「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 39 40 41 42 43 44 45 46 47 .... 52 53 次へ＞- After that, a TiN film 6 that becomes a gate electrode is formed by the reactive sputtering method using a mixed gas of N2, and a TiN film and an Sr2NbN3 film of a prescribed region are etched and removed by a mixed gas of Ar and Cl2 or the like using a resist mask.
その後、Ar/N_2混合ガスを用いた反応性スパッタ法により、ゲート電極となるTiN膜６を形成し、レジストマスクを用いて、所定の領域のTiN膜、Sr_2NbN_3膜をAr/Cl_2混合ガス等を用いてエッチングして除去する。 - 特許庁 - To provide a method and a device for joining a sputtering target and a supporting board therefore capable of preventing the coarsening of the crystal grain size of the target, the reduction of the strength of the supporting board and the warpage of the joined target and supporting board.
ターゲットの結晶粒度の粗大化、支持板の強度低下及び接合されたターゲットと支持板の反りを防ぐことができるスパッタリング用ターゲットとその支持板との接合方法及び装置を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for supporting the design of magnetron sputtering, a device therefor and a program, capable of calculating and estimating an erosion distribution of a target and a film deposition distribution of a wafer in a short time only from a magnetic field structure enclosing plasma.
プラズマを封じ込める磁場構造のみからターゲットのエロージョン分布とウェハの成膜分布を短時間で計算して予測可能とするマグネトロンスパッタの設計支援方法、装置及びプログラムを提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a magnetooptic disk which can form a magnetooptic recording film of small particle size enough for good magnetic field sensitivity and high-density recording by using an inductively coupled RF plasma supported magnetron sputtering device.
誘導結合ＲＦプラズマ支援マグネトロンスパッタ装置を用いて、磁界感度が良く、高密度記録に適した十分に粒径の小さな光磁気記録膜を成膜できる光磁気ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A protecting film 8 is composed of a metallic material like Si-CxHy or a compound of semiconductor and organic material, and the protecting film 8 is formed by the reactive direct current sputtering method using a pulse power source at room temperature.
保護膜８は、Ｓｉ−ＣｘＨｙ等の金属または半導体と有機物との化合物よりなり、この保護膜８は、パルス電源を使用した反応性直流スパッタ法により室温で成膜されている。 - 特許庁 - To provide a sputtering system capable of efficiently forming films having a uniform film thickness distribution without the need for preparing a fresh collimator every time the erosion form of a target changes, and to provide a film forming method.
ターゲットのエロージョン形態が変わるたびに、新しいコリメータを用意することを必要とせずに、膜厚分布の均一な膜を効率よく形成することが可能なスパッタ装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an optical medium with an interference layer having a high refractive index and further sufficiently securing preservability of the optical medium, and a sputtering target to be used for producing the interference layer, and a method for producing the optical medium.
高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる干渉層を有する光メディア、この干渉層の製造に用いるスパッタリングターゲット、及び、光メディアの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To enhance the productivity by improving the efficiency of using a target and prolonging the continuous operation time of an apparatus by providing a condition where nodules are hardly formed on the surface of the target, in a magnet swing type sputtering film deposition method.
マグネット揺動型のスパッタリング成膜方法において、ターゲット表面にノジュールが形成されにくい条件を提案し、ターゲットの使用効率向上、装置の連続可能時間の向上により生産性を高める。 - 特許庁 - To stably and continuously produce a transparent electrically conductive thin film on a transparent plastic substrate for a long time by reactive sputtering method using a metallic target.
プラスチックフィルムからなる透明基材上に透明導電性薄膜を有する透明導電性フィルムを、金属ターゲットを使用した反応性スパッタ成膜により、高速で長時間安定して連続的に製造する。 - 特許庁 - To provide a method for producing an SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film by a sputtering process having excellent mass-productivity, and to provide a sputtered SrRuO_3 crystal film having low resistance equal to that of a bulk film.
バルクに匹敵する低抵抗のＳｒＲｕＯ_３結晶膜を量産性に優れたスパッタ法で成膜する方法及びバルクに匹敵する低抵抗のスパッタＳｒＲｕＯ_３結晶膜を提供すること。 - 特許庁 - To provide an ITO(indium tin oxide) sputtering target capable of reducing the amount of nodules occurring at the surface of a target even in the case of a film deposition method wherein electric discharge is performed at a low applied electric power liable to produce nodules.
ノジュールの発生しやすい、低い印加電力で放電を行う成膜方法を用いた場合においてもターゲット表面に発生するノジュール量を低減できるＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - A metal layer 12 composed of silver is deposited on a substrate 11 by a sputtering method and subsequently fine protrusions and recessions are formed on a surface of the metal layer 12 by applying an electric field 13 in the film thickness direction of the metal layer 12.
基板１１上に銀からなる金属層１２をスパッタ法により成膜し、次に、金属層１２の膜厚方向に電界１３を印加して金属層１２の表面に微細な凹凸を形成する。 - 特許庁 - In the method for producing a circuit board, production process is simplified and manufacturing cost is reduced by forming a seed layer of a circuit on a base film through deposition, chemical plating or sputtering.
かゝる本発明は、ベースフイルム上に回路のシード層を、蒸着、化学メッキ、又はスパッタによって形成する回路基板の製造方法にあり、これによって、工程の簡略化が図られ、コストダウンが達成される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sintered compact having lower resistivity while maintaining a density equivalent to sintered compact of zinc oxide and aluminum oxide obtained with a conventional technique and to provide a sputtering target composed of the sintered compact.
従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁 - To provide a tungsten (W) sputtering target capable of improving the within-wafer nonuniformity in film thickness of a W film deposited on a substrate and further capable of reducing particle generation, and to provide a method for production thereof.
基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a compound insulation film which is an extra-thin film of several tens to several hundreds Å whose acquisition has been difficult by the conventional sputtering process, and is convenient for the gap layer of a magnetic head and a tunnel joining type GMR (Giant Magneto-Resistance).
従来のスパッタ法では困難であった数十〜数百Åの極薄で磁気ヘッドのギャップ層やトンネル接合型ＧＭＲに好都合な化合物絶縁膜を形成する方法を提案する - 特許庁 - The magnetic thin film is formed by using the sputtering method to form the thin film containing an FePt alloy of the irregular phase having the face centered tetragonal based crystalline structure and thereafter by applying heat treatment to the thin film.
この磁性薄膜は、スパッタリング法によって、面心立方晶系の結晶構造を有する不規則相のＦｅＰｔ合金を含む薄膜を形成した後、この薄膜を熱処理することによって形成する。 - 特許庁 - Moreover, the method of manufacturing the electrode for the lithium battery includes interface part forming step of forming the interface part containing the lithium metal oxide on the current collector by a sputtering method, and an upper layer part forming step of forming the upper layer part containing the lithium metal oxide on this interface part by a vapor-deposition method.
また、本発明のリチウム電池用電極の製造方法は、集電体上にスパッタリング法によりリチウム金属酸化物を含む界面部を形成する界面部形成工程と、この界面部上に蒸着法によりリチウム金属酸化物を含む上層部を形成する上層部形成工程とを備える。 - 特許庁 - The method is a method of forming a thin film of the metal oxide on a substrate 1 by a sputtering method, wherein the number of times of collision against the atoms of plasma is increased when the thin film-constituting atoms head toward the substrate 1 and the flying speed of the substrate direction components of the thin film-constituting atoms is efficiently decelerated by the collision.
スパッタ法により基板１に金属酸化物の薄膜を形成する方法であって、薄膜構成原子が前記基板１に向かう際にプラズマガスの原子との衝突回数を増大させ、またその衝突により薄膜構成原子の基板方向成分の飛行速度を効率的に減速させる。 - 特許庁 - The manufacturing method of the GaN-based LED element includes the steps of forming a first TCO film on a surface of a p-type GaN-based semiconductor layer by a vapor deposition method; and forming a second TCO film continuously from on the surface of the p-type GaN-based semiconductor layer to on a surface of the first TCO film by a sputtering method.
ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面に、蒸着法を用いて第１のＴＣＯ膜を形成する工程と、スパッタリング法を用いて、ｐ型ＧａＮ系半導体層の表面上から第１のＴＣＯ膜の表面上にかけて連続した、第２のＴＣＯ膜を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - The film capacitor is obtained by forming a metal electrode on both surfaces of a polyimide benzoxazole film using a sputtering method, deposition method, electric plating method or the like, the polyimide benzoxazole film being prepared using diamines with a benzoxazole skeleton and aromatic tetracarboxylic dianhydride as starting materials, and having an absolute value of a linear expansion coefficient of 5 ppm/°C or less.
ベンゾオキサゾール骨格を有するジアミン類と芳香族テトラカルボン酸二無水物を出発材料とする線膨張係数の絶対値が５ｐｐｍ／℃以下のポリイミドベンゾオキサゾールフィルムの両面に、スパッタリング法、蒸着法、電気めっき法などにより金属電極を形成し、主題のコンデンサを得る。 - 特許庁 - In the method for depositing the silicon dioxide thin film onto the diamond-like carbon, a diamond-like carbon film 2 is deposited onto a substrate 1 by a CVD method and a silicon film 3 is deposited as a buffer layer onto the diamond-like carbon film 2 by a sputtering method and then the silicon dioxide thin film 4 is deposited onto the silicon film 3.
ダイヤモンド様炭素上への二酸化珪素薄膜の堆積方法において、基板１上にＣＶＤ法でダイヤモンド様炭素膜２を堆積し、このダイヤモンド様炭素膜２上にバッファ層としてシリコン膜３をスパッタ法で堆積し、このシリコン膜３上に二酸化珪素薄膜４を堆積することを特徴とする。 - 特許庁 - The method of manufacturing the optical recording medium 1 having the recording layer 5 on a substrate 2 comprises forming the recording layer 5 by sputtering and controlling the temperature of the substrate contact surface of a substrate holder on which the substrate 2 is held to the temperature within a specified temperature range with respect to the arbitrary set temperature selected from the temperature within a range from 30 to 40°C in sputtering.
基板２上に記録層５を有する光記録媒体１を製造する方法であって、記録層５をスパッタリングによって形成し、該スパッタリングに際して、基板２が保持される基板ホルダーの基板接触面の温度を、３０〜４０℃の範囲内から選択される任意の設定温度に対して一定の温度範囲内に制御することを特徴とする、光記録媒体の製造方法。 - 特許庁 - The method for producing a boron-containing sputtering target involves: a stage where the powder of a cobalt-chromium alloy is prepared; a stage where the powder of the cobalt-chromium alloy and the powder of raw material containing boron and an oxide are mixed for producing a mixture; a stage where the mixture is molded for producing a molded body; and a stage where the molded body is sintered for obtaining the sputtering target.
ホウ素を含むスパッタリングターゲットの製造方法は、コバルトクロム合金の粉末を用意すること、混合物を生成するために前記コバルトクロム合金の粉末とホウ素及び酸化物を含む原料の粉末とを混合すること、成形体を作るために前記混合物を成形すること、前記スパッタリングターゲットを得るために前記成形体を焼結させることを含む。 - 特許庁 - This method of manufacturing magnetic recording medium comprises subjecting a ground surface film formed on a substrate to a sputtering treatment under an oxygen excess atmosphere, then to reactive sputtering to form a thin spinel type iron oxide film essentially consisting of magnetite on the ground surface film, then oxidizing the thin spinel type iron oxide film essentially consisting of this magnetite to transform the thin film to the thin maghemite film.
基体上に形成された下地膜に対して酸素過剰雰囲気下でスパッタ処理した後、反応スパッタすることによって前記下地膜上にマグネタイトを主成分とするスピネル型酸化鉄薄膜を形成し、次いで、当該マグネタイトを主成分とするスピネル型酸化鉄薄膜を酸化してマグヘマイト薄膜に変態させる磁気記録媒体の製造法である。 - 特許庁 - The hard film 1 having composition of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon is manufactured by using an apparatus by a physical vapor deposition method such as a sputtering apparatus with a carbon target and a silicon target, or a sputtering apparatus with a target having composition consisting of, by atom, 60-95% carbon and 5-40% silicon.
組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素を含む硬質皮膜１を、炭素ターゲットと珪素ターゲットを備えたスパッタリング装置、或いは、組成割合６０〜９５原子％の炭素と組成割合５〜４０原子％の珪素から構成されるターゲットを備えたスパッタリング装置等の物理蒸着法による装置を用いて製造する。 - 特許庁 - In the manufacturing method of the magneto-optical recording medium formed by stacking a plurality of magnetic layers, at least two of magnetic layers are manufactured by sputtering the same target means in the same vacuum tank under a different condition at a sputtering process depending on the respective element composition ratio and/or magnetic characteristics.
複数の磁性層が積層されてなる光磁気記録媒体の製造方法において、磁性層のうちの少なくとも２層をそれぞれの元素組成比率および／あるいは磁気特性に応じて、スパッタリングプロセス時に異なる条件で同一真空槽内において同一ターゲット手段をスパッタリングすることにより造り分けることが可能となる製造方法を提供する。 - 特許庁 - A liquid crystal alignment layer is produced by a long throw sputtering method including steps of mounting a substrate on a substrate carrier in a chamber, bombarding and sputtering a target above the substrate with a high-density plasma to produce a sputtered substance, and applying a bias voltage in the chamber to deposit the sputtered substance along a nearly normal direction onto the substrate surface to form an alignment layer.
ロングスロースパッタリング法で液晶配向膜を製作する方法は、基板をチャンバー内の基板キャリアに乗せ、高密度プラズマで基板の上方にあるターゲットをスパッタリング衝撃してスパッタ物質を生成発生し、チャンバー内でバイアス電圧を印加提供してスパッタ物質を垂直に近い方向に沿って基板表面に堆積させて液晶配向膜を形成するなどのステップを含む。 - 特許庁 - The method for manufacturing a sputtering target for EL element manufacture includes: a mixing step of obtaining a mixture by mixing at least bivalent-metal sulfide, trivalent metal, and sulfide of a light-emitting center element; a formation step of obtaining moldings by molding the mixture; and a sintering step of obtaining the sputtering target for EL element manufacture by sintering the moldings.
ＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法が、少なくとも、２価金属の硫化物と、３価金属と、発光中心元素の硫化物とを混合して混合物を得る混合工程と、該混合物を成形して成形物を得る成形工程と、該成形物を焼結してＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程とを含むと、上記課題を解決することができる。 - 特許庁 - The method for producing a photomask blank having at least a film for forming a mask pattern on a transparent substrate has a film deposition step in which the film for forming a mask pattern is deposited by sputtering in a sputtering atmosphere in which at least gaseous helium is contained and a step for heating the transparent substrate during or after the film deposition step.
透明基板上にマスクパターンを形成するための膜を少なくとも有するフォトマスクブランクの製造方法において、前記マスクパターンを形成するための膜を、スパッタリング雰囲気中に少なくともヘリウムガスを含有させてスパッタ成膜を行う成膜工程と、前記成膜工程の間又は後に前記透明基板を加熱する工程をと有することを特徴とする。 - 特許庁 - To manufacture a sputtering target consisting of titanium dioxide, which is suitable for direct current voltage sputtering, that is, has an electrical resistivity of less than 5 Ωcm, (preferably, less than 1 Ωcm), and which can be manufactured by a particularly inexpensive method to be simply operated with an easy handling technique, so as to be produced with a large number of fragmentations.
二酸化チタンからなるスパッタリングターゲットを、直流電圧スパッタリングに適している、即ち比電気抵抗が５Ωｃｍ未満である（が、しかし、好ましくは１Ωｃｍ未満である）ように製造し、その際スパッタリングターゲットは、特に安価である、簡単で処理技術的に容易に操作することができる方法によって、大きな断片数で製造されることができなければならない。 - 特許庁 - A method is constituted by sputtering a first gate electrode film 4 adjacent to a gate insulation film 3 with use of an inert gas having an atomic number larger than Ar as discharge gas and sputtering a second gate electrode film 5 on the first gate electrode film 4 with an Ar gas or Ar gas mixed with the inert gas having a larger atomic number than Ar 50% or less.
ゲート絶縁膜３に接する第１のゲート電極膜４をＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを放電ガスに用いてスパッタリングし、第１のゲート電極膜４上の第２のゲート電極膜５をＡｒガス又はＡｒにＡｒよりも大きな原子数の不活性ガスを５０％以下の割合で混合したガスを放電ガスに用いてスパッタリング成膜する。 - 特許庁 - In the thin film deposition by the sputtering method using the ceramic target, the temperature T of cooling water for circulating near the target to suppress temperature rise due to the heat generation of the target is set to 300 K≤T≤360 K and ≥4 W/cm^2 sputtering power is applied in this condition.
セラミックターゲットを用いてスパッタリング法により薄膜を成膜するにあたり、上記ターゲットの発熱による温度上昇を抑えるために上記ターゲットの近傍に循環させる冷却水の温度Ｔを３００Ｋ≦Ｔ≦３６０Ｋに設定し、この状態で上記ターゲットの面積当り４Ｗ／cm^2 以上のスパッタリング電力を印加することを特徴とする薄膜の成膜方法。 - 特許庁 - The manufacturing method of the sputtering target for the EL element manufacture includes a mixing process of obtaining a mixture by mixing at least sulfide of divalent metal, trivalent metal, and sulfide of a luminescence center element, a molding process of obtaining a molded product by molding the mixture, and a sintering process of obtaining the sputtering target for the EL element manufacture by sintering the molded product.
ＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットの製造方法が、少なくとも、２価金属の硫化物と、３価金属と、発光中心元素の硫化物とを混合して混合物を得る混合工程と、該混合物を成形して成形物を得る成形工程と、該成形物を焼結してＥＬ素子製造用スパッタリングターゲットを得る焼結工程とを含むと、上記課題を解決することができる。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a copper wiring substrate attaining further reduction of electric resistance and maintenance of adhesive property of a copper thin film to a substrate surface at high levels and attaining cost reduction of a metal target material used in a sputtering process and of the entire manufacturing process mainly in the sputtering process using the target material.
電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - SILVER ALLOY, SPUTTERING TARGET, REFLECTOR FOR REFLECTION LCD, REFLECTION WIRING ELECTRODE, THIN FILM, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, OPTICAL RECORDING MEDIUM, ELECTRO MAGNETIC WAVE SHIELD, METAL MATERIAL FOR ELECTRONIC PART, WIRING MATERIAL, ELECTRONIC PART, ELECTRONIC APPLIANCE, PROCESSING METHOD OF METAL FILM, ELECTRON OPTICAL PART, LAMINATE, AND GLASS OF BUILDING MATERIAL
銀合金、スパッタリングターゲット、反射型ＬＣＤ用反射板、反射配線電極、薄膜、その製造方法、光学記録媒体、電磁波遮蔽体、電子部品用金属材料、配線材料、電子部品、電子機器、金属膜の加工方法、電子光学部品、積層体及び建材ガラス - 特許庁 - A thin film of the tetragonal MgSiO_3 crystal is formed on a crystalline substrate (a silicon single crystal substrate or a substrate obtained by forming a buffer layer on the substrate) by the epitaxial growth of Mg and Si in an oxygen atmosphere using a PVD method (helicon wave reactive sputtering method or the like).
結晶質下地（シリコン単結晶基板又はその上にバッファー層を形成したもの）上に、Ｍｇ及びＳｉを酸素の雰囲気中でＰＶＤ法（ヘリコン波反応性スパッタリング法など）を用いてエピタキシャル成長させることにより、正方晶ＭｇＳｉＯ_３結晶の薄膜を形成する。 - 特許庁 - The method comprises a step of forming a lower electrode 33 on a substrate 10, a step of forming a titanium seed layer on the lower electrode 33 by sputtering method, a step of forming a piezoelectric film 43 on the titanium seed layer, and a step of forming an upper electrode 44 on the piezoelectric film 43.
基板１０上に下部電極３３を形成する工程と、この下部電極上に種チタン層をスパッタ法により形成する工程と、この種チタン層上に圧電体膜４３を形成する工程と、この圧電体膜上に上部電極４４を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - The method includes a first step of depositing the LiNbO_3 film of an amorphous state on the quartz substrate or SiO_2 film by a sputtering method and a second step of forming the thin crystalline film of the C-axis oriented LiNbO_3 by heating the LiNbO_3 film deposited in the first step.
石英基板またはＳｉＯ_２膜上にアモルファス状態のＬｉＮｂＯ_３膜をスパッタ法により堆積する第１の工程と、第１の工程で堆積したＬｉＮｂＯ_３膜を加熱して、Ｃ軸配向したＬｉＮｂＯ_３結晶薄膜を形成する第２の工程とを含む。 - 特許庁 - To provide a simple method of manufacturing a transparent conductive amorphous film without using a high vacuum container, and also to provide the transparent conductive amorphous film having conductivity, transparency and surface smoothness equal to or higher than a film produced in a conventional sputtering method.
高真空容器を使用しない簡便な方法によって透明導電性非晶質膜を製造する方法、および導電性、透明性、及び表面平滑性が従来のスパッタリング法によって得られる膜と同等以上である透明導電性非晶質膜の提供。 - 特許庁 - The sheet capacitor includes: an etched aluminum foil 1 with an enlarged surface area; an acrylic-based polymer dielectric material consisting of an acrylic-based polymer electrodeposited on the top face of the etched aluminum foil; and an opposite electrode formed on the acrylic-based polymer dielectric material by the sputtering method or ion plating method.
表面積を拡大させたエッチドアルミニウム箔１と、該エッチドアルミニウム箔の表面に、アクリル系ポリマーを電着形成してなるアクリル系ポリマー誘電体と、前記アクリル系ポリマー誘電体上にスパッタリング法またはイオンプレーティング法により形成した対向電極とを含むことを特徴とする。 - 特許庁 - The cadmium sulfide layer may be deposited preferably by a high-frequency sputtering method at an ambient temperature, and the cadmium telluride layer may be deposited preferably by a closed-space sublimation method at a so efficient increased temperature as to convert an amorphous cadmium stannate into a polycrystal cadmium stannate having a single spinel structure.
好ましくは、硫化カドミウム層は周囲温度で高周波スパッタ法で堆積させ、テルル化カドミウム層は、非晶スズ酸カドミウムを単一スピネル構造を有する多結晶スズ酸カドミウムに変換させるのに効果的な昇温温度で、クローズスペース昇華法によって堆積する。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a magnetic recording medium which has a magnetic layer and a protection layer made of hard carbon containing at least carbon and hydrogen, on at least one surface of a support, the protection layer is manufactured by reactive pulse sputtering method employing carbon as a target.
支持体の少なくとも一方の面に磁性層と、少なくとも炭素と水素を含む硬質炭素からなる保護層を有する磁気記録媒体の製造方法において、該保護層を、炭素をターゲットとした反応性パルススパッタ法で作製することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 特許庁 - After laminating a conductive material protection film on the organic material film by non-reactive sputtering method, an electrode is formed from the surface of this film by conversion to an oxide film by making use of a plasma oxidation method using oxygen radical ions by a low electron temperature high-density plasma apparatus.
有機物材料膜の上に非反応性スパッタリング法で導電性材料保護膜を積層し、その後、この膜の表面から低電子温度高密度プラズマ装置による酸素ラジカルイオンを使ったプラズマ酸化法を利用して酸化物膜へと変換させて、電極を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a group-III nitride semiconductor, which can efficiently form a film of the group-III nitride semiconductor having an adequate film quality on a substrate through a reactive sputtering method.
良好な膜質を有するＩＩＩ族窒化物半導体を反応性スパッタ法によって効率よく成膜することができるＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体製造装置、並びにＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the insulation film according to a CVD method, the pixel electrode 14 and common electrode 12 are short-circuited, while in the insulation film according to the sputtering method, hydrogen does not generate and the insulation film can be formed while keeping the substrate at a temperature less than 100°C, and hence metal does not diffuse and the short circuit does not occur.
ＣＶＤ法による絶縁膜の場合は画素電極１４と共通電極１２の間が短絡してしまうが、スパッタリング法の場合、水素の発生が無く、また、基板を１００℃未満の温度にして絶縁膜を形成できるので、金属の拡散が無く、短絡が生じない。 - 特許庁 - The wiring grooves having depths of ≤300 nm are formed on the insulating layer 11 composed of, for example, a silicon oxide film and formed on a substrate 10, and tantalum nitrides (TaN) are deposited in the groove as lower-layer conductors 12 which become barrier metals in a thin-film state by using the sputtering method or CVD method.
基板１０上に、形成された例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層１１に深さ３００ｎｍ以下の配線用の溝を形成し、バリアメタルとなる下層導電体１２として例えばタンタルナイトライド（ＴａＮ）をスパッタリング法またはＣＶＤ法を利用して薄膜状態で堆積する。 - 特許庁 - To provide a high-purity ruthenium sputtering target capable of preventing generation of cracks when increasing the size of an ingot by a melting method, suppressing generation of particles when performing film deposition for an electrode for capacitor of a semi-conductor memory, a magnetic head, a magnetic disk or the like, and reducing the film thickness distribution, and a method for manufacturing the same.
熔解法によってインゴットを大型化する際にクラックを発生させず、半導体メモリーのキャパシタ用電極、磁気ヘッドや磁気ディスクなどの製膜時にパーティクルの発生を抑えることができ、膜厚分布を小さくしうる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとその製造方法の提供。 - 特許庁 - After a first lower layer platinum film 15a is formed on a wall and bottom of a concave section of a second interlayer insulation film 14, and on the second interlayer insulation film 14 by a sputtering method, a second lower layer platinum film 15b is formed on the first lower layer platinum film 15a by CVD method.
第２の層間絶縁膜１４の凹部の壁面及び底面並びに第２の層間絶縁膜１４の上面にスパッタ法により第１の下層白金膜１５ａを形成した後、該第１の下層白金膜１５ａの上にＣＶＤ法により第２の下層白金膜１５ｂを形成する。 - 特許庁 - To provide an original plate of a ceramic printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an adhesion layer and a thick electric conductive layer of high density on a ceramic board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate.
セラミック基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により接着層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有するセラミック印刷回路基板の原板及びその原板の製造方法を提供する。 - 特許庁
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