「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 34 35 36 37 38 39 40 41 42 .... 52 53 次へ＞- To provide a W-Ti target which can reduce particles generation from the target and particle generation due to exfoliation of a deposited film on a non-eroded part, during sputtering, and also provide a manufacturing method therefor.
スパッタリング時に、ターゲットからのパーティクル発生、及び非エロージョン部のデポ膜剥離によるパーティクル発生の低減を可能にしたＷ−Ｔｉターゲット及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus that can efficiently laminate thin films in a short time without lowering throughputs, and a manufacturing method of an electronic device.
短時間で薄膜を積層させる場合であっても、スループットを損なうことなく効率的に上記積層を実現可能なスパッタリング装置、及び電子デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a positive photosensitive resin composition from which a cured film excellent in suitability to ITO sputtering, hardness and heat-resistant transparency is obtained, and to provide a method for forming a cured film using the same.
ＩＴＯスパッタ適性、硬度、耐熱透明性に優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物、及び、それを用いた硬化膜形成方法を提供すること。 - 特許庁 - The method for manufacturing the piezoelectric substrate comprises the steps of forming a protective film having a lattice-like exposure part of a predetermined width by vapor-depositing or adhering by sputtering gold thin films on both side surfaces of the AT cut crystal substrate, and patterning the gold thin films.
ＡＴカット水晶基板の両面に金薄膜を、蒸着、あるいはスパッタで付着、パターン化し、所定幅の格子状露出部を有する保護膜を形成する。 - 特許庁 - The method also comprises employing two such facing target-type sputtering apparatuses 10a and 10b, and alternately forming the thin films on both sides of the substrates 130 from the targets 121a and 121b made of different materials.
２台のこのような対向ターゲット式スパッタ装置１０ａ、１０ｂを用い、基板１３０の両面に異なる材料のターゲット１２１ａ、１２１ｂから薄膜を交互に形成する。 - 特許庁 - This glass is formed by depositing an Si film consisting of 100 wt.% Si component by a sputtering method on the surface of a glass substrate and the glass substrate surface is subjected to bending and/or tempering after the deposition of the film.
ガラス基板表面に、スパッタリング法によりＳｉ成分が１００重量％よりなるＳｉ膜が膜付けされてなり、膜付け後に曲げ加工及び／又は強化加工しないこと。 - 特許庁 - Also the reflection preventing layer is constructed by laminating a plurality of optical thin film layers with mutually different refractive indexes, and is formed by using a sputtering method under the pressure atmosphere of ≥0.5 Pa to ≤2.0 Pa.
また、反射防止層が、屈折率の異なる光学薄膜層を複数積層してなり、０．５Ｐａ以上２．０Ｐａ以下の圧力雰囲気下においてスパッタリング法を用いて形成する。 - 特許庁 - A Cr film 9 is formed thinly on the surface of the CU film 3 in film thickness of approximately 50 nm by a sputtering method, the Cr film 9 is etched, and a removing section 9a is formed.
このＣｕ膜３の表面にＣｒ膜９をスパッタ法によって５０ｎｍ程度の膜厚に薄く形成した後、このＣｒ膜９をエッチングして除去部９ａを形成する。 - 特許庁 - The film may, for example, be a sputtered film formed by a sputtering method using a mask or may be a knitted film formed by knitting wires.
グラニュラー磁性薄膜は、例えば、マスクを用いたスパッタ法により形成されたスパッタ膜であっても良いし、線で編みかけを行うことにより形成された編みかけ膜であっても良い。 - 特許庁 - Furthermore, the method for producing the Cu-Ga based sputtering target material is provided, which uses the Cu-Ga based alloy powder as a raw material and the Cu-Ga based alloy powder is solidified and modified at a temperature of 400-850°C.
さらには、上記Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末を原料とし、これを４００〜８５０℃の温度で固化成形するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁 - To provide a positive photosensitive resin composition allowing for obtaining a cured film excellent in ITO (indium tin oxide) sputtering property, hardness and heat-resistance transparency, and a method of forming the cured film using the composition.
ＩＴＯスパッタ適性、硬度及び耐熱透明性に優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜形成方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a sputtering film-forming apparatus which can continuously perform heat treatment and thin-film formation for a substrate in a film-forming step in the same position, and to provide a film-forming method therefor.
成膜工程における基板の加熱処理と薄膜形成を、同じ位置において連続的に実施することができるスパッタリング成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for forming a film of a magnetic recording medium that allows deposition of a film with low ordering temperature while suppressing generation of particles, and a method for manufacturing the same.
規則化温度の低い膜を成膜することができると共にパーティクルの発生が抑制可能な磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To develop an industrially and economically attractive method capable of producing an Al or Al alloy based tubular sputtering target with an integrated structure for covering a TFT (thin film transistor) display.
ＴＦＴディスプレー被覆用のＡｌ及びＡｌ合金系の一体構造の管状スパッタターゲットを製造することができる工業的にかつ経済的に魅力的な方法を開発すること - 特許庁 - In a sputtering target of high-purity TaN, the intensity peak ratio (101) plane:(110) plane is 1: 0.49±30%, where the intensity peaks are measured on the surface of the target through an X-ray diffraction method.
高純度ＴａＮからなるスパッタターゲットであって、ターゲット表面においてＸ線回折法で測定された (101)面のピーク強度と (110)面のピーク強度の比（(101)/(110))が0.49±30% 以内である。 - 特許庁 - To provide an oxygen-free copper sputtering target in which the difference in the advance of target erosion is reduced between a joined part and a non-joined part, and the manufacturing method of the same.
接合部と非接合部との間でターゲットエロージョンの進行の相違が低減された無酸素銅スパッタリングターゲット材及び無酸素銅スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a pure Al target with which splash or abnormal discharge and the resultant development of particles can be prevented an deposition of a pure Al film by sputtering.
スパッタリングによって純Ａｌ膜を生成する際、スプラッシュや異常放電およびそれに起因するパーテイクルの発生を防止しうる純Ａｌターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a positive photosensitive resin composition giving a cured film excellent in ITO sputtering adaptability, hardness and electric characteristics, and to provide a method for forming the cured film using the composition.
ＩＴＯスパッタ適性、硬度及び電気特性に優れる硬化膜が得られるポジ型感光性樹脂組成物、並びに、それを用いた硬化膜形成方法を提供すること。 - 特許庁 - In a sputtering film formation method of an insulating layer using a target formed of at least two kinds of oxide, the target is preliminarily processed by discharging it at oxygen partial pressure higher than that in film formation.
少なくとも２種類以上の酸化物からなるターゲットを用いた絶縁層のスパッタ成膜法において、成膜時より高い酸素分圧で放電させてターゲットを前処理する。 - 特許庁 - When the spent sputtering target contains at least one kind selected from Au, Ag, Ir, Ru, Tb, Ge and Gd, this cutting method is effective.
前記使用済みスパッタリングターゲットは、Ａｕ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｔｂ、ＧｅおよびＧｄからなる群より選ばれた１種以上を含む場合に、本発明の切削加工方法が好適である。 - 特許庁 - Since a metal is stuck fast to a fiber by a sputtering method and the fiber has high bond strength and does no change softness, the lace is mild to the skin and is readily processed.
またスパッタリング法で金属を密着させることにより、密着強度が高く、かつ繊維の柔軟性を変えないため、肌にやさしくさらに加工しやすいという特徴がある。 - 特許庁 - SOFT MAGNETIC BACKING LAYER FILM FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM, SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING SOFT MAGNETIC BACKING LAYER FILM FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND METHOD FOR PRODUCING SOFT MAGNETIC BACKING LAYER FILM FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM
磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜、磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜形成用スパッタリングターゲット材および磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜の製造方法 - 特許庁 - A copper alloy film 106 made of Cu-Sn alloy, Cu-Mg alloy, or Cu-Zr alloy is deposited on the TiN/Ti film 105 by the sputtering method, and a copper film 107 is deposited on the copper alloy film 106 by the CVD method or the plating method.
ＴｉＮ／Ｔｉ膜１０５の上にスパッタ法により、Ｃｕ−Ｓｎ合金、Ｃｕ−Ｍｇ合金又はＣｕ−Ｚｒ合金からなる銅合金膜１０６を堆積した後、該銅合金膜１０６の上にＣＶＤ法又はメッキ法により銅膜１０７を堆積する。 - 特許庁 - A passivation film 11 (film for preventing diffusion of movable ions) is formed on the surface of the device side of a glass substrate 10 by a sputtering method, a CVD method, a dipping method or the like in order to intercept the thermal diffusion of Na ions in the substrate 10 to the surface of the device side of the substrate 10.
ガラス基板１０のデバイス側表面には、基板１０中のＮａイオンの該デバイス側基板表面への熱拡散を遮断すべく、スパッタ法、ＣＶＤ法、ディップ法等により形成されたパッシベーション膜１１（可動イオン拡散防止膜）が成膜されている。 - 特許庁 - The IC chips 1 with the rear-surface metal 2 are manufactured inexpensively without warping the chips 1 by forming separating grooves 23 into a wafer 7 from the rear surface of the wafer 7 along IC chip separating lines drawn on the rear surface, and precipitating the rear-surface metal 2 by the sputtering method, vapor deposition method, or electroless plating method.
予め、ＩＣチップ１切断面にウエハ７裏面よりハーフダイシングにより分離溝２３を形成し、次にスパッタ法、蒸着法又は無電解メッキ法により裏面金属２を析出させることで、反ることのない安価な製造法を提供できた。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an electrode for a lithium secondary battery capable of preventing reduction of the charging/discharging capacity and degradation of the charging/discharging cycle characteristics, when a positive pole active material layer is formed on a collector by a vapor- deposition method or a sputtering method.
蒸着法やスパッタ法などを用いて集電体上に正極活物質層を形成する場合における充放電容量の減少と充放電サイクル特性の悪化とを防止することが可能なリチウム二次電池用電極の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The magnetic recording medium is obtained by forming a magnetite thin film on the base body by the sputtering method and subjecting the magnetite thin film to sputtering treatment successively in a sputtering chamber in an excess oxygen atmosphere to form the maghemite thin film.
基体と該基体上に形成されたマグヘマイト薄膜とからなる磁気記録媒体において、前記マグヘマイト薄膜の膜厚が７〜５０ｎｍであり、その表面の中心線平均粗さＲａが０．１〜１．０ｎｍであって、保磁力角型比Ｓ^＊値が０．５０以上である磁気記録媒体は、スパッタ法によって基体上にマグネタイト薄膜を形成した後、引き続きスパッタ室内において該マグネタイト薄膜を酸素過剰雰囲気下でスパッタ処理してマグヘマイト薄膜にして得ることができる。 - 特許庁 - When an embedding wiring 11b is formed in a wiring trench 10b formed in an insulating film 5c on a semiconductor substrate 1, after a conductor film 8b constituting the embedding wiring 11b is coated by a sputtering method which has a directivity and in which a condition that sputtering particles are difficult to scatter is added, a conductor film 8c constituting the embedding wiring 11b is coated by a plating method.
半導体基板１上の絶縁膜５ｃに形成された配線溝１０ｂ内に埋込配線１１ｂを形成する際、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｂを、指向性を有し、かつ、スパッタリング粒子が散乱され難い条件を付加したスパッタリング法で被着した後、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｃをメッキ法で被着する。 - 特許庁 - To provide a film forming method by sputtering in which a film, in particular a reflection film having a desired reflectivity is stably formed by sputtering over a long time, having a superior workability, durability and a high photoelectric conversion efficiency, and to provide a manufacturing method of a photovoltaic device by using the film.
長時間にわたるスパッタ成膜においても安定で良好な成膜が可能となり、所望の反射率を有する反射膜を安定して成膜することができ、加工性及び耐久性に優れ、安定して高い光電変換効率を達成することが可能なスパッタリングによる成膜方法、及び該成膜方法を用いる光起電力素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The high-dielectric thin-film capacitor is manufactured by forming an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on a glass substrate by an RF magnetron sputtering method, then forming SrTiO 3 on the electrode 2 by the RF magnetron sputtering method and forming again an alloy electrode 2 of AlNi containing 30 at.% of Ni on the high-dielectric thin- film.
ガラス基体上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成後、前記電極上にＲＦマグネトロンスパッタ法によりＳｒＴｉＯ3を形成し、再び前記高誘電体薄膜上にＮｉが３０ａｔ％含有されたＡｌＮｉの合金電極を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁 - The method for manufacturing the thin film is characterized by forming the thin film having a thickness of 100 Å or less with a discharge sputtering method using a direct current having a pulsed waveform, while using a target having a specific resistance of 0.5 Ωcm or less.
比抵抗が０．５Ωｃｍ以下であるターゲットを用い、膜厚が１００Å以下である薄膜をパルス状の波形を有する直流放電スパッタリングにより成膜することを特徴とする薄膜の製造方法。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for film deposition of a zinc oxide thin film capable of easily controlling the crystallite size without being affected by the change in the state in a vacuum processing chamber when depositing the zinc oxide thin film by a sputtering method.
スパッタリング法により酸化亜鉛薄膜を成膜する際、真空処置室内の状態の変化に左右されず、容易に結晶子サイズを制御することのできる酸化亜鉛薄膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device and a method for manufacturing the same, the lift-off defects are minimized by forming a protective layer pattern using a sputtering method at the time of the lift-off process which is the core process of the 3 mask process.
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。 - 特許庁 - This method consists in forming the magnetic recording medium by introducing a polymer forming gas in such a manner that its partial pressure attains ≤0.3 mTorr and dispersing the CoPT magnetic particles into the polymerized high polymer by a sputtering method.
重合体生成ガスをその分圧が０．３ｍＴｏｒｒ以下となるように導入し、スパッタリング法により重合高分子中ＣｏＰｔ磁性粒子を分散させてなる磁気記録媒体を形成することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for manufacturing optical thin film capable of suppressing the formation of a diffusion layer that brings about the degradation of reflectance, and reducing light absorption when forming an optical thin film according to an ion beam sputtering method.
イオンビームスパッタ法により光学薄膜を形成するに際し、反射率低下を招く拡散層の形成を抑制し、光吸収の低減化を図ることが可能となる光学薄膜の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁 - By performing oxidation processing for the surface of an interlayer insulating film made of a metallic oxide thin film deposited by a sputtering method, a CVD method or the like, defects caused by an oxygen loss are reduced to prevent insulating failures.
スパッタリング法、ＣＶＤ法などによって堆積させた金属酸化物薄膜からなる層間絶縁膜の表面を酸化処理することにより、酸素欠損に起因する欠陥を低減し、絶縁不良を防止することができる。 - 特許庁 - In the method, the transparent conductive film is formed on the surface of a substrate 7 by a sputtering method in one vacuum chamber 1, wherein the film is formed on the surface of the substrate 7 while irradiation of laser beams L through a diffusion plate 16 is performed.
一つの真空チャンバー１内で、スパッタリング法により基板７の表面に透明導電膜を形成する方法であって、基板７の表面上に、拡散板１６を通してレーザー光Ｌを照射しながら成膜する。 - 特許庁 - To provide a method for effectively doping a dopant by controlling reaction of a dopant element in a method for forming a group III nitride semiconductor layer using a nitrogen source in a state of radicals, plasmas, or atoms such as MBE and sputtering process.
ＭＢＥやスパッタなどのラジカル化、プラズマ化または原子化された窒素源を用いたＩＩＩ族窒化物半導体層の成膜法において、ドーパント元素の反応を抑制し、効率良くドーパントをドーピングする方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium having a MgO film with high productivity using a DC sputtering method and simultaneously suppressing oxygen deficiency of the MgO film to obtain a MgO ground layer having high crystallinity.
ＤＣスパッタ法を用いて、ＭｇＯ膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にＭｇＯ膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するＭｇＯ下地層を与える方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for easily recycling high purity ruthenium from the scrap of ruthenium cut chips, mills ends or the like, and to inexpensively produce a sputtering target which has excellent properties from the high purity ruthenium obtained in this method.
ルテニウム切削屑又は端材等のスクラップから高純度ルテニウムを容易にリサイクルする方法を確立し、さらにこのようにして得られた高純度ルテニウムから特性に優れたスパッタリングターゲットを安価に製造する方法を得る。 - 特許庁 - A method for forming the thin film includes forming the thin film on a substrate by a sputtering method at a power density in the range of 1.5 to 3 W/cm^2 and at a pressure of an inert gas that is in the range of 0.2 to 0.3 Pa.
本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering system whose structure is simple and also which can deposit a thin film having satisfactory uniformity and satisfactory film quality on a relatively large-sized rectangular substrate, to provide a method for producing a thin film, and to provide a method for producing an electronic element.
比較的に大型の矩形基板に対して、構造が簡易で、かつ、均一性の良く膜質が良好な薄膜を形成できるスパッタリング装置、薄膜の製造方法及び電子素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A thick film is formed on a board through a laser ablation method (PLD) ten times as fast as a conventional sputtering method, then crystallized through a high-speed thermal treatment, and formed into a rare earth thick film magnet having a high coercive force.
レーザーアブレーション法（ＰＬＤ）による成膜で、従来のスパッタリング法による成膜速度の１０倍以上の高速度で厚膜を基板上に成膜し、高速熱処理による結晶化で高保磁力の希土類厚膜磁石とする。 - 特許庁 - The final band width of the resonator expands in the case that a low density material such as aerogel and silicon dioxide deposited by sputtering method and/or CVD method is formed on the most upper layer of the sound-reflecting mirror of the acoustic element.
最終的な共振器の帯域幅は、特にエーロゲルやスパッタ法及び／又はＣＶＤ堆積された二酸化ケイ素などの低密度物質が素子の音響反射鏡の最上層となっている場合には、大きくなる。 - 特許庁 - In the method, the CNT-containing metal layer 13 is formed with a sputtering method.
絶縁性材料からなる基材８の表面にＣＮＴ入り金属層１３を形成し、金属層１３をパターンエッチングして配線パターンを形成する配線材の製造方法において、ＣＮＴ入り金属層１３をスパッタリング法により形成する。 - 特許庁 - To provide an Na-containing Mo target with which an Na-containing Mo film capable of being suitably used for a back electrode of a chalcopyrite solar cell or the like can be easily formed by a sputtering method, and a method for producing the Na-containing Mo target.
カルコパイライト型太陽電池の裏面電極などに好適に用いることのできるＮａを含むＭｏ膜をスパッタリング法により容易に形成できるＮａ含有Ｍｏターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A porous insulation layer having a thickness of not thinner than 0.3 μm and not thicker than 3 μm is deposited on an activator layer of either a positive electrode plate having a positive electrode activator layer or a negative electrode plate having a negative electrode activator layer containing negative electrode activator particles, by a sputtering method, an ion plating method, or a CDV method (chemical vapor deposition method).
正極活物質層を備えた正極板、または負極活物質粒子を含む負極活物質層を備えた負極板のうち、少なくともいずれかの活物質層上に厚みが０．３μｍ以上３μｍ以下の多孔質絶縁層をスパッタリング法、イオンプレーティグ法、ＣＶＤ法で堆積させる。 - 特許庁 - This radiation image conversion panel has: the substrate formed of a metal or an alloy; an oxide layer formed on the substrate by a vapor phase deposition method such as a sputtering method, an ion plating method or an ion beam assist evaporation method; and a phosphor layer formed on the oxide layer by a vapor phase deposition method.
本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the patterned medium including a substrate, the porous layer formed on the substrate and having a plurality of fine pores approximately vertical to the substrate surface, and the magnetic substance filled in the fine pores by the sputtering method, ion radiation is carried out with respect to the vicinity of the fine pores when filling the fine pores with the magnetic substance by the sputtering method to promote migration of sputter atoms.
基板と、前記基板上にあり、前記基板面に対して略垂直な複数の細孔を有する多孔質層と、前記細孔内にスパッタ法により充填された磁性体と、を有するパターンドメディアを製造する方法であって、前記磁性体をスパッタ法により細孔に充填する際に、前記細孔近傍に対してイオン照射を行い、スパッタ原子のマイグレーションを促進させることを特徴とするパターンドメディア製造方法。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein damage to a substrate is reduced and substrate deterioration can be reduced when a film is formed physically in an atmosphere where ions are present like a sputtering method, and to provide a light emitting diode element of high reliability which is manufactured by the method for manufacturing.
スパッタ法のようなイオンが存在する雰囲気下で物理的に成膜する場合に、基板へのダメージを軽減し、基板劣化を低減できる半導体装置の製造方法を提供すること、及びこの製造方法によって製造された信頼性の高い発光ダイオード素子を提供すること。 - 特許庁
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