「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 42 43 44 45 46 47 48 49 50 .... 130 131 次へ＞- The information signal part is formed on a replica substrate by a vacuum deposition method or a sputtering method.
レプリカ基板上に、真空蒸着法やスパッタリング法により情報信号部を形成する。 - 特許庁 - THIN FILM OF Ag ALLOY, AND SPUTTERING TARGET OF Ag ALLOY FOR FORMING THE THIN FILM OF THE Ag ALLOY
Ａｇ合金薄膜およびこのＡｇ合金薄膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - THIN ALUMINUM ALLOY FILM FOR FLAT PANEL DISPLAY, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THIN ALUMINUM ALLOY FILM
フラットパネルディスプレイ用Ａｌ合金薄膜およびＡｌ合金薄膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - If it is usual, depositing is performed over many hours by sputtering power in which coverage (step-difference coverage) is guaranteed.
通常なら、カバレッジ（段差被覆性）の保証されるスパッタパワーで時間をかけて成膜する。 - 特許庁 - INTEGRATED ANODE AND ACTIVATED REACTIVE GAS SOURCE FOR USE IN MAGNETRON SPUTTERING DEVICE
マグネトロン・スパッタリング・デバイスにおいて使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源 - 特許庁 - A second metal layer is formed on the surface subjected to the oxynitriding treatment by further sputtering the target.
更にターゲットをスパッタリングして酸窒化処理された表面に第２金属層を形成する。 - 特許庁 - PHASE-CHANGE FILM FOR SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MEMORY, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE FILM
半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁 - The sputtering target is made from a Ti-Al alloy containing Al in a range of 5-50 atom%.
スパッタリングターゲットはＡｌを5〜50原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。 - 特許庁 - As shown in Figure (a), a titanium (Ti) layer 6 is formed by entirely sputtering titanium (Ti).
図２（ａ）に示すように、全面にチタン（Ｔｉ）をスパッタすることによりチタン層６を形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering film deposition method by which a film thickness distribution in a substrate face can be uniformized.
基板面内の膜厚分布を均一にすることができるスパッタ成膜方法を提供する。 - 特許庁 - The multilayer film 3 is formed on the surface, on which the grooves 2 are formed, of the substrate 1 by means of sputtering.
この基板１の溝２が形成されている面に、スパッタリングにより多層膜３を形成する。 - 特許庁 - These marks 4a-4c are formed by ink jet, laser machining of a test pattern or sputtering.
これらマーク４ａ〜４ｃは、インクジェットやテストパターンのレーザ加工やスパッタ加工などで形成される。 - 特許庁 - To provide a sputtering film deposition apparatus capable of uniformizing a film thickness distribution on a substrate.
基板上の膜厚分布を均一にすることができるスパッタ成膜装置を提供すること。 - 特許庁 - The tungsten sputtering target and the cutting tool are manufactured using the above tungsten powder.
上記のタングステン粉末を用いたことを特徴とする、タングステンスパッタ・ターゲットおよび切削工具。 - 特許庁 - ELECTROCONDUCTIVE OXIDE SINTERED COMPACT, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SPUTTERING TARGET OBTAINED BY USING THE OXIDE SINTERED COMPACT
導電性酸化物焼結体、その製造方法及びそれを用いて得られるスパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a sputtering target which reduces the frequency of occurrence of arcing, and to provide a method for producing the same.
アーキング発生頻度を低減するスパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING ZrO2-In203-BASED OPTICAL RECORDING MEDIUM EXCELLENT IN CRACK RESISTANCE
耐割れ性に優れたＺｒＯ２−Ｉｎ２Ｏ３系光記録媒体保護膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL MEDIUM, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND OPTICAL MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、ならびに、光メディア、およびその製造方法 - 特許庁 - The above sputtering target can be suitably used for the formation of Nb films 6 as liner material for Al wirings 3, 7.
これらスパッタターゲットは、Ａｌ配線のライナー材としてのＮｂ膜の形成に好適である。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - THIN FILM RESISTOR, ITS MANUFACTURING METHOD AND SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING THE SAME
薄膜抵抗体、薄膜抵抗体の製造方法および薄膜抵抗体製造用スパッタリングターゲット - 特許庁 - FILM FORMING METHOD BY SPUTTERING AND MANUFACTURING METHOD OF PHOTOVOLTAIC DEVICE THEREWITH
スパッタリングによる成膜方法、及び該成膜方法を用いる光起電力素子の製造方法 - 特許庁 - The surface 4c at the lower side of the target body 4 is made in contact with a cooling plate in the sputtering system.
ターゲット本体４の下側表面４ｃは、スパッタリング装置の冷却板に接している。 - 特許庁 - SUBSTRATE WITH LIGHT SHIELDING LAYER, ITS PRODUCTION AS WELL AS SPUTTERING TARGET, COLOR FILTER SUBSTRATE AND DISPLAY ELEMENT
遮光層付き基板、その製造方法並びにスパッタターゲット、カラーフィルタ基板、及び表示素子 - 特許庁 - To solve the problem of applying a transparent and gastight coating by means of a sputtering arrangement onto a substrate of a synthetic material, and to produce a reflecting barrier layer with the same sputtering arrangement.
スパッタリング装置により、透明かつガス気密コーティングを合成材料の基板上に付着することの問題を解決しかつ同じスパッタリング装置を用いて反射バリヤ層を形成することにある。 - 特許庁 - Its use in sputtering has some advantages, such as large-area targets can be used and fine sputtering particles can be formed, but also has some constraints, such as the target must be located close to a substrate.
スパッタリングに利用する場合には面積の大きなターゲットを使用できることと、スパッタ粒子が微細であるという利点がある反面、ターゲットと基板は近接しなければならないと言う制約がある。 - 特許庁 - To provide a leaf system multi-segmental ITO sputtering target, which restrains cracking of a target generating during vacuum exhaust and/or sputtering, and has a minor axis of 0.7-1.0 times as long as a major axis.
真空排気時および／またはスパッタリングを行った際に発生するターゲットの割れを抑制した、短軸が長軸の０．７〜１．０倍である枚葉式多分割ＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - In the film deposition system 1 used in this invention, a film deposition face 22 in a substrate 20 is made oblique to the sputtering face 12 of a target 11, and sputtering particles are made incident obliquely on the film deposition face 22.
本発明に用いられる成膜装置１では、基板２０の成膜面２２が、ターゲット１１のスパッタ面１２に対して斜めにされており、スパッタ粒子は成膜面２２に斜めに入射する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target material with which a W target having a uniform particle size can be obtained, thereby particles and the reduction of sheet resistance value at the time of sputtering are reduced, and the productivity and yield in products can be remarkably improved.
均一な粒径のＷターゲットが得られ、それによりスパッター時のパーティクルやシート抵抗値が低下し、製品生産性並びに歩留を顕著に向上し得るスパッターリングターゲット材を提供すること。 - 特許庁 - To provide a Mo sputtering target material of high quality in which the problems that particles are largely generated and arcing occurs according to conditions at the time of sputtering are solved and to provide a method for producing it.
スパッター時の条件によリパーティクルが多量に発生したり、アーキングが起きるという問題を解消した品質の良いＭｏスパッターリングターゲット材とその製造方法とを提供すること。 - 特許庁 - To provide a sputtering device capable of sputtering a high-melting metal on the condition that the deterioration of a gate breakdown voltage is not generated in the manufacture of a semiconductor device for forming a high-melting metal silicide layer.
高融点金属シリサイド層を形成する半導体装置の製造において、ゲート耐圧の劣化が生じない条件で高融点金属をスパッタすることができるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁 - In addition, a method of manufacturing the solar cell has a step of forming a thin film containing Zn, Sn and O in a surface of a transparent electrode film by a sputtering method using the sputtering target mentioned above.
また、本発明の太陽電池の製造方法は、上記スパッタリングターゲットを用いたスパッタ法により、透明電極膜の表面にＺｎ、Ｓｎ及びＯを含有する薄膜を形成する工程を有する。 - 特許庁 - An Mo/Si multilayered film (a surface side multilayered film) 102 is film-deposited on the surface of the deep layer side multilayered film 101 by a low voltage discharge rotary magnet cathode sputtering method which is a kind of a magnetron sputtering method.
深層側多層膜１０１の表面には、マグネトロンスパッタ法の１種である低圧放電ロータリーマグネットカソードスパッタ法により、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜（表層側多層膜）１０２が成膜されている。 - 特許庁 - To provide a sputtering target which does not easily produce particles during sputtering, through forming a target material having a dense crystal structure without molding or burning the target material.
ターゲット材料を成形又は焼成することなく、緻密な結晶構造を有するターゲット材料を形成することにより、スパッタリングの際にパーティクルが発生し難いスパッタリング用ターゲットを提供する。 - 特許庁 - To adjust specific resistance of a sputtering target comprising In, Ga and Zn to 2.0×10^-2 Ωcm or less so as to enable formation of a Zn_xGa_yIn_zO_(x+3y/2+3z/2) thin film by DC sputtering.
Ｚｎ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＯ_（ｘ＋３ｙ／２＋３ｚ／２）薄膜をＤＣスパッタリングで作製可能なようにＩｎとＧａとＺｎと酸素とからなるスパッタリングターゲットの比抵抗を２．０×１０^−２Ω・ｃｍ以下にすること。 - 特許庁 - To provide a sputtering target material for producing a Ni-W-Cr alloy interlayer film and a thin film produced by using the sputtering target material for producing the thin film, in a vertical magnetic recording medium.
垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｃｒ合金中間層膜製造用スパッタリングターゲット材および薄膜製造用スパッタリングターゲット材を用いて製造した薄膜を提供する。 - 特許庁 - The method for manufacturing a scandium aluminum nitride film includes a sputtering step of using a scandium aluminum alloy to perform a sputtering under an atmosphere including a nitrogen gas.
本発明に係るスカンジウムアルミニウム窒化物膜の製造方法は、上記課題を解決するために、窒素ガスを含む雰囲気下で、スカンジウムアルミニウム合金を用いてスパッタリングを行うスパッタリング工程を含む。 - 特許庁 - Although it is necessary to form the cathode by deposition because it affects the organic layer physically when it is formed by sputtering, it can be formed by sputtering because the cathode becomes a buffer in the protection membrane on the cathode.
陰極をスパッタで形成すると有機層に物理的影響を与えるため蒸着で形成する必要があるが、陰極上の保護膜は陰極がバッファとなるためスパッタで形成できる。 - 特許庁 - After that, a co-sputtering process that uses the copper target and the silicon oxide target or a sputtering process that uses the composite target is performed to deposit a compound film on a surface of the substrate.
その後、銅ターゲットおよびシリコン酸化物ターゲットを使用して同時スパッタリングプロセスを行うか、あるいは、複合ターゲットを使用してスパッタリングプロセスを行って、基板の表面に混合膜を沈積させる。 - 特許庁 - To provide a sputtering target capable of suppressing a nodule generated when performing sputtering film formation using a target added with a minute amount of Cu, and stably obtaining an oxide semiconductor film with high repeatability.
Ｃｕを微量添加したターゲットを用いてスパッタ成膜する際に発生するノジュールを抑制し、酸化物半導体膜を安定かつ再現性よく得ることができるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide an Al-based alloy sputtering target which is useful for forming a metal thin film excellent in low wiring resistance and hillock resistance and which preferably suppresses the occurrence of splash during sputtering.
低配線抵抗と耐ヒロック性に優れた金属薄膜の形成に有用であり、好ましくはスパッタリング時のスプラッシュの発生を抑制することができるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - The dielectric layers 13 and 15 and the recording layer 14 are preferably formed from targets for sputtering whose target materials used for the DC sputtering method have ≤10 Ωcm specific resistance value.
誘電体層１３、１５および記録層１４は、ＤＣスパッタリング法に用いるターゲット材料の比抵抗値が１０Ω・ｃｍ以下であるスパッタリング用ターゲットから形成されることが好ましい。 - 特許庁 - To provide a spark plug having a reduced diameter stably sparking at a regular spark discharge plug when not sputtering, securing an ignition property even when sputtering and creeping discharge is generated.
細径化されたスパークプラグにおいて、くすぶっていない場合は安定して正規の火花放電ギャップへ飛火させるとともに、くすぶって沿面放電が発生した場合でも、着火性を確保させる。 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus which continuously and stably grows dielectric films of the same composition while successively exchanging a plurality of substrates in sputtering the dielectric films containing a plurality of compositions.
複数の組成を含む誘電体膜のスパッタリングにおいて、複数の基板を順次交換しながら、連続して同一組成の誘電体膜を安定して成長させることを目的としたスパッタリング装置。 - 特許庁 - A plasma gas such as argon is made to flow from a bomb 18 into a sputtering room 11, and an oxide transparent conductive film material is sputtered on a glass substrate 15 from a target 12 arranged in the sputtering room 11.
スパッタリング室１１内にボンベ１８からアルゴンなどのプラズマガスを流し、スパッタリング室１１内に配置されたターゲット１２からガラス基板１５に酸化物透明導電膜材料をスパッタリングする。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET ESSENTIALLY CONSISTING OF ZINC SULFIDE AND OPTICAL RECORDING MEDIUM FORMED WITH PHASE TRANSITION OPTICAL DISK PROTECTIVE FILM ESSENTIALLY CONSISTING OF ZINC SULFIDE USING THIS TARGET, AND METHOD OF MANUFACTURING THIS SPUTTERING TARGET
硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体並びに該スパッタリングターゲットの製造方法 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering source of high film deposition speed by solving the problem of the low film deposition speed of a known magnetron sputtering source, in particular, the low film deposition speed in film deposition of metal oxides.
従来のマグネトロンスパッタ源の遅い成膜速度、特に金属の酸化物の成膜に於ける遅い成膜速度の問題を解決し、成膜速度が速いマグネトロンスパッタ源を提供することにある。 - 特許庁 - The sputtering target material is obtained by solidification molding of a raw material powder manufactured by a gas atomizing method, and the Ni-W-P,Zr-based thin film is manufactured by using the sputtering target material.
また、上記スパッタリングターゲット材はガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したもの、およびそれら上記スパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系薄膜。 - 特許庁 - This device is also provided with a safety protection means 100 stopping the sputtering before the consumption extent of the inside negative electrode 2 by sputtering reaches its limit value and preventing the excessive consumption of the inside electrode 2.
スパッタリングによる内側陰極２の消耗度合がその限界値に達する前にスパッタリングを停止させて内側陰極２の過度の消耗を防止するための安全防護手段１００を有する。 - 特許庁 - To provide a backing plate which keeps an adequate contact with a target when the shape of the target is complicated, and the target is deformed while a film is formed with a sputtering method, and to provide a sputtering apparatus.
ターゲット形状を複雑にした場合に、スパッタ成膜中にターゲットの変形が生じてもターゲットとバッキングプレートとの良好な接触性が保たれるバッキングプレート及びスパッタ装置を提供する。 - 特許庁
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