「sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(52ページ目)

「sputtering」を含む例文一覧(6532)

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THIN FILM DEPOSITION METHOD BY CATALYST SPUTTERING AND THIN FILM DEPOSITION SYSTEM AS WELL AS METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
触媒スパッタリングによる薄膜形成方法及び薄膜形成装置並びに半導体装置の製造方法 - 特許庁
The surface 2a of the board 2 is coated with a nitride film 5 which is subjected to a reverse sputtering treatment.
また、基板２の表面２ａには、窒化膜５が形成されており、該窒化膜５には、逆スパッタリング処理が施される。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR THIN FILM FORMATION, THIN FILM FORMED BY USING IT AND OPTICAL RECORDING MEDIUM
薄膜形成用スパッタリングターゲット材およびそれを用いて形成されて成る薄膜、および光学記録媒体 - 特許庁
CONDUCTIVE SINTERED SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING OPTICAL RECORDING MEDIUM DIELECTRIC PROTECTIVE LAYER, CAPABLE OF HIGH SPEED FILM DEPOSITION
高速成膜が可能な光記録媒体誘電体保護層形成用導電性焼結スパッタリングターゲット材 - 特許庁
To provide a thin film formation method which can greatly suppress generation of charging damage in sputtering.
スパッタリング時におけるチャージングダメージの発生を大幅に抑制することができる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁
Further, the Co-based sputtering target material containing the oxide may be formed under a forming pressure of 500-1,000 MPa.
さらに、上記成形圧力を５００〜１０００ＭＰａとする酸化物を含有したＣｏ基スパッタリングターゲット材。 - 特許庁
In the film formation apparatus, a plurality of substrates 13 are placed between a pair of sputtering targets 11, 12 and film formation is performed collectively.
一対をなすスパッタリングターゲット１１，１２の間に複数の基板１３を配置して一括に成膜する。 - 特許庁
The formation of the upper electrode 6 by sputtering is carried out at a deposition rate of 50 nm/min or lower.
また、スパッタ法による上部電極６の形成は、５０ｎｍ／ｍｉｎ以下の成膜速度で行われることとする。 - 特許庁
Next, a barrier metal 16 is formed by a sputtering method, and then a seed Cu film 17 is coated on the barrier metal 16.
次に、スパッタ法により、バリアメタル１６の形成を経て、バリアメタル１６上にシードＣｕ膜１７を被覆する。 - 特許庁
To stably produce an ITO sputtering target having excellent characteristics free from the generation of nodules.
ノジュール発生のない優れた特性を有するＩＴＯスパッタリングターゲットを安定的に製造することを可能とする。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING Co-BASED SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET TO BE USED IN FORMING MAGNETIC RECORDING FILM WITH LITTLE PARTICLE GENERATION
パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
This sputtering target material made of glassy carbon contains gaseous hydrogen and gaseous nitrogen by ≥50 ppm weight in total.
水素ガス及び窒素ガスの合計が、重量で５０ppm以上含有してなるガラス状炭素製スパッタリングターゲット材。 - 特許庁
The nitrogen-containing vanadium film can be deposited by sputtering vanadium in the nitrogen atmosphere.
前記窒素含有バナジウム被膜は、窒素の雰囲気中でバナジウムをスパッタリングすることによって形成することができる。 - 特許庁
To provide a low oxygen content gallium nitride sintered body and a low oxygen content gallium nitride sputtering target.
低酸素含有量窒化ガリウム焼結体ならびに低酸素含有量窒化ガリウムスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
At the time of the film formation, a selfbias to a degree of not applying damage caused by sputtering is given to the face to be formed.
成膜時には、前記被形成面に対してスパッタによる損傷を与えない程度のセルフバイアスを付与する。 - 特許庁
When no cleaning room is available, the irradiation can be carried out by changing the atmosphere in a sputtering film forming chamber.
あるいはまたクリーニング室がない場合には、スパッタ成膜室内の雰囲気を変えることによっても行える。 - 特許庁
SPUTTERING TARGET FOR HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜並びにその製造方法 - 特許庁
To deposit a dielectric layer consisting of ZnS.SiO2 of a phase shift type optical disk by DC sputtering.
相変化型光ディスクにおけるＺｎＳ・ＳｉＯ_2からなる誘電体層をＤＣスパッタにより成膜すること。 - 特許庁
To provide a film-forming method by gas-flow sputtering, which can employ a target made from a nonconductive material, and to provide an apparatus therefor.
、非導電性材料製ターゲットをも適用し得るガスフロースパッタリング成膜方法及び装置を提供する。 - 特許庁
To provide a thin film deposition system which performs vapor deposition and sputtering of a thin film in the same film deposition chamber.
同じ成膜室内で薄膜を蒸着及びスパッタすることができる薄膜製造装置を提供する。 - 特許庁
The sputtering target material is made of copper alloy obtained by adding silver to oxygen-free copper of ≥4N (99.99%).
スパッタリングターゲット材は、４Ｎ（９９．９９％）以上の無酸素銅に銀を添加した銅合金からなる。 - 特許庁
The nanoparticle dispersed liquid crystal is extremely simply produced by physical vapor deposition such as sputtering vapor deposition, etc.
ナノ粒子分散液晶は、スパッタ蒸着等の物理蒸着によって極めて簡便に製造することができる。 - 特許庁
Preferably, the first secondary electron emitting layer is constituted in a powder-like form obtained by crushing an MgO sputtering target.
好ましくは、第１二次電子放出層は、ＭｇＯスパッタリングターゲットを粉砕して得た粉末状で構成される。 - 特許庁
The substrate layer 12 is formed on the nonmagnetic substrate 2 by a vapor growth method such as sputtering and vapor deposition.
この下地層１２は、非磁性基板２上に、スパッタリングや蒸着等の気相成長法により形成する。 - 特許庁
An aluminium film 2 is deposited on a silicon wafer 1, which is used as a substrate, in a film thickness of 5 μm or thereabouts by sputtering.
基板となるシリコンウエハ１にアルミニウム膜２をスパッタにより５μｍ程度の膜厚で成膜する（同図（ａ））。 - 特許庁
To provide a sputtering apparatus which can form an alloy thin film different in composition while suppressing reduction in productivity.
生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁
The thin piezoelectric substance film which turns to an actuator of a liquid discharge head is deposited under heating by sputtering.
液体吐出ヘッドのアクチュエータとなる圧電体薄膜をスパッタリングによって基板を加熱しながら成膜する。 - 特許庁
SPUTTERING SURFACE FLATNESS EVALUATION METHOD AND RESOLUTION EVALUATION METHOD IN GLOW DISCHARGE EMISSION SPECTRAL ANALYSIS
グロー放電発光分光分析におけるスパッタ面の平坦性の評価方法及び深さ分解能の評価方法 - 特許庁
Then, an alloy film 18 composed of a CuMn alloy is applied to an inner surface of the second groove 11 by sputtering.
次に、スパッタ法により、第２溝１１の内面に、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が被着される。 - 特許庁
The insulating layer by an Al oxidized film is formed by executing reactive sputtering in the gaseous atmosphere containing the oxygen.
酸素を含むガス雰囲気中で反応性スパッタを行うことで、Ａｌ酸化膜による絶縁層が形成される。 - 特許庁
To provide an indium-zinc-oxide-based sputtering target; a manufacturing method therefor; and an indium-zinc-oxide-based thin film.
酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化インジウム亜鉛系薄膜を提供する。 - 特許庁
To provide a method for inspecting a target material for sputtering, by which minute internal defects can be detected.
微小な内部欠陥を検出することができるスパッタリング用ターゲット材料の検査方法を提供する。 - 特許庁
To provide a lithography apparatus which can reduce or prevent sputtering on optical component relevant to plasma.
プラズマに関連する光コンポーネントのスパッタリングを低減または防止することができるリソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁
The high-resistance ZnO thin film that serves as the buffer layer is formed by carrying out sputtering film formation in an atmosphere including oxygen.
バッファ層である高抵抗ＺｎＯ薄膜を、酸素を含む雰囲気中でスパッタ成膜して形成する。 - 特許庁
(1) In the sputtering process, a surface resistance of a metal coating film to be formed is controlled within 0.1-1.0 Ω/sq.
（１）前記スパッタリング工程において、形成する金属被膜の表面抵抗を、０．１〜１．０Ω／□に制御する。 - 特許庁
To provide a sputtering cathode in which flexibility of adjustment of a distance between a target and a magnet unit is increased.
ターゲットと磁石ユニットとの距離の調整の自由度を高めることができるスパッタリングカソードを提供すること。 - 特許庁
ALLOY FOR SOFT MAGNETIC FILM LAYER IN PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM, SPUTTERING TARGET MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用合金およびスパッタリングターゲット材並びにその製造方法 - 特許庁
Holes 13a, 14a for allowing sputtering particles to pass through are formed at the respective partition members 13, 14.
各仕切り部材１３、１４には、スパッタ粒子が通過するための穴１３ａ、１４ａが形成されている。 - 特許庁
The amorphous Al_2O_3 film can be deposited using a chemical vapor deposition, atomic layer deposition or sputtering process.
上記アモルファスＡｌ_２Ｏ_３膜は、化学気相堆積法、原子層堆積法又はスパッタ法を用いて、堆積される。 - 特許庁
To provide a sheet for a shield box having excellent moldability and excellent vapor deposition or sputtering properties of a conductive material.
成型性に優れ、導電性物質の蒸着またはスパッタ性に優れたシールドボックス用シートを提供する。 - 特許庁
To provide an optical thin film sputtering apparatus of high quality for a dichroic mirror and a reflection preventive mirror at a low cost.
ダイクロイックミラーや、反射防止膜のための、低コスト、高品質の光学薄膜用のスパッター成膜装置。 - 特許庁
To provide a roll coater type continuous sputtering apparatus capable of suppressing any rise of partial pressure of water in a film deposition chamber.
成膜室内の水分分圧の上昇を抑えることができるロールコーター式連続スパッタ装置を提供する。 - 特許庁
To provide a high strength sputtering target for forming a protective film of an optical recording medium excellent in crack resistance.
耐割れ性に優れた光記録媒体の保護膜を形成するための高強度スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
To provide a thin film transistor having high mobility, a method for manufacturing the thin film transistor, and a sputtering target used for manufacturing the thin film transistor.
高移動度の薄膜トランジスタ、その製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET TO BE USED IN FORMING FILM OF PERPENDICULAR MAGNETIC RECORDING MEDIUM HAVING LOW RELATIVE MAGNETIC PERMEABILITY IN IN-PLANE DIRECTION
面内方向比透磁率の低い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
To provide a substrate for a flexible recording medium easily manufactured and suitable for a vacuum film-depositing method such as a sputtering method.
作製が容易で、スパッタ法など真空成膜法に適した可撓性記録媒体用支持体を提供する。 - 特許庁
The conductive layer is preferred, considering a shielding performance, to be formed by a dry method such as sputtering, CVD, etc.
導電層は、シールド性能の点からスパッタ法、ＣＶＤ法等の乾式法で形成することが好ましい。 - 特許庁
METHOD FOR PRODUCING Co BASED SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING MAGNETIC RECORDING FILM WHICH IS LESS LIKELY TO GENERATE PARTICLE
パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁
To provide a sputtering device capable of forming a film having a uniform thickness on the surface of a disk substrate.
ディスク基板表面により均一な厚さの被膜を形成することができるスパッタ装置を提供すること。 - 特許庁
SPUTTERING COMPOSITE TARGET, METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM USING THE SAME AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM-FITTED BASE MATERIAL
スパッタリング複合ターゲット、これを用いた透明導電膜の製造方法及び透明導電膜付基材 - 特許庁

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