「sputtering method」を含む例文一覧(2639)
＜前へ 1 2 .... 41 42 43 44 45 46 47 48 49 .... 52 53 次へ＞- The forming method of the solid oxide thin film has a process depositing lanthanum gallate on the anode 3 by RF magnetron sputtering; and a process heat-treating the anode 3 on which lanthanum gallate is deposited at temperature less than 1,200°C.
固体酸化物薄膜の形成方法は、ＲＦマグネトロンスパッタリングにより、アノード電極３上にランタンガレートを堆積する工程と、前記ランタンガレートを堆積した前記アノード電極３を１２００℃未満で熱処理する工程とを備える。 - 特許庁 - This glass is formed by coating the surface of a glass substrate with a colored oxide layer containing ≥60 wt.% metal oxide consisting of at least one kind of metals among metals Fe, Co, Ni and Cu by a sputtering method.
ガラス基板表面に、スパッタリング法により成膜されたＦｅ、Ｃｏ、Ｃｕの金属のうちの少なくとも１種の金属よりなる金属酸化物を６０重量％以上含有する着色酸化物層が被覆されてなること。 - 特許庁 - To provide a method for producing simply and at a low cost a strontium-ruthenium oxide sintered body having a prescribed composition as a sputtering target by using a ruthenium raw material that is cheaper than ruthenium oxide and without using an oxygen pressure furnace.
酸化ルテニウムより安価なルテニウム原料を用い、酸素加圧炉を用いることなく、スパッタリングターゲットとして所定の組成を有するストロンチウム・ルテニウム酸化物焼結体を、簡単且つ低コストで製造する方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a high-density ITO sputtering target which is used for depositing a transparent conductive film for a liquid crystal display device or a high-resistance transparent conductive film or the like for a resistance film type touch panel device or the like, and a method for manufacturing the same.
液晶ディスプレイ装置用透明導電膜あるいは抵抗膜式タッチパネル装置等の高抵抗透明導電膜等の形成に使用する高密度ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method of depositing the transparent optical film includes the step of depositing an optical film that is transparent on a substrate 11 by a reactive sputtering process using a Mg-Si metal target 4 in an atmosphere into which a gas 7 of a fluorine-containing compound is introduced and in which the total pressure is adjusted to 8 Pa or more.
フッ素を含む化合物のガス７を導入して全圧８Ｐａ以上とした雰囲気下で、Ｍｇ−Ｓｉメタルターゲット４を用いた反応性スパッタリング法により、基板１１上に透明な光学膜を成膜する。 - 特許庁 - In manufacturing the organic electroluminescent element in which on a substrate, at least a lower part electrode, an organic thin film, and an upper part transparent electrode are provided, and the upper part transparent electrode is film-formed on the organic thin film by an electron cyclotron resonance sputtering method.
基板上に、少なくとも下部電極、有機薄膜、上部透明電極を設けた有機電界発光素子を製造する際、有機薄膜上に電子サイクロトン共鳴スパッタ法によって上部透明電極を成膜する。 - 特許庁 - To provide a high-strength Cu-Ga-based sputtering target material for use in manufacturing a light-absorbing thin layer of a solar cell, which can be highly densified by preventing the powder from being melted in a molding process at high temperature, and to provide a method for manufacturing the same.
高温成形時の溶融を抑制することで高密度化を達成できる、太陽電池の光吸収薄膜層を製造するための高強度Ｃｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a magnetic disk which is capable of easily manufacturing protective films having excellent durability and corrosion resistance with extremely thin films and improving the yield in manufacturing and a sputtering device used for the same.
極薄膜で耐久性及び耐腐食性に優れた保護膜を容易に製造することができ、製造する際の歩留まりを向上させることができる磁気ディスクの製造方法及びそれに使用するスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - The reflectance is adjusted in accordance with the incidence angle of incident light 10a through the provision of the distribution of film density in the in-plane direction by a method for changing an incident angle of sputtering atoms and the like in the process for forming the film of the Mo layer 2.
Ｍｏ層２の成膜工程で、スパッタ原子の入射角を変化させる等の方法で、面内方向に膜密度の分布を持たせることにより、入射光１０ａの入射角に応じて反射率を調整する。 - 特許庁 - To provide a barium tantalate based target material capable of stably sputter-film depositing a dielectric layer film of high quality by increasing the density of a sputtering target material for forming a dielectric layer of a thin film EL (electro luminescence) element, and to provide a method for producing the same.
薄膜ＥＬ素子の誘電体層形成用のスパッタリングターゲット材を高密度化し、高品質の誘電体層膜を安定してスパッタリング成膜できるタンタル酸バリウム系ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sintered body which has resistivity lower than that of such sintered body of zinc oxide and aluminum oxide as is obtained by the conventional technique and which however has a density equal to that of such sintered body and to provide a sputtering target composed of the sintered body.
従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁 - To provide an inexpensive magnetic recording medium having high performance, high reliability and high capacity by a manufacturing method and a apparatus by which no sputtering flake is stuck onto a flexible polymer substrate and hanging-down and damage are not generated when the substrate is conveyed.
可撓性高分子支持体上にスパッタフレークが付着せず、支持体搬送時の垂れ下がりやキズの発生しない製造方法および製造装置により、安価な高性能高信頼性高容量磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁 - Furthermore, a natural oxide film left on the diffusion layer is removed through a reverse sputtering method by the use of helium plasma before a silicifying process is carried out, by which the surface of a diffusion layer can be flattened, and a junction leakage current can be also restrained.
さらに、シリサイド化工程の前に拡散層の上に残存する自然酸化膜をヘリウムプラズマによる逆スパッタによって除去することにより、拡散層の表面を平坦にでき、接合リークを抑制することができる。 - 特許庁 - To provide a method and a system for manufacturing an optical thin film by sputtering by which stable film deposition rate capable of enabling long-term film deposition or long-term continuous film deposition of dichroic film, etc., can be obtained by means of film thickness control by time.
時間による膜厚制御により、ダイクロ等の長時間成膜、或いは長期的な連続成膜を可能とする安定した成膜レートを得るスパッタリングによる光学薄膜の製造方法、及び製造装置を提供すること。 - 特許庁 - The composite material is used as the target material to perform dry process vapor deposition such as a reactive sputtering method or the like to obtain a product such as a cutting tool, a slide part or the like coated with a hard thin film excellent in abrasion resistance or oxidation resistance.
該複合材をターゲット材として、反応性スパッタ法等のドライプロセス蒸着を行い、表面に耐摩耗性又は耐酸化性の優れた硬質薄膜をコーティングした切削工具又は摺動部品等の製品を得る。 - 特許庁 - To provide an optical recording medium, wherein adhesion between a transparent resin substrate and a transparent dielectric layer is high, the C/N ratio is increased because of the transparent dielectric layer of a high refractive index, and the danger of firing or the like during film formation by a sputtering method is eliminated.
透明樹脂基板と透明誘電体層との密着性が高く、高屈折率の透明誘電体層となるためＣ／Ｎ比が向上し、またスパッタリング法によって成膜する際に発火等の危険がないものとする。 - 特許庁 - To provide a sputter target manufacturing method by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.
ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording medium, capable of dealing with a higher recording density, having a higher coercive force, and having a lower noise, a method for manufacturing the same, a sputtering target which is used for the manufacture, and a magnetic recording/reproducing apparatus.
より高記録密度に対応できる磁気記録媒体で、より高保持力を有してより低ノイズである磁気記録媒体、その製造方法、製造に用いるスパッタリング用ターゲットおよび磁気記録再生装置を提供する。 - 特許庁 - The Ag alloy film is produced by a method comprising the step of forming first and second films by sputtering and the step of simultaneously etching the first and second films under conditions which allow the second film to have a higher reflectivity and a lower resistance than the first film.
スパッタ成膜による第一及び第二薄膜形成工程と、第一及び第二薄膜の同時エッチング工程とを有し、第二薄膜が第一薄膜に比べて反射率が高く、低抵抗になる条件で製造する。 - 特許庁 - This film-forming method in a parallel-plate sputtering apparatus includes forming a film on a substrate 12 while rotating the substrate 12 which is held in parallel to a target 11 around an axis which is parallel to the surface having the target 11 mounted thereon, by a predetermined angle.
平行平板型スパッタ装置において、ターゲット１１と平行に保持された基板１２を、ターゲット１１の取付面に平行な軸を中心に所定の角度だけ回転させながら、基板１２への成膜を行う。 - 特許庁 - Also, the method for manufacturing the vertical magnetic recording medium characterized by adding Ar gas and oxygen gas to a target containing the SiC in a step of depositing the magnetic layer by the reactive sputtering on the soft magnetic layer is provided.
また、軟磁性層上に反応性スパッタリングにより磁性層を成膜するステップにおいて、SiCを含有するターゲットに、Arガスと酸素ガスとを添加することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a sputter target by which a wiring film of low resistance preventing the occurrence of hillocks, etching residues, and electrochemical reaction with ITO or the like is deposited with excellent reproducibility, and generation of dust during the sputtering is suppressed.
ヒロック、エッチング残渣、ＩＴＯ等との電気化学反応の発生を防止した低抵抗な配線膜を再現性よく成膜することができ、かつスパッタ時におけるダスト発生を抑制したスパッタターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - Disclosed are a Cr-Mn-B-based sputtering target material for producing a substrate film in a magnetic recording medium comprising, by at%, 5 to 35% Mn and 0.1 to 10% B, and the balance Cr with inevitable impurities, and a method for producing the same.
ａｔ％で、Ｍｎ：５〜３５％、Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｃｒおよび不可避的不純物からなる磁気記録媒体における下地膜製造用Ｃｒ−Ｍｎ−Ｂ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法。 - 特許庁 - A first interlayer dielectric film 2 is deposited in a semiconductor device 1, and a first laminate 17a for a lower electrode which is composed of a Ti layer 3, a TiN layer 4, an AlCu layer 5 and a TiN layer 6 is formed on it by a sputtering method.
半導体基板１上に第１層間絶縁膜２を堆積し、その上に、スパッタ法により、Ｔｉ層３，ＴｉＮ層４，ＡｌＣｕ層５およびＴｉＮ層６からなる下部電極用の第１積層１７ａを形成する。 - 特許庁 - The composite structure thin film material is prepared by forming an amorphous thin film represented by the general formula by a high frequency sputtering method and crystallizing the thin film by heat treatment at 500 to 800°C in an inert atmosphere.
この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において５００〜８００℃で熱処理して結晶化することにより製造される。 - 特許庁 - An Al alloy thin film (Al-Nd-Ti alloy thin film or Al-Nd alloy thin film) 22 is formed on a glass substrate 21 at a substrate temperature of 50 to 150°C or thereabout, desirably 80 to 130 through a sputtering method.
スパッタリング法により、基板温度を５０〜１５０℃程度好ましくは８０〜１３０℃程度として、ガラス基板２１上にＡｌ合金薄膜（Ａｌ−Ｎｄ−Ｔｉ合金薄膜またはＡｌ−Ｎｄ合金薄膜）２２を成膜する。 - 特許庁 - To provide a device and a method for manufacturing an optical information recording medium by which a starting period of time is shortened, the period of time required for a pre-sputtering for preparation is minimized and a stably suficient vapor-deposited film is obtained.
立ち上がり時間を短縮でき、準備のためのプレスパッタを最少時間で済ませることができ、安定して良好な蒸着膜を有する光情報記録媒体の製造装置及び製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a sputtering method with less film cracks generated, which can extend an environmental test life when film-forming a film material having large film stress on a resin material, etc., having low heat resistance.
耐熱温度の低い樹脂材料などに、膜応力が大きい膜材料を成膜するときに、膜クラックの発生が少なく、環境試験寿命を大幅に長くできるスパッタリング方法を提供することを目的としている。 - 特許庁 - A TEOS(tetraethylorthosilicate) oxide film 2 is formed on an Si wafer 1, a Ti film 3 and a TiN film 4 of barrier metal are formed thereon, and then an Al/Cu alloy layer 5 is deposited thereon, e.g. by magnetron sputtering method.
Ｓｉウェハ１上にＴＥＯＳ酸化膜２が形成された後、その上にＴｉ膜３およびＴｉＮ膜４からなるバリアメタルが形成され、さらにその上にたとえばマグネトロンスパッタ法によってＡｌ・Ｃｕ合金膜５が堆積される。 - 特許庁 - The FePt phase of L1_0 structure regularized right after forming the film is obtained by forming the film by a sputtering method while heating a substrate at a temperature of 200-300°C, and making the regularization advance for the FePt phase by the surface dispersion of atoms occurring on the surface during the film formation.
基板を200〜300℃に加熱しながらスパッタ法により成膜し、成膜中に薄膜表面で起こる原子の表面拡散によりFePt相の規則化を進行させ、成膜直後に規則化されたL1_0構造のFePt相を得る。 - 特許庁 - The vapor deposition part 3 is formed by a sputtering method, and the part where it is not formed is set to be one or more regions selected from an IH part B, an infrared heating part A, a liquid crystal display part D, and a light emitting element display part C.
そして、蒸着膜３は、スパッタ法により形成し、また非形成部は、ＩＨ部Ｂ、赤外線加熱部Ａ、液晶表示部Ｄ、及び発光素子表示部Ｃの中から選択した一またはニ以上の領域とする。 - 特許庁 - To provide a porous coating device capable of preventing the increase of the contact resistance I on the surface of a porous body caused by reverse sputtering between the porous body and a tool for fixing the porous body, and to provide a method for producing a coated porous body.
多孔体とこれを固定する治具との間の逆スパッタに起因する多孔体の表面の接触抵抗の上昇を防止することが可能な多孔体コーティング装置およびコーティング多孔体の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The method for producing the sputtering target for optical media includes a process wherein a material powder having a composition consisting of 45-90 mol% of TiO_2 and the remainder ZnO is burned in an inert atmosphere or in a vacuum.
また、４５〜９０ｍｏｌ％のＴｉＯ_２と、残部のＺｎＯと、からなる組成を有する原料粉体を不活性雰囲気中または真空中で焼成する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - A fourth product is formed by forming a multi-layered film 6a by alternately forming BaS thin film and Al_2O_3 thin film on the surface of the lower ZnS layer 5 of the third product by a sputtering method in atmospheric gas containing oxygen.
前記第３生成物の前記下部ＺｎＳ層５の表面に、酸素を含む雰囲気ガス中でスパッタ法によってＢａＳ薄膜とＡｌ_２Ｓ_３薄膜とを交互に形成して多層膜６ａを形成し、第４生成物を生成する。 - 特許庁 - The method for producing the two-layer film includes a process for forming the first metal film containing nickel of 60-100 wt.% by a vacuum evaporation method, an ion plating method or a sputtering method under an atmosphere containing nitrogen gas on the polymer film; and a process for forming the second metal film having copper as the main component on the first metal film.
高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを６０重量％以上１００重量％以下含む第１の金属膜を形成する工程と、第１の金属膜上に、銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁 - To provide a method capable of easily producing a target material of noble metal or a noble metal alloy having a change of thickness capable of corresponding to its partial consumption at the time of sputtering and to produce a noble metal target material for sputtering produced by the method.
本発明は、スパッタレートが高い消耗領域の厚みが他の領域の厚みよりも大きい厚み変化を有するスパッタリング用ターゲット材の製造方法であって、貴金属塩含有溶液に陰極と陽極とを対向状態で浸漬し、該陰極の前記消耗領域に略対応する位置の電流密度が、前記他の領域に略対応する位置の電流密度よりも高い状態で貴金属塩含有溶液を電解して貴金属又は貴金属合金を析出させるものである。 - 特許庁 - To provide a method for purifying cobalt, nickel, and iron, which efficiently reduces impurities such as oxygen, phosphorus, and sulfur, contained in metals especially cobalt, nickel, and iron, prevents contamination with impurities during film formation by sputtering, prevents nodules from generating and particles from increasing, both of which initiate from the impurities, and improves workability and yield, and to manufacture a sputtering target of high purity metal.
金属、特にコバルト、ニッケル、鉄等に含有されている酸素、燐、硫黄等の不純物を効率良く低減することができ、スパッタリング成膜中の不純物混入を防止し、かつ該不純物を起点とするノジュールの発生やパーティクルの増大を抑制することができ、さらに加工性を改善し歩留まりを向上させることができるコバルト、ニッケル、鉄の高純度化方法得、かつスパッタリング用高純度金属ターゲットを製造する。 - 特許庁 - To provide an indium zinc oxide(IZO) sputtering target capable of improving target density, uniformizing and refining crystal grain size, increasing deflective strength, stabilizing electric discharge at sputtering, and stably forming a transparent conductive film with superior reproducibility, with a view to carrying out improvement without losing the characteristics of an IZO transparent conductive film composed essentially of an indium zinc oxide, and its manufacturing method.
インジウム及び亜鉛の酸化物を主成分とするＩＺＯ透明導電膜の持つ特性を失うことなく改良を図ることを目的とし、ターゲット密度の向上を図り、結晶粒径を均一微細化し、抗折強度を上げて、スパッタリングの放電を安定化させるとともに、透明導電膜を安定かつ再現性よく得ることのできるＩＺＯスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - In the method for simultaneously forming the contact holes on a gate electrode on the Si active layer and via an insulating SiO_2 film, oxide films that are left in the irregularities of the Si active layer are removed effectively, by subsequently performing sputter etching by Ar gas with a sputtering device and continuously performing sputtering deposition after performing reactive ion etching by a fluorine gas system and wet etching by a buffered hydrofluoric acid.
Ｓｉ活性層上、及び絶縁ＳｉＯ_２膜を介してゲート電極上にコンタクト孔を同時に形成する方法において、フッ素ガス系による反応性イオンエッチング及びバッファードフッ酸によるウェットエッチングの後に、引き続いてスパッタ装置によりＡｒガスによるスパッタエッチング、及びスパッタ成膜を連続して行うことにより、Ｓｉ活性層の凹凸部に残留する酸化膜を効果的に除去する。 - 特許庁 - The method for forming the conductive film comprising a conductive compound with a composition containing a plurality of metal elements includes repeatedly performing the sputtering to a first target containing two or more metal elements among the plurality of metal elements and the sputtering to a second target containing one metal element among the plurality of metal elements by using a film-forming apparatus 10 capable of using a plurality of targets 1 to 4.
複数の金属元素を含有する組成の導電性化合物からなる導電膜の成膜方法であって、複数のターゲット１〜４を使用可能な成膜装置１０を用いて、前記複数の金属元素のうち２種以上の金属元素を含有する第１のターゲットに対するスパッタリングと、前記複数の金属元素のうち１種の金属元素を含有する第２のターゲットに対するスパッタリングとを、繰り返し行う。 - 特許庁 - A thin membrane electrolyte layer is formed by a magnetron sputtering method on an anode electrode support substrate wherein a designated thickness is formed by laminating a green tape formed by a tape casting method, the thin membrane electrolyte layer becomes a half cell by sintering, and a cathode electrode layer is formed by a silk screen printing method on this membrane electrolyte layer and it is sintered in order to form a battery cell.
テープキャスティング法によって形成したグリーンテープをラミネートして所定厚さとした陽極支持基板上にマグネトロンスパッタリング法によって薄膜電解質層を形成し、焼結してハーフセルとし、次いで該薄膜電解質層上にシルクスクリーン印刷法などにより、陰極層を形成して焼結し、電池セルとする。 - 特許庁 - In covering the surface of a unidirectional silicon steel sheet after the completion of finish annealing with a plurality of ceramic film layers, a very thin TiNO film, as the first layer, is formed by a hollow cathode method (HCD method) using an arc cut bias voltage as the bias voltage and then forming thereon a ceramic film by a magnetron-sputtering method.
仕上げ焼鈍済みの一方向性珪素鋼板の表面に、複数層のセラミック被膜を被覆するに際し、少なくとも第１層については、バイアス電圧としてアークカットバイアス電圧を使用する中空陰極法（ＨＣＤ法）を用いてTiNOの極薄被膜を被成し、ついでその上にマグネトロン・スパッタ法を用いてセラミック被膜を被成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the metal foil with the electric resistance layer includes a step of forming the electric resistance layer by vapor growth method while applying oxygen as an atmosphere gas, on the metal foil having a surface where the average roughness of ten points measured by an optical method is adjusted to 4.0 to 6.0 μm, using a sputtering target containing nickel, chromium, and silicon.
光学的方法で測定した十点平均粗さが４．０〜６．０μｍに調整した表面を有する金属箔上に、ニッケル、クロム、シリコンを含むスパッタリングターゲットを用いて、雰囲気気体として酸素を付与しながら気相成長法により電気抵抗層を形成させる工程を含む電気抵抗層付き金属箔の製造方法である。 - 特許庁 - In the antireflection film having a base material, a bar code layer arranged on the surface of the base material and the laminated body consisting of laminated thin layers formed on the surface of the bar code layer, the laminated body is formed by laminating a thin layer formed by a plasma CVD method and a thin layer formed by a sputtering method or a deposition method.
基材と、基材上に位置するハードコート層と、ハードコート層上に位置し、複数の薄層が積層されてなる積層体と、を有する反射防止フィルムにおいて、当該積層体を、プラズマＣＶＤ法により形成される薄層と、スパッタリング法または蒸着法により形成される薄層とを積層することにより形成する。 - 特許庁 - To provide a zinc oxide laminated thin film body capable of affording a zinc oxide thin film layer having sufficiently low resistance in the film thickness direction in a zinc oxide laminated thin film body in which a zinc oxide thin film is laminated on a substrate by a sputtering method, and a thicker zinc oxide thin film is laminated thereon by an electrodeposition method and to provide a production method therefor.
基体上にスパッタ法による酸化亜鉛薄膜を積層し、その上により厚い電析法による酸化亜鉛薄膜を積層した酸化亜鉛積層薄膜体において、膜厚方向の抵抗が充分に低い酸化亜鉛薄膜層を得ることができる酸化亜鉛積層薄膜体、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - An amorphous oxychalcogenide system thin film 102 is grown on a substrate 101 comprising a YSZ substrate, a MgO substrate, or the like, by the pulse laser deposition method and the sputtering method, and a single-crystal oxychalcogenide system thin film 103 is formed by crystallizing the amorphous oxychalcogenide system thin film 102 by the reactive solid-phase epitaxial growth method.
ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。 - 特許庁 - To provide a method of forming a magnetic layer having stable magnetic characteristics and recording and playback characteristics by improving uniformity of oxygen radical concentration distribution to make uniform the concentration of oxygen taken in the magnetic layer in an in-plane direction, in reactive sputtering.
反応性スパッタリングを行う際に、酸素ラジカル濃度分布の均一性を高め、磁性層中に取り込まれる酸素濃度を面方向において一様とし、磁気特性、記録再生特性が安定した磁性層の形成方法を提供する。 - 特許庁 - On the surface of a resin film 1, a silicon nitride layer 2, where nitrogen is contained in terms of 0.5-1.33 equivalent to silicon, is formed by a sputtering method, the cupreous metal layer 3 is formed, and the adhesiveness becomes satisfactory in the cupreous metal layer 3.
樹脂フィルム１の表面に、シリコンに対して窒素が当量で０．５〜１．３３含まれるスパッタ法による窒化シリコン層２を形成し、さらに銅系金属層３を形成したことにより、銅系金属層３の密着性が良好となる。 - 特許庁 - A patterning is made on a transparent conductive film laminate, which is made by laminating a transparent film layer of high refraction factor (a) 20 and a transparent metal film layer (b) 30 on a transparent substrate (A) 10, by a dry etching method by sputtering with an inert gas.
透明基体（Ａ）１０上に、透明高屈折率薄膜層（ａ）２０及び透明金属薄膜層（ｂ）３０を積層してなる透明導電性膜膜積層体を不活性ガスによるスパッタリングによりドライエッチング法でパターニングを行なう。 - 特許庁 - A material for a transparent electroconductive layer is formed of zinc oxide having excellent crystallinity even at the temperature close to the room temperature, and the uniform film deposition of large area is performed by the magnetron sputtering method, enabling the mass production of the transparent electroconductive film having excellent transparency.
室温付近でも結晶性が優れる酸化亜鉛を透明導電層材料とし、マグネトロンスパッタ法により大面積に均一に製膜することで、透明性に優れた透明導電膜を大量生産することが可能となる。 - 特許庁
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