「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 31 32 33 34 35 36 37 38 39 .... 52 53 次へ＞- To provide a sputtering target for depositing a niobium oxide film of small dispersion in film thickness and excellent uniformity at a high film deposition speed, and a manufacturing method thereof.
膜厚のばらつきが小さく均一性に優れたニオブ酸化膜を高い成膜速度で形成することが可能なスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An electric conductive thin film 16 is formed by sputtering or vacuum vapor deposition method on the joint face 121A of a first dielectric body 12 having a lens part 122.
レンズ部１２２を有する第１誘電体１２の接合面１２１Ａに電気伝導性薄膜１６をスパッタリング法または真空蒸着法により形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target in which initial arcing can be prevented and initial stability can be greatly improved and which can be manufactured at a low cost, and to provide its manufacturing method.
初期アークの発生を防止し、初期安定性が著しく向上し、低コストで製造することができるスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device having a structure capable of suppressing the occurrence of an abnormal discharge in forming an upper electrode containing aluminum as a material by a sputtering method.
アルミニウムが材料に含まれる上部電極をスパッタ法で形成する際の異常放電の発生を防止することができる構造の半導体装置を提供する。 - 特許庁 - A silicon thin film electrode 14 is formed on a position facing to the projection 13 of the under surface 20b of the insulating layer 20 by forming a film from silicon by a sputtering method.
また絶縁層２０の下面２０ｂの凸部１３に対向する位置にはスパッタリング法によりシリコンを成膜することによりシリコン薄膜電極１４が形成されている。 - 特許庁 - A silicon oxide film 12 is formed on a glass substrate 11, and an a-Si film 13 is formed thereon through an RF sputtering method and turned to microcrystal in a hydrogen atmosphere.
ガラス基板１１上に酸化珪素膜１２を形成し、その上にａ−Ｓｉ膜１３をＲＦスパッタ法により成膜し水素雰囲気中で熱結晶化を行う。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a sputtering target having a thickness-to-radius ratio of at least 3 and also having a density as high as at least 965i!; of theoretical density.
本発明は、厚さに対する半径の比が少なくとも３で、理論的密度の少なくとも９６％の高密度のスパッタ・ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a film-forming apparatus that can form an optical thin film which is uniform, has high precision and has a predetermined thickness distribution, on a large area substrate by using a sputtering method.
スパッタリング法を用い、大面積基材に対して、均質かつ高精度な、所定の膜厚分布の光学薄膜を得ることができる成膜装置を提供する。 - 特許庁 - This method for forming the thin film of silicon nitride on the substrate comprises: using dual magnetron sputtering (DMS) technique; and applying sinusoidal voltage with a frequency of 25 kHz or less to the magnetron cathodes.
デュアル・マグネトロンスパッタリング（ＤＭＳ）を用い、そのマグネトロンカソードに周波数２５ｋＨｚ以下の正弦波電圧を印加して、基材上に窒化シリコンの薄膜を成膜する。 - 特許庁 - The manufacturing method includes a sputter film forming process for forming a barrier film 116 having tantalum or tantalum nitride as a main component by sputtering, which uses a xenon gas, on an interlayer insulating film 113.
層間絶縁膜１１３上に、キセノンガスを用いたスパッタリングで、タンタルまたは窒化タンタルを主成分とするバリア膜１１６を形成するスパッタ成膜工程を備える。 - 特許庁 - In a method for manufacturing the sputtering target material, a powder material comprising a combination of elements containing a chromium alloy or a carbide- or carbon-containing master alloy is used.
スパッタターゲット材料を製造する方法は、クロム合金やカーバイド又は炭素含有のマスター合金を含む元素の組み合わせからなる粉体材料を用いる。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently recovering indium from high purity indium oxide-containing scrap generated at the time of producing an ITO sputtering target or after its use.
ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップからインジウムを効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sulfide target for forming a sulfide fluorescent film composed of Al_2S_3, BaS and EuS and having satisfactory crystallinity by a sputtering process, and to provide its production method.
Ａｌ_２Ｓ_３、ＢａＳ、ＥｕＳからなり、結晶性の良い硫化物蛍光体膜をスパッタリング法で形成するための硫化物ターゲット、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering deposition apparatus for depositing a chalcogen compound thin film having satisfactory characteristics, and to provide a method for depositing the chalcogen compound thin film employing the same.
良好な特性を有するカルコゲン化合物薄膜を形成するスパッタリング蒸着装置およびそれを利用したカルコゲン化合物薄膜形成方法の提供。 - 特許庁 - An optical multilayer film 12 is formed by alternately layering a metallic film 12M_P and a dielectric film 12D_P on a transparent substrate 11 by using a sputtering method.
スパッタリング法を用いて、透明基板１１の上に、金属膜１２Ｍ_ｐ と誘電体膜１２Ｄ_ｐ とを交互に積層することにより光学多層膜１２を形成する。 - 特許庁 - To provide sputtering deposition equipment capable of forming a semiconductor light-emitting element having a buffer layer having high crystallinity, and a method for manufacturing the semiconductor light-emitting element.
結晶性の高いバッファ層を有する半導体発光素子を形成することができるスパッタ成膜装置、並びに半導体発光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁 - In step S101, a TiW film is formed by a sputtering method so as to cover a surface protective film formed on the surface of a semiconductor element and a pad electrode.
ステップＳ１０１で、半導体素子の表面上に形成された表面保護膜およびパッド電極を覆うように、ＴｉＷ膜をスパッタ法で形成する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a dielectric oxide film formed of an SiCyOx film of which the transmissivity is controlled, with a dual-cathode magnetron sputtering apparatus using an SiC target.
ＳｉＣターゲットを用いたデユアルカソードマグネトロンスパッタリング装置により透過率が制御されたＳｉＣｙＯｘ膜から成る酸化物誘電体膜の製造法を提供する。 - 特許庁 - A ferroelectric film (PZT film) 127 that constitutes a ferroelectric capacitor 130 is formed by a sputtering method, and it is subsequently subjected to thermal processing (RTA) in an oxygen atmosphere.
強誘電体キャパシタ１３０を構成する強誘電体膜（ＰＺＴ膜）１２７をスパッタ法により形成した後、酸素雰囲気中で熱処理（ＲＴＡ）を施す。 - 特許庁 - After implanting argon ions to the entire SOI substrate surface, the substrate is adjusted to be about 300°C, and a titanium film 21 (film thickness is 15 nm) is formed by using a long throw sputtering method.
ＳＯＩ基板全面に対してアルゴンイオンを注入した後，基板を約３００℃に調整し，ロングスロー・スパッタリング法を用いてチタン膜２１（膜厚１５ｎｍ）を形成する。 - 特許庁 - The method has (c) a process of forming a titanium nitride film 10, containing titanium on the metal film 9 by sputtering in an atmosphere in which a nitrogen concentration is 80% or higher.
そして、（ｃ）窒素濃度が８０％以上の雰囲気で、スパッタによりチタンを含むチタンナイトライド膜１０を金属膜９上に形成する工程を備える。 - 特許庁 - (a) A protective metal film 10 consisting of molybdenum and a reflection metal film 11 consisting of aluminum laminated on the protective metal film 10 are formed by a sputtering method.
（ａ）スパッタリング法により、モリブデンからなる保護金属膜１０と、保護金属膜１０上に積層されたアルミニウムからなる反射金属膜１１を成膜する。 - 特許庁 - The film of AlTiN is formed on the base layer 3 by the sputtering method utilizing a mixed gas formed by adding N2 gas to Ar gas to form a heat diffusion layer 4.
ＡｒガスにＮ_2 ガスを添加した混合ガスを用いたスパッタリング法により、下地層３上にＡｌＴｉＮを成膜することによって熱拡散層４を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently recovering indium from a hydrochloric acid solution containing high purity indium generated at the manufacturing or after use of ITO sputtering target.
ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後等に発生する高純度インジウムを含有する塩酸溶液からインジウムを効率良く回収する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide tungsten powder, particularly fine high-purity tungsten powder suitably used as a raw material for a tungsten sputtering target for semiconductor film deposition, and its manufacturing method.
タングステン粉末、特に半導体成膜用のタングステンスパッタ・ターゲットの原料として好適な微細で高純度のタングステン粉末、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - When the display electrode 4 consisting of the ITO film is formed by a sputtering method in the atmosphere of the mixed gas of oxygen and argon, the surface of the titanium thin film 23 is oxidized.
また、ＩＴＯ膜から成る表示電極４を酸素とアルゴンの混合ガス雰囲気中におけるスパッタ法で形成する際には、チタン薄膜２３の表面が酸化する。 - 特許庁 - To provide a method for forming a film of a lead and titanium-containing composite perovskite type compound having a controlled composition at high precision by sputtering.
鉛及びチタンを含む複合ペロブスカイト型化合物の膜であって、組成が精度良く制御された膜を、スパッタリングによって形成する成膜方法等を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for efficiently recovering indium from high purity oxidized indium-containing scrap generated at the time of producing an IXO sputtering target or after its use.
ＩＸＯスパッタリングターゲットの製造時又は使用後に発生する高純度酸化インジウム含有スクラップからインジウムを効率よく回収する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a light emitting element which can suppress damage occurring in a layer containing an organic substance at a film deposition time by a sputtering method and which can suppress a short circuit between electrodes (short circuit), etc.
本発明では、スパッタリング法による成膜時に有機物を含む層へ生じる損傷を抑制できる発光素子を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide such a technology that can produce an oraganic EL device of which light-emitting efficiency is hardly reduced even if an electrode layer is formed on the surface of a charge injection layer by sputtering method.
スパッタリング法により電荷注入層の表面に電極層を形成しても発光効率が低下しない有機ＥＬ素子を得る技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of producing a Ge-Sb-Te sputtering target of a thin film medium for recording information by utilizing the phase transformation of a recording layer material.
本発明は、記録層材料の相変態を利用して情報を記録する薄膜媒体のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系スパッタリングターゲット材の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - A raw material sintered compact having a low electric resistivity is obtained by adding the niobium oxide to the zinc sulfide and the sintered compact is easily formed in the thin film shape by a direct current sputtering method.
さらに、酸化ニオブの添加により、原料焼結体を低い電気抵抗率にして、この焼結体を直流スパッターにより薄膜に形成するのを容易にする。 - 特許庁 - To provide a method for managing a sputtering stage stabilizing the quality of a product by maintaining the adhesion of a plating substrate to an insulating base material to a high level.
絶縁性基材に対するメッキ下地層の密着力を高水準に維持することによって製品品質を安定化させるスパッタリング工程の管理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for producing a Fe-Co-Ni-based alloy target material by which large leakage magnetic flux is obtained, of which the magnetic permeability is high, and the use efficiency in magnetron sputtering is high.
大きな漏洩磁束が得られ透磁率が低く、マグネトロンスパッタリングにおける使用効率が高いＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金ターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To simply form a decorative panel having plating-like metal appearance at a low cost by applying a paint without using a conventional processing method (plating, vacuum vapor deposition or sputtering).
めっき調の金属外観装飾板を従来の加工方法（めっき・真空蒸着・スパッタ等）を用いずに塗料を塗装することで簡単かつ低コストで形成する。 - 特許庁 - To provide a plasma cleaning method which suppresses a sputtering of an organic layer provided on a substrate to be treated, and enables an effective removal of organic materials from a conductive part.
被処理基板に設けられる有機物層のスパッタリングを抑え、導電部からの有機物の除去を効率的に行なうことのできるプラズマ洗浄方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a Cu-Ga-based alloy powder with a low oxygen content for producing a light-absorbing thin film layer of a solar cell and a method for producing a sputtering target material.
太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための低酸素Ｃｕ−Ｇａ系合金粉末、およびスパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a producing method of a capacitor insulation film by using an ECR sputtering apparatus which has high dielectrical characteristics, contributing to the creations of high-speed and microminiaturized semiconductor memory elements, etc.
ＥＣＲスパッタ装置を用いて、半導体メモリ素子などの高速化、微細化に寄与する高い誘電特性を有するキャパシタ絶縁膜を作製する方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an optical disk having excellent performance by suppressing the adverse influence of masks in the case of depositing a plurality of film layers by a sputtering system.
スパッタリングによって複数層の膜を順次形成する場合におけるマスクの悪影響を抑制して優れた性能の光ディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering system by which the temperature of a chimney in the process of operation is fixed to set degassing quantity, and film deposition free from the variation in film thickness is possible and to provide a film deposition method.
稼働中のチムニーの温度を一定にしてデガス量を一定とし、膜厚の変動のない成膜が可能なスパッタリング装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide sputtering system and method which can form a thin film with good coverage even in a through-hole having a high aspect ratio without reducing the deposition rate.
高アスペクト比の貫通穴であっても、貫通穴内部に薄膜をカバレッジ良く形成することができ、かつ成膜レートを低下させないスパッタリング装置及び方法を提供する。 - 特許庁 - The film-forming method includes sputtering a target material 2 while relatively rotating a substrate 1 and the thickness-distribution control plate 11, to form the film on the face 1a to be film-formed of the substrate 1.
そして、基板１と膜厚分布制御板１１とを相対回転させつつ、ターゲット材２をスパッタし、基板１の成膜面１ａ上に成膜を行う。 - 特許庁 - This manufacturing method includes a step of coating catalytic metal particles 23 on an ion-exchanged polymer membrane with a sputtering method, followed by a step of coating carbon particles 22 on this membrane with sputtering or arc discharge to form a catalyst layer 21 of nanoparticles, and succeeded by a step of bonding this membrane with the pole.
水素イオン交換高分子膜上にスパッタリング法で触媒の金属粒子２３をコーティングする段階と、続いてこの水素イオン交換高分子膜上に炭素粒子２２をスパッタリングまたはアーク放電でコーティングしてナノ粒子の触媒層２１を形成する段階と、引き続きこの水素イオン交換高分子膜を電極と接合させる段階とを含む。 - 特許庁 - To provide a method and system for depositing a metal oxide, in which deposition is performed with good film characteristics on an organic layer while making effective use of the excellent features of the film structure by ordinary sputtering by reducing the kinetic energy possessed by the sputter particles (thin film-constituting atoms) in sputtering and a method and apparatus for manufacturing an organic EL element.
スパッタリングにおけるスパッタ粒子（薄膜構成原子）の持つ運動エネルギーを軽減することにより、通常のスパッタリングによる優れた膜構造の特徴を活かしつつ有機層上に特性の良い成膜を可能にする、金属酸化物の成膜方法および成膜装置、有機ＥＬ素子の製造方法および製造装置を提供する。 - 特許庁 - On a sapphire substrate 9, a first layer 8 comprised of a group III nitride is formed by a sputtering method, and upon forming a second layer 7 comprising a group III nitride, on the first layer 8 by an MOCVD method, the first layer 8 is formed under the condition that the arrival degree of vacuum in a chamber of a sputtering apparatus is 3.5×10^-5 Pa or less.
サファイア基板９上に、スパッタ法によってＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層８を成膜し、該第１の層８の上に、ＭＯＣＶＤ法によってＩＩＩ族窒化物からなる第２の層７を成膜する際に、第１の層８を、スパッタ装置のチャンバの到達真空度が３．５×１０^−５Ｐａ以下の条件で成膜する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing the sputtering target material for Ni-W based interlayer, Ni-W based alloy powder made by a gas-atomizing method, is used as raw material powder, and this is solidified and formed at 900-1150°C, for obtaining the sputtering target material containing 5-20 at% W and the balance Ni with inevitable impurities.
ａｔ％で、Ｗ：５〜２０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなるスパッタリングターゲット材において、ガスアトマイズ法により作製したＮｉ−Ｗ系合金粉末を原料粉末とし、これを９００〜１１５０℃の温度で固化成形したことを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁 - A high dielectric thin film capacitor is manufactured in such a way that, after an Al metallic electrode 2 is formed on a glass substrate 1 by the DC magnetron sputtering method, an SrTiO3 film 3 is formed on the electrode 2 as a high dielectric thin film by the RF magnetron sputtering method and another Al metallic electrode 2 is formed on the thin film 3.
ガラス基体１上にＤＣマグネトロンスパッタ法によりＡｌの金属電極２を形成後、前記電極２上にＲＦマグネトロンスパッタ法により高誘電体薄膜としてＳｒＴｉＯ_3３を形成し、再び前記高誘電体薄膜３上にＡｌの金属電極２を形成することにより高誘電体薄膜コンデンサとする。 - 特許庁 - In the method for film deposition of the zinc oxide thin film on the substrate by a sputtering method using a sputtering gas consisting of oxygen and an inert gas, the light emission intensity ratio of the light emission intensity of oxygen atoms to that of the inert gas, and the pressure during the film deposition are controlled.
酸素及び不活性ガスからなるスパッタリングガスを用いたスパッタリング法により、基板上に酸化亜鉛薄膜を成膜する酸化亜鉛薄膜の成膜方法であって、酸素原子の発光強度と不活性ガスの発光強度の発光強度比、及び成膜時の圧力を制御することを特徴とする酸化亜鉛薄膜の成膜方法である。 - 特許庁 - To enhance wear resistance, a Si film 9 deposited by a sputtering method, a DLC film deposited by a CVD method and a ta-C film 11 deposited by a cathodic arc method are successively formed on the ta-C film 8 to form a pad C having a three-layered structure.
さらに、耐摩耗性を向上させるために、ｔａ−Ｃ膜８から順にスパッタ法によるＳｉ膜９、ＣＶＤ法によるＤＬＣ膜、カソーディックアーク法によるｔａ−Ｃ膜１１を成膜して、３層構造のパッドＣを形成する。 - 特許庁 - The conductive circuit formation method is a sputtering method where metal atoms sputtered from a target 2 provided in a cathode electrode 1 are deposited on the surface of a substrate 3, relating to the conductive circuit formation method having a process for forming a conductive film 4 to form a circuit on the substrate 3.
カソード電極１に設けたターゲット２からスパッタさせた金属原子を基板３の表面に堆積させるスパッタリング法で、基板３に回路形成用の導体膜４を形成する工程を有する導電性回路形成方法に関する。 - 特許庁
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