「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 次へ＞- A mask pattern 11a obtained by performing a photo-processing of a resist film is formed on a substrate 1, and then, a metal mask 20 having an opening part 22 formed slightly larger than a deposition area on the substrate is arranged on the mask pattern, then, for example, optical interference filters 2 and 2a are formed by introducing a vapor-deposition method and a sputtering method, etc.
基板１上に、たとえばレジスト膜のフォトプロセスによって形成されたマスクパターン１１ａを形成し、その上に基板上の成膜領域よりも僅かに大きく形成された開口部２２を有するメタルマスク２０を配置して、たとえば蒸着法やスパッタリング法などによって光干渉フィルタ２、２ａを形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a mask blank capable of manufacturing a high-quality mask blank with a high yield, while suppressing generation of defects in a thin film for forming a mask pattern, to provide a method for manufacturing a transfer mask manufactured by patterning the thin film of the mask blank, and to provide a sputtering target that is used for manufacturing the mask blank.
マスクパターンを形成するための薄膜の欠陥発生を抑えた高品質のマスクブランクを、高い歩留まりで製造することのできるマスクブランクの製造方法と、前記マスクブランクの薄膜をパターニングして製造する転写マスクの製造方法、並びに前記マスクブランクの製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - The objective method for manufacturing the rolling element includes applying positive bias voltage to a rolling element, when coating molybdenum disulfide or tungsten disulfide as a solid lubricant film by a sputtering method, on the surface of the rolling element comprising two faces facing each other, which supports a rolling movement of parts such as a roller, a ball, an inner wheel, and an outer wheel.
本発明の転動要素の製造方法は、ローラ、ボール、内輪、外輪など、転がり運動を支え相対する２面を構成する転動要素の表面にスパッタ法により二硫化モリブデンまたは二硫化タングステンを固体潤滑膜として被覆する際、転動要素にプラスのバイアス電圧を印加するものである。 - 特許庁 - The method is a low-temperature process for manufacturing the thin film of alumina crystalline and particularly for manufacturing the thin film of α phase alumina, which is the most stable and has the most superior characteristic in alumina crystalline phases, includes forming a thin film of chromium oxide crystalline on a substrate or a base material by a sputtering method beforehand and forming an alumina thin film on it.
スパッタ法により酸化クロム結晶質薄膜をあらかじめ基板や母材に形成し、その上にアルミナ薄膜を形成するアルミナ結晶質薄膜の低温製法であって、特にアルミナ結晶相の中で、最も安定で、且つ特性の最も優れたα相アルミナ薄膜の低温製法である。 - 特許庁 - To provide a simple method of manufacturing a pure copper plate in which cold forging, cold rolling and a subsequent heat treatment after hot forging or hot rolling are unnecessary and the pure copper plate obtained by the manufacturing method, which is fine and uniform, small in residual stress, excellent in workability, particularly suitable for a copper target base material for sputtering.
熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要でシンプルな純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細で均質な残留応力の少ない加工性の良好な、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材に適した純銅板を提供する。 - 特許庁 - In the method for depositing a MgO film on a base metal by the ion beam assist sputtering method, a four-times symmetry MgO film can be deposited by executing the film deposition with the back pressure of <0.001 Pa, and a three-times symmetry MgO film can be deposited by executing the film deposition with the back pressure of ≥0.001 Pa.
イオンビームアシストスパッタ法により金属基材上にＭｇＯ膜を成膜する方法において、背圧を０．００１Ｐａ未満として成膜することにより４回対称ＭｇＯ膜を成膜することができ、背圧を０．００１Ｐａ以上として成膜することにより３回対称ＭｇＯ膜を成膜することができる。 - 特許庁 - The method of manufacturing the magnetic head element having a soft magnetic layer, is characterized in that the method has the steps of: depositing a plating base layer of the soft magnetic layer by sputtering; and applying a magnetic field to the direction parallel with an orientation flat of a wafer in which the head element is formed during the deposition step.
軟磁性層を有する磁気ヘッド素子の製造方法であって、前記軟磁性層のメッキベース層をスパッタリングにより成膜するステップと、前記成膜ステップ中に前記ヘッド素子が形成されるウェハのオリフラと平行な方向に磁場を印加するステップとを有することを特徴とする方法を提供する。 - 特許庁 - This manufacturing method is a method to manufacture an optical recording medium which has at least a recording layer and a reflection layer on its base, and is featured in that the reflection layer is made by sputtering while adjusting its thickness to maintain the sheet resistance constant.
基板上に少なくとも記録層と反射層とを有する光学的情報記録用媒体を量産する製造方法であって、該反射層がスパッタリングによって形成され、該スパッタリングの際に、該反射層の面積抵抗率をほぼ一定に保つように該反射層の膜厚を調整することを特徴とする。 - 特許庁 - The method for manufacturing the alloy sputtering target material having the fine and uniformed structure, the method having the casting process of the alloy, is performed as the followings, that is, in the casting process, when the cast block is obtained by pouring molten alloy into a mold and solidifying the alloy, the solidification speed of the poured molten metal is adjusted into the range of 1-10 mm/sec.
合金の鋳造工程を有し、該鋳造工程において、鋳型に合金の溶湯を注湯し、凝固させて鋳塊を得る際に、注湯された溶湯の凝固速度を１〜１０ｍｍ／ｓｅｃの範囲に調整することを特徴とする、微細均一化された組織を有する合金スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁 - The method for forming the transparent thin film with a sputtering method using a reactive gas, is characterized by employing a compound and/or a mixture including two or more elements having different transition regions as a target, where transition of a film forming mode between a metal mode and a compound mode occurs as the concentration of the reactive gas changes.
反応性ガスの使用によるスパッタリング法にて透明薄膜を成膜する方法において、反応性ガスの濃度変化に伴い成膜形態に金属モードと化合物モードとの間で移行を生ずる遷移領域が異なる２種以上の元素を含む化合物および／または混合物をターゲットとして用いる。 - 特許庁 - This is the method of manufacturing the transparent conductive film in which in a state that the base material film having a cyclic olefin based polymer of a glass transition temperature of 130°C or more is heated to 100°C or more and the temperature obtained by subtracting 20°C from the glass transition temperature or less, the transparent conductive layer is formed by a sputtering method.
ガラス転移温度が１３０℃以上の環状オレフィン系重合体を有する基材フィルムを、１００℃以上、上記ガラス転移温度−２０℃以下の温度に加熱した状態で、スパッタリングにより透明導電層を形成することを特徴とする、透明導電性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a glass substrate for a magnetic disk wherein the increase of frictional force and adhesion force between a magnetic recording medium and a head in a dynamic pressure floating head type is prevented without reducing an S/N ratio and a magnetic film can be easily formed by a sputtering method, to provide a manufacturing method therefor and to provide a magnetic recording medium using the substrate.
Ｓ／Ｎ比を低下させることなく、動圧浮動ヘッド方式における磁気記録媒体とヘッドとの間の摩擦力の増加や吸着力の増大を防ぎ、さらに、スパッタ法により磁性膜の形成が容易な磁気ディスク用ガラス基板およびその製造方法、ならびに該基板を用いた磁気記録媒体の提供。 - 特許庁 - A thin film of a metal selected from titanium oxide, aluminum oxide and copper oxide is formed with a thickness of ≤2 nm on the surface of an oriented polypropylene (OPP) film by a film forming method achieving high adhesion, e.g. the sputtering method, and a gas-barrier thin film, e.g. a film of aluminum oxide or silicon oxide, is then formed.
延伸ポリプロピレン（ＯＰＰ）フィルムの表面に酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化銅のうち何れかの金属の薄膜をスパッタ法などの密着力が強い成膜方法にて２ｎｍ以下形成した後、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、その他のガスバリア性薄膜を形成することによって密着強度が弱いという問題を解決した。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which the impurity contained in a lower wiring layer is not diffused to a metal silicide gate electrode side even when an insulating layer is heat-treated, and to provide a sputtering target for metal silicide wiring which can suppress the particles generated by charge-up, and its manufacturing method.
絶縁層の熱処理によっても下層の配線層に含まれる不純物が金属シリサイドのゲート電極側に拡散することがない半導体装置の製造方法、チャージアップによるパーティクルの発生を抑えることができる金属シリサイド配線用スパッタターゲット、及びその製造方法の提供を課題とする。 - 特許庁 - To provide an oxide sintered compact containing zinc oxide as a main component, aluminum, and gallium and its manufacturing method, a target capable of forming a film continuously for a long time without causing an abnormal discharge in a sputtering method or the like, a transparent electroconductive film of high quality with a low resistance and a high transparency obtained by using it, and a solar cell having a high conversion efficiency.
酸化亜鉛を主成分とし、さらにアルミニウムとガリウムを含有する酸化物焼結体とその製法、スパッタリング法などで異常放電が全く発生せず、連続で長時間成膜できるターゲット、それを用いた低抵抗で高透過性の高品質な透明導電膜、高変換効率の太陽電池を提供。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a transistor including an oxide semiconductor, the percentage of oxygen flow rate to the total flow rate of sputtering gas is set to 90%-100%, an oxide semiconductor layer is formed in oxygen-excess state by sputtering a metal oxide, and the oxide semiconductor layer is sealed in a dense metal oxide thus obtaining a device configuration where impurities such as hydrogen or water is not mixed as much as possible.
酸化物半導体を含むトランジスタの作製方法において、スパッタガスの全流量に対する酸素流量の割合を９０％以上１００％以下として、金属酸化物をスパッタすることで酸素過剰な状態の酸化物半導体層を形成し、該酸化物半導体層を緻密な金属酸化物で封じた構成とすることで、水素や水などの不純物を極力混入させないデバイス構成とする。 - 特許庁 - The catalyst structure for storing and generating hydrogen in which a carrier surface is coated with the catalyst material by a reactive sputtering method; the storage method for hydrogen using the catalyst structure and aromatic hydrocarbon; and the generation method for hydrogen using the catalyst structure and a hydrogenated derivative of the aromatic hydrocarbon are provided.
担体表面に反応性スパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 - 特許庁 - The catalyst structure for storing and generating hydrogen made by coating a carrier surface with the catalyst material by a gas flow sputtering method; a storage method for hydrogen using the catalyst structure and aromatic hydrocarbon; and a generation method for hydrogen using the catalyst structure and a hydrogenated derivative of the aromatic hydrocarbon are provided.
担体表面にガスフロースパッタリング法により触媒材料をコーティングしてなる水素貯蔵及び発生用触媒構造体、並びに、該触媒構造体と、芳香族炭化水素とを用いることを特徴とする水素の貯蔵方法、及び上記触媒構造体と、芳香族炭化水素の水素化誘導体とを用いることを特徴とする水素の発生方法である。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor layer, by which the doping concentration of Si as a dopant element in a crystal of a group III nitride semiconductor is optimized easily, film is formed efficiently by using a sputtering method, and the high activation rate of Si being the dopant element is attained, and to provide a method for manufacturing a group III nitride semiconductor light-emitting element.
ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素としてＳｉのドーピング濃度を容易に最適化でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができると共に、ドーパント元素であるＳｉの活性化率を高めることが可能なＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a target of high-purity nickel or a nickel alloy for magnetron sputtering, which gives excellent uniformity (uniformity of film thickness) to a film and facilitates the ignition (ignition) of plasma even in a manufacturing process with the use of a wafer of 300 mm, and to provide a production method therefor.
３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a target material for sputtering or ion plating in which density is almost 100%, the content of gas is low, structure can easily be controlled, production cost is low, and the target material and a backing plate are integrated in metallography, and to provide a method of producing the same.
密度がほぼ１００％であり、含有ガス量が少なく、組織制御が容易で、生産コストが安く、さらにターゲット材とパッキングプレートが金相学的に一体となったスパッタリングやイオンプレーティング用ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A reflective mirror 3 of the rear projection television (RPTV) includes a float glass plate (glass substrate) 1 formed to have a plate thickness of 3 mm by a float process, and a reflection enhancing film 2 constituted of aluminum (Al) formed on one surface 1a of the glass substrate 1 by a sputtering method.
リアプロジェクションテレビ（ＲＰＴＶ）の反射ミラー３は、フロート製法により板厚が３ｍｍに形成されたフロートガラス板（ガラス基板）１と、ガラス基板１の一方の表面１ａに、スパッタ法により形成されたアルミニウム（Ａｌ）から成る増反射膜２とを備える。 - 特許庁 - In this method for manufacturing the tungsten sputtering target, tungsten powder of 2 to 10 μm particle size is used and hot press sintering is performed in vacuum or in a reducing atmosphere to form a sintered compact, and then the sintered compact is encapsulated and successively subjected to hot isostatic pressing (HIP) treatment.
粒径が２〜１０μｍのタングステン粉末を用い、真空または還元雰囲気中でホットプレス焼結にて焼結体を形成し、その後、該焼結体をカプセリング後、続いて熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）処理し、スパッタリング用タングステンターゲットを製造する方法。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a cylindrical sputtering target by which a uniform joining layer can be formed without incorporating air when joining of a cylindrical base material and a cylindrical target material by using a joining material to remarkably reduce cracking and peeling.
円筒形基材と円筒形ターゲット材とを接合材を用いて接合する際に、空気を取り込むことなく均一な接合層を形成することができ、割れ、剥離を著しく低減することができる円筒形スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A resin layer composed of a fluorine-based resin is formed at least on one face of a polyester base cloth, and a metal layer made of stainless steel, chromium or titanium is formed on the surface of the resin layer by the sputtering method, so as to obtain the targeted polyester fiber-based textile product.
ポリエステル基布の少なくとも一方の面にフッ素系樹脂からなる樹脂層を設け、かかる樹脂層の表面に、スパッタリング法に従ってステンレス、クロム又はチタンからなる金属層を設けることによって、目的とするポリエステル繊維製品を得た。 - 特許庁 - The method includes steps of forming an Ni film 2 on a backing plate 1 made of Cu or Cu alloy; and dissolving an In raw material 3 on the Ni film 2 on the heated backing plate 1 and further solidifying it by cooling, thereby forming the In sputtering target.
ＣｕまたはＣｕ合金製のバッキングプレート１上にＮｉ膜２を成膜する工程と、加熱されたバッキングプレート１のＮｉ膜２上でＩｎ原料３を溶解し、さらに冷却して固化させることでＩｎスパッタリングターゲットを作製する工程とを有している。 - 特許庁 - A method of forming silicon(Si) target tiles in the fabrication of a silicon film for an integrated circuit(IC) deposited by sputtering comprises a process of forming silicon tiles, and a process of beveling the edges of the silicon tiles to minimize the generation of impurity particles.
集積回路（ＩＣ）用のスパッタリング堆積されたシリコン膜の製造におけるシリコン（Ｓｉ）ターゲットタイルを形成する方法は、シリコンタイルを成形する工程と、不純物粒子の生成を最小にするためにシリコンタイルの辺を処理する工程とを包含する。 - 特許庁 - By making electrically float at least a part of a cylindrical body structuring a cluster generation chamber of a cluster generation device by a magnetron sputtering method, a whole or a part of its inner wall surface is made to be charged as the same polarity with the cluster having the desired polarity.
マグネトロンスパッタ法によるクラスター生成装置のクラスター生成室を構成する筒状体の少なくとも一部を電気的に浮かせることにより、その内壁面の全部または一部を、得ようとする極性を有するクラスターと同じ極性に帯電させる。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the transparent conductive film, the transparent conductive film is formed on the substrate by sputtering using the target containing zinc oxide, aluminum oxide and fluorine, wherein the content of fluorine is ≥0.1 and <0.5 atom% based on the number of all atoms.
また、酸化亜鉛、酸化アルミニウム及びフッ化アルミニウムを含有し、フッ素の量が全原子数に対して０．１原子以上０．５原子％未満であるターゲットを使用し、スパッタリングにより基板上に透明導電膜を形成する透明導電膜の製造方法。 - 特許庁 - The method of depositing a silicon oxide film using a sputtering sets a substrate on which a target material and a silicon oxide film are deposited in a chamber for forming a gas plasma state and uses introduction gas containing ozone gas as gas which is introduced into the chamber.
ガスプラズマ状態を形成するチャンバー内にターゲット材料とシリコン酸化膜を堆積する基板を設置し、該チャンバーに導入するガスとしてオゾンガスを含む導入ガスを用いることを特徴とするスパッタによるシリコン酸化膜の堆積方法である。 - 特許庁 - To provide an apparatus for manufacturing a group III nitride compound semiconductor, having a simple structure and capable of easily controlling the density of a dopant element in crystals of a group III nitride compound semiconductor at an optimum value, and efficiently forming films by using a sputtering method.
ＩＩＩ族窒化物化合物半導体の結晶中におけるドーパント元素の濃度を容易に最適値に制御でき、スパッタ法を用いて効率よく成膜することができる、構成の簡便なＩＩＩ族窒化物化合物半導体の製造装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a high-purity nickel target for magnetron sputtering which gives the film satisfactory thickness uniformity and plasma a satisfactory ignition property, even in a manufacturing process for a 300 mm wafer, and to provide a high-purity nickel target.
３００ｍｍウエハを用いた製造プロセスにおいても、膜のユニフォーミティ（膜厚の均一性）とプラズマのイグニッション（点弧）性を良好にすることができるマグネトロンスパッタリング用高純度ニッケルターゲットの製造方法及び同高純度ニッケルターゲットを提供する。 - 特許庁 - An oxide semiconductor film serving as a channel formation region of a transistor is formed by a sputtering method over 200°C, whereby the number of water molecules desorbed from the oxide semiconductor film can be 0.5 molecules/nm^3 or less according to temperature-programmed desorption analysis.
トランジスタのチャネル形成領域となる酸化物半導体膜を、２００℃を超える温度のスパッタリング法で形成することにより、昇温脱離分析において、前記酸化物半導体膜から脱離する水分子の数を０．５個／ｎｍ^３以下とすることができる。 - 特許庁 - An intermediate layer 2 with a metal layer 4 as a lower layer and a mixed layer 5 of metal and carbon as an upper layer is laminated on a surface of a substrate 1, and a diamond-like carbon film (a DLC film) 3 is deposited on the intermediate layer 2 by the unbalanced magnetron sputtering method.
アンバランスドマグネトロンスパッタリング法により、基材１の表面に、金属層４を下層とし、金属と炭素との混合層５を上層とする中間層２を積層し、中間層２の上にダイヤモンドライクカーボンの皮膜（ＤＬＣ皮膜）３を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a target material for sputtering by which the early solidification in the region of a casting port during slip casting and the occurrence of a casting blowhole in the region of the casting port of a billet obtained by slip casting are suppressed to the utmost.
その鋳込み成形時の鋳込み口あたりの早期凝固、及び、それによりその鋳込み成形されたビレットの鋳込み口あたりに生じる鋳込み巣をなるべく存在させないスパッタリングターゲット材の製造方法を提供することをその目的とする。 - 特許庁 - The semiconductor device manufacturing method comprises at least a process (1) for forming a resin film containing a polyimide on a wafer, a process (2) for inversely sputtering the resin film by argon gas and a process (3) for sealing at least a part of the resin film by seal resin in this order.
少なくとも（１）ウエハ上にポリイミドを含有する樹脂膜を形成する工程、（２）前記樹脂膜をアルゴンガスで逆スパッタする工程、（３）前記樹脂膜の少なくとも一部を封止樹脂で封止する工程をこの順に有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁 - In the reactive sputtering method where the target atoms sputtered from the surface of a target by plasma discharge are allowed to react with oxygen to deposit the resultant oxides onto a substrate, inert gas such as argon or etching gas of oxide is allowed to flow along the surface of the target.
プラズマ放電によりターゲット表面から飛び出したターゲットの原子を酸素と反応させて、その酸化物を基板に付着させる反応性スパッタ方法において、ターゲット表面に沿ってアルゴンなどの不活性ガスまたは酸化物のエッチングガスを流すものである。 - 特許庁 - In the manufacturing method, after performing film forming of the gate insulation film, by conducting hydrogen plasma treatment or reverse sputtering by hydrogen ion, the hydrogenation reduction is conducted to the surface layer of the gate insulating film, and the gate conductive film is formed on the surface layer.
製造方法においては、ゲート絶縁膜を成膜した後、水素プラズマ処理、又は水素イオンによる逆スパッタリングを行うことによって、ゲート絶縁膜の表面層に対して水素化還元を行い、その表面層上に前記ゲート導電膜を形成する。 - 特許庁 - Alternatively, an alkali (earth) metal supply layer is film-formed by a reactive sputtering method in the presence of oxygen and/or nitrogen using a semi-conductive or conductive target that includes one or more types of alkali metals and/or alkali earth metals.
若しくは、アルカリ（土類）金属供給層の成膜を、酸素及び／又は窒素の存在下で、１種又は２種以上のアルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属を含む半導電性又は導電性のターゲットを用いた反応性スパッタ法により実施する。 - 特許庁 - The above problem is cleared by forming a Cr base layer 42 with about 0.1 μm thickness of chromium on the surface 41 of the movable mold member 34 by a sputtering method, and forming a silicon-containing DLC (diamond-like carbon) film 44 with about 0.5 μm thickness on the base layer 42.
上記課題は、可動側金型部材３４の表面４１に、約０．１μｍ厚のＣｒの下地層４１をスパッタ法で形成し、この下地層４１の上にシリコン含有ＤＬＣ被膜４４が約０．５μｍ厚で形成することによって達成される。 - 特許庁 - To provide an ITO (Indium Tin Oxide) target which can avoid the generation of nodules during sputtering, has little distribution of a film-forming rate within the surface, has little change in the film-forming rate from an early stage to the final stage in service, and can provide the high film-forming rate, and to provide a manufacturing method therefor.
スパッタリング中のノジュールの生成が避けられ、成膜速度の面内ばらつきが小さく、使用初期から使用末期まで成膜速度の変化が小さく、高い成膜速度が得られるＩＴＯターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Next, after the large size substrate 11A where both front and rear surfaces are coated with protection layers 23, 24 is fixed on a supporting board 25 and a primary slit 26 is formed to the large size substrate 11A with the dicing process, an end surface electrode 19 is formed within the primary slit 26 with the sputtering method.
次に、表裏両面に保護層２３，２４を塗布した大判基板１１Ａを支持台２５上に固定し、ダイシングにより大判基板１１Ａに一次スリット２６を形成した後、スパッタにより一次スリット２６内に端面電極１９を形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target assembly the crystal structure and crystal orientation properties of a target material are maintained, also, the strength of a backing plate is secured, even after diffusion joining, and the deformation of the target material and the backing plate material is not generated, and to provided its producing method.
拡散接合後でも、ターゲット材の結晶組織、結晶配向性が維持され且つバッキングプレート材の強度が確保されており、そしてターゲット材及びバッキングプレート材の変形が生じていないスパッタリングターゲット組立て体、及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for reducing generation of an insulating property defect by preventing a foreign substance from mixing into a film in forming an insulating layer without degrading an insulating property of the insulating layer nor impairing productivity, in sputtering by an insulator target formed of a plurality of oxides.
複数酸化物からなる絶縁体ターゲットによるスパッタにおいて、絶縁層の絶縁性の低下や生産性を損なうことなく、絶縁層成膜時の膜中への異物混入を防止し、絶縁性不良の発生を低減しうる方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of an optical information recording medium capable of controlling variation in recording sensitivity and stabilizing the quality by managing the time after a substrate is molded until sputtering is started and minimizing influence of gas and moisture adsorbed to the substrate as much as possible.
基板成形後からスパッタ開始までの時間を管理し、基板に吸着したガスや水分の影響を極力小さくすることにより、記録感度のばらつきを制御し、品質を安定化させることが可能な光情報記録媒体の製造方法の提供。 - 特許庁 - This film-forming method includes the steps of: introducing an inert gas such as argon gas from an inlet 11 for a sputtering gas into a chamber 20; producing sputtered particles by electric discharge generated between an anode 13 and a cathode 15; transporting the sputtered particles to a substrate 16 by a forced flow of the inert gas such as argon; and depositing them on the substrate 16.
スパッタガス導入口１１からチャンバー２０内にアルゴン等の希ガス等を導入し、アノード１３とカソード１５との間の放電で発生したスパッタ粒子をアルゴン等の希ガス等の強制流により基材１６まで輸送し堆積させる。 - 特許庁 - This magnetic recording medium having a magnetic layer on a nonmagnetic substrate is provided with at least two substrate layer disposed between the nonmagnetic substrate and the magnetic layer, and at least one of the substrate layers is formed by an electronic cyclotron resonance(ECR) sputtering method.
非磁性基体上に磁性層を有する磁気記録媒体において、前記非磁性基体と前記磁性層との間に、少なくとも２層の下地層を配設し、前記下地層のうちの少なくとも１層は電子サイクロトン共鳴（ＥＣＲ）スパッタ法により成膜する。 - 特許庁 - A conductor layer 13 is formed on the insulating layer 15 through a metallizing method such as plating, sputtering or the like, and a wiring pattern 14 electrically connected to the connection terminal 4 of the electronic part 3 at openings 12 provided to the insulating layer 15 is formed by etching.
絶縁層１５上にメッキおよびスパッタリング等のメタライズ法により導電体層１３を形成してエッチングすることによって、絶縁層１５の開口部１２において電子部品３の接続端子４と電気的に接続された配線パターン１４を形成する。 - 特許庁 - On the faces of the transparent substrates 2 and 3, which are in contact with the liquid crystal layer 4, transparent electrodes for driving the liquid crystal are formed by, for example, a sputtering method such that an orientation process is performed in the direction of the arrow A so that the liquid crystal includes a pre-tilt angle.
透明基板２及び３の液晶層４に接する面には、液晶を駆動するための透明電極がスパッタ等の方法で形成され、液晶が所定のプレチルト角をもつように矢印Ａで示す方向に配向処理が施されている。 - 特許庁 - After a thin-film semiconductor layer 3 is formed, a flat transparent conductive film 4a is formed on the thin-film semiconductor film 3 by the sputtering method, the surface of the formed rear surface transparent conductive film is dipped into a dilute hydrochloric acid or a dilute acetic acid, and at the same time ultraviolet rays are selectively applied to the surface.
薄膜半導体層３形成後その上にフラットな透明導電膜４ａをスパッタ法で形成し、形成した裏面透明導電膜表面を希塩酸または希酢酸に浸すとともに、その表面に紫外線を選択的に照射する。 - 特許庁
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