「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 27 28 29 30 31 32 33 34 35 .... 52 53 次へ＞- The method has a deposition step of forming a reflecting film with compressive stress of 700 to 2,000 MPa on the end surface of a semiconductor laser body by the ECR sputtering method.
半導体レーザ本体の端面上に、７００〜２０００ＭＰａの圧縮応力を内包する反射膜を、ＥＣＲスパッタ法により形成する成膜工程を有することを特徴とする。 - 特許庁 - To provide a process for fabricating a preferable piezoelectric element by epitaxial growth method such as sputtering or orientation growth method, and to provide a process for manufacturing a liquid ejection head.
スパッタ法などのエピタキシャル成長法或いは配向成長法よって好ましい圧電素子を作製する圧電素子製造方法及び液体吐出ヘッド製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for an organic EL element capable of reducing the damage on an organic substance layer when forming a second transparent electrode on an organic part layer by a sputtering method.
有機部層上に透明な第２電極をスパッタリング法で形成する際に、有機物層に生じるダメージを低減できる有機ＥＬ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide cleaning gas for removing unnecessary deposits accumulated on the internal wall of a device, a jig, etc., for a device which manufactures a thin film, etc., by using a CVD method, a sputtering method, etc.
ＣＶＤ法、スパッタリング法などを用いて薄膜等を製造する装置において装置内壁、冶具等に堆積した不要な堆積物を除去するためのクリーニングガスを提供する。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SPUTTER TARGET, SPUTTER TARGET, SPUTTERING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, GROUP III NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, AND LAMP
スパッタターゲットの製造方法、スパッタターゲット、スパッタ装置、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ - 特許庁 - To provide a method for producing an oxide thin film by which a film having high biaxial orientation can be formed when producing the oxide thin film by a magnetron sputtering method.
マグネトロンスパッタ法により酸化物薄膜を製造する場合であって、高い２軸配向性を有する膜を形成することができる酸化物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a sputter target that can easily optimize doping concentration of dopant elements in crystal of a gallium nitride semiconductor formed into a film using a sputtering method.
スパッタ法を用いて成膜されたガリウム窒化物半導体の結晶中におけるドーパント元素のドーピング濃度を容易に最適化できるスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a conductive transparent compound thin film which has a sufficiently low resistivity and is difficult to provide in the conventional reactive sputtering method, and to provide a method of producing the conductive transparent compound thin film.
従来の反応性スパッタ法によっては実現が困難であった、充分に低い抵抗率となる導電性透明化合物薄膜およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - Further, a sputtering method, especially, an InGaSnO_5 target is used as the manufacturing method to make an oxygen flow rate 2-4%, and thus, mobility of about 1 cm^2/Vs can be stably obtained.
また、製造方法としてスパッタ法、特にＩｎＧａＳｎＯ_５ターゲットを用い、酸素流量比を２〜４％とすることで、１ｃｍ^２／Ｖ・ｓ程度の移動度を安定して得られる。 - 特許庁 - As for the method of forming a deposited film using a vacuum treatment system in a sputtering method provided with a load lock chamber, a substrate is loaded from the load lock chamber to a vacuum vessel while glow discharge is held.
ロードロック室を備えるスパッタリング法に真空処理装置を用いた堆積膜の形成方法において、グロー放電を維持したまま基体をロードロック室から真空容器へロードする。 - 特許庁 - To provide a low cost recycling method for a rare earth metal-transition metal alloy capable of obtaining powder having high performance, particularly, a recycling method suitable for a used sputtering target for a magnetooptical disk.
安価で、得られる粉末の性能がよい、希土類金属−遷移金属合金のリサイクル方法、特に、使用済みの光磁気ディスク用スパッタリングターゲットに適したリサイクル方法を提供する。 - 特許庁 - The capacitor lower electrode is formed on the projecting section of the capacitor lower electrode plug exposed on an interlayer insulating film by a film forming method, such as the sputtering method, etc., by which poor step coverage is obtained.
層間絶縁体膜上に露出したキャパシタ下部電極プラグの突起部に、スパッタ法のような段差被覆性の乏しい成膜方法によりキャパシタ下部電極を形成する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for a printed circuit board, in which an anchor profile is very small by the small number of processes and which is suitable for a fine pattern by a method, wherein a dry etching operation and a sputtering film formation operation are used.
ドライエッチングやスパッタ成膜を用いることにより、少ない工程数でアンカープロファイルが非常に小さく、且つ微細パターン化に適したプリント基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Since the light shielding layer 7 is also formed by an in-mold coating method using a mold, the light shielding layer 7 can be inexpensively and simply formed in comparison with other methods such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method, or a heat transfer method.
しかも、本発明では、型を用いる型内塗装によって遮光層７を形成することとしたので、例えばスパッタリング法や蒸着法、ＣＶＤ法、熱転写法などの他の方法と比較して低コストかつ簡単に遮光層７を形成することができる。 - 特許庁 - The method of the present invention comprises a target production step S21 for producing a target for sputtering, which contains photocatalytic apatite, a sputtering step S22 for forming a photocatalytic apatite film on a substrate by a sputtering method using the target, and a burning step S23 for burning the photocatalytic apatite so as to improve the photocatalytic activity of the photocatalytic apatite film formed on the substrate.
本発明の方法は、光触媒アパタイトを含む、スパッタリング用のターゲットを作製するためのターゲット作製工程Ｓ２１と、ターゲットを用いたスパッタリング法により、基材に対して光触媒アパタイトを成膜するためのスパッタリング工程Ｓ２２と、基材に成膜された光触媒アパタイトの光触媒活性が向上するように当該光触媒アパタイトを焼成するための焼成工程Ｓ２３とを含む。 - 特許庁 - A non-catalyst metallic layer 2 which comprises Ti as a main component is formed on a catalyst metal substrate 1 comprising a catalyst metal such as Ni, Co, Fe or the like by a film forming method such as an electron beam vapor deposition method and a sputtering method.
Ｎｉ、ＣｏまたはＦｅ等の触媒金属からなる触媒金属基板１上に、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等の成膜法によりＴｉを主成分とする非触媒金属層２を形成する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device and a manufacturing method thereof, setting more accurately the orientation of a capacitive insulating film such as a ferroelectric film even when forming the film by a sol-gel method or a sputtering method.
ゾルゲル法又はスパッタ法により強誘電体膜等の容量絶縁膜を形成する場合であっても、その配向をより一層揃えることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide an R-Fe-B vertical magnetic anisotropy thin-film magnet, which can be sharply improve both of its coercive force and its residual magnetic flux density by a film-forming method using a sputtering method, and to provide a manufacturing method of the magnet.
スパッタリングによる成膜方法において、保磁力と残留磁束密度の両方を著しく向上させることが可能なR‐Fe‐B系垂直磁気異方性薄膜磁石及びその製造方法の提供。 - 特許庁 - In the method of manufacturing the substrate for the oxide superconductor, a reactivity DC sputtering method using metal targets 14a, 15a is used as a method of forming cap layer on an IBAD substrate 7.
本発明の酸化物超電導導体用基材の製造方法では、ＩＢＡＤ基材７上にキャップ層を形成する方法として、金属ターゲット１４ａ、１５ａを用いる反応性ＤＣスパッタ法を用いる。 - 特許庁 - This method comprises arranging substrates 130 in several positions on a side of the target 121 in the facing-target type sputtering apparatus 10, and simultaneously forming the films on these substrates 130.
対向ターゲット式スパッタ装置１０のターゲット１２１の側方の複数箇所に基板１３０を配置し、これらの基板１３０に対し同時に成膜する。 - 特許庁 - To provide a sputtering method by which a thin film of high quality can be deposited on a substrate consisting of a polymer film or a material having a high thermal expansion coefficient.
高分子フィルムや熱膨張係数の大きな材料からなる基板上に高品質な薄膜を形成し得るスパッタリング方法の提供。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target material for Ni-W based interlayer, used for interlayer film in a perpendicular magnetic memory medium.
本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ系中間層用スパッタリングターゲット材の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A conductive coating film is formed on the surface of a substrate 2 consisting of insulating material by such vapor deposition as CVD, PVD and a sputtering method.
絶縁性材料からなる基材２の表面にＣＶＤ法や、ＰＶＤ法、スパッタリングなどの蒸着法によって導電性被膜を形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which has excellent machinability and is capable of forming a compound film that mainly contains Cu and Ga, and a method for producing same.
機械加工性に優れ、主としてＣｕ，Ｇａを含有する化合物膜が成膜可能なスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering method using a magnetic substance having thickness suitable for mass production as a target, good in productive efficiency, low in the cost and excellent in cost effectiveness.
量産に適した厚みをもつ磁性体をターゲットとして用い、生産効率がよく、低コストで経済性に優れたマグネトロンスパッタ方法を提供する。 - 特許庁 - To achieve an sputtering apparatus that prevents a film, deposited therein and peeled off from the apparatus, from adhering to a substrate as foreign matter, and also to achieve a method for maintaining the same.
装置内に堆積した膜が剥離して異物として基板に付着することを防止するスパッタリング装置及びそのメンテナンス方法を得ること。 - 特許庁 - To provide a method for producing a cylinder-shaped sputtering target, with which a cylinder-shaped target material and a backing sleeve are securely joined to each other with a simple construction.
円筒形ターゲット材とバッキングスリーブとを簡単な構成で確実に接合することができる円筒型スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target, which consists of a Cu-Ga alloy and is suppressive in occurrence of cracking, cracking or chipping, with excellent productivity.
生産性よく、ヒビが入ったり、割れたり、欠けたりすることの抑制されたＣｕ−Ｇａ合金からなるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A manufacturing method includes a cleaning process, a sputtering process, an electroplating process, an etching process, and an electroless plating process.
製造方法としては、洗浄工程Ｗと、スパッタリング工程Ｓと、電解メッキ工程ＥＰと、エッチング工程Ｅと、無電解メッキ工程ＣＰとからなる。 - 特許庁 - Furthermore, it is preferable that the solid electrolyte 26 be manufactured by a high-frequency sputtering method, by using a mixed powder of lithium phosphate and lithium oxide as a target.
また、固体電解質２６は、リン酸リチウム及び酸化リチウムの混合粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 - 特許庁 - To form a thin film on an oxide semiconductor film by a sputtering method while suppressing plasma damage on the oxide semiconductor film with high film in-plane uniformity.
スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。 - 特許庁 - Furthermore, it is preferable that the solid electrolyte 26 be manufactured by a high-frequency sputtering method, by using a powder of lithium phosphate of β phase as a target.
また、固体電解質２６は、β相のリン酸リチウムの粉体をターゲットとして高周波スパッタリング法により作製されていることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a spark plug which prevents occurrence of sputtering, a blow hole and a crack in laser welding between an electrode chip and an electrode base material.
電極チップと電極基材とのレーザ溶接において、スパッタやブローホール、クラックの発生を抑制できるスパークプラグの製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a substrate for a printed wiring board, capable of being formed without using a sputtering device, and a method for manufacturing the substrate for a printed wiring board.
スパッタリング装置を用いずに形成することができるプリント配線板用基板、およびそのプリント配線板用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - By this, an insulating film excellent in insulation characteristic can be formed at a high film forming rate by a sputtering method.
したがって、上記成膜方法によれば、スパッタリング法によって絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することが可能となる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a sputtering target capable of joining a backing plate increased in size with a target member with excellent quality and high efficiency.
大形化したバッキングプレートとターゲット部材との接合を、高品質で、かつ高能率に行うことが可能なスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - The uniform carbon protective film 4 can be formed on a magnetic layer 3 by the ECR sputtering method though the protective film 4 is extremely thin and has ≤5 nm thickness.
ＥＣＲスパッタ法を用いると、５ｎｍ以下の極薄でありながら均一な炭素保護膜４を磁性層３上に形成することができる。 - 特許庁 - The molding die having the shape of the very small optical waveguide can be obtained at low cost by the method for forming a molding die by using the sputtering system.
またスパッタ装置を用いた成形型の作製方法によると、微細な光導波路の形状をもつ成形型を低コストで得ることができる。 - 特許庁 - This mirror 10 is formed with an Ag film 2 and a Cu film 3 on the rear face 1A of a glass substrate 1 by a sputtering method and the corrosion prevention coating film 4 is formed thereon.
ガラス基板１の裏面１Ａにスパッタリング法によりＡｇ膜２及びＣｕ膜３を形成し、この上に防食塗膜４を形成した鏡１０。 - 特許庁 - ROLL-UP TYPE SPUTTERING SYSTEM OF FILM SUBSTRATE FOR DISK TYPE STORAGE MEDIUM, AND PRODUCTION METHOD OF FILM SUBSTRATE FOR DISK TYPE STORAGE MEDIUM USING THE SAME
ディスク型記憶媒体用フィルム基板の巻取り式スパッタリング装置及びこの装置を用いたディスク型記憶媒体用フィルム基板の製造方法 - 特許庁 - This method can eliminate an oxide film 13 in an impurity metal, in the seed film 4 formed on the wiring material film 5 by the re-sputtering or the like.
リスパッタリングによって配線材料膜５上に形成されたシード膜４中の不純物金属の酸化膜１３を除去することができる。 - 特許庁 - To provide a film deposition method where a thin film can be deposited without using a sputtering system even in the case of a gaseous starting material having weak surface adsorption power.
表面吸着力の弱い原料ガスであっても、スパッタ装置を用いることなく薄膜を堆積させることができる成膜方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a film deposition method for improving the adhesion between a thin film and a plastic film when depositing the thin film onto the plastic film by sputtering.
プラスチックフィルム上にスパッタリングで薄膜を形成する際、薄膜とフィルムとの密着性を向上させるための成膜方法を提供すること。 - 特許庁 - Or, only the ion beam sputtering method is adopted just after starting deposition and just before completing the deposition so as to form layers of high denseness on the interfaces of the film.
また成膜開始直後と成膜終了直前でイオンビームスパッタ法のみを適用して緻密度の高い層を膜の境界に形成する。 - 特許庁 - To provide a film deposition method and a sputtering system capable of improving the film quality and uniformity in film thickness of a film deposited on a substrate.
基板上に形成される膜の膜質及び膜厚の均一性を向上できるようにした成膜方法及びスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - To improve tact time and to stably obtain a deposited film of high quality by reducing the influence of the instability in discharge at the initial stage in a sputtering method.
スパッタリング法における初期の放電不安定性の影響を低減し、タクトタイムを向上させるとともに、良質な堆積膜を安定して得る。 - 特許庁 - To provide a plasma processing method which can keep a stable sputtering rate, without having to reduce productivity in the deep digging processes of a silicon substrate.
シリコン基板の深掘り加工プロセスにおいて、生産性を低下させることなく安定したスパッタレートを維持することができるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a Mg-containing ITO sputtering target which consists of substantially In, Sn, Mg and O, and can restrain arcing.
実質的にＩｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＯからなり、アーキングの発生を抑制できるＭｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device for forming a barrier film having tantalum as a main component by sputtering while suppressing damages of an interlayer insulating film.
層間絶縁膜の損傷を抑えながらタンタルを主成分とするバリア膜をスパッタによって成膜する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To obtain the distribution of film thickness and the uniformity of the film thickness to be required at the time of forming a film on a substrate in a sputtering method and a device therefor.
スパッタリング方法およびその装置において、基板を成膜する際、必要とする膜厚分布および膜厚均一性を得ることを目的とする。 - 特許庁
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