「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .... 130 131 次へ＞- To provide a sputtering system where, when depositing a film by sputtering, the need of performing maintenance of a vacuum tank under release to the air can be reduced, and stabilization of a film deposition process can be attained.
スパッタリングにより成膜するに際し、大気に解放してメンテナンスを行う必要性を少なくすることができ、成膜プロセスの安定化を図ることが可能となるスパッタ装置を提供する。 - 特許庁 - The sputtering gas is introduced in the discharging space 18 by a sputtering gas introduction system 30, and the reaction gas is introduced in the container 10 by a reaction gas introduction system 31 from the outside of the discharging space 18.
スパッタリングガスは、スパッタリングガス導入系３０より放電空間１８に導入され、反応ガスは反応ガス導入系３１より放電空間１８外から容器１０内に導入される。 - 特許庁 - Further, since multi-color sputtering is made possible owing to the installation of a plurality of bell caps 12A, 12B, it is made possible for the installation space to be narrow as compared with the case a plurality of single color sputtering apparatuses are installed.
また、複数のベルカップ１２Ａ，１２Ｂを具備することによって多色塗装を可能にしているので、複数台の単色スパッタ塗装機を設置する場合に比べて、設置スペースが小さくて済む。 - 特許庁 - A substrate carrier 17 mounted with plural substrates 21 is carried in through a load lock chamber 12 and is moved to a sputtering chamber, where a substrate shutter attaching/detaching mechanism is provided on a sputtering device.
基板シャッタ脱着機構は、複数の基板21が搭載された基板キャリア17をロードロックチャンバ12を通して搬入し、スパッタチャンバ13,14 に移動させ、ここで基板に成膜を行うスパッタ装置に設けられる。 - 特許庁 - To provide a sputtering method, a sputtering apparatus, a piezoelectric element manufacturing method, and a liquid spray head having a piezoelectric element capable of depositing an excellent thin film of the uniform film thickness on a substrate.
基板上に薄膜を良好且つ均一な膜厚に形成することができるスパッタリング方法、スパッタリング装置、圧電素子の製造方法及び圧電素子を具備する液体噴射ヘッドを提供する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of uniformizing the reflection factor of a metallic thin-film in a surface when no abnormal conditions are present in a sputtering without damaging the throughput of a sputtering device.
本発明は、スパッタ装置の処理能力を損なうことなく、スパッタに異常がないときは金属薄膜の反射率を面内で均一にすることができる半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁 - To provide a Cu sputtering target which can maintain self-maintenance discharge for a long time in such a manner that the state of plasma is made stable in the case a self ion sputtering process of Cu is applied.
Ｃｕのセルフイオンスパッタ法を適用する場合において、プラズマ状態を安定させて長時間にわたって自己維持放電を持続させることを可能にしたＣｕスパッタリングターゲットが求められている。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering system where, even if a target is miniaturized, arc-shaped lines of magnetic force are formed on the surface of the target, and magnetron sputtering can stably be performed.
本発明は、上記従来の問題点に鑑み、ターゲットが小型化しても、ターゲット表面に弧状の磁力線が形成され、安定してマグネトロンスパッタが行える、マグネトロンスパッタ装置を提供するものである。 - 特許庁 - By the sputtering treatment, a deposit of particles on one target is removed, the particles sputtered and flying from other targets, and abnormal discharge during the sputtering formation of the phase shift film can be suppressed.
このスパッタ処理により、他のターゲットからスパッタリングされた粒子がターゲット上に飛来して形成された堆積物が除去され、位相シフト膜のスパッタリング成膜時の異常放電が抑制される。 - 特許庁 - Using the sputtering target, a fluorescent film can be obtained in the coexistence of gaseous H_2S by a sputtering process, and the fluorescent film is suitable for forming an inorganic EL luminescent layer of an inorganic EL element.
該スパッタリングターゲットを用いて、Ｈ_2Ｓガス共存下でスパッタリング法により蛍光体膜が得られ、該蛍光体膜は無機ＥＬ素子の無機ＥＬ発光体発光層を形成するのに好適である。 - 特許庁 - The ECR sputtering apparatus forms a multilayer film on a substrate S by generating a plasma by electron cyclotron resonance and sputtering targets 11A, 11B with ions 21 in the generated plasma.
電子サイクロトロン共鳴によりプラズマを生成し、生成されたプラズマ中のイオン２１でターゲット１１Ａ，１１Ｂをスパッタリングして基板Ｓ上に多層膜を形成するＥＣＲスパッタ装置に関する。 - 特許庁 - The sputtering target with low oxygen content is characterized by adding carbon as oxygen scavenger to metal components composing a Cr alloyed sputtering target.
Ｃｒ合金系スパッタリングターゲットの構成金属成分に対して脱酸素剤として炭素を添加することによって酸素含有量の低減化が図られてなることを特徴とする低酸素スパッタリングターゲット。 - 特許庁 - The nickel alloy sputtering target for forming the barrier layer is a Ni-Sn alloy sputtering target capable of inhibiting the diffusion of Sn between the undercoat or the pad and the Sn-Pb solder bump.
Ｎｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットであって、下地層又はパッドとＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの間におけるＳｎ拡散を抑制することを特徴とするバリヤー層形成用ニッケル合金スパッタリングターゲット。 - 特許庁 - To provide a target structure which enables sputtering of gallium or gallium-containing material in a molten state even when the film deposition rate is increased by increasing the input electric power and a sputtering apparatus including such a target structure.
投入電力を増大させて成膜速度を高めても、溶融状態のガリウムあるいはガリウムを含む材料のスパッタリングを可能にするターゲット構造とこれを備えたスパッタリング装置。 - 特許庁 - A chromium thin film 2 being the seed layer and a tantalum thin film 3 being a sub-carrier layer are formed by using an ion beam sputtering method and the tantalum thin film 4 being a principal carrier layer is formed by using a magnetron sputtering method.
イオンビームスパッタ法を用いてシード層であるクロム薄膜２と、副キャリア層であるタンタル薄膜３を形成し、マグネトロンスパッタ法を用いて主キャリア層であるタンタル薄膜４を形成する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target made of copper and a copper alloy in which the periods of carrying and preservation are prolonged, and which is usable in a highly clean atmosphere in a sputtering process.
銅又は銅合金製スパッタリングターゲットの運搬や保管の期間を延ばすと共に、スパッタリングプロセスの高度な清浄雰囲気において使用可能な銅および銅合金製スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - In the method for manufacturing a mask blank, a film is deposited on a transparent substrate using the sputtering target and a sputtering gas used in the film deposition contains nitrogen and/or oxygen.
また、本発明のマスクブランクの製造方法は、上記スパッタリングターゲットを用いて、透明基板上に成膜することを特徴とし、成膜時に使用される成膜ガスは、窒素及び／又は酸素を含んでいる。 - 特許庁 - To provide a target for magnetron sputtering, which can make the amount of leakage magnetic flux during magnetron sputtering higher than ever before without reducing the amount of a ferromagnetic metal element contained in a target.
ターゲットに含まれる強磁性金属元素の含有量を減少させずに、マグネトロンスパッタリング時の漏洩磁束量を従来よりも増加させることができるマグネトロンスパッタリング用ターゲットを提供する。 - 特許庁 - Thus, a Cu post required for a conventional semiconductor device is not required, an expensive sputtering apparatus required for formation is not needed, and sputtering time required long is not required at all.
これにより、従来の半導体装置で必要であったＣｕポストを不要とし、その形成に必要であった高額なスパッタリング装置を不要とし、長時間必要であったスパッタリング時間を不要とする。 - 特許庁 - This thermal transfer film to be used comprises a transfer layer accumulated on a substrate film and a layer formed on at least a portion of the transfer layer by one of DC sputtering and DC magnetron sputtering.
基材フィルム上に転写層が堆積され、転写層の少なくとも一部にＤＣスパッタ法およびＤＣマグネトロンスパッタ法の一方で形成された層を含む熱転写フィルムを用いる。 - 特許庁 - To provide a sputtering cathode which improves a utilizing efficiency of a target while improving a film forming speed and a uniformalization of a film thickness at the same time and a magnetron type sputtering device furnished with it.
成膜速度および膜厚均一性を同時に向上させながら、ターゲットの利用効率を改善することができるスパッタリングカソードおよびこれを備えたマグネトロン型スパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁 - The sputtering apparatus 1 sputters a target 8 by ions in plasma using a magnetron sputtering method, to form an ITO film originated from the target 8 on a glass substrate 5 attached to a rotating carrousel 4.
スパッタリング装置１は、マグネトロンスパッタリング法を用いてターゲット８をプラズマ中のイオンによりスパッタリングし、回転するカルーセル４に取り付けられたガラス基板５にターゲット８によるＩＴＯ膜を形成する。 - 特許庁 - The surfactant has vapor pressure of less than 1 Pa at 100°C, resulting in preventing the degree of vacuum from lowering due to gas generated from the urethane foam during sputtering, thus allowing sputtering to be carried out successfully.
界面活性剤の１００℃における蒸気圧が１Ｐａ未満であるため、スパッタリング時にウレタンフォームからガスが発生して真空度が低下することが防止され、スパッタリングを良好に行うことができる。 - 特許庁 - To provide a mosaic sputtering target capable of effectively preventing the contamination of a film deposited by sputtering with impurities and also capable of effectively suppressing the occurrence of particles deteriorating the reliability of the film.
スパッタリングにより形成される膜の不純物による汚染を効果的に防止でき、また膜の信頼性を損うパーティクルの発生を効果的に抑制できるモザイク型スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - A target 3 is installed along a side surface of a vacuum chamber 1 and perpendicular to a bottom surface of the vacuum chamber 1 with a sputtering surface directed inward of the vacuum chamber 1, and a substrate surface faces the sputtering surface of the target 3.
スパッタ面を真空チャンバ１内方へ向けた状態で真空チャンバ１底面に垂直に、チャンバ側面に沿ってターゲット３を設置し、基板表面をターゲット３のスパッタ面と対向させる。 - 特許庁 - To analyze a change in a sputtering yield with respect to the measured depth direction profile of an ion implantation element by utilizing attenuation depth and the sputtering yield in a concentration analyzing method of an element in a depth direction.
深さ方向元素濃度分析方法に関し、測定されたイオン注入元素の深さ方向プロファイルを減衰深さとスパッタ収率との関係を利用し、スパッタ収率の変化を分析しようとする。 - 特許庁 - The sputtering target is disposed in a plane, with a front of the plane 6 defined as the side on which the glow discharge plasma is located during sputtering and a back of the plane defined as the opposite side.
スパッタリングターゲットは、スパッタリング中にグロー放電プラズマが形成される側として規定される平面６の前部と、反対の側として規定される平面の後部とを有する平面内に配置される。 - 特許庁 - To provide a high purity copper sputtering target suitable for producing a thin film wiring material for a semi-conductor of LSI or the like, generating a reduced few amount of particles in forming thin film by sputtering.
スパッタリングにより薄膜を形成する際にパーティクルの発生の少ない、ＬＳＩなどの半導体薄膜配線材料を製造するために好適な高純度銅スパッタリングターゲットを得ることを課題とする。 - 特許庁 - A space 11 forming the sputtering chamber is partitioned by valve boards 15 and 16 and is separated from the other region.
スパッタチャンバを形成するスペース１１はバルブ板１５，１６で仕切られ、他の領域から分離される。 - 特許庁 - To provide a sputtering target composed of a zinc oxide sintered compact in which the generation of cracking and arcing is reduced.
割れ及びアーキングの発生が少ない酸化亜鉛焼結体からなるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - To provide a large-size target for forming a high-quality ceramic thin film on a large-size substrate by sputtering.
大型基板に高品質のセラミックス薄膜をスパッタ形成するための大型のターゲットを提供する。 - 特許庁 - This sputtering target is polycrystal silicon of columnar crystals, and includes unavoidable impurities of 10 ppm or less.
柱状晶の多結晶シリコンであって、含まれる不可避不純物量が、１０ｐｐｍ以下である。 - 特許庁 - The conveying time does not add any additional time because the untreated substrate can be conveyed into the treatment chamber during sputtering.
スパッタリング中に処理室内に未処理基板が搬入されるので搬入時間が無駄にならない。 - 特許庁 - To provide a method for producing a film realizing selective sputtering onto a substrate having an oxide region(s).
酸化物領域を有する基板上への選択スパッタを実現する膜の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The sputtering target has a composition comprising, by mass, 1 to 40% Cr and 0.5 to 20% Al, and the balance Si with inevitable impurities.
Cr：１〜40mass％およびAl：0.5〜20mass％を含み、残部Siおよび不可避的不純物の成分組成とする。 - 特許庁 - A recordable optical recording medium is provided with an inorganic recording layer prepared by magnetic sputtering.
記録可能光学式記録媒体が、磁気スパッタリングによって準備される無機記録層を備えている。 - 特許庁 - BIPOLAR PULSE SPUTTERING FILM DEPOSITION SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM MATERIAL OBTAINED USING THE SYSTEM
バイポーラパルススパッタリング成膜装置および同装置を用いて作製される薄膜材料の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS WITH FACING TARGETS, AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE USING THE SAME
対向ターゲット式スパッタリング装置及びこれを用いた有機電界発光表示装置の製造方法 - 特許庁 - In this case, the metal film 13 can be made into a film by vacuum deposition, sputtering or the like of Cr, In or the like.
金属皮膜１３は、Ｃｒ，Ｉｎ等を真空蒸着、スパッタリング等することにより成膜できる。 - 特許庁 - The currents of the electromagnet coils 13 and 14 are each kept at set values always while a sputtering operation is carried out.
各電磁石コイル１３，１４の電流は、スパッタが行われている間、設定された値を常に保つ。 - 特許庁 - A normal cleaning step and HF processing are performed, and a Co film is deposited on a substrate face through sputtering.
通常の洗浄工程、ＨＦ処理を施し、Ｃｏ膜をスパッタリングにより基板面に堆積させる。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR DEPOSITING FLUORESCENT FILM FOR ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, CAUSING LITTLE GENERATION OF PARTICLE
エレクトロルミネッセンス素子における蛍光体膜を形成するためのパーティクル発生の少ないスパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL, ELECTRICALLY CONDUCTIVE BLACKENED FILM OBTAINED BY USING THE SAME, AND PACKAGING COMPONENT HAVING THE FILM
スパッタリングターゲット材料、これを用いて得られる導電性黒化膜、及び該膜を有する実装部品 - 特許庁 - Besides, a conductive film, consisting essentially of Cu, of the wiring is formed by a sputtering method using a mask.
また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。 - 特許庁 - To provide a high strength ITO sintered compact, a sputtering agent and a method for manufacturing the same.
高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - To provide a film forming method having a higher productivity when forming a thin film according to a sputtering method.
スパッタリング法によって薄膜を形成するにあたり、より生産性の高い成膜方法を提供する。 - 特許庁 - The second sputtering source 106 is inclined at a given angle so as to sputter a vertical portion of the workpiece 2.
第２のスパッタ源１０６は、ワーク２の垂直部分がスパッタされるように、ある角度に傾いている。 - 特許庁 - The electrode is formed by sputtering the base material at 5-85°, in a nonactive gas atmosphere, with respect to the base material.
また、不活性ガス雰囲気下で、前記基材に対して、５〜８５°でスパッタリングによって形成される。 - 特許庁 - To provide a method for manufacturing a sputtering target superior in mechanical strength for forming a phase-change memory film.
機械的強度に優れた相変化メモリ膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering apparatus provided with a function of controlling particles which exfoliate from a deposition shield.
防着板からの剥離パーティクルを抑制する機能を備えたマグネトロンスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
