し得るフッ化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a multilayer antireflection film with single layer film properties of MgF2 capable of both side processing using only a sputtering method in the case of processing a lens which needs multilayer antireflection film properties at one side and single layer film properties of MgF2 at the other side.
一方の片面が多層反射防止膜特性、他の片面がＭｇＦ２の単層膜特性を必要とするレンズを加工する場合、スパッタ法のみを用いて両面加工が可能な、ＭｇＦ２の単層膜特性を有する多層反射防止膜を提供することにある。 - 特許庁 - To provide a plasma processor in which a sputtering of a porous shielding plate can be prevented even if a surface is not protected with quartz and the like while a microwave field and electrically charged particles are shielded and a stable processing by activated neutral particles is performed, and to provide a plasma processing method.
マイクロ波電界及び荷電粒子を遮蔽して活性化された中性粒子による安定した処理を行いつつ、石英等で表面を保護しなくても多孔遮蔽板のスパッタを防止することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - Further, a method for manufacturing this sputtering target includes a step of hot-pressing, in vacuum or an inert gas atmosphere, mixed powder of: at least one of AuPt alloy powder and CuPt alloy powder; AgPt alloy powder; FePt alloy powder; Pt powder; and graphite powder or carbon black powder.
また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｕＰｔ合金粉およびＣｕＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 - 特許庁 - When the catalyst component is dispersed and deposited on the surface of the oxide, a solution containing the catalyst component or the precursor of the catalyst component is brought into contact with the oxide or the catalyst component is brought into contact with the oxide by any one method of sputtering, ion plating, and vacuum deposition.
酸化物の表面に触媒成分を分散担持させるに際しては、触媒成分または触媒成分の前駆体を含む溶液を酸化物と接触させ、または、スパッタリング、イオンプレーティング、真空蒸着のいずれかにより触媒成分を酸化物と接触させている。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a magnetic recording medium which can further enhance coercive force Hc or a reverse magnetic domain nucleation magnetic field Hn considering influence of a magnetic field utilized in magnetron sputtering on film-deposition of the magnetic recording medium.
マグネトロンスパッタリングにおいて利用される磁界が磁気記録媒体の成膜において及ぼす影響を鑑みて、さらに保磁力Ｈｃまたは逆磁区核形成磁界Ｈｎを向上させることが可能な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To produce high purity titanium used for a target or the like capable of suppressing contaminated materials caused by the mutual diffusion of materials composing a laminated thin film, and of limiting an abnormal discharging phenomenon and particles as much as possible in the case of film formation by sputtering and to provide a method for producing it.
積層薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制、及びスパッタリングによる成膜に際しては、異常放電現象やパーテイクルを極力制限することができるターゲット等に使用できる高純度チタン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for plasma ion implantation which avoids a phenomenon in that the fall of the voltage of the high voltage pulse applied to a base material is damped by the load impedance of the base material, and in which generation of damages such as sputtering on the base material is prevented, the plasma ion is correctly implanted, and the diversified kinds of plasma are applied to.
基材に印加する高電圧パルスの電圧の立ち下がりが、基材の負荷インピーダンスのために減衰する現象を回避して、基材にスパッタリングなどの損傷が生ずるのを防止し、プラズマイオンの的確な注入と、多様なプラズマ種への対応を図る。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device, a polysilicon film 2 with 20 nm thickness is formed in a light shielding region 20 on an insulating substrate 1 as a primary coat, further a WSiN film 3, a part of a light shielding film, with 20 nm thickness is formed with a sputtering method and subsequently a WSi film 4, the light shielding film, with 100 nm thickness is formed.
絶縁基板１上の光遮蔽領域２０に、下地としてのポリＳｉ膜２を２０ｎｍ厚形成し、さらに遮光膜の一部であるＷＳｉＮ膜３をスパッタ法により２０ｎｍ厚形成後、遮光膜のＷＳｉ膜４を１００ｎｍ厚形成する。 - 特許庁 - In the process to form a pole part of a recording head, a dummy pattern is formed by using the material such as photoresist so that the end of the pattern is positioned at the position for forming the pole part, and a soft magnetic material becoming the pole is formed to the film on the side surface of this dummy pattern by using a method such as a gradient sputtering.
記録ヘッドのポール部分を形成する工程において、ポール部分を形成する位置にパターンの端が位置するようにフォトレジストなどの材料を用いてダミーパターンを形成し、このダミーパターンの側面に傾斜スパッタリングなどの手法を用いてポールとなる軟磁性材料を成膜する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which enables an oxide film superior in electroconductivity and transparency for visible light to be formed at a high deposition rate, and decreases transmissivity for visible light little even when a large number of such electroconductive films are stacked as are made from an oxide film, silver or the like, and to provide a film-forming method.
導電性および可視光透過性に優れた酸化物膜を速い成膜速度で形成でき、かつ該酸化物膜および銀等からなる導電膜の積層数を多くしても可視光透過率の低下が少ないスパッタリングターゲットおよび成膜方法を提供する。 - 特許庁 - In the electrochromic element having a transparent conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolytic layer, a reduction coloring layer, and a transparent conductive film laminated on a substrate, one or two or more layers out of the oxidation coloring layer, electrolytic layer, reduction coloring layer, and the transparent conductive film, are deposited with a gas flow sputtering method.
基板上に、透明導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び透明導電膜が積層されたエレクトロクロミック素子の酸化発色層、電解層、還元発色層及び透明導電膜のうちのいずれか１層又は２層以上をガスフロースパッタリング法により成膜する。 - 特許庁 - In the seamless pipe for the fixing device in which the heat resistant resin film tube body 2, a metal layer 3 which is other than copper, a copper layer 4 and a surface release layer 5 are sequentially formed on the outer peripheral surface of the heat resistant resin film tube body, the metal is formed by a sputtering method.
耐熱性樹脂フィルム管状体２と、この耐熱性樹脂フィルム管状体の外周表面に銅以外の金属層３と銅層４と表面離型層５とが順に形成されてなる定着装置用シームレスパイプであって、上記金属がスパッタリング法によって形成される。 - 特許庁 - To provide an Ag reflector which has optical characteristics that show high reflectance from a visible region to an infrared region, has adhesiveness that can suppress peeling even when being bent, has high resistance, and can simplify a facility for film formation by sputtering, and to provide a method for manufacturing the same.
可視域から赤外域まで高反射率な光学特性を有するとともに、折り曲げても剥離を抑制できる密着性を有し、耐性が高く、スパッタリングによる成膜のための設備を簡易なものにすることができるＡｇリフレクタとその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The film-forming method also includes: supplying only the sputtering gas into the chamber and applying a predetermined current or electric power to the metal target in this state; then, measuring the voltage of the metal target and starting the detection of the electric discharge; and moving the magnet so that the electric discharge occurs at the predetermined voltage.
チャンバ内にスパッタリングガスだけを供給し、この状態で、金属ターゲットに所定の電流または電力を印加させたとき、金属ターゲットの電圧を測定し、かつ放電の検出を開始し、その電圧が所定の電圧で放電が生じるようにマグネットを移動させる。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for depositing a perpendicular magnetic recording medium film having a low relative magnetic permeability which is used for depositing a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium in a hard disk, particularly applied to a perpendicular magnetic recording medium, and to provide a method for producing the same.
ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜を形成するための比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a two-layer copper clad laminated sheet which can further inhibit oxidation discoloration after a heat treatment which raises folding resistance in the two-layer copper clad laminated sheet (two-layer CCL material) wherein a copper layer is formed on a polyimide film by sputtering and plating, and to provide the two-layer copper clad laminated sheet.
ポリイミドフィルム上にスパッタリング及びメッキ処理により銅層を形成した２層銅張積層板（２層ＣＣＬ材料）において、耐折性を向上させる熱処理後に、さらに酸化変色を防止できる２層銅張積層板の製造方法及び２層銅張積層板を得る。 - 特許庁 - To provide a composite target for sputtering, which is capable of introducing a stable, prescribed amount of oxygen vacancies into a transparent conductive film and forming the transparent conductive film which has good light transmission, low electric resistance and good conductivity, and a manufacturing method of the transparent conductive film using the same.
安定した一定量の酸素欠陥を導入することができ、光透過率が良好であり、低い電気抵抗及び良好な導電性を有する透明導電膜を形成するスパッタリング複合ターゲット及びこれを用いた透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The magnetic random access memory comprises a lower electrode 20; the magnetoresistance effect element 23 which is formed above the lower electrode 20 and has side faces; and a protective film 24 which covers the side faces of the magnetoresistance effect element 23, and has the same flat shape as that of the lower electrode 20, and is formed by a sputtering method.
磁気ランダムアクセスメモリは、下部電極２０と、この下部電極２０の上方に設けられ、側面を有する磁気抵抗効果素子２３と、この磁気抵抗効果素子の側面を覆い、下部電極２０と同一の平面形状であり、スパッタ法で形成された保護膜２４とを具備する。 - 特許庁 - This plating sheet 1 has an elastic layer 20 of an open-cell foamed sponge as a center, a thin film plating layer 10 formed by a sputtering method on one skin layer 20a created during the formation process of the elastic layer 20 and a film layer 30 of PET film that is bonded to the other skin layer 20a.
メッキシート１は、連続発泡スポンジである弾性層２０を中心に、弾性層２０の形成過程で生成される一方のスキン層２０ａにスパッタリング法によって薄膜のメッキ層１０を形成し、他方のスキン層２０ａにＰＥＴフィルムであるフィルム層３０を接着した。 - 特許庁 - The method of mounting the large-size substrate on a carrier and manufacturing the transparent conductive thin film of ITO on the large-size substrate by sputtering is provided, wherein an O_2 gas flow rate is divided and adjusted independently in a direction perpendicular to a substrate conveying direction to manufacture the transparent conductive thin film.
大型基板をキャリア上に載置して、ＩＴＯの透明導電性薄膜をこの大型基板上にスパッタリングにより形成する方法であって、Ｏ_２ガス流量を基板搬送方向に垂直な方向に独立に分割調整して透明導電性薄膜を製造する。 - 特許庁 - The plasma treatment of the surface of an insulating resin board prepared by molding a resin composition is carried out so that the surface of the insulating resin board can be activated, and the metallic coating treatment of the surface of the resin board is carried out by a method selected from sputtering, vacuum vaporization, and ion plating so that a circuit board can be manufactured.
樹脂組成物を成形して作製された絶縁性の樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なった後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる方法で樹脂基板の表面に金属被覆処理をすることによって回路基板を製造する。 - 特許庁 - This glass is formed by depositing a colored oxide layer containing ≥60 wt.% metal oxide consisting of at least one kind of metals among metals Fe, Co, Ni and Cu by a sputtering method on the surface of a glass substrate and the glass substrate is not subjected to bending and/or tempering after the deposition.
ガラス基板表面に、スパッタリング法によりＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの金属のうちの少なくとも１種の金属よりなる金属酸化物を６０重量％以上含有する着色酸化物層が膜付けされてなり、膜付け後に曲げ加工及び／又は強化加工しないこと。 - 特許庁 - To provide a target for stably manufacturing a transparent electroconductive thin-film, of which the transmittance decreases very little in an infrared wavelength region, and which has an low resistance equal to that of a transparent electroconductive thin-film obtained by ITO based target, by a sputtering method with an adequate reproducibility.
本発明のは、赤外波長領域で透過率の低下が非常に少なく、しかもＩＴＯ係ターゲットで得られる透明導電性薄膜と同等の低抵抗値を有する透明導電性薄膜をスパッタリング法で再現性良く安定に製造でしうるターゲットの提供を課題とする。 - 特許庁 - To provide a Co-Fe-Zr-based alloy target material which is used for forming a soft magnetic film of the Co-Fe-Zr-based alloy used in a perpendicular magnetic recording medium, and has adequate sputtering characteristics and a low magnetic permeability, and to provide a production method therefor.
垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The filter is manufactured, such that a high-purity ZnO target is epitaxially grown on a sapphire substrate, using the sputtering method to obtain a high-resistance ZnO film, which is further grown by doping As using the ion implantation technique or using a dopant-mixed target to obtain a low-resistance P-type 2-6 group compound semiconductor film.
高純度ＺｎＯターゲットをスパッタリング法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させ高抵抗のＺｎＯ膜を得、さらにＡｓをイオン注入法でドーピング、または、ドーパントを混ぜたターゲットを用いて成長させる低抵抗のＰ型２−６族化合物半導体膜を得る。 - 特許庁 - In this forming method of an Al wiring, a TiN film 4 which is nitrified by including N2 gas into process gas during the formation of the Ti film 2 on the semiconductor substrate 1 is formed on the Ti film 2, and thereafter the Al wiring film 3 is formed and made to reflow through the use of high- temperature sputtering.
また、半導体基板１上へのＴｉ膜２の形成時にプロセスガスの中にＮ_2 ガスを混入して窒化させたＴｉＮ膜４をＴｉ膜２上に成膜させ、その後、Ａｌ配線膜３を高温スパッタリングを用いて成膜・リフローさせて成膜するＡｌ配線の形成方法である。 - 特許庁 - In another way, the NiAl orientation controlled film is formed on the glass substrate by the DC magnetron sputtering method, a first intermediate film of CoCr, a second intermediate film of CoCrMn and the CoCrPt magnetic film being formed thereon sequentially and a CN protective film being formed lastly.
基板上に形成されたB2（CsCl）構造、L10(AuCu I)構造、あるいはL21(Cu2AlMn)構造を有する配向制御膜、該配向制御膜上に形成されたCo基合金を含む非磁性中間膜、該非磁性中間膜上に形成されたCo基合金を含む磁性膜を有することを特徴とする磁気記録媒体とする。 - 特許庁 - An SiO_2 film 48A is formed by a sputtering process on the surface of a first plate 34 before forming a nozzle for discharging a liquid droplet, then a fluorine-based water repellent film 48B is formed on the SiO_2 film 48A by a vapor deposition method and polymerized by heat to form the water repellent layer 48.
液滴を吐出するためのノズルを形成する前の第１のプレート３４表面に、スパッタ法でＳｉＯ_２膜４８Ａを形成し、このＳｉＯ_２膜４８Ａの上にフッ素系撥水膜４８Ｂを蒸着法で形成した後、加熱により重合処理して撥水層４８を形成する。 - 特許庁 - To provide a metal particulate-dispersed composite of nanosize capable of producing a thin film in which particulates are dispersed in such a manner that the particle sizes are uniform and fine using a vacuum film deposition process such as an electron beam vapor deposition process and a sputtering process where uniform film deposition is possible, and to provide a method for producing the same.
均一な成膜が可能である電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等の真空成膜法を用い、かつ微粒子サイズが均一かつ微細に分散した薄膜を作製することができる、ナノサイズの金属微粒子分散複合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An original plate where a plurality of layers of two-layer film A-C consisting of a SiO2 thin film 12 and a Al2O3 thin film 13 are laminated by sputtering method on a Si base plate 11 having a diameter of 200 mm, is annealing-treated under conditions of a temperature of 400°C for 30 minutes prior to etching.
直径２００ｍｍのＳｉ基板１１上にスパッタ法を用いてＳｉＯ_2薄膜１２、Ａｌ_2 Ｏ_3 薄膜１３から成る２層膜Ａ〜Ｃを複数層積層させた原板を、エッチングに先立ち電気炉において４００℃、３０分の条件においてアニール処理が行う。 - 特許庁 - To provide a sputtering device for manufacturing a thin film solid battery and a method for manufacturing the thin film solid battery, in which, according to planar directional sizes of an active material layer and a solid electrolyte layer to be molded, the molding of the active material layer and solid electrolyte layer can be simplified.
成形する活物質層及び固体電解質層の平面方向の大きさに応じて活物質層及び固体電解質層を成形することを簡略化できる薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a CoCrPt-SiO_2 sputtering target with a fine structure for depositing a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium for a hard disk, particularly, for depositing a CoCrPt-SiO_2 granular magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium.
ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用されるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２グラニュラ磁気記録膜を形成するための微細な組織を有するＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A method of producing a base material for superconductive thin film comprises: a first step of depositing a bed layer on a metal base plate; a second step of forming an orientation layer on the bed layer by an ion beam assisted deposition; and a third step of forming a cap layer comprising CeO_2 on the orientation layer by a sputtering.
超電導薄膜用基材の製造方法において、金属基板上にベッド層を成膜し（第１工程）、ベッド層上にイオンビームアシスト蒸着法により配向層を形成し（第２工程）、配向層上にスパッタ法によりＣｅＯ_２からなるキャップ層を形成する（第３工程）。 - 特許庁 - The piezoelectric thin film element 1 has such a structure that a platinum lower electrode 3, a first SrTiO_3 thin film 4, an (Na, K, Li)NbO_3 piezoelectric thin film 5, a second SrTiO_3 thin film 6, and a platinum upper electrode 7 are formed on an MgO substrate 2A in sequence by an RF magnetron sputtering method.
この圧電薄膜素子１は、ＭｇＯ基板２Ａ上に、ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、白金下部電極３、第１のＳｒＴｉＯ_３薄膜４、（Ｎａ，Ｋ，Ｌｉ）ＮｂＯ_３圧電薄膜５、第２のＳｒＴｉＯ_３薄膜６および白金上部電極７を順次形成した構造を有する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for forming a magnetic recording film suitable for forming a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium of a hard disk and the like, especially a magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium and having high leakage magnetic flux density and to provide a method for producing the same.
ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成に好適な、漏れ磁束密度の高い磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットとその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a CoCrPt-SiO_2 sputtering target with a fine structure for depositing a magnetic recording film applied to a high density magnetic recording medium for a hard disk, particularly, for depositing a CoCrPt-SiO_2 granular magnetic recording film applied to a perpendicular magnetic recording medium.
ハードディスクの高密度磁気記録媒体に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用されるＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２グラニュラ磁気記録膜を形成するための微細組織を有するＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_２スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a target material of a Co-Zr-based alloy, which is used when a soft magnetism film of a Co-Zr-based alloy to be used for a vertical magnetic recording medium is formed, and has superior sputtering characteristics and low magnetic permeability, and to provide a manufacturing method therefor.
垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a high-purity ruthenium sputtering target which does not allow cracks to occur in recrystallization or in welding and suppresses the film thickness distribution from becoming large in film formation for forming e.g. an electrode for a capacitor of a semiconductor memory, and to provide a target obtained thereby.
再結晶化や熔接の際にクラックが発生せず、しかも半導体メモリーのキャパシタ用電極などを形成する成膜時において膜厚分布が大きくなることを抑えることができる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットの製造方法及びそれにより得られたターゲットの提供。 - 特許庁 - To form a laminated film of low resistance excellent in electrical conductivity and useful as a transparent electrically conductive thin film and a heat ray reflection film arranged in front of PDP by alternately laminating metallic oxide thin films and metallic thin films on a substrate into a multilayer by a sputtering method.
スパッタリング法により基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを交互に多層に積層することにより、ＰＤＰの前面に配置される透明導電性薄膜や熱線反射膜として有用な低抵抗で導電性に優れた積層膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a semiconductor structure by sputtering a sputtered SiO2 above a trench and possibly depositing the same on both sides of the trench, resulting in excessive build-up, and restricting an opening where a bottom up gap filling is achieved in STI gap filling.
ＳＴＩギャップ充填において、スパッタリング済みＳｉＯ２はトレンチ上方からスパッタリングされ、かつトレンチの両側に堆積することが可能であり、過剰なビルドアップをもたらし、かつボトムアップギャップ充填が達成される開口を制限して、半導体構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - By using a reactive sputtering method, a nitride film having sealability is formed on a substrate, and a negative RF voltage (bias) is applied to the substrate, at the same time, which attains sealing film formation in a brief time, without causing defects, such as, the holes or the grooves, even if foreign matters adhere to the substrate.
反応性スパッタリング法により基板上に封止性能を有す窒化膜を形成しつつ、同時に基板に負のＲＦ電圧（バイアス）を印加することで、基材に異物が付着した場合においても、孔や溝などの欠陥を生じることなく、短時間での封止膜形成が可能になる。 - 特許庁 - In the method of forming the laminated film wherein the metal oxide thin film 2 and the metal thin film 3 are formed by laminating the base 1 with a sputtering process, the layer 4 of the oxide is formed by exposing the metal thin film 3 to an oxygen gas atmosphere after this film is formed.
スパッタリング法により、基板１上に金属酸化物薄膜２と金属薄膜３とを積層形成する積層膜の形成方法において、金属薄膜３の成膜後、該金属薄膜３を酸素ガス雰囲気に晒すことによりこの酸化物層４を形成する。 - 特許庁 - A method of depositing an insulating film includes: a first step of depositing an Hf-Si film 102 on an Si substrate 101 by sputtering; a second step of depositing an HfSiO film 103 by oxidizing the Hf-Si film; and a third step of forming an HfSiON film 105 by nitriding the HfSiO film.
Ｓｉ基板１０１の上にスパッタによりＨｆ−Ｓｉ膜１０２を形成する第１工程と、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化してＨｆＳｉＯ膜１０３を形成する第２工程と、ＨｆＳｉＯ膜を窒化してＨｆＳｉＯＮ膜１０５を形成する第３工程を含む。 - 特許庁 - A dielectric thin film, that forms a thin film capacitor is formed of oxide dielectric which is represented by a general formula, ABO3 as the chemical formula, the oxide dielectric is manufactured through an ECR sputtering method, and the dielectric thin film has a composition that satisfies the expression 0.82≤A/B≤0.97.
薄膜キャパシタを構成する誘電体薄膜を、一般式ＡＢＯ_3の化学式で表される酸化物誘電体で構成し、かつこの酸化物誘電体をＥＣＲスパッタリング法を用いて作製し、かつこの誘電体薄膜は０．８２≦Ａ／Ｂ≦０．９７を満たす膜組成を有している。 - 特許庁 - To uniformize of induced voltage caused by the material difference between a glass substrate and a fixture in sputtering, and to provide a method for manufacturing a glass optical element capable of forming a dielectric multilayered film having uniform film thickness and the fixture for manufacturing the glass optical element.
スパッタ作用時にガラス基材と固定治具の材質の違いに起因した誘起電位の不均一さを解消して、膜厚が均一な誘電体多層膜の形成を可能にするガラス製光学素子の製造方法及びガラス製光学素子の製造用固定治具を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and equipment, capable of preventing the occurrence of abnormal electric discharge due to the entering of reactive gas such as oxygen into the sputter zone of a target in a sputtering technique for obtaining a thin film of metallic compound and capable of providing a dense thin film increased in high film performance.
本発明の目的は、金属化合物薄膜を得るスパッタリング技術において、酸素等の反応性ガスがターゲットのスパッタゾーンに入り込むことに起因する異常放電を防止し、緻密で膜性能の高い薄膜を得ることができる装置及び方法を提供することにある。 - 特許庁 - This method comprises: a previous process where a chromium layer is deposited on the basis material in a magnetron sputtering system; and an after process where the temperature of the basis material is held at 100-200°C and a CrN layer is deposited on the above Cr layer in an arc discharge ion plating system.
本発明は、マグネトロンスパッタ装置において基材上にクロム層を形成する前行程と、アーク式イオンプレーティング装置において基材の温度を１００〜２００℃に保持して前記Ｃｒ層の上にＣｒＮ層を形成する後行程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
