「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 38 39 40 41 42 43 44 45 46 .... 52 53 次へ＞- The transmission factor of a protection body formed on the organic compound layer is 70 to 100%, and the protection body prevents damage applied to the organic compound layer when the positive electrode is deposited by a sputtering method.
なお、有機化合物層上に形成された保護体は、透過率が７０〜１００％であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁 - To provide a sputter deposition system having shields which catch inclined sputtering targets and particles having the possibility of being fallen from the targets on the way and prevent the deposition of the particles on a workpiece and to provide a method therefor.
傾斜したスパッタリングターゲットとターゲットから落下する可能性のある粒子を途中捕捉して該粒子がワークピースに堆積しないようにするシールドとを有するスパッタ堆積装置および方法を提供する。 - 特許庁 - A metal having high electroconductivity is made to firmly and closely adhere to the clothlike material such as the nonwoven fabric or woven fabric according to a sputtering method and a layer without being charged with the static electricity can thereby be formed while maintaining a pliant touch feeling.
不織布や織物など布状のものに、導電性の高い金属をスパッタリング法で、強固に密着させることにより、柔らかい風合いを維持しつつ、静電気を帯電させない層を形成することができる。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for a magnetic recording film, capable of realizing efficient film deposition and improved film characteristics by suppressing the growth of crystal grains and achieving low magnetic permeability and high density, and a manufacturing method thereof.
結晶粒の成長を抑制し、低透磁率かつ高密度とすることにより、成膜効率化および膜特性の向上が実現できる磁気記録膜用スパッタリングターゲット、およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a tungsten sputtering target capable of improving in-plane uniformity of film thickness of a tungsten film formed on a substrate and reducing generation of particles, and to provide a method for manufacturing the same.
基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the film deposition method, an electrode film 50A, a dielectric film 50b and an electrode film 50C each having a shape the same as that of each slit 46 formed on a pattern sheet 38 are deposited on a substrate 12 by sputtering.
本発明に係る成膜方法においては、パターン板３８に形成されたスリット４６と同一形状の電極膜５０Ａ、誘電体膜５０Ｂ及び電極膜５０Ｃが、基板１２上にスパッタ成膜される。 - 特許庁 - To provide a film-forming apparatus and a film-forming method capable of: preventing complication of an apparatus mechanism in formation of a thin film of multiple materials by sputtering to simplify the apparatus mechanism; and preventing an increase in an apparatus cost.
スパッタリングによる複数材料の薄膜形成における装置機構の複雑化を抑えて簡素化し、装置コストの上昇を抑制することが可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for synthesizing tin oxide powder which can be suitably used as the source material of a tin oxide sintered body used as a sputtering target and which has little aggregation of primary particles and narrow distribution of the particle size.
スパッタターゲットに用いられる酸化錫焼結体の原料等として好適に用いることができ、一次粒子の凝集が少なく、粒度分布の狭い酸化錫粉末が合成可能な方法を提供する。 - 特許庁 - As the transparent conductive film, a multilayer film of TiO/Cr/SnO, TiO/stainless-steel/SnO, stainless-steel/TiN, stainless-steel/TiO, TiN/TiO or a singlelayer film of TiN is formed from the transparent plate material by a sputtering method or the like.
透明導電膜は透明板状体からＴｉＯ／Ｃｒ／ＳｎＯ、ＴｉＯ／ステンレス鋼／ＳｎＯ、ステンレス鋼／ＴｉＮ、ステンレス鋼／ＴｉＯ、ＴｉＮ／ＴｉＯの多層膜、またはＴｉＮの単層膜をスパッタリング法などで形成する。 - 特許庁 - To provides a method for manufacturing a dielectric film, which reduces a leak current value while suppressing the reduction in a relative permittivity, suppresses the reduction in a deposition rate caused by the reduction in a sputtering rate, and also provides excellent planar uniformity.
比誘電率の低下を軽減しつつリーク電流値を低減し、スパッタ率の低下による堆積速度の減少を抑制し、かつ、面内均一性に優れた誘電体膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target for forming a film containing Co, Ta and a rare-earth metal, which can enhance the density of the target to such a level that the target is hardly cracked and can be machined.
割れ難く機械加工ができる程度まで密度を向上させることができるＣｏ、Ｔａおよび希土類金属を含有する膜を形成するためのスパッタリングターゲットの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Using barium titanate strontium, for example, an oxide dielectrics film 7 of 300-600 Å is formed, over which a first platinum layer 81 is deposited, for example, by a sputtering method at 250°C or lower to 250-500 Å.
チタン酸バリウムストロンチウムを用いて例えば３００〜６００オングストロームの酸化物誘電体膜７を形成し、その上に第１白金層８１を例えばスパッタリング法で２５０℃以下にて２５０〜５００オングストローム堆積する。 - 特許庁 - To provide an oxide sintered body capable of suppressing abnormal discharge generated in forming an oxide semiconductor thin film using a sputtering method and obtaining an oxide semiconductor thin film with stability and good reproducibility.
スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定且つ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁 - To provide an oxide sintered body with which an oxide semiconductor thin film can be stably obtained with good reproducibility by suppressing an abnormal discharge generated when the oxide semiconductor thin film is formed using a sputtering method.
スパッタリング法を用いて酸化物半導体薄膜を成膜する際に発生する異常放電を抑制し、酸化物半導体薄膜を安定かつ再現性よく得ることができる酸化物焼結体を提供する。 - 特許庁 - The masking material 80 is used when the pattern is formed on the substrate 40 with the sputtering method, has openings 81 corresponding to the pattern, and makes portions having no opening formed therein to be formed so as to have uniform thickness.
基板４０上にスパッタ法にてパターンを形成する際に用いるマスク材８０であって、該パターンに対応した開口８１を有するとともに、該開口が形成されていない部分の厚さが均一に形成されている。 - 特許庁 - To provide a printed wiring board material which is capable of easily manufacturing a circuit pattern of a wiring pitch 100 μm or below through a sputtering method and also manufacturing a printed wiring board with high productivity.
スパッタ法においても、容易に製造可能であり、配線ピッチ１００μｍ以下の回路パターンを作製可能であり、優れた生産性でプリント配線板の製造を可能とするプリント配線板材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a new composite polymer having mixed structures in molecular level by taking in a plurality of kinds of polymers having different chemical structures as target materials with a process using a radio frequency sputtering method.
異なる化学構造を持つ複数種類のポリマーをターゲット材料とすることで、高周波スパッタ法による一つのプロセスによって、分子レベルで構造が混合された新たな複合ポリマー材料を提供する。 - 特許庁 - To provide a W sputtering target capable of improving the film thickness in-plane uniformity of a W film deposited on a substrate and further capable of reducing particle generation, and its manufacturing method.
基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a practical and formable sputtering target of a Cu-Ga alloy or a Cu-Ga-In alloy for a thin film solar battery high in reliability and to provide a method for producing it.
実用的で成形可能な信頼性の高い薄膜太陽電池用のＣｕ−Ｇａ合金或いはＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金のスパッタリングターゲットを提供すること及びその製造方法を提供すること - 特許庁 - In forming the magnetic film on the substrate made of the resin, the substrate made of the resin is deposited in a non-heating state by a sputtering method in a chamber where the gaseous pressure is regulated to 0.133 to 2.66 Pa.
また、前記樹脂製の基板上に前記磁性膜を形成する際、ガス圧を０．１３３Ｐａ以上、２．６６Ｐａ以下としたチャンバー内でスパッタリング法により、樹脂製の基板を非加熱状態で成膜する。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently manufacturing high-quality ceramic sintered compacts by lessening the warpage and density unevenness which occur during sintering of the ceramic sintered compacts used as sputtering targets.
スパッタリングターゲットとして用いられるセラミックス焼結体の焼成時に発生する反りおよび密度むらを低減させることにより、効率よくかつ高品質なセラミックス焼結体を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for depositing a mixed film of a metal and titanium oxide, by which the mixed film can be deposited more stably at a higher speed in comparison with a conventional RF sputtering using a target formed of a metal-titanium oxide sintered compact.
従来の金属−チタン酸化物の焼結体ターゲットを用いたＲＦスパッタリングよりも、高速、且つ、安定して金属とチタン酸化物の混合膜を形成する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To improve drivability of a MOSFET by preventing a silicon oxide film from formed on the surface of a semiconductor substrate to form a gate insulating film, comprising only of a high dielectric material by a sputtering method.
半導体基板表面にシリコン酸化膜が形成されることを防止しつつ、高誘電率材料のみからなるゲート絶縁膜をスパッタリング法により形成できるようにしてＭＯＳＦＥＴの駆動力を向上させる。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording medium more excellent in SNR characteristics, its manufacturing method, a sputtering target with which the magnetic recording medium can be easily manufactured, and a magnetic recording and reproducing device more excellent in SNR characteristics.
ＳＮＲ特性がさらに優れた磁気記録媒体、その製造方法、この磁気記録媒体を容易に製造することができるスパッタリングターゲット、およびＳＮＲ特性のさらに優れた磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁 - A method for removing a resist layer in a via hole in particular comprises plasma for removing an organic compound and the steps of cleaning a device using deionized water and carrying out argon sputtering for removing the organic compound.
特にビアホール内のレジスト層を除去する方法は、有機化合物を除去するためのプラズマを有し、脱イオン水でデバイスを洗浄し、そして有機化合物を除去するためにアルゴンスパッタリングすることを有している。 - 特許庁 - A GeSbTe thin film 412 is formed as a chalcogen semiconductor on a glass substrate 411 by the DC sputtering method, a resist is coated, and the form of a wiring having two terminals is made from the GeSbTe by a lithographic dry etching.
本発明は、ガラス基板４１１上にカルコゲン半導体としてＤＣスパッタ法でＧｅＳｂＴｅ薄膜４１２を成膜し、レジストを塗布し、リソグラフィー・ドライエッチングでＧｅＳｂＴｅを２端子の配線形状とする。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a back plate, by which a back plate capable of effectively reducing generation of particles in sputtering and also preventing contamination due to alkali metal impurities, such as Na, can be easily obtained.
スパッタリングの際のパーティクルの発生を効果的に低減し、かつ、Ｎａを始めとするアルカリ金属不純物による汚染防止を図ることができるバッキングプレートを簡便に得られるバッキングプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The transmissivity of the protection film formed on the organic compound layer is 70-100%, and the protection film prevents the damage which may generated on the organic layer when forming the positive electrode film by sputtering method.
なお、有機化合物層上に形成された保護膜は、透過率が７０〜１００％であり、また、陽極をスパッタリング法により成膜する際に有機化合物層に与えられるダメージを防ぐことができる。 - 特許庁 - Because a polyimide film 4 is formed so as to have an edge at a position apart from a scheduled region H2 for forming the bump electrode, the step coverage in the formation of the plating electrode 5 by using a sputtering method can be improved.
ポリイミド膜４をバンプ電極形成予定領域Ｈ２から離れた位置に端を有するように形成しているので、メッキ電極５をスパッタ法により形成する際のステップカバレージを改善することができる。 - 特許庁 - To provide a semiconductor ceramic element having favorable heat resistance and a negative temperature characteristic of resistance with a small long-term resistance change by stabilizing a thin film formed for use in an electrode by a vapor deposition or sputtering method.
蒸着やスパッタリング法で電極用として形成された薄膜を安定化させ、耐熱性がよく、長期にわたる抵抗変化が小さな負の抵抗温度特性を有する半導体セラミック素子を得る。 - 特許庁 - The film P of nickel-phosphorus as a first layer is formed on the optical transfer face of a matrix by sputtering treatment as shown in the figure to grow an electroforming therefrom without using a method where the electroforming is directly grown from the matrix.
母型から直接電鋳を成長させるのではなく、図６に示すように、スパッタリング処理で、母型の母光学転写面に第１の層としてのニッケル燐の被膜Ｐを形成し、ここから電鋳を成長させている。 - 特許庁 - To provide a producing method, e.g. capable of producing a target material usable for production of a magnetic thin film having high soft magnetic properties by magnetron sputtering or the like as a metallic bulk material having high coercive force.
高い軟磁気特性を持つ磁性薄膜をマグネトロンスパッタリングなどで作製するのに用いることのできるターゲット材などを、高保磁力を持つ金属バルク材として作製することのできる製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a metal plate, its manufacturing method and an aligner by which film strength can sufficiently be secured by securing a desired film thickness when using a shadow mask, etc., for a nozzle, vapor depositing, sputtering, etc.
ノズル、蒸着やスパッタ等におけるシャドーマスク等に用いた場合に、所望の膜厚を確保することで、膜の強度を十分に確保することができる金属板とその製造方法及び露光装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a Cr alloy target material with which production of particles can be reduced when a Cr alloy substrate film obtained by adding a specified element (s) and B to Cr is deposited by sputtering, and to provide its production method.
Ｃｒに特定元素とＢが添加されたＣｒ合金下地膜をスパッタリングによって成膜する際に、パーティクルの発生を低減できるＣｒ合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a cleaning gas useful for removing unnecessary deposits accumulated on inner walls, parts or the like in a device for producing thin films, thick films, powders or whiskers by CVD, sputtering, sol-gel or vapor deposition method.
ＣＶＤ法、スパッタリング法、ゾルゲル法、蒸着法を用いて薄膜、厚膜、粉体、ウイスカを製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提供する。 - 特許庁 - A first layer formed in a film on a collector by a sputtering method, and a second layer formed in a film further thereon by vacuum deposition or wet plating are structured to have the same composition containing Si or Sn.
集電体上にスパッタ法により成膜される第１層と、さらにその上に、真空蒸着または湿式めっきにより成膜された第２層がＳｉまたはＳｎを含んだ同じ組成を持つ構造を有する。 - 特許庁 - The manufacturing method includes a step in which a metal layer formed on a support base material by vacuum sputtering or vacuum evaporation is transferred to the resin composition layer containing the resin component.
上記課題は、樹脂成分を含有する樹脂組成物層に、支持基材上に真空スパッタリング法または真空蒸着法により形成した金属層を転写させることにより解決することが可能となる。 - 特許庁 - To provide a rewound polyimide film and a method of manufacturing the same, in which an objective metal layer is surely and efficiently formed without being affected by air or moisture when performing a treatment such as sputtering to a polyimide film.
ポリイミドフィルムにスパッタリング等の処理を施す際に、空気や水分の影響を受けることなく、目的の金属層を確実かつ効率的に形成できる、巻き替えポリイミドフィルムロール及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To prevent a semiconductor device from deteriorating in manufacturing yield due to the fact that a large number of pinholes occur in a titanium film which is formed through a sputtering method so as to be used as a metal mask for manufacturing the semiconductor device.
半導体装置製造用メタルマスクとしてスパッタ法で形成したチタン膜にピンホールが多数発生し、マスク材として有効に機能せずこれを用いた半導体装置の製造時の歩留が低くなるのを防止する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing vertical recording medium for improving distribution in a substrate surface by sputtering deposition without decline of productivity and cost increase and obtaining good magnetic characteristic and electromagnetic characteristic.
生産性低下やコストアップを生じることなく、スパッタリング成膜による基板面内分布を改善し、もって良好な磁気特性、電磁気特性が得られ垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a cobalt powder effective for a sputtering target which restrains pollutants caused by interdiffusion of substances constituting thin films and does not cause particles or abnormal discharge phenomenon, or the like, and to provide a method for producing the cobalt powder.
薄膜を構成する物質の相互拡散に起因する汚染物質の抑制及びパーティクルや異常放電現象が生じないスパッタリングターゲット等に有効であるコバルト粉末とその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - By setting a film deposition pressure at 1.33-2.67 Pa in sputtering, frequency of collision of flying titanium with argon and oxygen ions or neutral particles in creases compared to a conventional method.
成膜圧力を１．３３Ｐａ以上２．６７Ｐａ以下に設定したことで、飛翔するチタンがアルゴン及び酸素のイオンや中性粒子と衝突する回数が一般的なスパッタによる成膜方法に比べて多くなる。 - 特許庁 - This solar cell 100 includes: a p-type semiconductor layer 7 formed of nickel oxide doped with Li, and formed by a sputtering method; and an n-type oxide semiconductor layer 3 joined to the p-type semiconductor layer 7.
Ｌｉによってドープされた酸化ニッケルから構成され、スパッタ法により形成されたｐ型半導体層７と、該ｐ型半導体層７と接合したｎ型酸化物半導体層３と、を備える太陽電池１００。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method which improves productivity and reduces a cost by curtailing a manufacturing process of indium oxide-zinc oxide from powder starting materials without essentially impairing the characteristics as an IZO sputtering target.
実質的にＩＺＯスパッタリングターゲットとしての特性を損なうことなく酸化インジウム−酸化亜鉛の原料粉末からの工程の短縮を行い、生産性を向上させコストを低減できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the sputtering target includes preparing a plurality of plate-shaped target chips each of which is made of a metal oxide sintered compact having a first composition and has a surface to be sputtered.
本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、第１の組成を有する金属酸化物焼結体からなる、被スパッタ面を有する複数の板状のターゲット片を準備することを含む。 - 特許庁 - A nitrogen-substituted lithium phosphate thin film as a solid electrolyte thin film is manufactured by a sputtering method by supplying a rare gas and nitrogen gas under pressure of 0.1-1.0 Pa by using a target made of lithium phosphate sintered body.
スパッタリング法により、リン酸リチウム焼結体からなるターゲットを用い、希ガス及び窒素ガスを供給して、０．１〜１．０Ｐａの圧力下、固体電解質薄膜としての窒素置換リン酸リチウム薄膜を製造する。 - 特許庁 - Further, the bonding surface of the glass substrates 1, 2 and the inner surface of the flow channel groove 6 are covered with SiO2 films 4, 5 formed by a sputtering method and a fluoric acid aqueous solution is interposed between the glass substrates 1, 2 to bond the substrates.
さらに、ガラス基板１、２の接合面および流路溝６内面をスパッタ法により成膜したＳｉＯ_２膜４、５で覆い、フッ酸水溶液を界面に介在させてガラス基板１、２を接合する。 - 特許庁 - On the surface on the side in which an element is formed in a glass substrate 10 having, e.g. 3 mm thickness, for preventing electrification on the surface of the substrate 10, a thin film 11 having, e.g. 10 nm thickness is formed by a sputtering method or the like.
厚さが、例えば３ｍｍであるガラス基板１０の素子形成側表面には、基板１０の表面の帯電を防止すべく、スパッタ法等により厚さが、例えば１０ｎｍの薄膜１１が成膜されている。 - 特許庁 - To provide a magnetic acceleration large electric power sputtering method with which an ionization degree is increased, simultaneously, a positive charge is removed from the surface of a target, the heating of the target is prevented, and further, the utilization rate of a target material is increased.
磁気促進大電力スパッタリング法において、イオン化度を高くし、同時にターゲットの表面から正の電荷を除去し、ターゲットの加熱を防止すると共に、ターゲット材料の利用率を高くすること。 - 特許庁 - The transparent conductive film 30 is a laminated film comprising three layers of an ITO layer 31, an Ag layer 32 made of an Ag alloy, and an ITO layer 33 which are sequentially laminated, and the ITO layers and the Ag layer can be formed by using a sputtering method.
透明導電膜３０は、ＩＴＯ層３１、Ａｇ合金からなるＡｇ層３２、ＩＴＯ層３３の３層を順次積層してなる積層膜であって、ＩＴＯ層，Ａｇ層は、スパッタリング法で形成できる。 - 特許庁
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