「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 40 41 42 43 44 45 46 47 48 .... 130 131 次へ＞- SPUTTERING DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC EL ELEMENT PANEL USING THE SAME, AND ORGANIC EL ELEMENT
スパッタ装置およびそれを用いた有機ＥＬ素子パネルの製造方法並びに有機ＥＬ素子 - 特許庁 - To provide a high-strength ITO sintered compact, a sputtering target and its manufacturing method.
高い強度を有するＩＴＯ燒結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Nb SPUTTERING TARGET, ITS MANUFACTURING METHOD, OPTICAL THIN FILM USING IT, AND OPTICAL COMPONENT
Ｎｂスパッタリングターゲットおよびその製造方法、並びにそれを用いた光学薄膜、光学部品 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MATERIAL, ITS PRODUCTION METHOD, AND METHOD OF PRODUCING TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM USING THE SAME
スパッタリングターゲット材料、その製造方法、及びそれを用いた透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - An IrO_X film 25 having a thickness of 50 nm is formed on a PZT film 24 by a sputtering method.
ＰＺＴ膜２４上にスパッタ法により厚さが５０ｎｍのＩｒＯ_X膜２５を形成する。 - 特許庁 - SPUTTERING APPARATUS, TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM FORMING METHOD, AND MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE
スパッタリング装置及び透明導電膜形成方法並びに有機電界発光素子の製造方法 - 特許庁 - The manufacturing method can stably form the TiN film and can apply a large amount of electrical power for sputtering.
ＴｉＮ膜を安定に成膜でき、また、大きなスパッタ電力を投入することができる。 - 特許庁 - And the preferable thickness of the thin film formed by sputtering is 200-1,000 Å.
前記スパッタリング法で形成する薄膜の膜厚を、２００〜１０００Åとすることが望ましい。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET MADE OF COPPER OR COPPER ALLOY WHERE OXIDATION DISCOLORATION INHIBITOR IS APPLIED AND TREATMENT METHOD THEREFOR
酸化変色防止剤を施した銅又は銅合金製スパッタリングターゲットおよびその処理法 - 特許庁 - To provide a zinc-oxide-based sputtering target; a manufacturing method therefor; and a zinc-oxide-based thin film.
酸化亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化亜鉛系薄膜を提供する。 - 特許庁 - To provide a controlling method and a device for obtaining a uniform film thickness distribution in a sputtering device.
スパッタ装置において、均一な膜厚分布を得るための制御方法・装置を提供する。 - 特許庁 - To provide a magnetic circuit for magnetron sputtering capable of attaining the elongation in the service life of a target.
ターゲットの長寿命化を図ることができるマグネトロンスパッタリング用磁気回路を提供する。 - 特許庁 - The magnetic recording medium 10 is provided with the carbon protective layer 4 formed by a ECR sputtering method.
磁気記録媒体１０は、ＥＣＲスパッタ法により形成した炭素保護層４を備える。 - 特許庁 - The shutters 1, 2 are opened during the film deposition mode, and closed during the non-film deposition mode such as during the pre-sputtering.
シャッタ１、２は、成膜時には開かれ、プレスパッタリング時など非成膜時には閉じられる。 - 特許庁 - Thus, the titanium-containing sputtering target having a small occurrence number of abnormal discharge can be obtained.
これにより、異常放電の発生回数の少ないチタン含有スパッタリングターゲットを得ることができる。 - 特許庁 - The sputtering target is made from a Ti-Al alloy containing Al in a range of 5-50 atom%.
スパッタリングターゲットは、Ａｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。 - 特許庁 - The sputtering target is composed of a Ti-Al alloy containing Al in the range of 5-50 atom%.
スパッタリングターゲットはＡｌを５〜５０原子％の範囲で含有するＴｉ−Ａｌ合金からなる。 - 特許庁 - To provide a sputtering target capable of suppressing the occurrence of arcing while achieving an increase in thickness.
厚さの増加を図りながらも、アーキングの発生が抑制されうるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR HIGH RESISTANCE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF HIGH RESISTANCE TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - A Si film 51 is formed on a 42-alloy cavity plate 10 with a sputtering method or the like.
４２合金製のキャビティプレート１０に、スパッタ法等を用いてＳｉ膜５１を形成する。 - 特許庁 - To improve target availability and target life in sputtering using a large target.
大型ターゲットを使用するスパッタリングにおいて、ターゲット利用性及びターゲット寿命を改善する。 - 特許庁 - The mixed material containing ITO is capable of direct current sputtering, even though it is a dielectric material.
ＩＴＯを含む混合材は、誘電体であるにもかかわらず、直流スパッタリングが可能である。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING HIGH DIELECTRIC FILM FREE FROM GENERATION OF CRACKING EVEN IN THE CASE OF HIGH SPEED FILM FORMATION
高速成膜しても割れが発生することのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - First, a Co-Zr-Ta magnetic film 14 is formed on a substrate 10 by sputtering.
まず、基板１０上にＣｏ−Ｚｒ−Ｔａ系の磁性膜１４をスパッタリングにより形成する。 - 特許庁 - Zr-Cr-Ti-O-BASED SPUTTERING TARGET FOR FORMING OXIDE FILM OF OPTICAL RECORDING MEDIUM
光記録媒体の酸化物膜成膜用Ｚｒ−Ｃｒ−Ｔｉ−Ｏ系スパッタリングターゲット - 特許庁 - The electrically conductive carbon film 2 is formed on the substrate 1 using an ECR (Electron Cyclotron Resonance) sputtering process.
導電性炭素膜２は、ＥＣＲスパッタリング法を用いて基板１上に形成される。 - 特許庁 - OPTICAL RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND TARGET FOR SPUTTERING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
光記録媒体及びその製造方法、並びに、スパッタリング用のターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - W-Ti BASED DIFFUSION PREVENTING FILM, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME
Ｗ−Ｔｉ系拡散防止膜およびＷ−Ｔｉ系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - A semiconductor laser chip is loaded into the processing chamber of a load lock-type sputtering device (step S10).
ロードロック式のスパッタ装置の処理室内に、半導体レーザチップを搬入する（ステップＳ１０）。 - 特許庁 - SPUTTERING DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR FLAT PANEL DISPLAY AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH
スパッタ装置、及びこれを用いる平面表示装置用基板や半導体素子の製造方法 - 特許庁 - A TiO_2 film 106 is formed by sputtering a Ti metal film 105 on the HfSiO film 104 and subjecting the Ti metal film 105 to a thermal oxidation treatment.
その上にTi金属膜105をスパッタし、それを熱酸化処理して、TiO_2膜106を形成する。 - 特許庁 - TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SPUTTERING TARGET USED FOR ITS MANUFACTURE
透明導電膜およびその製造方法、ならびにその製造に使用されるスパッタリングターゲット - 特許庁 - The Pt-Cu base alloy is retained on the conductive carbon by high frequency sputtering.
さらに、Ｐｔ−Ｃｕ系合金は、高周波スパッタリングによって導電性カーボンに担持されている。 - 特許庁 - The amorphous ferromagnetic alloy can be deposited by a vapor deposition method or sputtering, for example.
アモルファス強磁性合金は、例えば蒸着法或いはスパッタリング法を用いて形成可能である。 - 特許庁 - Then a second electrode layer 24 is deposited on the piezoelectric layer 22 by using, for instance, the sputtering method.
次いで、圧電層２２上に第２電極層２４を、例えばスパッタリング法を用いて成膜する。 - 特許庁 - An oxide film of Ta and Al and an MgF2 film are laminated on a substrate by sputtering.
基板上にＴａ及びＡｌの酸化物膜と、ＭｇＦ_２膜とをスパッタリングによって積層する。 - 特許庁 - REFLECTIVE FILM FOR OPTICAL RECORDING MEDIUM AND AG ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING THE SAME
光記録媒体用反射膜およびその反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND METHOD FOR MANUFACTURING ALLOY FILM AND PROBE PIN
スパッタターゲット、スパッタターゲットの製造方法、合金膜の製造方法及びプローブピンの製造方法 - 特許庁 - To provide an Mo alloy sputtering target material which is free of component segregation and has good plastic workability.
成分偏析がなく、しかも塑性加工性のよいＭｏ合金スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - METAL RESISTANCE MATERIAL, RESISTANCE THIN FILM, SPUTTERING TARGET, THIN FILM RESISTOR AND MANUFACTURING METHODS THEREOF
金属抵抗体材料、抵抗薄膜、スパッタリングターゲット、薄膜抵抗器およびその製造方法 - 特許庁 - An i layer 4 is formed by a reactive sputter method for performing sputtering in an oxygen gas atmosphere.
ｉ層４は酸素ガス雰囲気中でスパッタを行う反応性スパッタ法で成膜されている。 - 特許庁 - To provide a titanium silicide sputtering target for obtaining a TiSi_x film having reduced generation of particles.
パーティクル発生の少ないＴｉＳｉ_x膜を得るためのチタンシリサイドスパッタリングターゲットを提供すること。 - 特許庁 - In this film deposition method, a film deposition process and a sputtering process are alternately and periodically repeated.
この成膜方法では、成膜工程とスパッタリング工程とを交互に周期的に繰り返す。 - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING CATHODE DESIGNED SO THAT MAGNETIC FLUX ARRANGEMENT IS EASILY SWITCHED INTO BALANCE TYPE/UNBALANCE TYPE
磁束配置をバランス型／アンバランス型に容易に切替可能に設計したマグネトロンスパッタリング陰極 - 特許庁 - METHOD FOR PRODUCING FINE CRYSTAL GRAIN COPPER MATERIAL, THE FINE CRYSTAL GRAIN COPPER MATERIAL, AND SPUTTERING TARGET
微細結晶粒銅材料の製造方法、微細結晶粒銅材料及びスパッタリングターゲット - 特許庁 - The process is, for example, a reverse sputtering process for physically etching the opening edge of the via hole by ion bombardment.
例えばイオン衝撃でビアホール開口縁部を物理的にエッチングする逆スパッタ工程である。 - 特許庁 - OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING RECORDING LAYER OF OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM
光情報記録媒体および光情報記録媒体の記録層形成用スパッタリング・ターゲット - 特許庁 - SPUTTERING TARGET AND METHOD FOR PRODUCING PHASE SHIFTING MASK BLANK, AND PHASE SHIFTING MASK USING THE SAME
スパッタターゲット、並びに該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法 - 特許庁 - To provide a sputter source of a sputtering apparatus, which can control current flowing to bearings.
ベアリングに流れる電流を抑制することができるスパッタリング装置のスパッタ源を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND MANUFACTURING METHOD OF HIGHLY RESISTANT TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 - 特許庁
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