「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 45 46 47 48 49 50 51 52 53 .... 130 131 次へ＞- The coercive force of the sputtering target is controlled to 6.0×10^5A/m to 8.1×10^5A/m.
スパッタリングターゲットの保磁力を６．０×１０^5Ａ／ｍ以上、８．１×１０^5Ａ／ｍ以下に制御する。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering system which can improve the using efficiency of a target and productivity.
ターゲットの使用効率や生産性を向上させることができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - A titanium layer 8 is formed on the whole surface of a semiconductor substrate by sputtering titanium (Ti) to the surface as shown in Fig. (a).
図３（ａ）に示すように、全面にチタン（Ｔｉ）をスパッタすることによりチタン層８を形成する。 - 特許庁 - PHASE CHANGE OPTICAL RECORDING MEDIUM, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING PROTECTIVE LAYER IN THE METHOD
相変化型光記録媒体、その製造方法及びそれに用いる保護層形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - THIN-FILM BULK ACOUSTIC RESONATOR MANUFACTURING METHOD, PIEZOELECTRIC FILM FORMING METHOD AND NON-REACTIVE SPUTTERING DEVICE
薄膜バルク音響共振子の製造方法、圧電膜の形成方法および非反応性スパッタリング装置 - 特許庁 - A Cr layer 2 is formed as a diffusion prevention layer by the sputtering method on the 46th Si layer 3.
４６層目のＳｉ層３の上に、拡散防止層としてＣｒ層２をスパッタリング法により形成した。 - 特許庁 - To provide a sputtering method and an apparatus by which a desired film thickness distribution can be obtained at a high precision.
高精度に所望の膜厚分布を得ることができるスパッタリング方法および装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus capable of effectively suppressing flow-in of gaseous molecules from a feed chamber to a film deposition chamber.
スパッタリング装置において、仕込室から成膜室への気体分子流入を効果的に抑制する。 - 特許庁 - To deposit a film having high orientation on a substrate by controlling the energy of sputtering particles.
スパッタ粒子のエネルギを調節することによって基板上に配向性の高い膜を形成すること。 - 特許庁 - The controller further advises a sputtering device 39 so that the substrates 53 are film-formed under the film- forming conditions of a forming machine 31.
基板５３を成形機３１の成膜条件で成膜するよう、スパッタ装置３９側に通知する。 - 特許庁 - The controller also advises the sputtering device 39 so that the substrates 55 are film-formed under the film-forming conditions of a forming machine 33.
基板５５を成形機３３の成膜条件で成膜するよう、スパッタ装置３９側に通知する。 - 特許庁 - The ITO sintered compact sputtering target contains 2 to 50 wt% tin oxide.
２０〜５０ｗｔ％の酸化錫を含有することを特徴とするＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット。 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING Mo ALLOY POWDER TO BE PRESSURE-SINTERED, AND METHOD FOR PRODUCING TARGET MATERIAL FOR SPUTTERING
加圧焼結用のＭｏ合金粉末の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR THIN FILM DEPOSITION AND THIN FILM AND OPTICAL RECORDING MEDIUM USING THE MATERIAL
薄膜形成用スパッタリングターゲット材、それを用いて形成されて成る薄膜及び光学記録媒体 - 特許庁 - METHOD FOR MEASURING TRANSPORT FACTOR OF SPUTTER PARTICLE, FILM DEPOSITION METHOD, TARGET, SPUTTERING SYSTEM, AND FILM THICKNESS SIMULATION METHOD
スパッタ粒子の到達率計測方法、成膜方法、ターゲット、スパッタ装置及び膜厚シミュレーション方法 - 特許庁 - At a film forming step 63 of a TiN film, the TiN film is formed along an inner wall of the hole by sputtering.
ＴｉＮ膜の成膜工程６３で、スパッタにより、ホールの内壁に沿ってＴｉＮ膜を成膜する。 - 特許庁 - An upper target 15 in the treatment chamber 10 has two different sputtering materials arranged separately from each other.
処理チャンバ１０内上部のターゲット１５は、異なる２種類のスパッタ材料が区分けされ配されている。 - 特許庁 - The sputtering target is composed of a material which is mainly made up of Y_2O_3 and to which a glass forming oxide is added.
ガラス形成酸化物を5〜50mol％添加した材料から成ることを特徴とする同スパッタリングターゲット。 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING DEVICE, IN-LINE FILM FORMING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE
マグネトロンスパッタ装置、インライン式成膜装置、磁気記録媒体の製造方法、磁気記録再生装置 - 特許庁 - CoFeNi-BASED ALLOY FOR SOFT MAGNETIC FILM LAYER IN VERTICAL MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL
垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金およびスパッタリングターゲット材 - 特許庁 - To obtain a sputtering apparatus which can suppress reduction in the quality of a film formed on a film deposition object.
成膜対象物に形成される膜の膜質の低下が抑えられたスパッタリング装置を得ること。 - 特許庁 - The target 21 is disposed below the sputtering apparatus 1 with the surface of the target 21 being directed upward.
ターゲット２１はスパッタリング装置１の下方にターゲット２１の表面を上方に向けて配置されている。 - 特許庁 - To provide a high strength sputtering target of indium oxide-zinc oxide-based sintered compact and a method of manufacturing the same.
強度の高い酸化インジウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The substrate 110 is arranged above the sputtering apparatus 1 with the surface of the substrate 110 being directed downward.
基板１１０はスパッタリング装置１の上方に基板１１０の表面を下方に向けて配置されている。 - 特許庁 - To provide a Cr-Ti alloy target material capable of suppressing particle generation in sputtering.
スパッタリング時にパーティクル発生を抑制可能なＣｒ−Ｔｉ合金ターゲット材を提供することである。 - 特許庁 - Further, an SiO2 film is deposited on the above Al2O3 film by a sputtering method or an electron beam vapor supposition method.
Ａｌ_2 Ｏ_3 被膜上にスパッタリング法または電子ビーム蒸着法によりＳｉＯ_2 被膜を形成する。 - 特許庁 - The second aluminum nitride layer is vapor deposited by carrying out sputtering at about 5-10 millitorr chamber pressure.
第２の窒化アルミニウム層は、約５〜１０ミリトールのチャンバ圧力でスパッタリングすることにより蒸着される。 - 特許庁 - To provide a method for producing a sputtering target which contains uniformly dispersed boron, cobalt and chromium.
均一に分散されたホウ素、コバルト及びクロムを含むスパッタリングターゲットを製造する方法を提供すること。 - 特許庁 - The ITO sputtering target is obtained by blending these oxides in the above specified quantities and performing molding and firing.
これらの酸化物を上記量で配合し、成形した後焼成してＩＴＯスパッタリングターゲットを得る。 - 特許庁 - The sialon film is deposited by high frequency sputtering in the argon gas atmosphere mixed with 2% of nitrogen gas.
サイアロン膜は、窒素ガスを２％混合したアルゴンガス雰囲気の高周波スパッター法で成膜する。 - 特許庁 - The SiO_2 film 20 is deposited on the joined surface B of the other 2 of prism glasses 1, 2, for example, by sputtering.
他方のプリズムガラス２の接合面ＢにはＳｉＯ_2膜２０を例えばスパッタリングにより形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus capable of mitigating the warp of a glass substrate attributable to the stress in a metal film.
金属膜の応力に起因したガラス基板の反りを緩和できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - By this reverse-sputtering, the barrier layer on the bottom of the via hole 8 is removed to expose the pad electrode 3.
この逆スパッタリングによりビアホール８底部のバリア層が除去され、パッド電極３が露出される。 - 特許庁 - To provide a high-frequency sputtering apparatus in which an influence of high-frequency noise generated from a target is suppressed.
ターゲットから発生する高周波ノイズの影響を抑えた高周波スパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - An aluminum alloy or a nickel alloy is preferably used as the material for sputtering method.
前記スパッタリング法の材料として、アルミ基合金またはニッケル基合金を使用することが望ましい。 - 特許庁 - FILM FORMATION METHOD BY SPUTTERING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING NEGATIVE ELECTRODE FOR LITHIUM SECONDARY BATTERY AND LITHIUM SECONDARY BATTERY
スパッタ方法による成膜方法、リチウム二次電池用負極の製造方法及びリチウム二次電池 - 特許庁 - INDIUM OXIDE-CERIUM OXIDE BASED SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - To obtain a fluoride thin film having stoichiometeric composition and free from fluorine defect by a magnetron sputtering method.
化学量論組成でフッ素欠損のないフッ化物薄膜をマグネトロンスパッタリング法により得ることである。 - 特許庁 - To provide a barium silicide polycrystal with high density and free from cracks, and to provide a barium gallium silicide sputtering target.
高密度で割れのない珪化バリウム多結晶体ならびに珪化バリウムガリウムスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - Then, Ti is formed on the first Schottky barrier electrode 30a by the sputtering film-forming method.
次に、第一のショットキー障壁電極３０ａ上に、スパッタ成膜法によりＴｉを形成する。 - 特許庁 - SINTERED COMPACT FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND SPUTTERING TARGET USING THE SAME
強誘電体薄膜形成用の焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide an Fe-Co based alloy sputtering target material which can stably sputter a soft magnetic film.
軟磁性膜を安定してスパッタリング可能なＦｅ−Ｃｏ系合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - PRODUCTION OF SPUTTERING TARGET FOR DIELECTRIC THIN FILM DEPOSITION SMALL IN GENERATION OF PARTICLE AND HAVING HIGH STRENGTH
パーティクルの発生が少なくかつ高強度な誘電体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - To provide a silicon target for minimizing contamination, when depositing an amorphous silicon film by sputtering.
アモルファスシリコン膜をスパッタリング堆積する際に、不純物が最小となるシリコンターゲットを提供すること。 - 特許庁 - SILVER-BASE ALLOY AND ITS USE FOR FORMING REFLECTIVE LAYER, SPUTTERING MATERIAL AND VAPOR DEPOSITION MATERIAL
銀をベースとする合金、反射層、スパッタ材料および蒸着材料を形成するためのその使用 - 特許庁 - On a first insulation layer, a metal film for interconnection with aluminum as a chief material is formed by sputtering.
第１絶縁層上にスパッタ法によるアルミニウムを主成分とする配線用の金属膜を形成する。 - 特許庁 - PHASE CHANGE RECORDING FILM WITH HIGH ELECTRIC RESISTANCE AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE PHASE CHANGE RECORDING FILM
電気抵抗が高い相変化記録膜およびこの相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁 - Ag ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE, FLAT PANEL DISPLAY DEVICE, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR Ag ALLOY FILM FORMATION
表示装置用Ａｇ合金膜、平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁 - Pre-sputtering is carried out, and unstable silicon atoms are removed by bonding them to activated oxygen (step S12).
プレスパッタを行い、不安定なシリコン原子を活性化された酸素と結合させ除去する（ステップＳ１２）。 - 特許庁 - The sputtering target is configured to include target atoms used for thin film deposition.
実施形態のスパッタリング用ターゲットは、薄膜形成に用いられるターゲット原子を含んで構成されている。 - 特許庁
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