「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 40 41 42 43 44 45 46 47 48 .... 52 53 次へ＞- The surface of a wood-based filler such as wood flour, etc., is previously provided with a thin film composed of a metal or an inorganic compound, especially a metal or an inorganic compound having electroconductivity and about 2-50 nm, preferably about 5-50 nm thickness by a vacuum deposition method, a sputtering method, etc.
木粉等の木質系充填剤の表面に、予め真空蒸着法又はスパッタリング法等により、金属又は無機化合物、特に金属又は導電性の無機化合物からなる、厚さが２〜５００ｎｍ程度、好ましくは５〜５０ｎｍ程度の薄膜を形成しておく。 - 特許庁 - The method for manufacturing the electronic component comprises an electrode film forming process for forming the electrode film consisting of the α phase tungsten on a substrate at the substrate temperature of 100-300°C by a sputtering method; a process for working the electrode film into a desired shape; and a process for heat-treating the electrode film.
基板上に、α相タングステンからなる電極膜を１００〜３００℃の基板温度でスパッタリング法により形成する電極膜形成工程と、該電極膜を所望の形状に加工する工程と、電極膜を熱処理する工程とを備える、電子部品の製造方法。 - 特許庁 - To provide an original plate of a metal printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an insulating layer and a thick electric conductive layer of high density on a metal board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate.
金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有する金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A thin film prepared by dispersing metal and hetero-phase component incompatible with the metal is formed on the substrate composed of a material incompatible with the metal by a sputtering method or vacuum vapor deposition method in such a manner that the volume fraction of the hetero-phase component attains 20 to 65% and the thickness attains ≥1 μm.
スパッタリング法または真空蒸着法により、金属と、該金属と相溶しない異相成分とが分散してなる薄膜を、前記異相成分の体積分率が２０〜６５体積％、厚さが１μｍ以上となるように、前記金属と相溶しない材質からなる基板上に形成する。 - 特許庁 - The liquid crystal panel of a rear projection television (RPTV) includes a float glass plate (a glass substrate) 1 formed by a float method into the thickness of 0.2 to 1.1 mm (±0.1 mm), and a reflection enhancing film 2 comprising aluminum (Al) formed by sputtering method, on one surface 1a of the glass substrate 1.
リアプロジェクションテレビ（ＲＰＴＶ）の液晶パネルは、フロート製法により板厚が０．２〜１．１ｍｍ（±０．１ｍｍ）に形成されたフロートガラス板（ガラス基板）１と、ガラス基板１の一方の表面１ａに、スパッタ法により形成されたアルミニウム（Ａｌ）から成る増反射膜２とを備える。 - 特許庁 - The method of forming the Ru film includes a step of giving a predetermined bias potential to a substrate 20 when a non-magnetic Ru film interposed between a pair of ferromagnetic films is formed by a sputtering method, in the case that the tunnel magnetoresistance effect layer is formed on the substrate 20.
本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。 - 特許庁 - The method of manufacturing the Ge-Sb-Te sputtering target material comprises steps of: preparing a powder fabricated by rapidly cooling a raw material containing Ge, Sb and Te by an atomization method using gaseous nitrogen atomization; subjecting the powder to cold or warm compaction; and sintering the resultant green compact.
Ｇｅ，Ｓｂ，Ｔｅを含む原料について窒素ガスを噴霧するアトマイズ方法により急冷した粉末を作製し、該粉末を冷間もしくは温間にて加圧成形した成形体を焼結することを特徴とするＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅスパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁 - To provide a high resistance transparent conductive film at a low cost which can be suitably used as a transparent electrode for resistance-type touch panels, has few defects, has specific resistance in the range of 0.9 to 1.8×10^-3 Ωcm, and is produced by the DC sputtering method or the ion plating method which have been widely used industrially.
工業的に汎用される直流スパッタリング法やイオンプレーティング法により、抵抗式タッチパネル用の透明電極として好適に用いうる、欠陥が少なく、比抵抗が０．９〜１．８×１０^-3Ω・ｃｍの範囲にある高抵抗透明導電膜を低コストで提供する - 特許庁 - To provide a group III nitride semiconductor light-emitting device which has excellent light-emitting property and in which a buffer layer is formed on a substrate by a reactive sputtering method and a group III nitride semiconductor with good crystallinity can be formed thereon, and provide a method for manufacturing thereof and a lamp.
基板上に、反応性スパッタ法を用いてバッファ層を形成し、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体を成長させることができ、優れた発光特性を有するＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。 - 特許庁 - The film deposition method by a sputtering process using a target composed of a material having a specific resistance of ≥1×10^3 Ω cm and applying negative voltage to the target is characterized in that the method is implemented while feeding electrons to the surface of the target with the use of an electron gun.
比抵抗１×１０^３Ω・ｃｍ以上の材料からなるターゲットを用い、該ターゲットに負電圧を印加して行なうスパッタリング法による成膜方法であって、電子銃を用いて該ターゲット表面に電子を供給しつつ行なうことを特徴とする成膜方法。 - 特許庁 - A surface oxide film 3 on an Al electrode pad 2 is removed with an output of 500-100 W, five minutes of processing time and through the sputtering method, and then subjected to zincating processing to form an Zn film 5 on the Al electrode pad 2.
Ａｌ電極パッド２上の表面酸化膜３を、出力５００Ｗ〜１０００Ｗ、処理時間５分で、スパッタリング法により除去した後、ジンケート工程により、Ａｌ電極パッド２上にＺｎ膜５を形成する。 - 特許庁 - In addition, a three-layered thin film composed of a titanium oxide film formed by being coated on the surface of the DLC film, and the other DLC film formed by being coated by the sputtering method on the surface of the titanium oxide is formed.
さらに、ＤＬＣ膜の表面にコーティングにより成膜された酸化チタン膜とこの酸化チタンに表面にスパッタリング法によってコーティングにより成膜された他のもう１層のＤＬＣ膜からなる３層の薄膜を形成する。 - 特許庁 - An Ag film is formed by a magnetron sputtering method wherein the discharge voltage is kept at 200-350V and the magnetic field intensity on an Ag-target surface is kept at 700-1,200 oersted during Ag-film formation.
【解決手段】 Ａｇ膜がマグネトロンスパッタリング法で成膜時の放電電圧が２００〜３５０Ｖに保持し、Ａｇターゲット表面の磁界の強さが、Ａｇ膜の成膜時に、７００〜１２００エルステッドに保持して、Ａｇ膜を成膜する。 - 特許庁 - To improve uniformity in the image of an active matrix type display device using TFT by improving variations of characteristics among TFTs caused by unevenness in the damage which a semiconductor layer receives when a protective layer is formed by a sputtering method.
スパッタ法などで保護層を形成する際の半導体層が受けるダメージの不均一性によるＴＦＴ間の特性ばらつきを改善し、このＴＦＴを用いるアクティブマトリクス型表示装置の画像の均一性を向上させる。 - 特許庁 - To manufacture an information recording medium which is little in warp and distortion by suppressing the temperature rise of substrates during deposition by sputtering relating to a method of manufacturing the information recording medium and a substrate holder structure as well as a deposition apparatus.
情報記録媒体の製造方法及び基板ホルダ構造並びに成膜装置に関し、スパッタリングによる成膜時の基板の温度上昇を抑制し、反りや歪みの少ない情報記録媒体を製造できるようにする。 - 特許庁 - The n-electrode 140 and the p-electrode 110 are connected, and a protective film 130 comprising a ZnO film is formed on the side walls of the layer 104, a light emitting layer 106, a p-type layer 107, and the layer 108 by the sputtering method.
ｎ電極１４０とｐ電極１１０とを接続し、ｎ型コンタクト層１０４、発光層１０６、ｐ型層１０７、ｐ型コンタクト層１０８の側壁上に、ZnO 膜より成る保護膜１３０がスパッタリングによ形成されている。 - 特許庁 - A separator 10 disposed so as to be brought into contact with a cell body 5 formed by sandwiching a solid high polymer element film 3 between a pair of electrodes 2, 4 is structured so that a Pt plated film 12 formed by a sputtering method is formed on the surface of a metal base material 13.
固体高分子膜３を一対の電極２、４で挟みこんだセル本体５と接して配置されるセパレータ１０は、金属基材１３の表面に、スパッタ法により形成されたＰｔメッキ膜１２が形成されている。 - 特許庁 - To provide a film forming method which can deposit sputter particles inside a hole or a groove when a thin film is formed on a substrate with the hole or the groove at a high aspect ratio by sputtering, and can attempt to enhance the film forming ability.
高アスペクト比の孔や溝が形成された基板にスパッタにより薄膜を成膜するに際し、前記孔や溝の内部にスパッタ粒子を堆積させることができ、成膜性の向上を図ることが可能な成膜方法を提供する。 - 特許庁 - A contact layer 3a made of titanium, a first electrode film 3 made of platinum, a piezoelectric film 4 made of PZT and a second electrode film 6 made of platinum, are formed on an ALTiC substrate 1 in order by a sputtering method.
アルチック基板１の上にチタンよりなる密着層３ａと、白金よりなる第１の電極膜３と、ＰＺＴよりなる圧電体膜４と、白金よりなる第２の電極膜６をスパッタ法により順番に形成する。 - 特許庁 - There is provided a method of producing a direct-current sputtering target material for use in formation of a boron-doped titanium oxide-based transparent thin film by blending titanium oxide powders and boron elemental powders or titanium boride powders to sinter.
酸化チタン粉末にホウ素単体粉末またはホウ化チタン粉末を混合して焼結し、ホウ素のドープされた酸化チタン透明薄膜形成に際して使用する直流スパッタ用ターゲット材を製造するターゲット材製造方法である。 - 特許庁 - To provide a fine and stable target used when a ternary system sulfide phosphor thin film, such as a thioaluminate system or a thiogallate system is formed by a sputtering method, and capable of forming a high intensity phosphor thin film.
チオアルミネート系やチオガレート系などの三元系硫化物蛍光体薄膜をスパッタリング法により形成する際に用いられ、高輝度の蛍光体薄膜の形成が可能であり、緻密であり、安定性が高いターゲットを提供する。 - 特許庁 - In the method to produce magnetic head, there are formed a first soft magnetic layer, conductor wire/coil, a second soft magnetic film and dielectric film with each prescript shapes in order, by sputtering and ion- milling processing, on an insulated substrate.
本発明の磁気ヘッド製造方法では、絶縁体基板の上に、スパッタリングとイオンミリング処理により、それぞれ所定の形状の、第１の軟磁性層、導体線、導体コイル、第２の軟磁性膜及び誘電体膜を順次形成する。 - 特許庁 - The EL electrodes 17a, 17b and the light emitting layer 14 are directly formed by a film forming method such as sputtering on the surface of the substrate 8b having the liquid crystal layer 2, namely, on one same surface.
ＥＬ電極１７ａ，１７ｂ及び発光体層１４は、それぞれ、液晶層２を構成する基板８ｂの表面上、すなわち同一表面上にスパッタリング法等といった成膜法によって直接に形成される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a ceramic electronic component which can reduce stress in an electrode when the electrode is formed by sputtering to hardly have variation in characteristic due to the stress and also has little deterioration in the tensile strength of a lead terminal.
スパッタリングにより電極を形成した場合の電極中のストレスを低減でき、該ストレスによる特性の変化が生じ難く、かつリード端子の引っ張り強度の劣化が生じ難いセラミック電子部品の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The transparent conductive thin film layer is produced by using high power impulse magnetron sputtering method.
透明プラスチックフィルムからなる基材上に、透明導電性薄膜層を積層した透明導電性フィルムであって、透明導電性薄膜層がハイパワーインパルスマグネトロンスパッタリング法を用いて作製されたことを特徴とする透明導電性フィルム。 - 特許庁 - The deposition chamber 13 comprises a deposition chamber 13a where an SiO_2 film is deposited on the substrate by sputtering and an ITO film deposition chamber 13b where an ITO film is deposited on the substrate by an ion plating method.
成膜室１３は、パッタ法によって基板に酸化膜であるＳｉＯ_2膜を成膜するＳｉＯ_2膜成膜部１３ａとイオンプレーティング法によって基板にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜成膜部１３ｂとから構成される。 - 特許庁 - Then, the platinum thin film 104 having a thickness of about 150-200 nm is deposited on the silicon oxide layer 102 through a transition layer 103 by an ECR sputtering method in which a platinum target is used and oxygen gas is introduced.
次に、白金ターゲットを用い、加えて酸素ガスを導入したＥＣＲスパッタ法により、酸化シリコン層１０２の上に、遷移層１０３を介して膜厚１５０〜２００ｎｍ程度の白金薄膜１０４が形成された状態とする。 - 特許庁 - The method for producing the sputtering target includes a step of pressure-sintering a mixed powder of an alloy powder which includes one or more of Ga, In, and Se, and Cu, and a pure Se powder, in a vacuum or an inert gas atmosphere.
このスパッタリングターゲットの製造方法は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｅのうち１種または２種以上とＣｕとからなる合金粉と、純Ｓｅ粉との混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中で加圧焼結する工程を有している。 - 特許庁 - To improve the surface layer of a base material surface by implanting solid ions into the base material surface by a simple method by utilizing the sputtering effect, and to facilitate the coating of the base material surface by a carbon film containing a desired tertiary element.
スパッタリング効果を利用して簡便な方法で固体イオンを基材の表面に注入して基材表面の表層改質を図り、また所望の第三元素を含んだ炭素膜による基材表面のコーティングを容易にする。 - 特許庁 - This indium tin oxide thin film is formed on a transparent insulating substrate by a sputtering method by continuously or step by step lowering the temperature of the substrate put inside a chamber with increase in the thickness of the thin film.
透明絶縁基板上に、スパッタリング法により酸化インジウム錫薄膜を形成する方法であって、チャンバ内に配置された前記基板の温度を、前記薄膜の膜厚が増大するにつれて、連続的又は段階的に低下させる。 - 特許庁 - To simultaneously overcome such a problem as film damage by oxygen negative ion irradiation specific to the time of oxide sputtering and such a problem as relaxation of strain in film formation and removal of strain in a method for forming an epitaxial strain lattice film of oxide.
酸化物のエピタキシャル歪格子膜の成膜方法に関し、酸化物のスパッタ時特有の酸素負イオン照射による膜の損傷という問題と、成膜時に歪が緩和して歪まなくなるという問題を同時に克服する。 - 特許庁 - To stably and securely deposit a thin film without generating substrate cracks as for a sputtering method and a device for a thin film deposition on a large glass substrate used for a plasma display panel or the like.
本発明は、プラズマディスプレイパネル等に使用する大型のガラス基板に対して薄膜を形成するためのスパッタリング方法及び装置に関し、基板割れを生じることなく、安定且つ確実に薄膜形成することを目的としている。 - 特許庁 - A function film 4 composed of at least one type selected from a silicon nitride film, a silicon oxide film, and an oxynitride film is formed on at least one part of the interdigital electrode 1b by an ECR sputtering method.
耐候性を向上させるための、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜および酸化窒化シリコン膜の少なくとも１種類からなる機能膜４を、くし形電極部１ｂ上の少なくとも一部に、ＥＣＲスパッタ法により成膜する。 - 特許庁 - To provide a carrying apparatus carrying electronic parts such as a crystal element, a ceramic element and a semiconductor device when treatment such as vapor deposition and sputtering is performed thereto, and to provide a method for producing the carrying apparatus.
本発明は、水晶素子、セラミック素子、半導体素子等の電子部品に対して、たとえば、蒸着またはスパッタ等の処理を行う際にこれらを搬送する搬送装置および搬送装置の作製方法に関するものである。 - 特許庁 - To provide a deposition method of an amorphous oxide semiconductor in which the amorphousness or the planarity of a film can be enhanced even when an amorphous oxide semiconductor consisting of InGaZnO, InWO, or the like, is formed by sputtering.
スパッタ法を用いてＩｎＧａＺｎＯ、ＩｎＷＯなどからなるアモルファス酸化物半導体を形成する場合でも、アモルファス性や膜の平坦性を向上させることができるアモルファス酸化物半導体の成膜方法を提供する。 - 特許庁 - A substrate, formed by PZT in thin film excellent in piezoelectric characteristic, can be provided even on the material substrate such as silicon substrate, on which PZT thin film of satisfactory piezoelectric characteristics is hard to be formed by direct sputtering method.
本発明によると、シリコン基板などに直接スパッタリングなどの方法では圧電特性の良いＰＺＴ薄膜を形成し難い材料基板の上に、圧電特性の良いＰＺＴを薄膜状態で設置した基板を提供できる。 - 特許庁 - Optical waveguides 2a, 2b are formed on a sapphire substrate 1 by depositing C-axis-oriented LiNbO_3 thin film 11 by an ECR sputtering method on the sapphire substrate 1, then etching the LiNbO_3 thin film 11.
サファイア基板１の上に、ＥＣＲスパッタ法によりＣ軸配向のＬｉＮｂＯ_3薄膜１１を成膜し、その後このＬｉＮｂＯ_3薄膜１１をエッチングすることにより、サファイア基板１の上に光導波路２ａ，２ｂを形成する。 - 特許庁 - After a seed layer 17, made of copper and having a width of about 10 nm, is formed by a sputtering method, an electroless copper plating is performed on the layer 17 to form a continuously reinforced seed layer 17A.
バリア層１６の上にスパッタリング法によって、銅からなり１０ｎｍ程度の厚さを有するシード層１７を形成した後、シード層１７の上に銅の無電解めっきを行なって、連続状に補強されたシード層１７Ａを形成する。 - 特許庁 - To stabilize the film quality of a transparent electrically conductive film over a long time when a transparent electrically conductive laminate having the transparent electrically conductive film on a transparent high molecule substrate is manufactured by a reactive sputtering film forming method using a metal target.
金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、透明な高分子基板上に透明導電膜を有する透明導電積層体を製造するにあたり、透明導電膜の長時間にわたる膜質安定化をはかる。 - 特許庁 - A film formation of a carbon layer is conducted by a magnetron sputtering method using mixed gas of argon and carbon dioxide at an arbitrary ratio to enable to form a transparent carbon layer having transparency, a low refractive index and moreover conductivity.
カーボン層の製膜をアルゴンと二酸化炭素を任意の割合で混合したガスを使用したマグネトロンスパッタ法で実施することで、透明・低屈折率であり且つ導電性の透明カーボン層を形成することが可能となる。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device includes a metal film depositing step (S1) of depositing a metal film on a semiconductor element having a gate insulating film and a gate electrode by sputtering through a collimating plate having a plurality of through-holes formed therein.
複数の貫通孔が形成されているコリメート板を介してスパッタを行うことにより、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有する半導体素子上に金属膜を形成する金属膜形成工程（ステップＳ１）を備える。 - 特許庁 - A first electrode layer is formed by a sputtering method using gas containing hydrogen or H_2O, an electroluminescent layer is formed on the first electrode layer, and a second electrode layer is formed on the electroluminescent layer to fabricate a display device.
水素、又はＨ_２Ｏを含むガスを用いたスパッタリング法により第１の電極層を形成し、第１の電極層上に電界発光層を形成し、電界発光層上に第２の電極層を形成し表示装置を作製する。 - 特許庁 - To stably produce a tungsten target having high density and fine crystal structure, which have not been attained by the conventional pressure sintering method, at a low cost and capable of remarkably reducing particle defects in sputtering film deposition.
従来の加圧焼結法では達成できなかった高密度、微細結晶組織を有するタングステンターゲットを安定かつ低コストで製造でき、スパッタリング成膜上のパーティクル欠陥を著しく減少できるスパッタリング用タングステンターゲットを得る。 - 特許庁 - A Pd membrane or a Pd alloy membrane is formed on a substrate by a sputtering method and subjected to heat treatment at 400-700°C in vacuum or in an inert gas atmosphere, and then peeled off from the substrate.
スパッタリング法により基板上にＰｄ膜又はＰｄ合金膜を形成し、真空中又は不活性ガス雰囲気中にて４００〜７００℃の温度で加熱処理した後、Ｐｄ膜又はＰｄ合金膜を基板から剥離する。 - 特許庁 - Further, a method for manufacturing this sputtering target includes a step of hot-pressing, in vacuum or an inert gas atmosphere, mixed powder of: AgPt alloy powder; FePt alloy powder; Pt powder; and graphite powder or carbon black powder.
また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 - 特許庁 - To continuously manufacture a transparent conductive film having a transparent conductive thin film on a transparent substrate made of a plastic film at a high speed and stably for a long period by a reactive sputtering film deposition method using a metal target.
プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。 - 特許庁 - To provide a sputtering method and system with which occurrence of arc discharge on a target can be suppressed over a long period of time, and also, an extremely thin film can be secured at a high film deposition rate with high in-plane uniformity.
本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a laminate by which an organic coating material layer can be formed continuously and stably on a thermoplastic support by vaporizing an organic matter consecutively, in a film forming velocity range of a chemical vapor deposition process or a sputtering process.
化学蒸着法やスパタリング法の成膜速度領域で、有機物を連続的に気化させ、熱可塑性支持体上に連続的に有機被覆物層を安定して形成できる積層体の製造方法を提供することである。 - 特許庁 - The method for manufacturing the sputtering target includes a step of hot-pressing, in vacuum or an inert gas atmosphere, mixed powder of the FePt alloy powder, Pt powder, and carbon black powder formed by thermal decomposition of acetylene gas.
また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、アセチレンガスの熱分解により生成されたカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 - 特許庁 - In the film deposition method for depositing a tungsten film on a substrate S by sputtering a target T containing tungsten by using a rare gas, the film deposited tungsten film contains a nickel oxide by using the target T containing nickel.
タングステンを含有するターゲットＴを希ガスによりスパッタしてタングステン膜を基板Ｓに形成する成膜方法において、ターゲットＴとしてニッケルを含有するものを用いることで、成膜されたタングステン膜はニッケル酸化物を含有する。 - 特許庁
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