「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 41 42 43 44 45 46 47 48 49 .... 130 131 次へ＞- To improve a film deposition rate and productivity and further to stabilize quality in sputtering.
スパッタリングにおける成膜レートおよび生産性を向上すると共に、品質の安定化を図る。 - 特許庁 - To provide a sputtering system for easily forming a thin film having a desired film thickness distribution.
所望の膜厚分布を有する薄膜を簡易に作成するためのスパッタ装置を提供する。 - 特許庁 - As the film deposition in this method is carried out by sputtering, the film deposition rate is higher than that of a vapor deposition method.
しかも、成膜はスパッタによるものであるため蒸着法に比べると成膜レートが早い。 - 特許庁 - Co-BASE SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMATION OF MAGNETIC RECORDING FILM WHICH IS LESS LIKELY TO GENERATE PARTICLE
パーティクル発生の少ない磁気記録膜形成用Ｃｏ基焼結合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - NONLINEAR ELEMENT, ITS MANUFACTURING METHOD, ELECTRO-OPTIC DEVICE, AND REACTIVE SPUTTERING FILM-FORMING DEVICE
非線形素子の製造方法、非線形素子、電気光学装置、および反応性スパッタ成膜装置 - 特許庁 - The ferromagnetic sputtering target has a plurality of hole-shaped recessed parts in the surface.
本発明に係る強磁性体スパッタリングターゲットは、表面に、複数の孔状の凹部を有する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, ITS PRODUCTION METHOD, ORGANIC PIGMENT-DISPERSED TYPE THIN FILM AND ITS PRODUCTION METHOD
スパッタリングターゲット及びその製造方法、有機顔料分散型薄膜及びその製造方法 - 特許庁 - AL ALLOY FILM FOR DISPLAY DEVICE HAVING SUPERIOR DEVELOPER RESISTANCE, DISPLAY DEVICE, AND SPUTTERING TARGET
現像液耐性に優れた表示装置用Ａｌ合金膜、表示装置およびスパッタリングターゲット - 特許庁 - To achieve the function required for a power source for sputtering by constituting a main circuit free complication.
スパッタリング用電源に求められる機能を、複雑にならない主回路構成で達成する。 - 特許庁 - Then, indium tin oxide (ITO) is film-formed in high electric power density by a magnetron sputtering method.
その上で酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）はマグネトロンスパッタリング法にて高電力密度で成膜した。 - 特許庁 - OPPOSED TARGET TYPE SPUTTERING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE
対向ターゲット式スパッタ装置、有機エレクトロルミネセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネセンス素子 - 特許庁 - ELECTROLUMINESCENT PHOSPHOR, ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, AND SPUTTERING TARGET FOR MANUFACTURING THEM
エレクトロルミネッセンス蛍光体およびエレクトロルミネッセンス素子、並びにそれらを製造するためのスパッタリングターゲット - 特許庁 - To provide a sputtering system and a film forming method capable of improving the in-plane uniformity of film thickness.
膜厚の面内均一性を改善可能なスパッタリング装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL MEDIUM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND OPTICAL MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、ならびに、光メディア、およびその製造方法 - 特許庁 - To develop a sputtering target having a prolonged life for depositing a thin film on an integrated circuit.
集積回路に薄膜を付着するための延長された寿命を有するスパッタターゲットの開発。 - 特許庁 - PLATINUM ALLOY FILM HAVING NO HILLOCK GENERATION AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING PLATINUM ALLOY FILM
ヒロック発生のない白金合金膜およびその白金合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁 - A film having the thickness of 3-4 microns is formed on a substrate 1 from a nickel metal by a sputtering method.
基板１上にスパッタ法によりニッケル金属を厚み３〜４ミクロンになるように成膜する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET OF COPPER-GALLIUM ALLOY, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND RELATED APPLICATION
銅−ガリウム合金スパッタリングターゲット及びそのスパッタリングターゲットの製造方法並びに関連用途 - 特許庁 - At this time, vapor-phase growth such as vacuum deposition, sputtering, laser ablation, and ion plating is used.
このとき、真空蒸着，スパッタリング，レーザーアブレーション，イオンプレーティング等の気相成長法を用いる。 - 特許庁 - The metal fine particles 3 are deposited on the fullerene polymer film 2 by sputtering, vapor deposition or coating.
この金属微粒子３はスパッタ、蒸着又は塗布によりフラーレン重合体膜２に担持させる。 - 特許庁 - The semiconductor layer is formed by a sputtering method using a target containing zinc sulfide and iridium.
半導体層は、硫化亜鉛およびイリジウムを含むターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。 - 特許庁 - WIRING FILM AND ELECTRODE USING Ti ALLOY BARRIER METAL AND Ti ALLOY SPUTTERING TARGET
Ｔｉ合金バリアメタルを用いた配線膜および電極、並びにＴｉ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - MAGNETRON, METHOD FOR OPERATING MAGNETRON AND METHOD FOR IMPROVING TARGET EROSION OF SPUTTERING MAGNETRON
マグネトロン、マグネトロンの操作法およびスパッタリングするマグネトロンのターゲット侵食を改良する方法 - 特許庁 - TIN OXIDE-INDIUM OXIDE POWDER FOR FORMING ITO FILM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING ITO FILM
ＩＴＯ膜形成用酸化錫−酸化インジウム粉末及びＩＴＯ膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - The inorganic layer preferably includes a material which desirably contains silicon, and is preferred to be formed by sputtering.
無機物層は、珪素を含むものが好ましく、スパッタリングにより形成されることが好ましい。 - 特許庁 - In the method, a pre-processed semiconductor substrate is first positioned in a sputtering chamber.
この方法では、最初に、前処理された半導体基板がスパッタリング・チャンバ内に位置決めされる。 - 特許庁 - To reduce damage caused by negative ions or the like during deposition of a fluorine-containing thin film by a sputtering method.
スパッタリング法による弗素含有薄膜成膜中の、負イオン等によるダメージを低減する。 - 特許庁 - SINTERED SPUTTERING TARGET OF SULFIDE FOR PRODUCING PHOSPHOR MATERIAL, AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
蛍光体材料製造用の硫化物焼結体スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - To form a LiNbO_3 thin film by an ECR sputtering method using a single crystal target.
単結晶ターゲットを用いたＥＣＲスパッタ法でＬｉＮｂＯ_3薄膜が形成できるようにする。 - 特許庁 - The filter 231' is formed by sticking stainless steel to the surface of a resin fiber net by sputtering.
フィルター２３１’は樹脂繊維網の表面にステンレスをスパッタリングによって付着させたものである。 - 特許庁 - Co ALLOY TARGET, ITS PRODUCTION, APPARATUS FOR SPUTTERING, MAGNETIC RECORDING FILM AND DEVICE FOR MAGNETIC RECORDING
Ｃｏ合金系ターゲット、その製造方法、スパッタリング装置、磁気記録膜および磁気記録装置 - 特許庁 - An ion-enhanced physical vapor deposition is augmented by sputtering to deposit multi-component materials.
イオン強化物理蒸着が、複数成分材料を堆積させるのにスパッタリングにより増大される。 - 特許庁 - Thereby, a large size sputtering target made of a metal oxide and having excellent film-forming property can be obtained.
これにより、成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲットを得ることができる。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering apparatus which can uniformly form a sputtered film on a substrate.
基板上にスパッタ膜を均一に形成することができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - The high-purity Ta material for the semiconductor device is used as a material for producing a sputtering target.
半導体デバイス用高純度Ｔａ材は、スパッタリングターゲットの形成素材として用いられる。 - 特許庁 - Each thin layer constituting the barrier layer is preferably formed by sputtering.
バリア層を構成する各薄層は、真空状態でスパッタリングにより形成されることが好ましい。 - 特許庁 - To realize high luminance and long service life of a cold cathode fluorescent lamp by suppressing sputtering in the electrode.
電極でのスパッタを抑えて冷陰極蛍光ランプの高輝度化、長寿命化を図る。 - 特許庁 - To provide a magnetic recording medium manufactured without substrate heating in a sputtering step.
スパッター工程において基板加熱をせずに製造することができる磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁 - The sputtering target is composed of high purity Nb having ≤3000 ppm Ta content and ≤200 ppm oxygen content.
スパッタターゲットは、Ｔａ含有量が3000ppm 以下、酸素含有量が200ppm以下の高純度Ｎｂからなる。 - 特許庁 - To manufacture a sputtering target without performing a positioning process and a joining process of a target material.
ターゲット材の位置合わせ工程及び接合工程を行うことなくスパッタリングターゲットを製造する。 - 特許庁 - BACKING PLATE MANUFACTURING METHOD, BACKING PLATE, SPUTTER CATHODE, SPUTTERING APPARATUS, BUCKING PLATE CLEANING METHOD
バッキングプレートの製造方法、バッキングプレート、スパッタカソード、スパッタリング装置、及びバッキングプレートの洗浄方法 - 特許庁 - TARGET, SPUTTERING METHOD, PLASMA DISPLAY PANEL MANUFACTURING METHOD, AND PLASMA DISPLAY DEVICE MANUFACTURING METHOD
ターゲット、スパッタリング方法、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマ表示装置の製造方法 - 特許庁 - The photocatalyst thin film of titanium oxide is preferably produced by film forming of a gas-flow sputtering.
この光触媒酸化チタン薄膜は、ガスフロースパッタリングにより成膜されることが好ましい。 - 特許庁 - ALUMINUM BASED ALLOY PREFORM, ALUMINUM BASED ALLOY DENSE BODY, METHOD FOR PRODUCING THEM AND SPUTTERING TARGET
アルミニウム基合金プリフォーム、アルミニウム基合金緻密体、これらの製造方法、およびスパッタリングターゲット - 特許庁 - To form a film well on a resin layer by applying sputtering.
本発明の目的は、スパッタリングを適用して樹脂層上に膜を良好に形成することにある。 - 特許庁 - The shields may be grounded and provide a path to ground for electrons present within a sputtering plasma.
シールドは接地してもよく、スパッタリングプラズマ内に存在する電子の接地経路を提供する。 - 特許庁 - If the depot attaches inside the gap 64, the ions scraped out from the gap 64 through ion sputtering.
隙間６４内部にデポが付着していれば、イオンスパッタにより隙間６４の外へ掻き出される。 - 特許庁 - To efficiently deposit a film of a perovskite type high dielectric material (SrTiO_3 etc.) by sputtering.
ペロブスカイト系の高誘電体材料（ＳｒＴｉＯ３等）をスパッタリングにより効率良く成膜する。 - 特許庁 - The resistance material 3 is formed by electroless plating, coating of thick film resistor paste, or sputtering.
抵抗材３は、無電解メッキや、厚膜抵抗体ペーストの塗布や、スパッタリングによって形成される。 - 特許庁 - Then a piezoelectric layer 22 is deposited on the first electrode layer 26 by using, for instance, the sputtering method.
次いで、第１電極層２６上に圧電層２２を、例えばスパッタリング法を用いて成膜する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
