「sputtering」を含む例文一覧(6532)
＜前へ 1 2 .... 34 35 36 37 38 39 40 41 42 .... 130 131 次へ＞- In the method of straightening for a sputtering target/backing plate assembly, the assembly formed by joining the sputtering target and the backing plate is straightened by means of vacuum suction.
スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合した組立体を真空吸引して矯正することを特徴とするスパッタリングターゲット／バッキングプレート組立体の矯正方法。 - 特許庁 - FERROELECTRIC THIN FILM, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING FERROELECTRIC THIN FILM
強誘電体薄膜、及び強誘電体薄膜作成用スパッタリングターゲット材料 - 特許庁 - OXIDE SPUTTERING TARGET AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND BUFFER POWDER USED THEREFOR
酸化物スパッタリングターゲット及びその製造方法並びにこれに用いる緩衝粉 - 特許庁 - By depositing the TaN film by means of reactive sputtering using such a sputtering target, the TaN film (barrier layer) excellent in Cu barrier property can be obtained with superior reproducibility.
このようなスパッタリングターゲットを用いて、化成スパッタによりＴａＮ膜を成膜することによって、Ｃｕバリア性に優れるＴａＮ膜（バリア層）が再現性よく得られる。 - 特許庁 - METALLIC TIN-CONTAINING INDIUM OXIDE SINTERED COMPACT, SPUTTERING TARGET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
金属スズ含有酸化インジウム焼結体、スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - ITO SPUTTERING TARGET, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND TRANSPARENT ELECTROCONDUCTIVE ITO FILM
ＩＴＯスパッタリングターゲット及びその製造方法並びにＩＴＯ透明導電膜 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR VERTICAL MAGNETIC RECORDING MEDIUM FILM FORMATION HAVING HIGH LEAKAGE MAGNETIC FLUX DENSITY
漏洩磁束密度の高い垂直磁気記録媒体膜形成用スパッタリングターゲット - 特許庁 - MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM, FILM DEPOSITION METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
マグネトロンスパッタリング装置、成膜方法及び有機電界発光素子の製造方法 - 特許庁 - The amorphous film (a-Si film) 3 is formed through a sputtering method using Ar gas.
非晶質膜（ａ−Ｓｉ膜）３は、Ａｒガスを用いたスパッタ法にて形成する。 - 特許庁 - TARGET FOR SPUTTERING, ITS PRODUCTION AND HIGH MELTING POINT METAL POWDER MATERIAL
スパッタリング用ターゲット及びその製造方法ならびに高融点金属粉末材料 - 特許庁 - METHOD FOR SYNTHESIZING THIN LiMn2O4 FILM, PRODUCTION OF LITHIUM CELL AND SPUTTERING APPARATUS
ＬｉＭｎ２Ｏ４薄膜の合成方法、リチウム電池の製造方法及びスパッタ装置 - 特許庁 - Ag ALLOY FILM FOR ELECTRONIC PARTS AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR FORMING Ag ALLOY FILM
電子部品用Ａｇ合金膜およびＡｇ合金膜形成用スパッタリングターゲット材 - 特許庁 - To provide a sputtering target material, wherein the generation of arcing and splashes upon sputtering is effectively prevented, and, particularly, arcing is not generated actually.
スパッタリング時のアーキングやスプラッシュの発生を効果的に防止することができ、とくにアーキングについては事実上皆無とすることができるスパッタリングターゲット材を提供すること。 - 特許庁 - On this titanium film 41, a titanium nitride film 42 is formed by ordinary sputtering.
このチタン膜４１上に通常のスパッタによって窒化チタン膜４２が形成される。 - 特許庁 - To provide an integrated anode and activated reactive gas source for use in a magnetron sputtering device and a magnetron sputtering device incorporating the same.
本発明は、マグネトロン・スパッタリング・デバイスで使用するための統合したアノードおよび活性化反応性ガス源、ならびにそれを組み込んだマグネトロン・スパッタリング・デバイスに関する。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND Ti-W MATERIAL FOR MAGNETRON SPUTTERING SYSTEM
半導体素子の製造方法およびマグネトロンスパッタリング装置用Ｔｉ−Ｗ材 - 特許庁 - FILM DEPOSITION METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING RESIN FILM WITH METAL BASE LAYER AND SPUTTERING APPARATUS
成膜方法、金属ベース層付樹脂フィルムの製造方法及びスパッタリング装置 - 特許庁 - HIGH-PURITY Ru POWDER, SPUTTERING TARGET OBTAINED BY SINTERING THE HIGH-PURITY Ru POWDER, THIN FILM OBTAINED BY SPUTTERING THE TARGET, AND METHOD FOR PREPARING HIGH-PURITY Ru POWDER
高純度Ｒｕ粉末、該高純度Ｒｕ粉末を焼結して得るスパッタリングターゲット及び該ターゲットをスパッタリングして得た薄膜並びに高純度Ｒｕ粉末の製造方法 - 特許庁 - An ITO thin film 2 is formed on a quartz substrate 1 having six inch diameter, by sputtering.
６インチ径の石英基板１の上にスパッタリングでＩＴＯ薄膜２を形成する。 - 特許庁 - Incident ions 20 which are incident positive ions on the sputtering target 2 are made incident at an incident angle θ_1 diagonally with the slopes 2a which are the sputtering surfaces.
このため、スパッタリングターゲット２に入射する正イオンである入射イオン２０は、スパッタ面である傾斜面２ａに対して斜めに入射角θ_1で入射する。 - 特許庁 - To provide a target for sputtering capable of improving performance while reducing the cost, to provide a sputtering device using the same and to provide a method for producing a semiconductor device.
高性能化できしかもコストが低減化できるスパッタリング用ターゲットおよびそれを用いたスパッタリング装置ならびに半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - SPUTTERING DEVICE FOR MANUFACTURING THIN FILM SOLID BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM SOLID BATTERY
薄膜固体電池製造用スパッタ装置及び薄膜固体電池の製造方法 - 特許庁 - To suppress abnormal electric discharge and nodules when sputtering is performed.
スパッタを行う際の、異常放電の発生とノジュールの発生とをともに抑制する。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET, PROTECTIVE FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM, AND ITS MANUFACTURING METHOD
スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体用保護膜及びその製造方法 - 特許庁 - Thereby, a thin film is formed on the surface of the substrate by the gas-flow sputtering technique.
これにより、基材の表面にガスフロースパッタリング法により薄膜が形成される。 - 特許庁 - To reduce accumulation of electric charges on a semiconductor device caused upon sputtering.
スパッタリングをおこなう際に生じる半導体装置への電荷の蓄積を軽減する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target making it possible to suppress the generation of nodules when a transparent conductive film is formed by sputtering, and to provide their manufacturing method.
スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。 - 特許庁 - To provide a sputtering target capable of depositing a transparent conductive film by the magnetron sputtering without any wasteful consumption of a sputtering target material, and easily controlling the resistivity and the transmittance of the transparent conductive film in a target for the magnetron sputter which has a mask on a substrate to perform the pattern-forming of the transparent conductive film on the substrate by the magnetron sputtering method.
基板上にマスクを設け、マグネトロンスパッタリング法により基板上に透明導電膜をパターン形成するためのマグネトロンスパッタ用ターゲットにおいて、マグネトロンスパッタリングにより、スパッタリングターゲット材の消費に無駄が無く透明導電膜を形成でき、また透明導電膜の抵抗率や透過率の制御が容易にできるスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁 - In the sputtering system, during sputtering, the rotation of at least one selected from the cathode 802, the stage 801 and the blocking plate 805 is controlled in such a manner that, among sputtering particles generated from a target 803a, the sputtering particles made incident at an angle of 0 to 50°C as an angle formed with the normal of a substrate 804 are made incident on the substrate 804.
上記スパッタリング装置は、スパッタリング中において、ターゲット８０３ａから発生したスパッタ粒子のうち、基板８０４の法線との成す角度が０°以上５０°以下の角度で入射するスパッタ粒子を基板８０４に入射させるように、カソード８０２、ステージ８０１、および遮蔽板８０５の少なくとも１つの回転を制御する。 - 特許庁 - A thin film for wiring is composed of a double layer structure composing of a Cr film contg. nitrogen element at a lower layer film 2, which is formed by sputtering with using CrN target and pure Ar gas as a sputtering gas, and a Cr film contg. no nitrogen element as an upper layer film 1, which is formed by sputtering with using Cr target and pure Ar gas as a sputtering gas.
配線用薄膜を、ＣｒＮターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有するＣｒ膜を下層膜２とし、Ｃｒターゲットを用い、スパッタガスとして純Ａｒガスを用いたスパッタリングにより形成した窒素元素を含有しないＣｒ膜を上層膜１とした二層構造とする。 - 特許庁 - Also disclosed is an Ni-W-B-based thin film produced using the sputtering target material.
さらに上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｂ系薄膜。 - 特許庁 - This ultraviolet light screening fabric sputtered with a metal is characterized in that a metal (1) is stuck fast to a base material (2) by a sputtering method.
基材（２）に、金属（１）をスパッタリング法で密着させたことを特徴とする。 - 特許庁 - Variations in the Ta content in the sputtering target are regulated to ≤±30% over the entire target.
スパッタターゲット中のＴａ含有量のバラツキは、ターゲット全体として±30% 以内とされている。 - 特許庁 - The angle of inclination is designed at the optimum angle according to the constitution conditions of the sputtering system.
傾斜角度は、スパッタ装置の構成条件に応じて最適な角度に設計される。 - 特許庁 - To deposit a porous optical thin film having a low refractive index using reactive sputtering.
反応性スパッタリングを用いて、多孔質で屈折率の低い光学薄膜を成膜する。 - 特許庁 - To manufacture a homogeneous sputtering target free from defects such as blow holes attributable to casting.
鋳造時に起因する巣等の欠陥の無い均質なスパッタリングターゲットを製造すること。 - 特許庁 - SPUTTER FILM-FORMING METHOD, FILM-FORMED PRODUCT, AND ELECTRON-FLOW CONTROL DEVICE FOR SPUTTERING APPARATUS
スパッタリング成膜方法、成膜製品及びスパッタリング装置の電子流量調節装置 - 特許庁 - A vibration member 10 is deposited on a base material 100 by using, for instance, a sputtering method.
ベース材１００上に、振動部材１０を、例えばスパッタリング法を用いて成膜する。 - 特許庁 - To provide a magnetron cathode capable of uniforming erosion of a target, and to provide a sputtering system with the same.
ターゲットのエロージョンの均一化を図ったマグネトロンカソード及びそのスパッタ装置の提供。 - 特許庁 - To provide an economical cold cathode fluorescent lamp which is excellent in sputtering resistance and productivity.
耐スパッタ性と製作性に優れ、かつ経済的な冷陰極蛍光ランプを提供する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a cylindrical sputtering target without using a brazing filler metal.
ロウ材を使用することなく、円筒形スパッタリングターゲットを製造する方法を提供する。 - 特許庁 - LIGHT-REFLECTING FILM, REFLECTION TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND SPUTTERING TARGET FOR LIGHT- REFLECTING FILM
光反射膜、反射型液晶表示素子および光反射膜用スパッタリングターゲット - 特許庁 - ITO SINTERED COMPACT SPUTTERING TARGET FOR HIGH RESISTANCE FILM DEPOSITION AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
高抵抗膜形成用ＩＴＯ焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SPUTTERING TARGET, METHOD FOR MANUFACTURING STAMPER, AND METHOD FOR MANUFACTURING MOLDED PRODUCT
スパッタリング用ターゲットの製造方法、スタンパの製造方法、成形品の製造方法 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR FORMING PHASE CHANGE FILM WITH REDUCED GENERATION OF PARTICLE, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
パーティクル発生の少ない相変化膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法。 - 特許庁 - SPUTTERING TARGET FOR OPTICAL DISK PROTECTING FILM, AND THE OPTICAL DISK PROTECTING FILM FORMED BY USING THE SAME
光ディスク保護膜用スパッタリング・ターゲット及びそれを用いて形成した光ディスク保護膜 - 特許庁 - Also disclosed is a Cr-Mn-B-based thin film produced using the above sputtering target material.
また、上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＣｒ−Ｍｎ−Ｂ系薄膜。 - 特許庁 - METHOD FOR MANUFACTURING SHAPE MEMORY ALLOY MICROACTUATOR, AND SPUTTERING SYSTEM USED FOR THE METHOD
形状記憶合金製マイクロアクチュエータの製造方法とそれに用いるスパッタリング装置 - 特許庁 - To provide a thin film deposition apparatus capable of stabilizing plasma during sputtering and maintaining the thickness of a sputtered film on a substrate constant.
スパッタリングにおけるプラズマを安定させ、基板のスパッタ膜の膜圧を一定とする。 - 特許庁 - RECORDING LAYER FOR OPTICAL INFORMATION-RECORDING MEDIUM, OPTICAL INFORMATION-RECORDING MEDIUM, AND SPUTTERING TARGET
光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、およびスパッタリングターゲット - 特許庁
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