「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 28 29 30 31 32 33 34 35 36 .... 52 53 次へ＞- First, the Al_2O_3 layer 102, AlO_xN_ylayer 103, and AlN layer 104 are formed, for example, with the sputtering method on a sapphire substrate 101.
まず、サファイア基板１０１の上に、例えばスパッタ法により、Ａｌ_2Ｏ_3層１０２、ＡｌＯ_xＮ_y層１０３、ＡｌＮ層１０４が形成された状態とする。 - 特許庁 - To provide a film deposition apparatus and a film deposition method which enable pre-treatment such as pre-sputtering in a vacuum vessel to be performed without arranging complicated shutter mechanism.
複雑なシャッター機構を設けることなく真空槽内のプリスパッタ等の前処理が可能な成膜装置及び成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a plasma display panel with a low discharge voltage and having a high sputtering resistance, and to provide a method and device for manufacturing the plasma display panel.
放電電圧が低く、高い耐スパッタ性を有するプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置を提供すること。 - 特許庁 - After the hole 12a is covered on the upper face of the substrate to form a barrier layer 16, a wiring material layer 18 such as an Al alloy is formed by a sputtering method.
基板上面には、孔１２ａを覆ってバリア層１６を形成した後、スパッタ法によりＡｌ合金等の配線材層１８を形成する。 - 特許庁 - To provide a cold cathode fluorescent lamp superior in sputtering resistance and manufacturability and economical, and a manufacturing method of an electrode for the cold cathode fluorescent lamp.
耐スパッタ性と製作性に優れ、かつ経済的な、冷陰極蛍光ランプおよび冷陰極蛍光ランプ用電極の製造方法を提供する - 特許庁 - To improve the reliability of a contact by fully improving the coverage of a side-face portion in a fine contact hole, when forming a wiring layer through a sputtering method.
スパッタ法で配線層を形成するのにあたり、微小なコンタクト孔における側面部分のカバレッジを十分に向上させ、コンタクトの信頼性を高くする。 - 特許庁 - An Ni layer is formed on the Si substrate by a sputtering method, and Ni_3N layer is formed by heat-treating it at 500 to 900°C in an ammonia air flow.
Ｓｉ基板上にスパッタ法でＮｉ層を形成し、アンモニア気流中５００〜９００℃で熱処理することによりＮｉ_3Ｎ層を形成する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing an oxide sintered compact which does not generate a nodule, an arcing or the like when the oxide semiconductor device is formed and to provide a sputtering target.
酸化物半導体を形成する際に、ノジュールやアーキング等を発生しない酸化物焼結体を製造する方法、及びスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a tantalum sputtering target which provides good film uniformity and can improve the quality of a sputtered film, and to provide a method for production of the target.
膜の均一性（ユニフォーミティ）を良好にし、スパッタ成膜の品質を向上させることができるタンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - AMORPHOUS OXIDE SEMICONDUCTOR THIN-FILM, ITS FORMING METHOD, MANUFACTURING PROCESS OF THIN-FILM TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, LIGHT-EMITTING DEVICE, DISPLAY AND SPUTTERING TARGET
非晶質酸化物半導体薄膜、その製造方法、薄膜トランジスタの製造方法、電界効果型トランジスタ、発光装置、表示装置及びスパッタリングターゲット - 特許庁 - The curvature radius of each of the edges 3 and 4 is increased by a method such as substrate sputtering etching, the heat deformation of a resist pattern, ozone etching by ultraviolet-ray irradiation, or the like.
基板のスパッタエッチング、レジストパターンの加熱変形、紫外線照射によるオゾンエッチング等の方法により、エッジ部３，４の曲率半径を大きくする。 - 特許庁 - To provide an indium target having stable sputterring characteristics in film formation rate, discharge voltage or the like from start to completion of sputtering and to provide a method for producing the indium target.
スパッタ開始から終了までの成膜レートや放電電圧等のスパッタ特性が安定なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - After forming an initial PZT film 55a and an intermediate PZT film 55b, an amorphous ferroelectric film 55c is formed by a sputtering method.
初期ＰＺＴ膜５５ａ及び中間ＰＺＴ膜５５ｂを形成した後には、アモルファス状の強誘電体膜５５ｃをスパッタリング法により形成する。 - 特許庁 - Next, a reflection layer of gold is formed by a sputtering method on this light absorption layer and further the surface thereof is provided with a protective layer consisting of a UV curing resin.
つぎに、この光吸収層の上にスパッタ法で金の反射層を形成し、さらにその上に紫外線硬化樹脂からなる保護層を設けた。 - 特許庁 - To provide a method for producing a lithium phosphate sintered compact capable of obtaining a bulk body free from macrosized internal defects and having high density, and to provide a sputtering cathode.
マクロサイズの内部欠陥がなく、高密度なバルク体を得ることができるリン酸リチウム焼結体の製造方法およびスパッタリングカソードを提供する。 - 特許庁 - The seed layer 12 is a group III nitride compound semiconductor, has its film thickness set to 21 to 40 nm, and is deposited by a sputtering method.
そして、シード層１２は、III族窒化物化合物半導体であり、その膜厚が２１ｎｍ以上４０ｎｍ以下に設定され、スパッタ法によって成膜されている。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering system using an inexpensive magnetic field forming part with a simple structure, and to provide a film deposition method using the same.
安価でかつ簡易な構造の磁界形成部を用いたマグネトロンスパッタリング装置及びそれを用いた成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which can reduce the dispersion of an inorganic oxide particle such as a silica particle, and a manufacturing method of the same, and the like.
シリカ粒子等の無機酸化物粒子の飛散を低減できるスパッタリングターゲット及びその製造方法等を提供することを目的とする。 - 特許庁 - The sliding mechanism is manufactured by the non-balancing type magnetron sputtering method, and a sliding material consisting of hard carbon with the hydrogen content of 20-25 at% is used.
非平衡型マグネトロンスパッタリング法により製造され、水素含有量２０〜２５ａｔ％である硬質炭素からなる摺動材料を用いる。 - 特許庁 - In the structure, the titanium, tantalum or zirconium thin film and the protective thin film are formed on the surface of the substrate by performing a vapor deposition method or sputtering treatment to the substrate.
その中、基板に対して、蒸着法やスパッタリング処理により、基板の表面に、チタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と保護薄膜が形成される。 - 特許庁 - To provide a cobalt-iron alloy sputtering target material which is produced by a simple melt casting method and has high leakage flux.
本発明の主要な目的は、簡易な溶解鋳造法により製造する漏洩磁束の高いコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材を提供することである。 - 特許庁 - Furthermore, an about 300 nm thick electrode 15 comprising titanium and aluminum is formed on the potential reduction layer 14 with a sputtering method.
続いて、スパッタ法により、ポテンシャル低減層１４の上に、厚さが約３００ｎｍのチタンとアルミニウムとの積層膜からなる電極１５を形成する。 - 特許庁 - A state where a positive electrode 102 is formed on a substrate 101 is established by selectively depositing LiCoO_2 by an ECR (Electro Cyclotron Resonance) sputtering method.
基板１０１の上に、ＥＣＲ（Electro Cyclotron Resonance：電子サイクロトロン共鳴）スパッタ法によりＬｉＣｏＯ_2を選択的に堆積し、正極１０２が形成された状態とする。 - 特許庁 - To provide a method for producing a high purity hafnium material particularly suitable for a sputtering target in which an oxygen content and a carbon content are extremely low.
特に、酸素含有量や炭素含有量の極めて少ないスパッタリングターゲット用に適した高純度ハフニウム材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Using liquid nitrogen, a silicon substrate 1 is kept at room temperature or lower to below 40°C, to form a titanium film 6 and an aluminum alloy film 7 by sputtering method.
液体窒素を用いてシリコン基板１を室温以下のマイナス４０℃に保持し、スパッタ法によりチタン膜６およびアルミニウム合金膜７を形成する。 - 特許庁 - The oxide semiconductor film 15 is formed by a DC sputtering method and a DC voltage Vdc for formation is set according to a carrier density D.
酸化物半導体膜１５を、ＤＣスパッタ法を用いて成膜すると共に、その際の直流電圧Ｖdcをキャリア密度Ｄに応じて設定する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a transparent thin film having high transmittance in a short wavelength region of visible rays, by sputtering.
スパッタリング法による透明薄膜の製造方法として、短波長域の可視光線透過率の高い透明薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁 - A two-layered electrode film is produced by forming a thin Ni alloy film on a ceramic substrate by a sputtering method which uses the target.
また、当該ターゲットを使用して、スパッタリング法によりセラミック基板上にＮｉ合金薄膜を形成することにより、２層電極膜を作製する。 - 特許庁 - In this method for manufacturing a silicon thin film by sputtering, silicon whose crystallinity is made more satisfactory than that of a silicon thin film to be manufactured is used as a target substance.
スパッタリングによってシリコン薄膜を製造する方法であって、製造されるべきシリコン薄膜より結晶性が良いシリコンをターゲット物質とする。 - 特許庁 - The copper-nickel coated layers are either nickel silver, Constantan, or Monel metal and formed on the surfaces of the copper particles by e.g. a sputtering method.
銅・ニッケル合金コ−ティング層は、洋白、コンスタンタンまたはモネルメタルのいずれかであって、例えば、スパッタリング法によって銅粉末粒子の表面に形成される。 - 特許庁 - The gas sensitive membrane, in particular, out of the gas sensitive membrane, the catalyst cluster and the partially poisoned body constituting the element is preferably formed by a sputtering method.
素子を構成するガス感応膜、触媒クラスタ及び部分被毒体のうちの特にガス感応膜はスパッタリング法により形成することが好ましい。 - 特許庁 - Island-shaped sensitizers (catalysts) 4 comprising platinum (Pt) or the like are arranged on the center part uniformly by a sputtering method or the like, to thereby form a sensor domain 7.
その中央部に白金（Ｐt）などからなる島状の増感体（触媒）４をスパッタリング法などで均一に配置し、センサ領域７を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of producing a Co based sputtering target consisting of cobalt or a cobalt based alloy which has high magnetic anisotropy and is hard to be cracked.
高い磁気異方性を有し且つヒビ割れしにくいコバルトまたはコバルト基合金からなるＣｏ系スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a cold cathode discharge tube by connecting electrodes made of sputtering resistant metal with internal lead at a temperature with no harmful overheat effect.
耐スパッタリング性のある金属で形成された電極を過熱弊害の生じない温度で内部リードに接合して冷陰極放電管を製造する。 - 特許庁 - An Mo/Si multilayered film (a deep layer side multilayered film) 101 consisting of molybdenum and silicon is film-deposited on the surface of a substrate 103 by an ion beam sputtering method.
基板１０３の表面には、モリブデンとシリコンからなるＭｏ／Ｓｉ多層膜（深層側多層膜）１０１がイオンビームスパッタ法によって成膜されている。 - 特許庁 - To provide a method for forming a thin film by plasma assisted sputtering, which deposits a crystallized and highly dense thin-film on a substrate having a large area, and to provide a film-forming apparatus.
大面積の結晶化膜、高緻密膜の薄膜を基板上に堆積するプラズマ支援スパッタリング薄膜形成方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁 - Foreign matters stuck at the time of forming the laminated constitution by a sputtering method are removed to reduce the number of foreign matters stuck to the surface to 20 or smaller per cm^2.
スパッタリング法により積層構成を形成した際に付着した異物を除去して、該面の異物付着数を２０個／ｃｍ^2以下とする。 - 特許庁 - To improve the uniformity in the film thickness of a film deposited on a substrate by reducing variation in the film thickness caused by the rotation of the substrate and the rotation of a magnet as for a sputtering method.
基板回転と磁石回転による膜厚バラツキを減少し、基板に堆積する膜の膜厚均一性を向上することを目的としている。 - 特許庁 - To form a film composed of compounds of a material which is different from a substrate by a reactive sputtering method on the surface of the substrate in a state of a better film quality.
基体（基板）とは異なる材料の化合物からなる膜を、より膜質の良い状態で、基体表面に反応性スパッタ法で形成する - 特許庁 - To provide a method for producing a large ITO (indium-tin oxide) sintered compact which is useful as a target for sputtering for producing a transparent electrically conductive film in a short time.
透明導電膜作製のためのスパッタリング用ターゲットとして有用な大型のITO焼結体を短時間で製造可能な方法を提供する。 - 特許庁 - In formation of a capacity extending over a capacity part, a capacity contact part, and a cell contact part, a sputtering device using the ALD method, for example, should preferably be used.
なお、容量部、容量コンタクト部およびセルコンタクト部にまたがる容量の形成には、ＡＬＤ法などによるスパッタ装置を用いることが好ましい。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING OPTICAL RECORDING MEDIUM PROTECTIVE FILM, METHOD OF PRODUCING THE TARGET, AND OPTICAL RECORDING MEDIUM WITH PROTECTIVE FILM DEPOSITED BY USING THE TARGET
光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット及び該ターゲットの製造方法並びに該ターゲットを使用して保護膜を形成した光記録媒体 - 特許庁 - To provide a target of silicon for sputtering in which warpage caused by stress stain is reduced, and a bonding defect, target cracking or the like are hard to occur, and to provide its production method.
応力歪みによる反りが少なく、ボンディング不良やターゲット割れ等が生じ難いシリコンのスパッタリング用ターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a carbon film depositing method by which a carbon film with which no contaminant is mixed can be deposited without sputtering the structure member of a CVD(chemical vapor deposition) device.
ＣＶＤ装置の構造部品をスパッタリングすることなく、汚染物の混入がないカーボン膜を形成できるカーボン膜形成方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which is used for forming a film of a magnetic recording medium, has a further refined structure and also includes little contamination, and to provide a method for manufacturing the same.
組織のさらなる微細化が可能であると共にコンタミネーションが少ない磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a brazing filler metal coating method by which a work with a large area such as a sputtering target can uniformly be coated with a low melting point brazing filler metal (e.g., indium).
スパッタリングターゲットのような大面積の被加工物に低融点ロウ材低融点ロウ材（インジウム等）を均一に塗布できるロウ材塗布方法を得る事。 - 特許庁 - To provide a film-forming method which can efficiently form a film on a flexible substrate that is continuously sent, by using a gas-flow sputtering technique, and to provide an apparatus therefor.
ガスフロースパッタリング法によって、連続的に送られるフレキシブル基板に効率よく成膜することができる成膜方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - And the method for manufacturing the sputtering target material for Ni-W based interlayer, which is characterized in that the solidifying/forming temperature is 900-1050°C, is also provided.
また、上記固化成形温度を９００〜１０５０℃とすることを特徴とするＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法。 - 特許庁 - To provide a method and a device of sputtering suitable for forming a film with small internal stress, especially suitable for forming a film on a large sized substrate.
内部応力の少ない膜を成膜するのに適し、特に大型基板の成膜に適するスパッタリング方法とその装置を提供することを課題とする。 - 特許庁 - To provide a method for uniformly covering a particle surface with a thin film by using a sputtering or vapor deposition technique, and to provide an apparatus to be used therefor.
スパッタリング又は蒸着により粒子表面に薄膜を均一にコーティングすることができる方法及びこの方法に用いる装置を提供する。 - 特許庁
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