「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 33 34 35 36 37 38 39 40 41 .... 52 53 次へ＞- As an insulating film used for the TFT, for example, a gate insulating film, a protecting film, an under film, an interlayer insulating film, or the like, a silicon nitride oxide film (SiN_XB_YO_Z) containing boron is formed by a sputtering method.
ＴＦＴに利用する絶縁膜、例えばゲート絶縁膜、保護膜、下地膜、層間絶縁膜等として、ボロンを含む窒化酸化珪素膜（ＳｉＮ_X Ｂ_Y Ｏ_Z ）をスパッタ法で形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for forming a magnetic recording medium film, which allows oxygen to be properly contained in the film without lowering a deposition rate, and to provide a method for producing the same.
成膜レートを低下させずに、膜中に酸素を良好に含有させることができる磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A film of an IGZO-based amorphous oxide layer is formed under a back pressure of higher than 5×10^-4 Pa in a sputtering method, and then subjected to annealing processing at an annealing temperature of 100 to 300°C.
ＩＧＺＯ系アモルファス酸化物層を、スパッタ法における背圧を５×１０^−４Ｐａ超として成膜し、その後、１００℃以上、３００℃以下のアニール温度でアニール処理する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a Cu-based sputtering target containing oxides of the predetermined amount, which is capable of suppressing aggregation of Cu oxides, and achieving fine dispersion of the Cu oxides.
酸化物を一定量含んだＣｕ系スパッタリングターゲットについて、Ｃｕ酸化物の凝集を抑制し、Ｃｕ酸化物の微細分散を実現できる製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering method of performing film deposition with excellent coatability on a processing object on which a TSV (Through Silicon Via) hole H having ≥1 mμ opening diameter and high aspect ratio is patterned.
１μｍ以上の開口径を有する高アスペクト比のＴＳＶホールＨがパターニング形成された処理対象物に対して、被覆性よく成膜できるスパッタリング方法を提供する。 - 特許庁 - The ZnO based transparent conductive film is formed by a gas flow sputtering method with the use of a Zn alloy target.
Ｚｎ合金ターゲットを用いて成膜されてなるＺｎＯ系透明導電膜において、ガスフロースパッタリング法により成膜されてなることを特徴とするＺｎＯ系透明導電膜。 - 特許庁 - The method for producing the rhodium(Rh) lead layer of a read sensor includes a 1st step in which a rhodium(Rh) lead layer is subjected to diagonal ion beam sputtering and a 2nd step in which annealing is carried out after the 1st step.
ロジウム（Ｒｈ）リード層を斜めイオンビームスパッタする第１工程と、第１工程後にアニーリングを行う第２工程とを含む、読み取りセンサのロジウム（Ｒｈ）リード層の製造方法。 - 特許庁 - To provide a plasma processing system and a plasma processing method by which contamination to an object to be processed can be suppressed and sputtering and etching of the inside wall of a plasma processing chamber be also effectively prevented.
被処理体に対するコンタミネーションを抑制しつつ、プラズマ処理室内壁のスパッタリングおよびエッチングをも効果的に防止したプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - A precursor thin film is formed by alternately repeating a process for supplying In to a substrate and a process for supplying Cu and Ga at least for two times by using a sputtering method.
スパッタ法を用いて、基板にＩｎを供給する工程とＣｕおよびＧａを供給する工程をそれぞれ少なくとも２回以上交互に繰り返して前駆体薄膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target for deposition of a seed layer, with which the size of magnetic particles in a magnetic film can be refined and simultaneously the size of the magnetic particles can be uniformized, and its manufacturing method.
磁性膜中の磁性粒子のサイズを微細化し、同時に磁性粒子の粒径を均一化することができるシード層を形成するためのスパッタターゲット及びその製造法を提供する。 - 特許庁 - These can be obtained by the RF magnetron sputtering method in which titanium oxide having a diameter of 100 mm is used as a target, and boron (B) chips each having a 5 mm square are uniformly arranged on the target.
これらは、ターゲットを直径１００ｍｍの酸化チタンとし、この上に５ｍｍ角のホウ素（Ｂ）チップを均一に配置し、ＲＦマグネトロンスパッタ法により得ることができる。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target free from the cavities caused in a solidification step at casting, having relatively small grain size and a homogeneous fine structure.
鋳造時の凝固工程に起因する巣の発生がなく結晶粒径が比較的小さく均質な微細構造を有するスパッタリングターゲットを製造する方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - When a silicon nitride target is used as is conventional to form a silicon oxynitride type gas barrier layer by an RF sputtering method, the gas barrier layer becomes brown if oxgen or the like is not introduced.
従来、窒化珪素ターゲットを使用し、ＲＦスパッタリング法によって酸化窒化珪素系のガスバリア層を形成すると、成膜時に酸素等を導入しないと茶褐色となる。 - 特許庁 - To provide a method for producing a sputtering device and a semiconductor device improving the using efficiency of a target, simultaneously excellent in the uniformity of a film forming distribution and capable of obtaining a high bottom coverage.
ターゲットの使用効率を向上させると同時に、成膜分布の均一性に優れ、高ボトムカバレッジを得ることが可能なスパッタ装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a magnetic recording medium which can suppress the decomposition of oxide and nitride during sputtering and can form a magnetic layer in which these are well separated and segregated with an alloy.
スパッタリング中の酸化物や窒化物の分解を抑制し、それらが合金と良好に分離偏析した磁性層を形成できる磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A metallic thin film is formed on a surface of a semiconductor ceramic sintered body having a negative temperature characteristic of resistance by a vapor deposition or sputtering method, followed by a thermal treatment in an atmosphere.
負の抵抗温度特性を有する半導体セラミック焼結体の表面に、蒸着又はスパッタリング法により金属薄膜を形成し、その後、大気中で熱処理する。 - 特許庁 - An ITO transparent electroconductive thin film 5 is deposited by a sputtering method using an ITO target in which the weight ratio of SnO_2 to the total of In_2O_3 and SnO_2 is ≤6%.
Ｉｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２との合計に対するＳｎＯ_２の重量割合が６％以下のＩＴＯターゲットを用いるスパッタリング法により成膜されたＩＴＯ透明導電薄膜。 - 特許庁 - To provide a gas barrier laminated material enhanced in gas barrier properties without being damaged in transparency when a gas barrier layer is formed on a base material by a sputtering method.
基材上に、スパッタリング法によってガスバリア層を形成した場合に、透明性を損ねることなく、ガスバリア性の向上したガスバリア性積層材を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The present invention relates to the ferroelectric thin film element having high crystallinity, good surface roughness and remarkably improved deposition efficiency through on-axis type sputtering, and to the method of manufacturing it.
オンアクシス方式スパッタリングにより結晶性及び表面粗さに優れ、かつ蒸着率が顕著に改善された強誘電体薄膜素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The titanium nitride film can be formed by keeping a partial pressure of residual water in atmosphere for film-forming at 0.3% or below to a total pressure, when this titanium film is formed by a reactive sputtering method.
窒化チタン膜を反応性スパッタリング法で成膜する際に、成膜雰囲気中の残留水分の分圧を全圧に対して０．３％以下にして前記窒化チタン膜を成膜する。 - 特許庁 - The method for producing the nanometal-glass particle aggregate comprises intermittently turning on and off an RF power source while plasma is in an unstable state immediately after RF voltage application in a vacuumed, gas-replaced RF magnetron sputtering apparatus.
真空引き、ガス置換が終了したＲＦマグネトロンスパッタ装置において、ＲＦ電圧印加直後のプラズマが不安定な状態で、ＲＦ電源を間欠的にＯＮ−ＯＦＦする。 - 特許庁 - To provide a stable field emission type electron source and its manufacturing method capable of obtaining high current at low voltage by coating the tip of a cathode by inexpensive physical vapor deposition or sputtering vapor deposition.
安価な物理蒸着やスパッタ蒸着でカソード先端にコートし、低電圧で大電流がとれ、安定した電界放出型電子源及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Next, a Bi_2Te_3 thin film 4 is formed on the first film 3 as a second film by sputtering method until a total film thickness of the first film plus the second film becomes about 1 μm.
次に、第１膜３上にスパッタリング法を用いて第２膜としてＢｉ_２Ｔｅ_３薄膜４を第１膜と第２膜とを合わせた膜厚が１μｍ程度になるまで形成させる。 - 特許庁 - To provide a stud and a welding method by which high welding strength can be obtained by preventing sputtering and needing no extra space without using an arc in resistance stud-welding.
抵抗スタッド溶接において、アークを利用せず、スパッタを防止して、かつ余分なスペースを必要とせず、良好な溶接強度も得られるスタッドおよび溶接方法を提供すること。 - 特許庁 - In this molded substrate for a circuit, coating treatment with metal is performed by using physical vapor deposition method selected from among sputtering, vacuum vapor deposition and ion plating, after a surface has been treated by plasma.
表面にプラズマ処理をした後にスパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる物理蒸着法で金属の被覆処理がなされる回路用成形基板に関する。 - 特許庁 - To provide a high-purity Ta material for a semiconductor device, which makes the thickness of a TaN film formed with a reactive sputtering method more uniform in the film plane.
ＴａＮ膜を反応性スパッタ法で形成する際に、その膜厚の面内均一性をより一層高めることを可能にした半導体デバイス用高純度Ｔａ材を提供する。 - 特許庁 - This method for forming Si particles comprises forming a GeO_2 film containing Si (silicon) on a substrate by sputtering, and forming Si particles by heat treatment of the GeO_2 film.
基板上に、スパッタリングによりＳｉ（シリコン）を含有するＧｅＯ_２膜を形成し、該ＧｅＯ_２膜を加熱処理してＳｉ粒子を形成することを特徴とするＳｉ粒子の形成方法。 - 特許庁 - To provide a method for stably manufacturing a Mg-containing ITO sputtering target and an evaporation material while preventing cracking during manufacture without causing reduction in yield.
製造工程中にクラックが発生するのを抑制し、歩留まりの低下をまねくことなく、安定的にＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットおよび蒸着材を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for sputtering without restriction of a substrate material by preventing a temperature of the substrate during film formation from rising up as well as improving a speed for forming a deposition film onto a substrate.
基板への堆積膜を形成する速度を向上するとともに、成膜中の基板の昇温を防止することにより基板材質の制約を受けることなくスパッタを行う。 - 特許庁 - Then a conductive thin film having three-layered structure consisting of a nitried layer 103 of a conductive metal, a nitried layer 104 of a conductive metal, and a nitride layer 105 of a conductive metal is formed by a sputtering method.
その後、導電性金属の窒化層１０３と導電性金属１０４および導電性金属の窒化層１０５の３層構造の導電性薄膜をスパッタリングで形成する。 - 特許庁 - To provide a method capable of easily and inexpensively reducing specified impurities in Ru raw material powder, and simultaneously producing an Ru sputtering target having high purity and high homogeneity.
Ｒｕ原料粉末の特定不純物の低減を容易にかつ安価に実現すると同時に、高純度で均質性の高いＲｕスパッタリングターゲットを作製する方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for producing a transparent conductive film, using a sputtering composite target comprising an oxide base component including indium oxide and carbon base components, a transparent conductive film is formed on the substrate.
透明導電膜の製造方法は、酸化インジウムを含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。 - 特許庁 - The space between a target 8 emitting atoms by a sputtering method and a substrate 14 on which a thin film has been formed by the atoms is deposited with a pole board 16 and a pole board 18.
スパッタリング法により原子を放出するターゲット８と、この原子により薄膜が形成される基板１４の間に磁極板１６と磁極板１８が配置されている。 - 特許庁 - The method comprises forming a niobium oxide film (NbO_x film) on a substrate surface by sputtering a niobium oxide or a niobium metal as a target, and annealing the niobium oxide film.
ニオブ酸化物またはニオブ金属をターゲットとしてスパッタリングすることにより、基板の表面にニオブ酸化物膜（ＮｂＯ_ｘ膜）を形成し、そのニオブ酸化物膜に対してアニール処理を行う。 - 特許庁 - The amorphous oxide film having electron carrier density of less than 10^18/cm^3 is formed at a temperature of not less than room temperature and not higher than 450°C by the sputtering method.
このターゲットを用いて、電子キャリア濃度が１０^１８／ｃｍ^３未満のアモルファス酸化物膜を室温以上４５０℃以下の成膜温度でスパッタリング法により形成する。 - 特許庁 - An Al reflecting film 7b is deposited on the substrate 7a through sputtering, on which a UV-curing protective film 7c is applied by a spin coating method and is hardened by irradiating with UV rays.
この基板７ａにＡｌ反射膜７ｂをスパッタリングにより成膜し、その上に紫外線硬化型保護膜７ｃをスピンコート法により塗膜し、紫外線をあてて硬化した。 - 特許庁 - Formation due to a sputtering method of the transparent conductive film deposits after performing a surface reformation in a plasma processing by performing a flattening processing by grinding after forming the coloring pixel.
着色画素の形成後に研磨による平坦化処理を行い、透明導電膜のスパッタリング法による形成はプラズマ処理にて表面改質を行ったのちに成膜する。 - 特許庁 - Then an oxide dielectric film layer and a metallic absorption film layer are alternatively laminated by a sputtering method or the like on at least one side of the resin film to form the absorptive multilayer film.
その後、この樹脂フルムの少なくとも片面に、パッタリング法などにより酸化物誘電体膜層と金属吸収膜層とを交互に積層して吸収型多層膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for uniformly and stably forming a nitrided layer through reliably removing a passivated film by sputtering with the use of a mixed gas of hydrogen and nitrogen.
水素と窒素との混合ガスを使用してスパッタリングをおこなうことにより不動態膜を確実に除去して均一かつ安定的に窒化層を形成する方法を提供する。 - 特許庁 - After the crystallization of the ferroelectric film 10a, an amorphous CSPLZT film is formed as a ferroelectric film 10b on the ferroelectric film 10a by a sputtering method.
強誘電体膜１０ａの結晶化後に、強誘電体膜１０ａ上にアモルファス状のＣＳＰＬＺＴ膜を強誘電体膜１０ｂとしてスパッタリング法により形成する。 - 特許庁 - A metal mask is put on the collector electrode 10, and a back electrode 7 and a collector electrode 9 are formed by a sputtering method in parts on the n-type amorphous silicon film 6 except the metal mask.
次いで、集電極１０にメタルマスクを被せ、ｎ型非晶質シリコン膜６上のメタルマスクを除く部分にスパッタリング法により裏面電極７および集電極９を形成する。 - 特許庁 - The method for fabricating the information recording medium includes a step of forming nanorod recording layers on a substrate by sputtering using a mask having a prescribed aspect ratio and a nanorod pattern.
基板に、所定の縦横比とナノロッドパターンとを有するマスクを利用し、スパッタリング法でナノロッドによるナノロッド記録層を形成する段階を含む情報記録媒体の製造方法である。 - 特許庁 - The multilayer film mirror formed by the sputtering method is characterized in that a multilayer film of the multilayer film mirror contains <0.005 atm% sputter (process) gas.
スパッタ法で形成した多層膜ミラーであって、前記多層膜ミラーの多層膜中に含まれるスパッタ(プロセス)ガスの含有量が0.005atm％未満であることを特徴とする多層膜ミラー。 - 特許庁 - The method for forming the upconversion thin film on a substrate includes sputtering the upconversion material containing oxides as a target with the use of the gas capable of etching the oxide as a reactant gas.
酸化物を含むアップコンバージョン材料をターゲットとして、反応ガスとして酸化物に対するエッチングガスを用いてスパッタリングを行うことにより、基材上にアップコンバージョン薄膜を成膜する。 - 特許庁 - The positive electrode 31 contains the positive electrode material having lithium composite compound particles and a covering layer formed by a barrel sputtering method and covering the lithium composite compound particles.
正極３１は、リチウム複合化合物粒子と、バレルスパッタ法により形成され、このリチウム複合化合物粒子を被覆する被覆層とを有する正極材料を含んでいる。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently recovering indium hydroxide or indium from a scrap containing high purity indium oxide generated at the manufacturing or after use of ITO sputtering target.
ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップから水酸化インジウム又はインジウムを効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁 - The manufacturing method of the transparent conductive film includes a step of forming the transparent conductive film on a substrate using the composite target for sputtering comprising the oxide component containing zinc oxide and the carbon components.
透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を含む酸化物系成分と、炭素系成分とを有するスパッタリング複合ターゲットを用いて、基板上に透明導電膜を形成する。 - 特許庁 - When a magnetic layer is film-deposited by a sputtering method, a Tb target and a target consisting essentially of Fe are respectively provided in symmetrical positions with respect to the revolution shaft of a substrate so as to be separated the most.
コスパッタリングにより成膜する際にＴｂターゲットとＦｅを主成分とするターゲットを基板公転回転軸に対して、最も離れるように対称な位置に設ける。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a magneto-optical recording medium capable of manufacturing the magneto-optical recording medium of high recording density using magnetic super high resolution technology with high mass productivity, and further provide a sputtering system.
磁気的超解像技術を用いる高記録密度の光磁気記録媒体を量産性よく製造できる光磁気記録媒体の製造方法とスパッタ装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a film-forming apparatus which improves the stability of an electric discharge of reactive direct-current sputtering and also inhibits defects originating in the formation of particles, and to provide a film-forming method.
反応性直流スパッタ放電の安定性を向上させるとともに、パーティクルの発生による欠陥を抑えることのできる成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
