「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 36 37 38 39 40 41 42 43 44 .... 130 131 次へ＞- OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, AND THEIR PRODUCTION METHOD
酸化物焼結体、スパッタリングターゲット、透明導電性薄膜およびその製造方法 - 特許庁 - To provide an opposing target sputtering apparatus capble of improving production yield.
製造歩留まりを向上することが可能な対向ターゲットスパッタ装置を提供すること。 - 特許庁 - The ZnO thin film may be deposited by using a sputtering method, a CVD method, or the like.
ＺｎＯ薄膜の堆積には、スパッタ法やＣＶＤ法等を用いることができる。 - 特許庁 - To provide a sputtering target material for producing a base film in a high density magnetic recording medium.
高密度磁気記録媒体における下地膜作製用スパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁 - To provide a technique of increasing the using efficiency of a target used for a magnetron sputtering device.
マグネトロンスパッタ装置に用いられるターゲットの使用効率を高める技術を提供する。 - 特許庁 - To provide a method and an apparatus for forming a thin film on an organic film through sputtering.
有機膜上にスパッタリングで薄膜を形成する方法及び装置を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING SYSTEM, METHOD FOR PRODUCING PLASMA DISPLAY PANEL, PLASMA DISPLAY DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
スパッタリング装置、プラズマディスプレイパネルの製造方法、プラズマ表示装置及びその製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING SYSTEM, LAYERED PRODUCT, OPTICALLY FUNCTIONAL FILTER, OPTICAL DISPLAY DEVICE, AND OPTICAL ARTICLE
スパッタリング装置、積層体、光学機能性フィルタ、光学表示装置及び光学物品 - 特許庁 - ZnO-Al2O3-BASED SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET AND METHOD OF FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３系焼結体、スパッタリングターゲット及び透明導電膜の製造方法 - 特許庁 - In a processing chamber 2 of a sputtering apparatus 1, the substrate heating device 5 is disposed.
スパッタリング装置１の処理チャンバ２内には、基板加熱装置５が配置されている。 - 特許庁 - OXIDE SINTERED COMPACT, ITS MANUFACTURING METHOD, SPUTTERING TARGET AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜 - 特許庁 - To provide a sputtering apparatus which is suitable for performing deposition on a large-area substrate.
大面積の被処理基板への成膜に適したスパッタリング装置を提供すること。 - 特許庁 - A light shielding layer 12 is formed on the second surface 11b of the substrate 11 by a sputtering method.
基板１１の第２面１１ｂには、スパッタ法で遮光層１２が形成されている。 - 特許庁 - POLYCRYSTAL MgO SINTERED COMPACT, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND MgO TARGET FOR SPUTTERING
多結晶ＭｇＯ焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリング用ＭｇＯターゲット - 特許庁 - Thus, the cobalt, chromium, boron or the like in the sputtering target can be uniformly dispersed.
このため、前記スパッタリングターゲットにおけるコバルト、クロム、ホウ素等は均一に分散される。 - 特許庁 - To increase the number of target atoms vertically beat out from a sputtering target.
スパッタリング用ターゲットから垂直方向に叩き出されるターゲット原子の個数を増大させる。 - 特許庁 - To form an insulating film good in insulating pressure-resistance on a substrate by high frequency bias sputtering.
高周波バイアススパッタリングにより絶縁耐圧の良い絶縁膜を基板に成膜すること - 特許庁 - To provide an auxiliary magnetic pole in a sputtering apparatus, which can easily change a shape of the magnetic field.
スパッタ装置に前記補助磁極を設ける場合に、磁場形状を容易に変化させる。 - 特許庁 - The crystalline zinc oxide film may be manufactured by utilizing a sputtering apparatus.
また、該結晶質酸化亜鉛膜の製造にスパッタ装置を活用することも可能である。 - 特許庁 - Cu ALLOY SPUTTERING TARGET, AND METHOD OF MANUFACTURING Cu WIRING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICE
Ｃｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法 - 特許庁 - To provide a limit-ultraviolet lithography apparatus for reducing the corrosion effect of ion sputtering.
イオンスパッタリングの腐食効果を減少させる極限紫外リソグラフィー装置を提供する。 - 特許庁 - A gallium-added zinc oxide membrane 4 is deposited on a glass base 3 by sputtering.
ガラス基板３上にスパッタリングによりガリウム添加酸化亜鉛膜４を堆積させる。 - 特許庁 - To provide a magnetron sputtering device capable of obtaining a target of high utilization efficiency.
使用効率の高いターゲットを得ることができるマグネトロンスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁 - The transparent conductive film 26 is formed by a sputtering method using gas containing krypton.
クリプトンを含むガスを用いたスパッタリング法により透明導電膜２６を形成する。 - 特許庁 - SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, SPUTTERING APPARATUS, DRY ETCHING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
半導体製造装置、スパッタリング装置、ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法 - 特許庁 - The ion density and ions energy in a sputtering system are controlled using the modulated signal.
この変調信号を用いてスパッタリングシステムのイオン密度とイオンエネルギーを制御する。 - 特許庁 - LIGHT SHIELDING FILM FOR FORMING BLACK MATRIX AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING LIGHT SHIELDING FILM
ブラックマトリックスを形成するための遮光膜および遮光膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - The thin film is formed by vacuum vapor deposition or sputtering to roughly control its thickness.
薄膜は真空蒸着やスパッタリングで作製し、その厚さを大まかに設定する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, ITS MANUFACTURING METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING MASK BLANK USING IT
スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにそれを用いたフォトマスクブランクの製造方法 - 特許庁 - A smooth film 21 is formed on inner planes of the upper and lower flanges 7, 8, by sputtering.
上下のフランジ７・８の内面には、スパッタリングで滑性皮膜２１が形成されている。 - 特許庁 - INDIUM-ZINC-OXIDE-BASED SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND INDIUM-ZINC-OXIDE-BASED THIN FILM
酸化インジウム亜鉛系スパッタリングターゲット、その製造方法、および酸化インジウム亜鉛系薄膜 - 特許庁 - RARE EARTH ELEMENT-TRANSITION METAL SERIES SINTERED BODY FOR SPUTTERING TARGET AND ITS PRODUCTION
スパッタリングターゲット用希土類元素−遷移金属系焼結体およびその製造方法 - 特許庁 - Cu-In-Ga TERNARY SINTERED ALLOY SPUTTERING TARGET, AND ITS MANUFACTURING METHOD
Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ三元系焼結合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 - 特許庁 - TARGET FOR SPUTTERING, ITS PRODUCTION METHOD AND METHOD FOR DEPOSITING THIN FILM FOR OPTICAL WAVEGUIDE
スパッタリング用ターゲット、その製造方法及び光導波路用薄膜の形成方法 - 特許庁 - The sputtering target material is used for forming the Cu alloy film for wiring film.
また、上記の配線膜用Ｃｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材である。 - 特許庁 - MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD OF Ti MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM
半導体素子の製造方法およびマグネトロンスパッタリング装置用Ｔｉ材の製造方法 - 特許庁 - The electrode film is formed by using a sputtering film of a conductive oxide (ITO film).
本発明では、電極膜を導電性酸化物（ＩＴＯ膜）のスパッタ膜で形成する。 - 特許庁 - SILVER ALLOY SPUTTERING TARGET FOR FORMING SILVER ALLOY REFLECTIVE FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING
光情報記録用Ａｇ合金反射膜の形成用のＡｇ合金スパッタリングターゲット - 特許庁 - Ag ALLOY FILM, FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR Ag ALLOY FILM DEPOSITION
Ａｇ合金膜、平面表示装置およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁 - Nitrogen contained in the sputtering target may vary from +30% to -30% in content.
スパッタターゲット中の窒素含有量のバラツキは、ターゲット全体として±30% 以内とされている。 - 特許庁 - The carbon layers can be formed by a sputtering method or a plasma CVD method.
これらのカーボン層はスパッタリング法やプラズマＣＶＤ法により形成することができる。 - 特許庁 - The target material is deposited on the substrate by sputtering the oxide target with noble gas.
酸化物ターゲットを希ガスでスパッタすることによりターゲット材料を基板上に堆積する。 - 特許庁 - CAPACITOR INCLUDING END SURFACE ELECTRODE LAYER FORMED BY SPUTTERING AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
スパッタリングにより形成された端面電極層を含むコンデンサおよびその製造方法 - 特許庁 - The target 1A has a recessed part 3A provided at a consumption part consumed by sputtering.
ターゲット１Ａは、スパッタリングによって消耗する消耗部位に凹部３Ａを設けている。 - 特許庁 - SPUTTERING SYSTEM, MIXED FILM PRODUCED BY THE SYSTEM, AND MULTILAYER FILM INCLUDING THE MIXED FILM
スパッタ装置、およびそれにより製造される混合膜、ならびにそれを含む多層膜 - 特許庁 - OXIDE SINTERED COMPACT AND SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE TRANSPARENT ELECTRODE FILM
酸化物焼結体及びスパッタリングターゲット、酸化物透明電極膜の製造方法 - 特許庁 - The electrode base film 21 and the vibrating electrode film 2a are formed by a sputtering method.
電極下地膜２１及び振動電極膜２ａは、スパッタリング法によって形成される。 - 特許庁 - METHOD FOR SPUTTERING CARBON PROTECTIVE FILM ON MAGNETIC DISK HAVING HIGH sp3 CONTENT
高いｓｐ３含有率をもつ磁気ディスク上に、炭素保護フィルムをスパッタリングする方法 - 特許庁 - MANUFACTURE OF Mg-CONTAINING ITO SPUTTERING TARGET AND Mg-CONTAINING ITO EVAPORATION MATERIAL
Ｍｇ含有ＩＴＯスパッタリングターゲットおよびＭｇ含有ＩＴＯ蒸着材の製造方法 - 特許庁 - OXIDE FOR SEMICONDUCTOR LAYER OF THIN FILM TRANSISTOR AND SPUTTERING TARGET, AND THIN FILM TRANSISTOR
薄膜トランジスタの半導体層用酸化物およびスパッタリングターゲット、並びに薄膜トランジスタ - 特許庁
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